用于谐振元件和超高频天线的双功能条带的制作方法

本主题申请教导了一般涉及组合的hf和uhf电路的实施例，并且具体地涉及被配置为支持eas天线元件和rfid芯片二者的耦合区域。

背景技术：

1、电子商品防盗(eas)系统通常在高频(hf)范围内操作，标称为8.2mhz，而某些射频识别(rfid)系统在超高频(uhf)范围内操作，标称为865mhz。eas系统通常包括耦合到电容元件的hf线圈天线，这形成了谐振电路，该谐振电路被配置为在由附近场以eas电路元件的谐振频率进行激励时返回信号。uhf rfid系统通常包括耦合到rfid芯片的uhf天线和/或调谐环，当uhf天线和/或调谐环由附近场以uhf天线的谐振频率和rfid芯片的内部电容激励时为rfid芯片供电。rfid芯片在被供电时发送编码的返回信号。通常，eas装置和rfid装置用于不同目的，并且作为单独的物品被制造和销售。

技术实现思路

1、本发明提供一种射频识别装置，即rfid装置，其包括：超高频rfid芯片即uhf rfid芯片；包括不对称耦合焊盘的双模式条带，所述不对称耦合焊盘包括大耦合焊盘和小耦合焊盘，其中所述大耦合焊盘和小耦合焊盘耦合到所述uhf rfid芯片，并且其中所述大耦合焊盘被配置为支撑第一耦合区域和第二耦合区域；导电地耦合到所述双模式条带的uhf调谐环；和高频线圈天线即hf线圈天线，其包括：被配置为与所述大耦合焊盘耦合的第一线圈端部；以及被配置为与所述小耦合焊盘耦合的第二线圈端部；其中所述第一耦合区域和所述第二耦合区域被配置为不对称的，以使电压集中在所述耦合区域之一，用于通过将电路暴露在所述电路的谐振频率下的高强度场中来停用所述电路。

2、在另一个实施例中，提供一种射频识别装置，即rfid装置，其包括：超高频rfid芯片即uhf rfid芯片；包括不对称耦合焊盘的双模式条带，所述不对称耦合焊盘包括大耦合焊盘和小耦合焊盘，其中所述大耦合焊盘和小耦合焊盘耦合到uhf rfid芯片；导电地耦合到所述双模式条带的uhf调谐环；和高频线圈天线即hf线圈天线，其包括：被配置为与所述大耦合焊盘耦合的第一线圈端部；以及被配置为与所述小耦合焊盘耦合的第二线圈端部；其中所述hf线圈天线包括在匝之间具有窄间隙宽度的大线圈并且被配置为单桅帆船型天线，以在uhf频率下形成短路。

技术特征：

1.一种射频识别装置，即rfid装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述双模式条带被配置用于uhf响应和适于触发电子商品防盗门即eas门的谐振。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述小耦合焊盘被配置为支撑用于耦合到额外的uhf天线元件的第三耦合区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述双模式条带被配置为通过在一端部处耦合到所述高频线圈天线并且在另一端部处耦合到uhf rfid天线的所述uhf rfid芯片支持eas功能和uhf rfid功能的谐振吸收。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述uhf调谐环被定位为偏移所述高频线圈天线以避免干扰。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述uhf调谐环包括熔丝型结构，其使所述uhf调谐环能够在阈值交流值即阈值ac值之上开路。

7.一种射频识别装置，即rfid装置，其包括：

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述hf线圈天线包括通过激光切割形成的窄间隙，以通过切割曲线间隙来减小所述窄间隙宽度或者增加匝之间的相对的边缘到边缘面积中之一来增强所述匝之间的耦合。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述双模式条带被配置用于uhf响应和适于触发电子商品防盗门即eas门的谐振。

10.根据权利要求7所述的装置，其中所述小耦合焊盘被配置为耦合到额外的uhf天线元件。

11.根据权利要求7所述的装置，所述双模式条带被配置为通过在一端部处耦合到所述高频线圈天线并且在另一端部处耦合到uhf rfid天线的所述uhf rfid芯片支持eas功能和uhf rfid功能的谐振吸收。

12.根据权利要求7所述的装置，其中所述uhf调谐环被定位为偏移所述高频线圈天线以避免干扰。

13.根据权利要求7所述的装置，其中所述uhf调谐环包括熔丝型结构，其使所述uhf调谐环能够在阈值交流值即阈值ac值之上开路。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述uhf调谐环在电子商品防盗功能即eas功能被停用时开路。

技术总结
本发明涉及用于谐振元件和超高频天线的双功能条带。一种组合的EAS和RFID电路，其包括HF线圈天线、UHF调谐环和耦合到条带的RFID芯片，该条带包括第一耦合区域和第二耦合区域。HF线圈天线的线圈端部被配置为电容地和/或导电地耦合到条带的第一耦合区域或第二耦合区域中的一者或二者。HF线圈天线可以包括匝之间的间隙，用于UHF调谐环的非干扰放置。在施加足够强度的谐振频率的场以致使超过线圈端部和耦合区域之间的击穿电压时，EAS电路可以停用。通过对线圈端部或耦合区域中的一者或二者的导电表面进行激光烧蚀处理，可以减小线圈端部和耦合区域之间的阈值击穿电压。

技术研发人员：I·J·福斯特
受保护的技术使用者：艾利丹尼森零售信息服务公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22