DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置与流程

本发明属于集成电路(ic)自动测试机(automatic test equipment，简称ate)，涉及一种dram冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置。

背景技术：

1、dram芯片在制造过程中，存储单元不可避免的会出现故障，因此需要在主存储区域外围布置了冗余资源，在测试环节测到故障点后用冗余资源进行替换，这个替换方案的寻找称为冗余分析，本发明即应用于这个冗余分析环节。

2、当前业界的冗余资源布局有多种设计，传统的布局有：所述dram冗余资源布局为所述dram的主存储区域由若干个区域组成，每个所述区域包括n个块组blockgroup，每一个所述块组blockgroup包括m个块block，每一个所述块block均拥有若干个行冗余资源rt，以及若干个列冗余资源ct；这种形式在电路设计上较为简单，在算法实现上也较为简单；然而，上述冗余资源控制电路占用晶圆面积较大，在成本上不占优势。

3、目前最新的布局方式为，一个块组blockgroup共享若干个列冗余资源，每一个块block拥有若干个独享的行冗余资源，，这种布局和传统布局在块block内故障点的数学建模上基本一致，但在求解时差异较大：

4、①、故障点的数学建模，都采用稀疏矩阵方式，将故障点的行和列作为一个节点，存入稀疏矩阵；

5、②、故障矩阵内对节点进行分组，有相同行地址或列地址的节点都归为一组，形成若干个故障点组failgroup；

6、③、对各个故障点组failgroup进行求解，根据其占用的最大行数rm和最大列数cm，找到其解空间，即{r1cx、r2cx……rmcx}，这里ricx指的是该故障点组在占用ri个行冗余线后，最少还需要cx个列冗余线才能对其进行覆盖。

7、④、对应传统布局的块，根据各个故障点组failgroup的解空间，来寻找一个解决方案，以满足整个块block的行冗余资源总数rt和列冗余资源总数ct限制，以图1为例：

8、对于上述布局，可以在每个故障点组failgroup的解空间里各找一个解，拿出来进行排列组合，找到任何一个组合满足块的行冗余资源总数rt和列冗余资源总数ct限制，即可以作为块block的解。如图1所示，failgroup1的r2c0+failgroup2的r1c1+failgroup3的r1c0＝r4c1，不超过块block的行冗余资源总数rt和列冗余资源总数ct限制，可以作为块block的解。

9、⑤、但是对于最新布局，块block内只有行冗余资源总数rt，列冗余资源是在块组blockgroup内的所有块block共享的，所以块block没有列冗余资源总数ct，上述方法不能适用，需要找到新的策略。

技术实现思路

1、为解决的上述技术问题，本发明提出一种dram冗余资源布局下的修复策略产生方法，其提出的资源分配策略，解决dram的冗余资源布局中的优化分配。

2、为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

3、一种dram冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述dram的主存储区域由若干个区域组成，每个所述区域包括n个块组blockgroup，每一个所述块组blockgroup包括m个块block且拥有共享列冗余资源ct，每一个块block均拥有行冗余资源rt，其包括如下步骤：

4、步骤s1：对所述dram的主存储区域进行检测，得到每一个所述dram的存储区域所有故障点的分布地图；

5、步骤s2：将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，对每一个块block内故障点按关联关系分成若干个故障点组failgroup，计算求得每一个故障点组failgroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块的rxcy资源组合来修复限制的解，r为行冗余资源，x为行的个数，c为共享列冗余资源，y为列的个数；

6、步骤s3：依次对每一个故障点组failgroup的解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块block的行冗余资源rt为限，使用尽可能多的块block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源cmin；

7、步骤s4：将m个所述块block的最小共享列冗余资源cmin找到后，在所述块组blockgroup层面做统计求和，如果m个所述块block的最小共享列冗余资源cmin的总数少于等于所述块组blockgroup的冗余资源总数ct，确定所述块组blockgroup即可修复，否则，确定所述块组blockgroup不可修复。

8、为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

9、一种实现上述修复策略产生方法的dram冗余资源布局下的修复装置，所述dram冗余资源布局包括至少一个所述dram的存储区域，每个所述区域包括n个块组blockgroup，每一个所述块组blockgroup包括m个块block且拥有共享列冗余资源ct，每一个所述块block均拥有行冗余资源rt，其包括：

10、检测模块，对所述dram的主存储区域进行检测，得到每一个所述dram的存储区域所有故障点的分布地图；

11、解空间产生模块，用于将所有所述故障点的行和列分别作为一个节点，存入稀疏矩阵，即采用稀疏矩阵方式对所有所述故障点的分布地图进行数学建模，计算并得到每一个所述故障点组failgroup的解空间；其中，所述解空间包括任何一个组合满足块的rxcy资源组合来修复限制的解，r为行冗余资源，x为行的个数，c为共享列冗余资源，y为列的个数；

12、解选择模块，用于依次对每一个所述故障点组failgroup解空间进行排列组合，并寻找一个解，所述解为以每一个块block的行冗余资源rt为限，使用尽可能多的块block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源cmin；

13、修复判断模块，用于将m个所述块block的最小共享列冗余资源cmin找到后，在所述块组blockgroup层面做统计求和，如果m个所述块block的最小共享列冗余资源cmin的总数少于等于所述块组blockgroup的冗余资源总数ct，确定所述块组blockgroup即可修复，否则，确定所述块组blockgroup不可修复。

14、从上述技术方案可以看出，本发明实施例中的dram冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，在块block内只有行冗余资源总数rt，没有列冗余资源总数ct，其列冗余资源是在块组blockgroup之间共享的情况下，可以满足整个块block的行冗余资源总数rt和列冗余资源总数ct限制，优化了冗余资源使用策略。

技术特征：

1.一种dram冗余资源布局下的修复策略产生方法，所述dram冗余资源布局包括至少一个所述dram的存储区域，每个所述存储区域包括n个块组blockgroup，每一个所述块组blockgroup包括m个块block且拥有共享列冗余资源ct，每一个所述块block均拥有行冗余资源rt，其特征在于，包括如下步骤：

2.一种实现权利要求1所述修复策略产生方法的dram冗余资源布局下的修复装置，所述dram冗余资源布局包括至少一个所述dram的存储区域，每个所述区域包括n个块组blockgroup，每一个所述块组blockgroup包括m个块block且拥有共享列冗余资源ct，每一个所述块均拥有行冗余资源rt，其特征在于，包括：

技术总结
一种DRAM冗余资源布局下的修复策略产生方法及其实现装置，所述DRAM的存储区域包括若干个块组BlockGroup，每个块组BlockGroup包括M个块Block且拥有共享列冗余资源Ct，每个块Block均拥有行冗余资源Rt，该方法包括检测得到所有故障点的分布地图；对每个块Block内故障点按关联关系分成若干个故障点组FailGroup，并计算求得每一个故障点组FailGroup的解空间；依次对所有故障点组FailGroup的解空间进行排列组合并寻找一个解，其以Rt个行冗余资源为限，使用尽可能多的块Block内行冗余资源数，从而使用最小共享列冗余资源Cmin；将M个块Block的最小共享列冗余资源Cmin找到后，在块组BlockGroup层面做统计求和，如果M个块Block的Cmin的总数少于等于Ct，确定块组BlockGroup即可修复。因此，本发明优化了冗余资源使用策略。

技术研发人员：马军,胡婷婷,胡汉周
受保护的技术使用者：上海御渡半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13