一种智能手表终端用SIM卡座电路的制作方法

一种智能手表终端用sim卡座电路
技术领域
1.本实用新型涉及智能手表技术领域，具体为一种智能手表终端用sim卡座电路。


背景技术：

2.智能手表是具有信息处理能力，符合手表基本技术要求的手表，老人专用智能手表有超精准gps定位、亲情通话、紧急呼救、心率监测、久坐提醒、吃药提醒等多项专为老年人定制的功能；其中智能手表系统需要远程上传数据至服务器中，在智能手表需要利用带sim卡来进行无线传输。因此我们对此做出改进，提出一种智能手表终端用sim卡座电路。


技术实现要素：

3.为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
4.本实用新型一种智能手表终端用sim卡座电路，包括sim卡座，所述 sim卡座还电性连接有对sim卡座保护的保护电路；所述sim卡座上设有对sim卡供电的sim_vdd引脚，所述sim卡座上设有sim_rst引脚；所述sim卡座上设有时钟线sim_clk引脚；所述sim卡座上设有数据线 sim_data引脚；所述保护电路包括具有五路tvs管的保护芯片和保护电阻r1，所述保护电阻r1的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述保护电阻r1的另一端与sim_data引脚电性连接，且同时与保护芯片中的一路 tvs管电性连接，所述sim_clk引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述sim_rst引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述保护芯片中的一路tvs管与sim_vdd引脚电性连接。
5.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述sim_rst引脚电连接有抗电磁干扰电阻r2；所述sim_clk引脚电连接有抗电磁干扰电阻r3，所述 sim_data引脚电连接有抗电磁干扰电阻r4。
6.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述抗电磁干扰电阻r2、r3和 r4的阻值为22ω。
7.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述sim卡座还电性连接有对滤波电路，所述滤波电路包括电容c1、c2、c3和c4；
8.所述电容c1的一端与sim_data引脚电性连接，所述电容c1的另一端接地；
9.所述电容c2的一端与sim_clk引脚电性连接，所述电容c2的另一端接地；
10.所述电容c3的一端与sim_rst引脚电性连接，所述电容c3的另一端接地；
11.所述电容c4的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述电容c4的另一端接地。
12.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述电容c1、c2和c3的电容量为33pf。
13.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述电容c4的电容量为0.1uf。
14.本实用新型的有益效果是：
15.该种智能手表终端用sim卡座电路中通过具有五路tvs管的保护芯片和保护电阻r1对电路进行保护，并且在sim_vdd引脚电连接有抗电磁干扰电阻r1；所述sim_clk引脚电连接有抗电磁干扰电阻r3，所述sim_data 引脚电连接有抗电磁干扰电阻r4，用于防止电磁
干扰，增强静电防护；sim 卡座还电性连接有对滤波电路，所述滤波电路包括电容c1、c2、c3和c4，其中通过电容c1、c2、c3和c4来对电路中的噪音信号进行滤波，从而消除噪音信号干扰。
附图说明
16.附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
17.图1是本实用新型一种智能手表终端用sim卡座电路的电路图。
具体实施方式
18.以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
19.实施例：如图1所示，本实用新型一种智能手表终端用sim卡座电路，包括sim卡座，所述sim卡座还电性连接有对sim卡座保护的保护电路；所述sim卡座上设有对sim卡供电的sim_vdd引脚，所述sim卡座上设有sim_rst引脚；所述sim卡座上设有时钟线sim_clk引脚；所述sim 卡座上设有数据线sim_data引脚；所述保护电路包括具有五路tvs管的保护芯片和保护电阻r1，所述保护电阻r1的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述保护电阻r1的另一端与sim_data引脚电性连接，且同时与保护芯片中的一路tvs管电性连接，所述sim_clk引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述sim_rst引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述保护芯片中的一路tvs管与sim_vdd引脚电性连接。
