一种存储芯片寿命延长方法及相关产品与流程

文档序号:36735409发布日期:2024-01-16 12:49阅读:20来源:国知局
一种存储芯片寿命延长方法及相关产品与流程

本发明涉及配电计量,更具体的说是涉及一种存储芯片寿命延长方法及相关产品。


背景技术:

1、目前,计量设备内部一般都会使用flash作为存储介质,优点是存储空间大,成本低,能长期保存数据不丢失。缺点是flash的擦写次数是有限的,nand flash中每个块的最大擦写次数为100万次,而nor是10万次,flash单个存储单元bit只能从1变为0,而不能从0变成1。想要变成1,只能block擦除,这里的block表示一个擦除单位,擦除过程就是把block所有的位都写1,这种硬件特性如果没有一种高效的写入算法,会大大降低flash的使用寿命。例如,计量插座每一秒钟都需要保存数据,如果每次写入都执行擦除操作,那么一分钟擦除60次,一小时擦除3600次,存储芯片很快报废。

2、因此,如何延长计量插座存储芯片的寿命是本领域技术人员亟需解决的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本发明提供了一种存储芯片寿命延长方法及相关产品,通过改变计量插座存储芯片的读写方法,大大延长falsh芯片寿命,并提高计量插座效能。

2、为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

3、一种存储芯片寿命延长方法,存储芯片包括flash,包括以下步骤:

4、步骤1:从flash中选取若干最小擦除单元构成存储空间,将存储空间中的每个最小擦除单元划分为若干块;将块作为最小查询单元,从存储空间中的起始地址作为当前查询地址;

5、步骤2:获取电量数据,将电量数据封装成数据包;数据包包括包头特征、电量数据和校验码;存储芯片运行,每一秒从电能计量芯片中获取一次电量数据byte power[4];

6、步骤3:根据包头特征判断当前查询地址是否为可存储地址,如果为可存储地址则存储数据包,并进入步骤4;否则将下一块的起始地址作为下一时刻查询地址进行查询,直至所有最小擦除单元内的所有块查询完毕,对所有最小擦除单元执行擦除动作,并返回步骤2;

7、步骤4:根据当前查询地址计算下一次存储时的可存储地址;

8、步骤5:获取电量数据,将电量数据封装成数据包并存储至下一次存储时的可存储地址,并返回步骤4,直至所有最小擦除单元内的所有块均存储数据,则对所有最小擦除单元执行擦除动作,并返回步骤2。

9、优选的,步骤3中判断当前查询地址是否为可存储地址时,如果当前查询地址内存储的数据值不等于包头特征,且不为空,则将当前查询地址所在的块作为可存储地址,将数据包存储至当前查询到的可存储地址,根据数据包长度计算下一次存储时可存储地址的存储起始地址;

10、如果当前查询地址内存储的数据等于包头特征,则根据数据包长度计算下一时刻查询地址,对下一时刻查询地址(即下一块的起始地址)进行查询;

11、如果所有最小擦除单元内的所有块查询完毕,所有块中起始地址内存储的数据值均等于包头特征,则存储空间内的所有块都存储有数据,对所有最小擦除单元执行擦除动作。

12、优选的,步骤4中根据数据包长度计算下一次存储时可存储地址的存储起始地址,在当前可存储地址的起始地址的基础上移动数据包长度则为下一次存储时可存储地址的存储起始地址,即当前查询地址移动数据包长度为存储起始地址,表达式为:

13、存储起始地址=(n+1)*l

14、其中,n表示第n次存储数据包;l表示数据包长度。

15、优选的,计算下一时刻查询地址的表达式为:

16、下一时刻查询地址=m*l

17、其中,m表示执行擦除动作前的查询次数;l表示数据包长度。

18、优选的,数据包长度为16字节。

19、一种存储芯片,其上存储有计算机程序,该计算机程序被执行时实现上述存储芯片寿命延长方法的步骤。

20、一种计量插座,采用所述存储芯片。

21、经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明公开提供了一种存储芯片寿命延长方法及相关产品,通过对最小擦除单元切分,对切分后的地址进行查询存储和读取,保证了每次最小擦除单元内所有空间全部存储使用以后再执行擦除动作,从而降低了存储芯片的擦除频率,延长使用寿命,令计量插座无需使用高成本的存储芯片,就可以支持频繁读写的需求。



技术特征:

1.一种存储芯片寿命延长方法,存储芯片包括flash,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种存储芯片寿命延长方法,其特征在于,步骤3中判断当前查询地址是否为可存储地址时,如果当前查询地址内存储的数据值不等于包头特征,且不为空,则将当前查询地址所在的块作为可存储地址,将数据包存储至当前查询到的可存储地址;

3.根据权利要求2所述的一种存储芯片寿命延长方法,其特征在于,步骤4中根据数据包长度计算下一次存储时可存储地址的存储起始地址,在当前可存储地址的起始地址的基础上移动数据包长度则为下一次存储时可存储地址的存储起始地址,表达式为:

4.根据权利要求2所述的一种存储芯片寿命延长方法,其特征在于,计算下一时刻查询地址的表达式为:

5.根据权利要求2所述的一种存储芯片寿命延长方法,其特征在于,数据包长度为16字节。

6.一种存储芯片,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被执行时实现权利要求1-5任一项所述方法的步骤。

7.一种计量插座,其特征在于,采用权利要求6所述的存储芯片。


技术总结
本发明公开了一种存储芯片寿命延长方法及相关产品,涉及配电计量技术领域,选取若干最小擦除单元构成存储空间,将最小擦除单元划分为若干块,将块作为最小查询单元,从存储空间中的起始地址进行查询;获取电量数据封装成数据包,根据数据包中包头特征判断当前查询地址是否可存储数据包,如果可存储,获取下一次存储的地址存放下一次获得的数据包,直至所有最小擦除单元内的所有块均存储数据;否则对下一块的起始地址进行查询,直至所有最小擦除单元内的所有块查询完毕,证明所有块均存储数据;没有存储空间时对所有最小擦除单元执行擦除动作。本发明通过改变计量插座存储芯片的读写方法,大大延长falsh芯片寿命,并提高计量插座效能。

技术研发人员:苗松,廖向明,边琪,刘宝峰,白雪冰,任志强
受保护的技术使用者:中能瑞通(北京)科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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