本公开涉及静态随机存取存储器控制领域,尤其涉及一种静态随机存取存储器的控制方法及装置。
背景技术:
1、嵌入式闪存通过内部的静态随机存取存储器sram完成读写操作的缓冲,sram在读写操作中发挥着关键作用。在进行写入操作时,sram作为资料暂存空间用来暂存写入资料;在进行读取操作时,透过预先载入sram中的物理位置映射表作为实际资料读取位置的查询。因此,对于静态随机存取存储器sram的管理是整个读写过程中最为重要的部分之一。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题,本公开提供一种静态随机存取存储器的控制方法及装置。
2、根据本公开实施例的第一方面,提供一种静态随机存取存储器的控制方法,所述静态随机存取存储器sram位于电子设备中的嵌入式闪存内,所述方法包括:
3、确定所述电子设备的使用场景;
4、根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式。
5、在本公开一些实施例中,所述根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式,包括:确定所述使用场景的读写需求;响应于所述读写需求为读取需求大于写入需求,控制所述sram进入所述读取增强模式;或者,响应于所述读写需求为写入需求大于读取需求,控制所述sram进入写入增强模式。
6、在本公开一些实施例中,所述控制所述sram进入所述读取增强模式,包括:确定与所述使用场景对应的第一应用程序;根据所述第一应用程序,确定所述sram的第一推荐分配比例,并根据所述第一推荐分配比例,调整所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例;其中,所述第一推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例大于所述写入缓冲区所占比例。
7、在本公开一些实施例中,所述控制所述sram进入写入增强模式,包括:确定与所述使用场景对应的第二应用程序;根据所述第二应用程序,确定所述sram的第二推荐分配比例,并根据所述第二推荐分配比例,调整所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例;其中,所述第二推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例小于所述写入缓冲区所占比例。
8、在本公开一些实施例中,所述确定所述电子设备的使用场景,包括:确定所述电子设备当前正在启动的应用程序;根据所述电子设备当前正在启动的应用程序,确定所述电子设备的使用场景。
9、在本公开一些实施例中,所述根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式,包括:响应于所述当前正在启动的应用程序存在于预设的应用程序列表,根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式。
10、在本公开一些实施例中,所述方法还包括:响应于所述当前正在启动的应用程序未存在于所述应用程序列表,控制所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例保持原始分配比例;和/或,响应于所述应用程序处于第一状态,控制所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例恢复成所述原始分配比例;其中,所述第一状态为退出状态或后台运行状态或关闭状态。
11、根据本公开实施例的第二方面,提供一种静态随机存取存储器的控制装置,所述静态随机存取存储器sram位于电子设备中的嵌入式闪存内,所示装置包括:
12、确定模块,用于确定所述电子设备的使用场景;
13、控制模块,用于根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式。
14、在本公开一些实施例中,所述控制模块具体用于:确定所述使用场景的读写需求;响应于所述读写需求为读取需求大于写入需求,控制所述sram进入所述读取增强模式;或者,响应于所述读写需求为写入需求大于读取需求,控制所述sram进入写入增强模式。
15、在本公开一些实施例中,所述控制模块具体用于:确定与所述使用场景对应的第一应用程序;根据所述第一应用程序,确定所述sram的第一推荐分配比例,并根据所述第一推荐分配比例,调整所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例;其中,所述第一推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例大于所述写入缓冲区所占比例;
16、在本公开一些实施例中,所述控制模块具体用于:确定与所述使用场景对应的第二应用程序;根据所述第二应用程序,确定所述sram的第二推荐分配比例,并根据所述第二推荐分配比例,调整所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例;其中,所述第二推荐分配比例中所述映射表缓冲区所占比例小于所述写入缓冲区所占比例。
17、在本公开一些实施例中,所述确定模块具体用于:确定所述电子设备当前正在启动的应用程序;根据所述电子设备当前正在启动的应用程序,确定所述电子设备的使用场景。
18、在本公开一些实施例中,所述控制模块具体用于:响应于所述当前正在启动的应用程序存在于预设的应用程序列表,根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式。
19、在本公开一些实施例中,所述控制模块还用于:响应于所述当前正在启动的应用程序未存在于所述应用程序列表,控制所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例保持原始分配比例;和/或,响应于所述应用程序处于第一状态,控制所述sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例恢复成所述原始分配比例;其中,所述第一状态为退出状态或后台运行状态或关闭状态。
20、根据本公开实施例的第三方面,提供一种电子设备,包括:
21、处理器;
22、用于存储处理器可执行指令的存储器;其中,所述指令被所述处理器执行,以使所述处理器能够执行前述第一方面所述的方法。
23、根据本公开实施例的第四方面,提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现前述第一方面所述的方法。
24、根据本公开实施例的第五方面,提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,所述计算机程序在被处理器执行时实现前述第一方面所述的方法的步骤。
25、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:根据电子设备的使用场景,控制sram进入读取增强模式或写入增强模式,灵活调整sram中映射表缓冲区与写入缓冲区的分配比例,优化资源分配与读取性能,可在一定程度上避免sram资源分配僵化及浪费。
26、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
1.一种静态随机存取存储器的控制方法,其特征在于,所述静态随机存取存储器sram位于电子设备中的嵌入式闪存内,所述方法包括:
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式,包括:
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制所述sram进入所述读取增强模式,包括:
4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述控制所述sram进入写入增强模式,包括:
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定所述电子设备的使用场景,包括:
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述使用场景,控制所述sram进入读取增强模式或写入增强模式,包括:
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括:
8.一种静态随机存取存储器的控制装置,其特征在于,所述静态随机存取存储器sram位于电子设备中的嵌入式闪存内,所述装置包括:
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述控制模块具体用于:
10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述控制模块具体用于:
11.如权利要求9或10所述的装置,其特征在于,所述控制模块具体用于:
12.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述确定模块具体用于:
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述控制模块具体用于:
14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,所述控制模块还用于:
15.一种电子设备,其特征在于,包括:
16.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的方法。
17.一种计算机程序产品,包括计算机程序,所述计算机程序在被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。