一种长寿命电子标签的制作方法

文档序号:35596979发布日期:2023-09-27 19:31阅读:59来源:国知局
一种长寿命电子标签的制作方法

本技术涉及电子标签,具体涉及一种长寿命电子标签。


背景技术:

1、计量箱、变电站、配电柜等电力资产常利用电子标签作为电子身份标识,实现现场计量箱、变电站、配电柜等电力资产全寿命周期管理应用。多数电力资产位于户外,电子标签安装在相应的电力资产上,受户外环境的影响,使用寿命短。随着电子标签使用的越来越多,更换寿命殆尽的电子标签也导致人工、设备等成本的提高。因此,用于计量箱、变电站、配电柜等电力资产的电子标签的寿命越长越好。

2、经研究发现,现有寿命较长的电子标签,主要采用超声波焊接工艺或者灌胶工艺来实现密封,其难以同时达到耐高温与防水性能。因为如果实现了完全的密封,则内部将会残留空气,而空气在户外高温环境中易膨胀导致外壳破损,从而影响产品寿命。如果外壳开孔,则可保证高温下气体正常排出,但开孔会导致水汽进入到内部,腐蚀内部的电子器件,导致产品寿命缩短。


技术实现思路

1、为此,本实用新型提供一种长寿命电子标签,以解决上述的技术问题。

2、为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种长寿命电子标签,包括外壳、天线和芯片,所述外壳为一次注塑成型并包覆在所述天线和所述芯片外的全封闭密封壳,所述芯片固定在所述天线上并与之电连接,所述天线包括硬质基材板,所述硬质基材板设有多个在所述外壳注塑成型过程中起到走胶平衡作用的平衡孔。

4、进一步地,所述外壳分为上壳和底壳,所述上壳和底壳一次注塑成型连为一体,所述上壳呈半包围状,所述底壳呈板状,所述底壳位于所述上壳的底部敞口,所述天线和芯片位于所述上壳和所述底壳围成的密闭空腔中,所述密闭空腔中无气体。

5、进一步地,所述天线为单面玻璃纤维覆铜板,还包括复合、压制或蚀刻而成于所述硬质基材板表面的铜导层,所述铜导层包括两侧的辐射振子、位于两个所述辐射振子之间的电小环、以及连接所述辐射振子和所述电小环的弯折振子。

6、进一步地,所述弯折振子呈弯曲的波浪线状,所述电小环呈角部倒角的矩形框状。

7、进一步地,所述芯片为dfn封装芯片,与所述电小环通过smt工艺焊接固定。

8、本实用新型具有如下优点:

9、芯片和天线构成该电子标签的核心,保护其不受户外恶劣环境的影响是提高使用寿命的关键。本实用新型的电子标签采用一次性注塑成型的方式将壳体包覆在芯片和天线构成的核心外,注塑成型过程中不会再内部形成残留空气,因此不会出现因高温环境形成气鼓而引起的外壳破裂等问题,保证了外壳的完整性,而且一次注塑成型的外壳的密封性更佳,水汽无法进入到内部而腐蚀内部的电子器件,从而提高了使用寿命;天线的硬质基材板上的多个平衡孔,可保证外壳在一次注塑成型过程中的走胶平衡,使注塑材料均匀分布在电子器件的周围,否则无法保证一次注塑成型后的外壳的厚薄均匀性、天线位置平衡(居中)以及外壳内部无气体残留的要求。



技术特征:

1.一种长寿命电子标签,其特征在于,包括外壳、天线和芯片,所述外壳为一次注塑成型并包覆在所述天线和所述芯片外的全封闭密封壳,所述芯片固定在所述天线上并与之电连接,所述天线包括硬质基材板,所述硬质基材板设有多个在所述外壳注塑成型过程中起到走胶平衡作用的平衡孔。

2.根据权利要求1所述的长寿命电子标签,其特征在于,所述外壳分为上壳和底壳,所述上壳和底壳一次注塑成型连为一体,所述上壳呈半包围状,所述底壳呈板状,所述底壳位于所述上壳的底部敞口,所述天线和芯片位于所述上壳和所述底壳围成的密闭空腔中,所述密闭空腔中无气体。

3.根据权利要求1所述的长寿命电子标签,其特征在于,所述天线为单面玻璃纤维覆铜板,还包括复合、压制或蚀刻而成于所述硬质基材板表面的铜导层,所述铜导层包括两侧的辐射振子、位于两个所述辐射振子之间的电小环、以及连接所述辐射振子和所述电小环的弯折振子。

4.根据权利要求3所述的长寿命电子标签,其特征在于,所述弯折振子呈弯曲的波浪线状,所述电小环呈角部倒角的矩形框状。

5.根据权利要求3所述的长寿命电子标签,其特征在于,所述芯片为dfn封装芯片,与所述电小环通过smt工艺焊接固定。


技术总结
本技术公开了一种长寿命电子标签,包括外壳、天线和芯片,所述外壳为一次注塑成型并包覆在所述天线和所述芯片外的全封闭密封壳,所述芯片固定在所述天线上并与之电连接,所述天线包括硬质基材板,所述硬质基材板设有多个在所述外壳注塑成型过程中起到走胶平衡作用的平衡孔。本技术的长寿命电子标签,其外壳采用一次注塑工艺完成,与传统超声波工艺的标签相比,标签的可靠性和使用寿命得到了极大的提升,一次注塑成型的外壳将天线及芯片完全密封在内,达到气密等级IP68的同时,也可承受125℃以上的高温,使得产品可以在户外严苛环境下长期使用10年以上。

技术研发人员:戴志波,赵景超,余坤
受保护的技术使用者:北京国金源富科技有限公司
技术研发日:20230419
技术公布日:2024/1/14
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