存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备与流程

本公开实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备。

背景技术：

1、半导体存储器可以粗略地划分成两类，这取决于它们在断电时是否保留存储的数据；这两类半导体存储器是：易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器在断电时丢失存储的数据，非易失性存储器在断电时保留存储的数据。非易失性存储器中存储单元分别连接至位线和字线，因而具有良好的随机存取时间特性。

2、随着存储器的集成度的提高，页缓冲器在存储器的外围电路中占据的面积受限制且存在其面积趋于减小的需求，因而构成页缓冲器的元件的数量也需要精简。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备。

2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器，所述存储器包括存储单元阵列和页缓冲器，所述页缓冲器对应于存储单元阵列的位线而设置，所述页缓冲器包括：

3、多个锁存器，所述锁存器通过所述页缓冲器的感测节点耦接至所述位线；

4、至少一个公共数据传输电路，所述公共数据传输电路的第一端口与所述感测节点耦接，所述公共数据传输电路的第二端口与至少两个所述锁存器耦接；其中，所述至少两个所述锁存器分别通过所述公共数据传输电路进行数据感测。

5、第二方面，本公开实施例还提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括存储单元阵列和页缓冲器，所述页缓冲器对应于存储单元阵列的位线而设置；所述页缓冲器包括多个锁存器和至少一个公共数据传输电路；所述公共数据传输电路的第一端口与感测节点耦接，所述公共数据传输电路的第二端口与至少两个所述锁存器耦接；所述操作方法包括：

6、对所述感测节点执行预充电操作，使得所述感测节点具有第一电压；

7、响应于所述第一电压对至少两个所述锁存器中的第一锁存器执行第一数据设置操作；

8、通过所述公共数据传输电路感测至少两个所述锁存器中的第二锁存器中的数据，并生成感测结果，使得所述感测节点具有第二电压；其中，所述第二电压小于或等于所述第一电压；

9、响应于所述感测结果对所述第一锁存器执行第二数据设置操作。

10、第三方面，本公开实施例还提供一种存储器系统，所述存储器系统包括：

11、一个或多个如上述任一实施例所述的存储器；

12、存储器控制器，耦接至所述存储器并被配置为控制所述存储器。

13、第四方面，本公开实施例还提供一种电子设备，包括，如上述实施例所述的存储器系统。

14、本公开实施例中通过设置页缓冲器中的至少两个锁存器共用一个公共数据传输电路，并且连接到同一个公共数据传输电路上的每一个锁存器都可以通过该公共数据传输电路进行数据感测，节约了页缓冲器中数据传输电路的数量，从而节约了页缓冲器的面积，有利于减小存储器中外围电路的面积。

15、并且，本公开实施例中最少使用一个公共数据传输电路即可实现多个各锁存器的数据感测，独立数据传输电路的减少，不但可以减少页缓冲器的面积，还可以减少相应的控制信号电路的数量以及存储器中相关的布线。

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列和页缓冲器，所述页缓冲器对应于存储单元阵列的位线而设置，所述页缓冲器包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，至少两个所述锁存器之间通过所述公共数据传输电路进行数据传输。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述页缓冲器还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一数据设置电路包括：

5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述页缓冲器还包括：

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述锁存器包括：第一反相器、第二反相器、第四晶体管和第五晶体管；

8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述公共数据传输电路包括：

9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述页缓冲器还包括：独立数据传输电路；其中，未耦接所述公共数据传输电路的所述锁存器对应一个所述独立数据传输电路。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述独立数据传输电路包括：

11.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述页缓冲器还包括：

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述多个锁存器包括：感测锁存器；所述预充放电电路包括：

13.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个锁存器包括：

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述多个锁存器还包括：

15.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列和页缓冲器，所述页缓冲器对应于存储单元阵列的位线而设置；所述页缓冲器包括多个锁存器和至少一个公共数据传输电路；所述公共数据传输电路的第一端口与感测节点耦接，所述公共数据传输电路的第二端口与至少两个所述锁存器耦接；所述操作方法包括：

16.根据权利要求15所述的操作方法，其特征在于，所述页缓冲器还包括第一数据设置电路，所述第一数据设置电路的第一端口与所述感测节点耦接，所述第一数据设置电路的第二端口与至少两个所述锁存器耦接；所述公共数据传输电路的第二端口耦接至所述第一数据设置电路的第二端口和至少两个所述锁存器之间的耦接节点，所述响应于所述第一电压对至少两个所述锁存器中的第一锁存器执行第一数据设置操作，包括：

17.根据权利要求16所述的操作方法，其特征在于，所述第二锁存器锁存目标数据信息；

18.根据权利要求17所述的操作方法，其特征在于，

19.一种存储器系统，其特征在于，所述存储器系统包括：

20.一种电子设备，其特征在于，包括，如权利要求19所述的存储器系统。

技术总结
本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法、存储器系统和电子设备，该存储器包括存储单元阵列和页缓冲器，页缓冲器对应于存储单元阵列的位线而设置，页缓冲器包括：多个锁存器，锁存器通过页缓冲器的感测节点耦接至位线；至少一个公共数据传输电路，公共数据传输电路的第一端口与感测节点耦接，公共数据传输电路的第二端口与至少两个锁存器耦接；其中，至少两个锁存器分别通过公共数据传输电路进行数据感测。

技术研发人员：陈腾,梁轲,万维俊,何伟伟
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14