20.瞬态二极管(transient voltage suppressor)简称tvs，是一种二极管形式的高效能保护器件。当tvs二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
21.所述sim_rst引脚电连接有抗电磁干扰电阻r2；所述sim_clk引脚电连接有抗电磁干扰电阻r3，所述sim_data引脚电连接有抗电磁干扰电阻r4。
22.所述sim卡座还电性连接有对滤波电路，所述滤波电路包括电容c1、 c2、c3和c4；所述电容c1的一端与sim_data引脚电性连接，所述电容c1的另一端接地；所述电容c2的一端与sim_clk引脚电性连接，所述电容c2的另一端接地；所述电容c3的一端与sim_rst引脚电性连接，所述电容c3的另一端接地；所述电容c4的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述电容c4的另一端接地。
23.所述电容c1、c2和c3的电容量为33pf，所述电容c4的电容量为 0.1uf。
24.通过具有五路tvs管的保护芯片和保护电阻r1对电路进行保护，并且在sim_vdd引脚电连接有抗电磁干扰电阻r1；所述sim_clk引脚电连接有抗电磁干扰电阻r3，所述sim_data引脚电连接有抗电磁干扰电阻r4，用于防止电磁干扰，增强静电防护；sim卡座还电性连接有对滤波电路，所述滤波电路包括电容c1、c2、c3和c4，其中通过电容c1、c2、c3和c4来对电路中的噪音信号进行滤波，从而消除噪音信号干扰。
25.最后应说明的是：以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，
其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于：包括sim卡座，所述sim卡座还电性连接有对sim卡座保护的保护电路；所述sim卡座上设有对sim卡供电的sim_vdd引脚，所述sim卡座上设有sim_rst引脚；所述sim卡座上设有时钟线sim_clk引脚；所述sim卡座上设有数据线sim_data引脚；所述保护电路包括具有五路tvs管的保护芯片和保护电阻r1，所述保护电阻r1的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述保护电阻r1的另一端与sim_data引脚电性连接，且同时与保护芯片中的一路tvs管电性连接，所述sim_clk引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述sim_rst引脚与保护芯片中的一路tvs管电性连接；所述保护芯片中的一路tvs管与sim_vdd引脚电性连接。2.根据权利要求1所述的一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于，所述sim_rst引脚电连接有抗电磁干扰电阻r2；所述sim_clk引脚电连接有抗电磁干扰电阻r3，所述sim_data引脚电连接有抗电磁干扰电阻r4。3.根据权利要求2所述的一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于，所述抗电磁干扰电阻r2、r3和r4的阻值为22ω。4.根据权利要求1所述的一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于，所述sim卡座还电性连接有对滤波电路，所述滤波电路包括电容c1、c2、c3和c4；所述电容c1的一端与sim_data引脚电性连接，所述电容c1的另一端接地；所述电容c2的一端与sim_clk引脚电性连接，所述电容c2的另一端接地；所述电容c3的一端与sim_rst引脚电性连接，所述电容c3的另一端接地；所述电容c4的一端与sim_vdd引脚电性连接，所述电容c4的另一端接地。5.根据权利要求4所述的一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于，所述电容c1、c2和c3的电容量为33pf。6.根据权利要求4所述的一种智能手表终端用sim卡座电路，其特征在于，所述电容c4的电容量为0.1uf。

技术总结
本实用新型公开了一种智能手表终端用SIM卡座电路，包括SIM卡座，所述SIM卡座还电性连接有对SIM卡座保护的保护电路；所述SIM卡座上设有对SIM卡供电的SIM_VDD引脚，所述SIM卡座上设有对SIM卡的SIM_RST引脚；所述SIM卡座上设有时钟线SIM_CLK引脚；所述SIM卡座上设有数据线SIM_DATA引脚；所述保护电路包括具有五路TVS管的保护芯片和保护电阻R1。本实用新型通过具有五路TVS管的保护芯片和保护电阻R1对电路进行保护，在抗电磁干扰电阻R2、R3和R4的作用下，对电路进行防电磁干扰并增强静电防护的工作，其中通过电容C1、C2、C3和C4来对电路中的噪音信号进行滤波，从而消除噪音信号干扰，综上所述有效提高了电路的稳定性。上所述有效提高了电路的稳定性。上所述有效提高了电路的稳定性。


技术研发人员：林砺宗 王晓明 颜建军 王学强
受保护的技术使用者：上海好创机电工程有限公司
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2022/7/14