一种改善主动笔技术暗点的方法与流程

1.本发明属于触控屏显示技术领域，具体涉及一种改善主动笔技术暗点的方法。


背景技术：

2.近年来，触控屏显示市场目前已进入产品多元化，从小尺寸的手机到中大尺寸的nb、平板、车载甚至到it产品。触控技术主要分外挂式（out cell）与内嵌式（in cell）两种，以手机、平板以及nb产品来说，为因应因成本、重量、厚度上考虑，内嵌式（in cell）产品逐渐取代外挂式（out cell）产品。
3.目前内嵌式（in cell）产品有逐渐往娱乐主动笔趋势，但由于主动笔需要低snr（signal noise ratio），故需要降低tp（touch sensor）sd层上与vcom间的电容c势在必行，此专利以middle com架构（如图1所示）进行说明，由于电容与介电常数（ε）成正比，因此需要将ch绝缘层由sinx（ε=6.5）换为siox（ε=4），使得tp（sd）与vcom rc loading降低，middle com结构如图2所示。
4.但由于ch（siox）在形成时，氧电浆会在vcom（ito）边下的oc蚀刻成孔洞，使得后续画素电极pe ito层膜断线（图3所示），造成画素电极pe与sd间接触阻抗过高，产生充电不足问题。为此，我们提出一种改善主动笔技术暗点的方法，以解决上述背景技术中提到的问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种改善主动笔技术暗点的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善主动笔技术暗点的方法，包括如下步骤：s1：透过oc洞退至画素电极pe内；s2：使oc洞退至vcom ito层内；s3：oc被vcom ito层保护着，当ch制siox制程时，氧电浆在轰击时，也就轰击不到oc，也就不会有因oc上有siox，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。画素电极pe的底部两侧依次设有ch（siox）层和vcom ito层。
7.oc设置在vcom ito层和pv层之间，pv层底部居中设有sd层，所示pv层和sd层底部设有gi层。
8.本发明适合绑定主动笔、mox材料、a-si材料。
9.本发明可利用光罩设计进行优化，使oc洞退至vcom ito层内，因此oc被vcom ito层保护着，也就不会有因oc上有siox，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。解决画素电极pe（ito）在oc层破孔产生断线，所造成画素充电不足，而造成暗点问题。
10.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种改善主动笔技术暗点的方法，本发明有效改善因画素电极断路，产生画素充电问题，产生暗点不良现象，提升面
板良率，降低生产成本。
附图说明
11.图1为middle com剖面示意图；图2为middle com制程堆栈示意图；图3为画素因oc孔洞造成画素电极pe ito层膜断线示意图；图4为画素vcom金属在线的光阻过薄而产生gi空洞示意图。
具体实施方式
12.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
13.目前内嵌式（in cell）产品有逐渐往娱乐主动笔趋势，但由于主动笔需要低snr（signal noise ratio），故需要降低tp（touch sensor）sd层上与vcom间的电容c势在必行，此专利以middle com架构（如图1所示）进行说明，由于电容与介电常数（ε）成正比，因此需要将ch绝缘层由sinx（ε=6.5）换为siox（ε=4），使得tp（sd）与vcom rc loading降低，middle com结构如图2所示。
14.但由于ch（siox）在形成时，氧电浆会在vcom（ito）边下的oc蚀刻成孔洞，使得后续画素电极pe ito层膜断线（图3所示），造成画素电极pe与sd间接触阻抗过高，产生充电不足问题。
15.本发明提供了如图4的一种改善主动笔技术暗点的方法，包括如下步骤：s1：透过oc洞退至画素电极pe内；s2：使oc洞退至vcom ito层内；s3：oc被vcom ito层保护着，当ch制siox制程时，氧电浆在轰击时，也就轰击不到oc，也就不会有因oc上有siox，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。画素电极pe的底部两侧依次设有ch（siox）层和vcom ito层。
16.oc设置在vcom ito层和pv层之间，pv层底部居中设有sd层，所示pv层和sd层底部设有gi层。
17.综上所述，与现有技术相比，本发明有效改善因画素电极断路，产生画素充电问题，产生暗点不良现象，提升面板良率，降低生产成本。
18.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种改善主动笔技术暗点的方法，其特征在于：包括如下步骤：s1：透过oc洞退至画素电极pe内；s2：使oc洞退至vcom ito层内；s3：oc被vcom ito层保护着，当ch制siox制程时，氧电浆在轰击时，也就轰击不到oc，也就不会有因oc上有siox，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。2.根据权利要求1所述的一种改善主动笔技术暗点的方法，其特征在于：所述画素电极pe的底部两侧依次设有ch（siox）层和vcom ito层。3.根据权利要求1所述的一种改善主动笔技术暗点的方法，其特征在于：所述oc设置在vcom ito层和pv层之间，pv层底部居中设有sd层，所示pv层和sd层底部设有gi层。

技术总结
本发明公开了一种改善主动笔技术暗点的方法，包括如下步骤：S1：透过OC洞退至画素电极PE内；S2：使OC洞退至Vcom ITO层内；S3：OC被Vcom ITO层保护着，当CH制SiOx制程时，氧电浆在轰击时，也就轰击不到OC，也就不会有因OC上有SiOx，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。本发明利用光罩设计进行优化，使OC洞退至Vcom ITO层内，因此OC被Vcom ITO层保护着，也就不会有因OC上有SiOx，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。解决画素电极PE（ITO）在OC层破孔产生断线，所造成画素充电不足，而造成暗点问题。本发明有效改善因画素电极断路，产生画素充电问题，产生暗点不良现象，提升面板良率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。


技术研发人员：阮丽莹 许汉东 王强 张桂瑜
受保护的技术使用者：福建华佳彩有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/4/12