写入元数据的方法、设备、以及存储装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法、设备以及写入元数据的存储装置。所述方法包括：基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据；采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据；以及采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
【专利说明】
写入元数据的方法、设备、以及存储装置
技术领域
[0001]本发明涉及元数据回写的领域，更具体地，本发明涉及写入元数据的方法、设备、 以及存储装置。【背景技术】
[0002]固态硬盘(SSD)是基于闪存的数据存储设备，其已经得到了广泛使用。SSD中的一个重要组件是闪存转换层(FTL)，其位于SSD控制器中，并且用于将来自主机的逻辑块地址 (LBA)映射为硬盘上的物理块地址(PBA)。对于FTL，一般采用基于二级映射FTL算法，其中， 所谓的“二级映射”是指页级映射和簇级映射。
[0003]然而，当采用基于二级映射FTL算法时，映射表的数量将非常庞大。此时，如果只在关机时进行元数据回写，将会影响关机速度，因此需要在硬盘正常工作中适时地进行元数据回写。如果采用阻塞方式进行元数据回写，会阻塞用户数据写的速度;反之，如果用非阻塞方式回写，则很难保证掉电后数据重构的一致性。
【发明内容】
[0004]有鉴于上述情况，本发明提供了将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法、设备、以及写入元数据的存储装置，其能够同时兼顾数据写入速度以及数据一致性的保护。
[0005]根据本发明的一个方面，提供了一种将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法，包括:基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据;采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据；以及采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
[0006]根据本发明的另一方面，提供了一种写入元数据的存储装置，包括:存储单元，存储元数据;处理单元，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据，采用第一写入方式将满足第一属性的元数据写入所述存储单元，以及采用第二写入方式将满足第二属性的元数据写入所述存储单元。
[0007]根据本发明的又一方面，提供了一种将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备，包括:标识单元，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据;第一写入单元，采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据；以及第二写入单元，采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
[0008]在本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法、设备、以及写入元数据的存储装置中，通过对于不同属性的元数据采用不同的回写方式，从而能够同时兼顾数据写入速度以及数据一致性的保护。【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。下面描述中的附图仅仅是本发明的示例性实施例。
[0010]图1是图示根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法的流程图；
[0011]图2是图示根据本发明实施例的元数据回写的状态转变示例的示意图；[0〇12]图3是图示根据本发明实施例的示例映射表和簇表的示意图；
[0013]图4是图示根据本发明另一实施例的写入元数据的存储装置的配置框图；以及 [〇〇14]图5是图示根据本发明又一实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备的配置框图。【具体实施方式】
