完全多平面操作启用的制作方法

本涉及完全多平面操作启用。

背景技术：

1、存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。通常，主机系统可以利用存储器子系统在存储器装置中存储数据并从存储器装置中检索数据。

技术实现思路

1、描述了一种方法。所述方法可以包含：确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面；以及至少部分地基于所述确定来发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符，其中所述单个描述符包括用于所述多平面操作的多个命令，并且其中至少部分地基于所述第一平面是所述无效平面，所述多个命令中的第一命令是所述多个命令中的第二命令的副本，所述第二命令用于所述平面集合中的第二平面。

2、描述了一种方法。所述方法可以包含：接收与用于存储器管芯的平面集合的多平面操作相关联的单个描述符；以及至少部分地基于接收所述单个描述符来发布用于所述多平面操作的多个命令，其中所述单个描述符指示用于所述多平面操作的所述多个命令，并且其中所述多个命令中的第一命令是所述多个命令中的第二命令的副本。

3、描述了一种系统。所述系统可以包含多个存储器部件和处理装置，所述处理装置与所述多个存储器部件可操作地耦合以确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是有效平面；至少部分地基于所述平面集合中的第二平面是无效平面，复制用于所述平面集合的多平面操作的多个命令中的第一命令；以及至少部分地基于所述确定来发布与所述多平面操作相关联的单个描述符，其中所述单个描述符指示所述多个命令包含所述第一命令和所述第一命令的副本。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述平面集合中的所述多个平面是所述无效平面是基于所述多个平面含有大量无效数据、所述多个平面超过所述存储器管芯的无效页面的阈值数量，或这两者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中发布所述单个描述符进一步包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述单个描述符包括用于所述平面集合中的有效平面的命令。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令序列与读取操作、写入操作或擦除操作中的至少一个相关联。

9.一种存储器系统，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器系统执行以下操作：

11.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述处理电路进一步经配置以致使所述存储器系统执行以下操作：

12.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

13.根据权利要求9所述的存储器系统，其中确定所述平面集合中的所述多个平面是所述无效平面是基于所述多个平面含有大量无效数据、所述多个平面超过所述存储器管芯的无效页面的阈值数量，或这两者。

14.根据权利要求9所述的存储器系统，其中发布所述单个描述符进一步经配置以致使所述存储器系统执行以下操作：

15.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述单个描述符包括用于所述平面集合中的有效平面的命令。

16.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述命令序列与读取操作、写入操作或擦除操作中的至少一个相关联。

17.一种非暂时性计算机可读介质，其存储有代码，所述代码包括指令，所述指令可由处理器执行以进行以下操作：

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述指令可进一步由所述处理器执行以进行以下操作：

19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述指令可进一步由所述处理器执行以进行以下操作：

20.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述命令序列中的第一命令是所述命令序列中的第二命令的副本，并且所述命令序列中的第三命令是所述命令序列中的第四命令的副本。

技术总结
本申请涉及完全多平面操作启用。闪存控制器可以确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面。所述闪存控制器可以发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符。所述单个描述符可以包含用于所述多平面操作的多个命令，其中基于所述第一平面是所述无效平面，所述多个命令中的第一命令可以是所述多个命令中的第二命令的副本。在一些情况下，与非NAND控制器可以接收与用于所述存储器管芯的所述平面集合的所述多平面操作相关联的所述单个描述符。所述NAND控制器可以基于接收所述单个描述符来发布用于所述多平面操作的多个命令。

技术研发人员：吴建刚,林其松,辉俊胜,万云秋,A·马尔谢,P-C·陈
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/23