集成电路、半导体电路及其映射方法与流程

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路、半导体电路及其映射方法。

背景技术：

1、通常，集成电路(ic)包括不同的功率域，例如核心域中的核心功率域和io域中的输入/输出(io)功率域。核心域包括用于执行ic的功能的电路，而io域包括作为核心域的电路与ic外部组件之间的接口工作的电路。核心域中的电子器件更小，占用更少的管芯空间，并且在较低的电压电平(例如0.75伏)下操作，以改善总体功耗和操作速度。io域中的电子器件更大，占据更大的管芯空间，并且在更高的电压电平(例如1.2伏)下操作。通常，考虑到安全操作区域(soa)，io域中的电路仅包括io域中较大的电子器件。然而，随着在较新的工艺节点处的器件的不断缩小，在io域的较高电压电平下操作的电子器件可能无法实现较新工艺节点的更小和更薄的尺寸。

技术实现思路

1、本发明的一实施例提供了一种集成电路，包括：核心域，具有至少一个核心域设计规则限制：较小器件和较低操作电压的；输入/输出域，具有至少一个输入/输出区域设计规则限制：比所述核心域的所述较小器件更大的器件和比所述核心域的所述较低操作电压更高的操作电压；以及映射单元，包括两个或更多个电子器件，每个电子器件都满足所述至少一个核心域设计规则限制，其中，所述映射单元被配置为输入/输出器件，并且在所述输出/输入域中以所述输入/输出域的所述较高操作电压操作。

2、本发明的另一实施例提供了一种半导体电路，包括：核心域，具有至少一个核心域设计规则限制：较小器件和较低操作电压的；输入/输出域，具有至少一个输入/输出区域设计规则限制：比所述核心域的所述较小器件更大的器件和比所述核心域的所述较低操作电压更高的操作电压；一组核心器件，满足所述至少一个核心域设计规则限制；核心电路，包括所述一组核心器件中的第一核心器件；以及输入/输出电路，包括所述一组核心器件中的第二核心器件，其中，所述输入/输出电路在所述较高的操作电压下操作。

3、本发明的又一实施例一种映射方法，包括：激活电路分析模块；识别满足较小器件和较低操作电压的至少一个核心域设计规则限制的核心器件；识别输入/输出电路，所述输入/输出电路满足比所述核心域的所述较小器件更大的器件和比所述核心域的所述较低操作电压更高的操作电压的至少一个输入/输出域设计规则限制；以及将所述输入/输出电路映射到仅包括所述核心器件的修改的电路中，使得所述修改的电路满足所述至少一个输入/输出域设计规则限制。

技术特征：

1.一种集成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述映射单元包括满足所述至少一个核心域设计规则限制的级联保护器件，所述级联极保护器件串联连接至满足所述至少一个核心域设计规则限制的核心器件。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述映射单元包括连接到所述级联保护器件的栅极和所述核心器件的栅极的第一输入器件。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述映射单元包括连接到所述级联保护器件的栅极、所述核心器件的栅极和所述第一输入器件的栅极的第二输入器件。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述映射单元包括满足所述至少一个核心域设计规则限制的级联保护器件，所述级联保护器件串联连接至满足所述至少一个核心域设计规则限制的两个或更多个核心器件。

6.一种半导体电路，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体电路，其中，所述一组核心器件包括前端制程器件。

8.一种半导体电路的映射方法，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述输入/输出电路映射到所述修改的电路包括将每个输入/输出器件映射到满足所述至少一个核心域设计规则限制的两个或更多个核心器件，其中，所述修改的电路在所述输入/输出域中以所述较高操作电压操作。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将每个输入/输出器件映射到两个或更多个核心器件包括将每个输入/输出器件映射到作为级联保护器件操作的第一核心器件和串联连接到所述第一核心器件的第二核心器件。

技术总结
本发明的实施例提供了一种集成电路包括：核心域，具有较小器件和较低操作电压的至少一个核心域设计规则限制；输入/输入域，具有比核心域的较小器件更大的器件和比核心域较低的操作电压更高的操作电压的输入/输出域设计规则限制；以及映射单元，包括两个或更多个电子器件，每个电子器件都满足至少一个核心域设计规则限制。映射单元被配置为输入/输出器件，并且在输入/输出域中以输入/输出域的较高操作电压来操作。本发明的实施例还提供了一种半导体电路及其映射方法。

技术研发人员：洪照俊,曹斯钧
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17