[0015]在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，基本上相同的步骤和元素用相同的附图标记来表示，且对这些步骤和元素的重复解释将被省略。
[0016]首先，参照图1描述根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10。图1是图示根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10的流程图。
[0017]这里，第一存储介质例如是RAM(随机存取存储器)等的易失性存储器，而第二存储介质例如是ROM(只读存储器)、EPR0M(可擦除可编程只读存储器)、SSD等的非易失性存储器。更具体地，因为前述【背景技术】中所提及的“元数据回写”是指将元数据从易失性存储器写入到非易失性存储器中，因此也可以作为这里所述的方法10的示例。
[0018]如图1中所示，在本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10开始时，首先，在步骤S101，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据。
[0019]具体地，待写入元数据的属性例如可以包括元数据的数据量、层级等。例如，当待写入元数据为映射表时，映射表的数据量大，层级低；当待写入元数据为簇表时，簇表的数据量比映射表的数据量低，层级比映射表的层级高；当待写入元数据为例如指针、索引等的其它关键元数据时，这种元数据的数据量最低，层级最高。
[0020]根据待写入元数据的这些示例属性，可以标识所述待写入元数据。这里所述的“标识”例如可以是将某个元数据标识为满足第一属性或第二属性。也可以理解为，根据不同元数据的各自的属性，可以将这些元数据分为例如两类，第一类元数据满足第一属性，而第二类元数据满足第二属性。由此，可以在后续步骤中对不同类的元数据进行不同的处理。[0021 ]更具体地，因为映射表和簇表的数据量相对于其它关键元数据来说更大，并且它们的层级相对于其它关键元数据来说更低，因此可以将映射表和簇表标识为满足第一属性，将其它关键元数据标识为满足第二属性，也就是说，将映射表和簇表分类为第一类元数据，而将其它关键元数据分类为第二类元数据。[〇〇22]接着，在步骤S102,采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据。
[0023]具体地，第一写入方式例如可以为非阻塞方式。所谓的“非阻塞方式”是指在进行元数据回写时，不阻止用户对第二存储介质的数据写入等的其它动作。也就是说，通过非阻塞方式对元数据进行的回写、与用户数据写入可以同时并行地进行，这样可以保证用户数据写入的速度。
[0024]更具体地，如前所述，满足第一属性的元数据例如是映射表和簇表。因此，可以在步骤S102中采用非阻塞方式写入映射表和簇表。[〇〇25]然后，在步骤S103,采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
[0026]具体地，第二写入方式例如可以为阻塞方式。所谓的“阻塞方式”是指在进行元数据回写时，阻止用户对第二存储介质的数据写入等的其它动作。也就是说，在通过阻塞方式进行元数据回写时，不会存在其它数据写入动作。这样，在元数据写入期间，数据不会被更改，因此可以保证掉电后数据重构的一致性。
[0027]更具体地，如前所述，满足第二属性的元数据例如是除了映射表和簇表之外的其它关键元数据。因此，可以在步骤S103中采用阻塞方式写入其它关键元数据。
[0028]—方面，因为例如指针、索引等的其它关键元数据极为重要，也即，层级较高，所以，为了保证数据一致性，这些元数据在回写过程中不能被修改，因此需要采用阻塞方式回写这些元数据。此外，考虑到这些元数据的数据量较小，因此它们的阻塞式回写过程很短， 所以，对用户数据写入的阻塞时间也会很短，因此用户数据写入速度不会受到很大影响。
[0029]另一方面，与例如指针、索引等的其它关键元数据相比，映射表和簇表的数据量较大，因此如果采用阻塞方式回写映射表和簇表时，用户数据写入的速度会受到较大影响，因此采用非阻塞方式回写映射表和簇表更为适宜。此外，考虑到映射表和簇表的层级较低， 艮P，没有上述那些关键元数据那么重要，因此，即使在非阻塞式回写过程中映射表中的某些数据被用户的写入动作更改，也不会造成如上述关键元数据被更改所导致的那么严重的后果。此外，如本文稍后将描述，也可以采取进一步的措施来消除在非阻塞式回写过程中元数据被更改所产生的不利影响。
