多端子电容器的等效电路模型创建方法、等效电路模型创建程序、存储有等效电路模型创建程序的存储介质、仿真方法以及仿真装置与流程

本公开涉及多端子电容器的等效电路模型创建方法、等效电路模型创建程序、存储有等效电路模型创建程序的存储介质、仿真方法以及仿真装置。

背景技术：

1、在专利文献1公开了导出电容器的等效电路模型的方法。在专利文献1公开的方法将二端子的电容器作为对象。即，在专利文献1公开的方法以对二端子的电容器导出等效电路模型为前提。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2002-259482号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、通过专利文献1公开的方法，并不能对具有比二端子多的三端子以上的端子的电容器导出等效电路模型。

3、本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，提供一种能够导出具有三端子以上的端子的多端子电容器的等效电路模型的等效电路模型创建方法、等效电路模型创建程序、存储有等效电路模型创建程序的存储介质、仿真方法以及仿真装置。

4、用于解决问题的技术方案

5、为了解决上述的问题并达到目的，根据本公开的某个方式的多端子电容器的等效电路模型创建方法创建多端子电容器的等效电路模型，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，所述等效电路模型创建方法包含：第1步骤，测定所述多端子电容器的s参数；第2步骤，基于在所述第1步骤中测定的s参数的测定值，导出所述多端子电容器整体的阻抗；第3步骤，根据在所述第2步骤中导出的所述多端子电容器整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型；第4步骤，根据在所述第3步骤中创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型；第5步骤，将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与在所述第4步骤中导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构；以及第6步骤，在三维格子的拓扑结构的节点设定所述多端子电容器的端子，所述三维格子的拓扑结构是在所述第5步骤中创建的。

6、为了解决上述的问题并达到目的，根据本公开的某个方式的等效电路模型创建程序创建多端子电容器的等效电路模型，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，所述等效电路模型创建程序用于使计算机执行：第1步骤，测定所述多端子电容器的s参数；第2步骤，基于在所述第1步骤中测定的s参数的测定值，导出所述多端子电容器整体的阻抗；第3步骤，根据在所述第2步骤中导出的所述多端子电容器整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型；第4步骤，根据在所述第3步骤中创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型；第5步骤，将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与在所述第4步骤中导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构；以及第6步骤，在三维格子的拓扑结构的节点设定所述多端子电容器的端子，所述三维格子的拓扑结构是在所述第5步骤中创建的。

7、为了解决上述的问题并达到目的，根据本公开的某个方式的存储介质存储有创建多端子电容器的等效电路模型的等效电路模型创建程序，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，所述等效电路模型创建程序用于使计算机执行：第1步骤，测定所述多端子电容器的s参数；第2步骤，基于在所述第1步骤中测定的s参数的测定值，导出所述多端子电容器整体的阻抗；第3步骤，根据在所述第2步骤中导出的所述多端子电容器整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型；第4步骤，根据在所述第3步骤中创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型；第5步骤，将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与在所述第4步骤中导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构；以及第6步骤，在三维格子的拓扑结构的节点设定所述多端子电容器的端子，所述三维格子的拓扑结构是在所述第5步骤中创建的。

8、为了解决上述的问题并达到目的，根据本公开的某个方式的仿真方法利用多端子电容器的等效电路模型，计算所述多端子电容器的特性或者包含所述多端子电容器的电路的特性，所述多端子电容器的等效电路模型是使用上述的等效电路模型创建方法创建的。

9、为了解决上述的问题并达到目的，根据本公开的某个方式的仿真装置利用多端子电容器的等效电路模型，计算所述多端子电容器的特性或者包含所述多端子电容器的电路的特性，所述多端子电容器的等效电路模型是使用上述的等效电路模型创建方法创建的。

10、发明效果

11、根据本公开，能够导出具有三端子以上的端子的电容器的等效电路模型。

技术特征：

1.一种等效电路模型创建方法，创建多端子电容器的等效电路模型，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，

2.根据权利要求1所述的等效电路模型创建方法，其中，

3.根据权利要求2所述的等效电路模型创建方法，其中，

4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的等效电路模型创建方法，其中，

5.根据权利要求4所述的等效电路模型创建方法，其中，

6.根据权利要求5所述的等效电路模型创建方法，其中，

7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的等效电路模型创建方法，其中，

8.一种等效电路模型创建程序，创建多端子电容器的等效电路模型，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，

9.一种存储介质，存储有创建多端子电容器的等效电路模型的等效电路模型创建程序，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，

10.一种仿真方法，利用多端子电容器的等效电路模型，计算所述多端子电容器的特性或者包含所述多端子电容器的电路的特性，所述多端子电容器的等效电路模型是使用权利要求1至权利要求7中的任一项所述的等效电路模型创建方法创建的。

11.一种仿真装置，利用多端子电容器的等效电路模型，计算所述多端子电容器的特性或者包含所述多端子电容器的电路的特性，所述多端子电容器的等效电路模型是使用权利要求1至权利要求7中的任一项所述的等效电路模型创建方法创建的。

技术总结
本发明导出具有三端子以上的端子的多端子电容器的等效电路模型。一种创建正极和负极的外部电极端子呈交错状排列的多端子电容器的等效电路模型的方法，包含：测定多端子电容器的S参数的步骤；基于测定的S参数的测定值，导出多端子电容器整体的阻抗的步骤；根据导出的整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型的步骤；根据创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型的步骤；将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构的步骤；以及在创建的三维格子的拓扑结构的节点设定多端子电容器的端子的步骤。

技术研发人员：日高青路,森丰贵,藤田幸宏
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17