将局部穿线电阻变换成全局分布电阻的制作方法

文档序号:35200800发布日期:2023-08-22 05:38阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于存储器模块电路瞬态分析的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,

3.根据权利要求2所述的方法,其中提升所述叶单元的所述等效网络包括在所述叶单元的输入处连接在所述叶单元外部与所述叶单元的所述一或多个寄生电阻相对应的所述一或多个等效电阻。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述叶单元的所述内部电路的所述端子之间的所述端口-端口电阻基于所述叶单元的dc模拟通过以下操作来确定:

5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:

6.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:

7.一种用于存储器模块电路瞬态分析的系统,所述系统包括:

8.根据权利要求7所述的系统,其中所述处理器进一步配置成:

9.根据权利要求7所述的系统,其中所述叶单元中的每一个中的电阻器总数目进一步通过组合所述叶单元中的每一个的所述内部电路中的串行、并行和三极管电阻器配置迭代地减少。

10.根据权利要求7所述的系统,其中所述处理器进一步配置成:

11.根据权利要求10所述的系统,其中与所述叶单元的所述内部电路相对应的所述等效网络基于所述叶单元的所述内部电路的所述端子之间的所述端口-端口电阻而生成。

12.根据权利要求10所述的系统,其中所述叶单元的所述内部电路包括所述叶单元的一或多个寄生电阻,且

13.根据权利要求12所述的系统,其中提升所述叶单元的所述等效网络包括在所述叶单元中的每一个的输入处连接在所述叶单元外部与所述叶单元的所述一或多个寄生电阻相对应的所述一或多个等效电阻。

14.根据权利要求10所述的系统,其中为了基于所述叶单元的dc模拟确定所述叶单元的所述内部电路的所述端子之间的所述端口-端口电阻,所述处理器配置成:

15.根据权利要求14所述的系统,其中所述处理器进一步配置成:

16.根据权利要求15所述的系统,其中所述处理器进一步配置成:

17.根据权利要求15所述的系统,其中所述处理器进一步配置成:

18.一种包括所存储指令的非暂时性计算机可读介质,所述指令在由处理器执行时使所述处理器:

19.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读介质,其中所述处理器进一步配置成:

20.根据权利要求18所述的非暂时性计算机可读介质,其中为了基于所述叶单元的dc模拟确定所述叶单元的所述内部电路的所述端子之间的所述端口-端口电阻,所述处理器进一步配置成:


技术总结
本公开涉及将局部穿线电阻变换成全局分布电阻。一种用于存储器模块电路瞬态分析的方法,所述方法包含:确定表示所述存储器模块电路的网表的多个叶单元的内部电路的端子之间的端口‑端口电阻;生成与所述叶单元的所述内部电路相对应的多个等效网络,所述等效网络彼此连接;将所述叶单元的所述等效网络提升到高于表示所述存储器模块电路的所述网表中的所述叶单元的分层层级;使所述叶单元中的每一个的一或多个端子短接到所述等效网络中的对应者的中心节点;以及执行表示所述存储器模块电路的所述网表的所述叶单元的所述瞬态分析。

技术研发人员:J·赫伯特,J·E·小巴思,M·C·拉纳汉
受保护的技术使用者:新思科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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