基于固态硬盘的HCTM性能数据收集方法和系统与流程

本发明涉及固态硬盘，特别是涉及一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法、系统、计算机设备和存储介质。

背景技术：

1、固态硬盘(solid state drive，简称ssd)是一种使用闪存芯片(flash memory)作为存储介质的硬盘。温度是影响ssd寿命、质量的重要因素。过高的使用温度可能会对ssd的数据造成不可逆的影响，包括数据的丢失，ssd使用寿命的减少等。

2、针对这个问题，nvme(non volatile memory host controller interfacespecification，非易失性内存主机控制器接口规范)协议提出了主机温度控制管理(hostcontrolled thermal management，简称hctm)的功能，ssd可以主动调节自身的温度，保证ssd自身的安全。影响ssd hctm的因素主要有ssd当前功耗与读写状态。然而，在现有技术中厂商开发ssd的hctm功能以及评估hctm能力只能收集主机端的读写速度数据以及温度数据，无法立体的从多维角度体现ssd的hctm能力。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法、系统、计算机设备和存储介质。

2、一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法，所述方法包括：

3、在电源与待测固态硬盘之间串联一感测电阻并将所述感测电阻两端分别连接至mcu的两个adc端口；

4、mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗；

5、mcu通过待测固态硬盘上的das灯来收集待测固态硬盘的读写状态；

6、mcu通过控制总线实时获取温度传感器采集的待测固态硬盘的温度数据。

7、在其中一个实施例中，所述mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗的步骤包括：

8、计算感测电阻两端的电压＝adc1电压-adc2电压；

9、计算感测电阻的实时电流＝(adc1电压-adc2电压)÷感测电阻。

10、在其中一个实施例中，所述mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗的步骤还包括：

11、计算待测固态硬盘的实时功耗＝(adc1电压-adc2电压)÷感测电阻×adc2电压。

12、在其中一个实施例中，所述mcu通过待测固态硬盘上的das灯来收集待测固态硬盘的读写状态的步骤包括：

13、将das灯信号连接至mcu输入捕获接口，mcu通过输入捕获功能来获取das灯的状态，当das灯亮起时表示待测固态硬盘正在进行数据读写操作。

14、一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统，所述基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统包括mcu、电源、感测电阻、待测固态硬盘以及温度传感器：

15、在电源与待测固态硬盘之间串联一感测电阻并将所述感测电阻两端分别连接至mcu的两个adc端口；

16、mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗；

17、mcu通过待测固态硬盘上的das灯来收集待测固态硬盘的读写状态；

18、mcu通过控制总线实时获取温度传感器采集的待测固态硬盘的温度数据。

19、在其中一个实施例中，所述系统还用于：

20、计算感测电阻两端的电压＝adc1电压-adc2电压；

21、计算感测电阻的实时电流＝(adc1电压-adc2电压)÷感测电阻。

22、在其中一个实施例中，所述系统还用于：

23、计算待测固态硬盘的实时功耗＝(adc1电压-adc2电压)÷感测电阻×adc2电压。

24、在其中一个实施例中，所述系统还用于：

25、将das灯信号连接至mcu输入捕获接口，mcu通过输入捕获功能来获取das灯的状态，当das灯亮起时表示待测固态硬盘正在进行数据读写操作。

26、一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。

27、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。

28、上述基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法、系统、计算机设备和存储介质在电源与待测固态硬盘之间串联一感测电阻并将所述感测电阻两端分别连接至mcu的两个adc端口；mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗；mcu通过待测固态硬盘上的das灯来收集待测固态硬盘的读写状态；mcu通过控制总线实时获取温度传感器采集的待测固态硬盘的温度数据。本发明可以同时收集ssd的温度、功耗、读写速度数据，可以立体的评估ssd的hctm性能。

技术特征：

1.一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法，其特征在于，所述mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法，其特征在于，所述mcu通过adc端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗的步骤还包括：

4.根据权利要求1-3任一项所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集方法，其特征在于，所述mcu通过待测固态硬盘上的das灯来收集待测固态硬盘的读写状态的步骤包括：

5.一种基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统，其特征在于，所述基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统包括mcu、电源、感测电阻、待测固态硬盘以及温度传感器：

6.根据权利要求5所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统，其特征在于，所述系统还用于：

7.根据权利要求6所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统，其特征在于，所述系统还用于：

8.根据权利要求5-7任一项所述的基于固态硬盘的hctm性能数据收集系统，其特征在于，所述系统还用于：

9.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4中任一项所述方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的方法的步骤。

技术总结
本申请涉及一种基于固态硬盘的HCTM性能数据收集方法、系统、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：在电源与待测固态硬盘之间串联一感测电阻并将所述感测电阻两端分别连接至MCU的两个ADC端口；MCU通过ADC端口测量所述感测电阻两端的电压并计算出感测电阻的电流以及待测固态硬盘的实时功耗；MCU通过待测固态硬盘上的DAS灯来收集待测固态硬盘的读写状态；MCU通过控制总线实时获取温度传感器采集的待测固态硬盘的温度数据。本发明可以同时收集SSD的温度、功耗、读写速度数据，可以立体的评估SSD的HCTM性能。

技术研发人员：马鹏,韩道静,付东松
受保护的技术使用者：苏州忆联信息系统有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/29