集成电路虚拟制造方法及系统

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种集成电路虚拟制造方法及系统。

背景技术：

1、集成电路制造作为电子制造产业的核心，具有重要的意义。现有的集成电路制造过程通常需要使用较多类型的制造设备以及涉及复杂的制造工艺，需要反复做制造实验且达到所需要的制造精度后才能正式执行集成电路制造，导致集成电路制造需要前期消耗很长的生产准备时间以及较大的投入资金。

2、随着虚拟制造技术的不断发展，如何将虚拟制造应用到集成电路制造中，降低前期制造实验成本以及提高后期的制造精度，已经成为当前该集成电路制造领域需要解决的一个新的技术问题。

技术实现思路

1、本发明所要解决的第一个技术问题是针对上述现有技术提供一种集成电路虚拟制造方法。

2、本发明所要解决的第二个技术问题是提供一种实现上述集成电路虚拟制造方法的集成电路虚拟制造系统。

3、本发明解决第一个技术问题所采用的技术方案为：集成电路虚拟制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

4、步骤1，预先构建针对集成电路的虚拟制造模型；其中，该虚拟制造模型包括集成电路3d虚拟模型和虚拟制造量测模型；

5、步骤2，获取待执行虚拟制造的集成电路的初始产品信息；其中，该初始产品信息包括集成电路的2d设计数据；

6、步骤3，获取待执行虚拟制造的集成电路的制造工艺流程信息集合；其中，该制造工艺流程信息集合包括针对集成电路制造所涉及到的每一个工艺步骤信息以及针对每一个工艺步骤需要做量测的量测信息；

7、步骤4，获取待执行虚拟制造的集成电路制造过程所需要材料的材料信息集合；其中，该材料信息集合包括需要的至少一个材料类型以及该至少一个材料类型所对应使用的材料名称；

8、步骤5，将获取的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合作为输入数据输入到虚拟制造模型，得到集成电路3d虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据。

9、改进地，在所述集成电路虚拟制造方法中，在执行步骤5之后还包括：基于所得集成电路3d虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据，对所述集成电路的初始产品信息和制造工艺流程进行优化，且在优化后再次转入执行步骤2。

10、再改进，在所述集成电路虚拟制造方法中，在执行完毕步骤4与执行步骤5之前还包括：将获取的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合进行虚拟制造前的预处理操作。

11、进一步地，在所述集成电路虚拟制造方法中，所述虚拟制造前的预处理包括查看操作、校对操作、编辑操作以及重新输入操作中的至少一个处理操作。

12、改进地，在所述集成电路虚拟制造方法中，所述工艺流程包括光刻、蚀刻、清洗、沉积以及化学机械抛光。

13、再改进，在所述集成电路虚拟制造方法中，所述集成电路3d虚拟模型包括有集成电路的电性能、热性能以及机械性能。

14、进一步地，在所述集成电路虚拟制造方法中，所述量测信息为集成电路的电性能参数、热性能参数、机械性能参数、光学性能参数和化学性能参数。

15、更进一步地，在所述集成电路虚拟制造方法中，所述电性能参数包括电流、电压、电阻、电容和电感；所述热性能参数包括温度、热导率和热膨胀系数；所述机械性能参数包括应变、应力和弹性模量；所述光学性能参数包括透射率、反射率和折射率；所述化学性能参数包括腐蚀性和化学稳定性。

16、本发明解决第二个技术问题所采用的技术方案为：集成电路虚拟制造系统，实现所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，包括：

17、计算处理系统，包括输入模块、中央处理器和存储器，中央处理器包括虚拟制造模块；其中，输入模块获取外部输入的所述初始产品信息、所述制造工艺流程信息集合以及所述材料信息集合；虚拟制造模块具有集成电路3d虚拟模型构建模块和虚拟制造量测模块，虚拟制造量测模块获取虚拟制造过程的量测数据；

18、显示系统，与中央处理器连接，将获取的初始产品信息、制造工艺流程信息集合、材料信息集合以及集成电路3d虚拟模型进行展示。

19、改进地，在所述集成电路虚拟制造系统中，所述显示系统含有版图编辑器、工艺流程编辑器、虚拟制造工作台、自动参数探测器、量测结果显示器和3d虚拟结构显示器。

20、与现有技术相比，本发明的优点在于：该发明通过预先构建针对集成电路的虚拟制造模型，并将获取到的待执行虚拟制造的集成电路的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合作为输入数据输入到虚拟制造模型中，从而得到集成电路3d虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据。如此，通过虚拟制造集成电路的方式来测试集成电路3d虚拟模型的相关性能以及获取相应的量测数据，简单高效执行集成电路的制造，不需要进行实际的集成电路制造过程测试，降低了集成电路产品前期测试的投入成本和耗时。

技术特征：

1.集成电路虚拟制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，在执行步骤5之后还包括：基于所得集成电路3d虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据，对所述集成电路的初始产品信息和制造工艺流程进行优化，且在优化后再次转入执行步骤2。

3.根据权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，在执行完毕步骤4与执行步骤5之前还包括：将获取的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合进行虚拟制造前的预处理操作。

4.根据权利要求3所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，所述虚拟制造前的预处理包括查看操作、校对操作、编辑操作以及重新输入操作中的至少一个处理操作。

5.根据权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，所述工艺流程包括光刻、蚀刻、清洗、沉积以及化学机械抛光。

6.根据权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，所述集成电路3d虚拟模型包括有集成电路的电性能、热性能以及机械性能。

7.根据权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，所述量测信息为集成电路的电性能参数、热性能参数、机械性能参数、光学性能参数和化学性能参数。

8.根据权利要求7所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，所述电性能参数包括电流、电压、电阻、电容和电感；所述热性能参数包括温度、热导率和热膨胀系数；所述机械性能参数包括应变、应力和弹性模量；所述光学性能参数包括透射率、反射率和折射率；所述化学性能参数包括腐蚀性和化学稳定性。

9.集成电路虚拟制造系统，实现权利要求1所述的集成电路虚拟制造方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的集成电路虚拟制造系统，其特征在于，所述显示系统含有版图编辑器、工艺流程编辑器、虚拟制造工作台、自动参数探测器、量测结果显示器和3d虚拟结构显示器。

技术总结
本发明涉及一种集成电路虚拟制造方法及系统，通过预先构建针对集成电路的虚拟制造模型，并将获取到的待执行虚拟制造的集成电路的初始产品信息、制造工艺流程信息集合以及材料信息集合作为输入数据输入到虚拟制造模型中，从而得到集成电路3D虚拟模型和对应虚拟制造过程的量测数据。如此，通过虚拟制造集成电路的方式来测试集成电路3D虚拟模型的相关性能以及获取相应的量测数据，简单高效执行集成电路的制造，不需要进行实际的集成电路制造过程测试，降低了集成电路产品前期测试的投入成本和耗时。

技术研发人员：陈一宁,乔驿博,高大为
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14