一种散热设备的防挂死电路的制作方法

本技术涉及芯片散热领域，具体是一种散热设备的防挂死电路。

背景技术：

1、随着主控芯片性能的不断提升，主频和功耗增加带来的散热问题越来越突出。在主控芯片散热方向中，绝大多数采用cpld、fpga或mcu等逻辑控制芯片输出pwm信号，控制风扇转速对主控芯片进行散热，然而一旦cpld、fpga或mcu逻辑控制芯片挂死，风扇将不能正常工作，导致主控芯片温度过高而预警甚至损坏。常见的规避方案大多采用将风扇转速反馈到cpld、fpga、mcu逻辑控制芯片或主控芯片进行反馈，如果风扇停转，通过重置cpld、fpga或mcu等逻辑控制芯片进行恢复，但若恢复不成功或输出pwm的管脚无法复位，主控芯片的结温将持续上升，造成系统无法正常工作，不能保障可靠稳定的风扇散热。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是提供一种散热设备的防挂死电路，通过硬件的方式保证主控芯片散热，不仅成本低，并且能高可靠的保障主控芯片散热。

2、为了解决所述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种散热设备的防挂死电路，包括第一电容c1、第一二极管d1、第一三极管q1、第一mos管m1和第一电阻r1，第一电容c1的一端连接散热设备控制信号，散热设备控制信号又通过第一电阻r1连接至散热设备控制芯片电源vcc，第一电容c1的另一端连接至第一二极管d1的阴极和第一三极管q1的基极，第一二极管d1的阳极和第一三极管q1的发射极接地，第一三极管q1的集电极连接至第一mos管m1的栅极和散热设备电源，第一mos管m1的源极接地，散热设备的一端连接散热设备电源，散热设备的另一端连接第一mos管的漏极。

3、进一步的，第一三极管q1的基极与第一电容c1之间连接有第二电阻r2，第一三极管q1的基极与第一三极管q1的发射极之间连接有第三电阻r3。

4、进一步的，第一mos管m1的栅极与散热设备电源之间连接有第四电阻r4，第一mos管m1的栅极与第一mos m1管的源极之间连接有第五电阻r5。

5、进一步的，散热设备两端并联有第二二极管d2，第二二极管d2的阴极连接散热设备电源，第二二极管d2的阳极连接第一mos管m1的漏极。

6、进一步的，所述散热设备为风扇。

7、进一步的，散热设备控制信号为散热设备控制芯片输出的pwm信号。

8、进一步的，散热设备控制电源为cpld、fpga或者mcu。

9、进一步的，散热设备电源为+12v。

10、本实用新型的有益效果：本实用新型通过一种硬件电路的方式保证主控芯片散热，不仅成本低，并且稳定性高，高可靠的保障主控芯片散热，防止散热设备挂死，避免主控芯片无法有效散热导致系统高温无法正常运行的问题。

技术特征：

1.一种散热设备的防挂死电路，其特征在于：包括第一电容c1、第一二极管d1、第一三极管q1、第一mos管m1和第一电阻r1，第一电容c1的一端连接散热设备控制信号，散热设备控制信号又通过第一电阻r1连接至散热设备控制芯片电源vcc，第一电容c1的另一端连接至第一二极管d1的阴极和第一三极管q1的基极，第一二极管d1的阳极和第一三极管q1的发射极接地，第一三极管q1的集电极连接至第一mos管m1的栅极和散热设备电源，第一mos管m1的源极接地，散热设备的一端连接散热设备电源，散热设备的另一端连接第一mos管的漏极。

2.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：第一三极管q1的基极与第一电容c1之间连接有第二电阻r2，第一三极管q1的基极与第一三极管q1的发射极之间连接有第三电阻r3。

3.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：第一mos管m1的栅极与散热设备电源之间连接有第四电阻r4，第一mos管m1的栅极与第一mos m1管的源极之间连接有第五电阻r5。

4.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：散热设备两端并联有第二二极管d2，第二二极管d2的阴极连接散热设备电源，第二二极管d2的阳极连接第一mos管m1的漏极。

5.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：所述散热设备为风扇。

6.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：散热设备控制信号为散热设备控制芯片输出的pwm信号。

7.根据权利要求6所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：散热设备控制电源为cpld、fpga或者mcu。

8.根据权利要求1所述的散热设备的防挂死电路，其特征在于：散热设备电源为+12v。

技术总结
本技术涉及芯片散热领域，具体是一种散热设备的防挂死电路。包括第一电容C1、第一二极管D1、第一三极管Q1、第一MOS管M1和第一电阻R1，第一电容C1的一端连接散热设备控制信号，散热设备控制信号又通过第一电阻R1连接至散热设备控制芯片电源VCC，第一电容C1的另一端连接至第一二极管D1的阴极和第一三极管Q1的基极，第一二极管D1的阳极和第一三极管Q1的发射极接地，第一三极管Q1的集电极连接至第一MOS管M1的栅极和散热设备电源，第一MOS管M1的源极接地，散热设备的一端连接散热设备电源，散热设备的另一端连接第一MOS管的漏极。本技术通过硬件的方式保证主控芯片散热，不仅成本低，并且能高可靠的保障主控芯片散热。

技术研发人员：赵鑫鑫,栾世琛,姜凯,金长新,魏子重
受保护的技术使用者：山东浪潮科学研究院有限公司
技术研发日：20240403
技术公布日：2024/11/26