[0030]在执行了步骤S103之后，将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法 10结束。
[0031]应理解，上述给出的待写入元数据的属性的具体示例仅为了便于理解本发明，而并非将本发明限于此。同理，上述给出的元数据的具体示例、以及对待写入元数据的具体标识方式(即，分类方式)的举例也不对本发明构成限制。本领域技术人员在本申请给出的教示的基础上，可以根据实际情况，对任何可能的元数据基于其任何合适的属性，进行合适的标识，并继而采用合适的回写方式。
[0032]在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法 10中，通过对于不同属性的元数据采用不同的回写方式，也就是说，采用两种回写方式相结合，从而能够同时兼顾数据写入速度以及数据一致性的保护。
[0033]可选地，虽然图1中未示出，在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10中，所述属性至少包括所述待写入元数据的优先级，并且，所述步骤S101可以包括如下子步骤:
[0034]将所述待写入元数据的优先级与参考优先级相比较;以及[〇〇35]如果所述待写入元数据的优先级低于所述参考优先级，则将所述待写入元数据标识为满足第一属性，否则将所述待写入元数据标识为满足第二属性。
[0036]具体地，如前所述，待写入元数据的属性不限于前述举例说明的数据量、层级。例如，这里假设所述属性至少包括待写入元数据的优先级。更具体地，优先级例如可以根据待写入元数据的例如数据量、层级等某些属性(特性)来确定。例如，根据映射表的数据量大小和层级高低，可以将映射表的优先级确定为1;根据簇表的数据量大小和层级高低，可以将簇表的优先级确定为2;并且根据其它关键元数据的数据量大小和层级高低，可以将这些关键元数据的优先级确定为3。
[0037]这里，还可以假设参考优先级等于3,则通过分别将映射表、簇表和其它关键元数据的优先级与参考优先级相比较，可以得到映射表和簇表的优先级均低于参考优先级，因此将映射表和簇表均标识为满足第一属性，即，如前所述，将它们分类为第一类元数据。由于其它关键元数据的优先级等于参考优先级，因此将它们标识为满足第二属性，即，如前所述，将它们分类为第二类元数据。由此，可以在后续步骤S102和S103中分别对不同标识的元数据采用不同的写入方式进行写入(回写)。[〇〇38]应理解，这里给出的优先级也仅仅是属性的一种示例，而不对本发明构成限制。同样，这里所述的基于优先级对待写入元数据进行标识(分类)的示例方式也不对本发明构成限制。本领域技术人员可以根据实际情况，基于其它任何合适的属性来对待写入元数据进行标识(分类)，以确定它们的写入方式。
[0039]可选地，虽然图1中未示出，在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10中，所述满足第一属性的元数据包括第一元数据、以及第二元数据，并且所述满足第二属性的元数据包括第三元数据，并且，所述步骤S102可以包括如下子步骤:
[0040]拷贝出所述第一元数据；[〇〇41]采用第一写入方式写入所述第一元数据；
[0042]基于来自所述第二存储介质的第一反馈结束所述第一元数据的写入；
[0043]基于所述第一元数据，修改所述第二元数据；
[0044]采用第一写入方式写入经修改的第二元数据；以及
[0045]基于来自所述第二存储介质的第二反馈结束所述经修改的第二元数据的写入。
[0046]具体地，为了便于说明，下面结合图2详细说明上述可选的各个子步骤。图2是图示根据本发明实施例的元数据回写的状态转变示例的示意图。[〇〇47]具体地，硬盘在正常工作时，例如，会通过一定策略触发元数据回写，并不断对元数据的更新进行增量式回写。图2中示出了单次元数据回写的示意图。[〇〇48]如图2中所示，当系统触发了某次元数据回写时，进入第一元数据回写状态2201。 为了更便于说明，假设第一元数据对应于映射表的页，更具体地，例如是更新了元数据的映射表的页。此时，首先需要将需要写入的映射表的这些页拷贝出来，这是为了防止在非阻塞方式回写过程中这些页被实时地改变。然后，采用前述非阻塞方式回写映射表中的这些页， 直至接收到来自例如SSD的第二存储介质的第一反馈2210,才从此状态2201转变至第二元数据回写状态2202。
[0049]这里，第一反馈2210例如是从SSD反馈映射表中需要回写的页被全部回写成功的反馈，也即，通过此第一反馈2210触发状态转变。更具体地，例如，可以将映射表中需要回写的页的页数发送给SSD，SSD当所计数的完成回写的页的页数等于需要回写的页的页数时， 则发送该第一反馈2210。替代地，也可以由SSD发送完成回写的页的页数，当发送给SSD的需要回写的页的页数与SSD发送回的完成回写的页的页数相等时，判断映射表的回写完成，此时，第一反馈2210对应于与需要回写的页的页数相等的完成回写的页的页数。应理解，第一反馈2210不限于这里列举的示例情况，本领域技术人员可以根据实际情况，设计第一反馈2210的任何合适的实现方式。
[0050]在第一元数据(例如，映射表的页)完成回写之后，S卩，从状态2201转变到状态 2202,进行第二元数据的回写。具体地，为了便于说明，假设第二元数据对应于簇表。因为簇表中记录了映射表的页的物理地址，因此，当映射表的页发生更新时，需要对应地修改簇表中的对应项。然后，在对应修改之后，采用前述非阻塞方式对修改后的簇表进行回写。如图2 中所示，与状态2201类似地，直到接收到来自例如SSD的第二存储介质的第二反馈2220,才从状态2202转变至第三元数据回写状态2203。与第一反馈2210类似地，第二反馈2220表示簇表的所有页回写成功，也即，通过此第二反馈2220触发状态转变。
[0051]在状态2203中，对例如前述其它关键元数据的第三元数据进行阻塞方式的回写。 并且，在完成第三元数据回写之后，本次元数据回写结束，并且等待下一次元数据回写的触发。[〇〇52]为了更进一步理解本发明，下面结合图3以映射表和簇表为例说明上述各个可选子步骤的应用不例。图3是图不根据本发明实施例的不例映射表和族表的不意图。[〇〇53]图3(A)示出了示例性映射表301。映射表301中前8列中记录了写入数据，第9列指示映射表的逻辑页号，映射表301每行左侧的数据表示映射表页对应的物理地址。图3(B)示出了与图3(A)中的示例性映射表301对应的示例性簇表302。簇表302用于记录映射表301的页的物理地址，如图3(B)中所示的簇表302中的左侧两列所示。其中每列的上方分别示出了每列的物理地址对应的逻辑页号。[〇〇54] 具体地，假设第一次写入数据200-215，则生成映射表放在物理地址100-101中，如图3(A)所示的映射表301中的前两行所示出的。其中，第一行对应于逻辑页号“vlpnO”，第二行对应于逻辑页号“vlpnl”。也就是说，对于此次写入，逻辑页号“vlpnO”对应于物理地址 100，其对应于写入数据200-207 (即，表301的第一行)，逻辑页号“vlpnl”对应于物理地址 101，其对应于写入数据208-215(即，表301的第二行)。相应地，对于此次数据写入，簇表302 在第一行中分别与逻辑页号“vlpnO”和“vlpnl”对应地记录映射表301的页的物理地址100 和 101〇[〇〇55]假设第二次写入是重写个别的页。例如，如图3(A)所示的映射表301中的第三行所示，将数据212重写为216,并且将数据214重写为217。此次重写仅涉及逻辑页号“vlpnl”，而不涉及逻辑页号“vlpnO”，并且重写后的“vlpnl”对应于物理地址102。因此，相应地，在图3 (B)中所示的簇表302中的第二行中，对应于逻辑页号“vlpnO”的物理地址保持不变，S卩，仍为100，而对应于逻辑页号“vlpnl”重新记录物理地址102。
[0056] 进一步，假设第三次写入是将210重写为219以及将211重写为218,如图3(A)所示的映射表301中第四行所示的。此次重写仍然仅涉及逻辑页号“vlpnl”，而不涉及逻辑页号 “vlpnO”，并且重写后的“vlpnl”对应于物理地址103。因此，相应地，在图3(B)中所示的簇表 302中的第三行中，对应于逻辑页号“vlpnO”的物理地址保持不变，S卩，仍为100，而对应于逻辑页号“vlpnl”重新记录物理地址103。[〇〇57]以上参考图3详细说明了映射表与簇表之间的对应关系。对于上述三次写入的每次，都可以如图2中所示触发元数据回写，即在状态2201中对映射表301中涉及元数据改变的页进行非阻塞回写，并且在状态2202中基于映射表301中的改变而相应地修改簇表302， 并对修改后的簇表302进行非阻塞回写，这里不再赘述。
[0058]应理解，图3中所示的映射表和簇表的设置仅仅是一种示例情况，而不对本发明构成限制。本领域技术人员可以采用任何合适的映射表和簇表的设置方式。
[0059]进一步可选地，虽然图1中未示出，根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10还可以包括步骤:采用第二写入方式写入在采用第一写入方式写入第一元数据和第二元数据期间第一元数据中改变的项。
[0060]具体地，为了便于理解，仍以第一元数据对应于映射表且第二元数据对应于簇表为例进行举例说明。如前所述，在对映射表进行回写时，首先将映射表拷贝出来，然后再对映射表和对应修改的簇表进行非阻塞回写。由此，所回写的映射表和簇表对应于非阻塞回写过程之前的状态。然而，在非阻塞回写过程中，由于用户数据写入不被阻止，因此映射表中的元数据有可能通过硬盘的读写操作而被实时修改，从而导致对应的其它关键元数据也被实时修改了。例如，如果发生如图3中所示的重写情况，则映射表的页的物理地址会发生修改，从而作为关键元数据的vcount值也发生了修改，这样被通过阻塞方式进行回写的关键元数据是修改后的关键元数据。也就是说，所回写的映射表中的页的映射信息与所回写的关键元数据会存在不一致。对于这种情况，当硬盘正常关机时，这些不一致不会造成任何影响，然而，如果硬盘发生突然断电等异常关机、且需要更为准确的保证元数据和数据的一致性时，则需要通过上述可选步骤来恢复。
[0061]例如，可以在关键元数据中增加一项来保存在准备开始对映射表进行非阻塞式回写、与开始对关键元数据进行阻塞式回写之间(即，在对映射表和簇表进行非阻塞式回写期间)映射表中修改的部分，并且，在阻塞式回写关键元数据时，将所增加的该项一同进行阻塞式回写。这样，如果正常关机，则可以在恢复时，利用元数据记录的映射表修改项，对加载元数据的映射表的项，恢复出对应的映射表版本。
[0062]通过上述可选步骤，可以进一步防止异常关机情况导致的数据不一致。
[0063]可选地，虽然图1中未示出，在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10中，在所述步骤S101之前还可以包括步骤:基于选取策略选取所述要进行写入的元数据。
[0064]具体地，可以采用增量回写策略，也就是说，仅选取映射表中改变(更新)的页进行回写，而非对全部页进行回写，从而可以减少回写数据量，减轻系统负担。
[0065]应理解，上述增量回写策略仅仅为了举例说明，本发明不限于此。本领域技术人员可以根据实际情况，采取任何合适的选取策略来选取待写入的元数据。
[0066]进一步可选地，虽然图1中未示出，在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10中，在上述基于选取策略选取所述要进行写入的元数据的可选步骤之前，还可以包括步骤:基于写入策略触发元数据写入。
[0067]具体地，如图2中所示，在触发回写时，进行每次元数据的回写。例如，写入策略可以是当元数据进行了更新(改变)时。然而，应理解，本发明不限于此，本领域技术人员可以根据实际情况，采取任何合适的写入策略来触发元数据写入。
[0068]可选地，虽然图1中未示出，在根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10中，所述第一写入方式可以为非阻塞方式，并且所述第二写入方式可以为阻塞方式。由于前文已经举例说明了非阻塞方式和阻塞方式这两种回写方式的详细细节，因此这里不再赘述。
[0069]可选地，虽然图1中未示出，根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10可以基于二级映射FTL算法。具体地，例如，如前所述，可以采用例如图3中所不的映射表和簇表结合映射的方式。
[0070]以上参照图1-3描述了本发明的一个实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法10。在所述方法10中，通过对于不同属性的元数据采用不同的回写方式，也就是说，采用两种回写方式相结合，从而能够同时兼顾数据写入速度以及数据一致性的保护。
[0071]下面，将参照图4描述根据本发明另一实施例的写入元数据的存储装置40。图4是图示根据本发明另一实施例的写入元数据的存储装置40的配置框图。这里，所述存储装置 40例如可以是诸如SSD的非易失性存储器。[〇〇72]如图4所示，根据本发明实施例的写入元数据的存储装置40可以包括存储单元410 和处理单元420。[0〇73]存储单元410存储元数据。处理单元420基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据，采用第一写入方式将满足第一属性的元数据写入所述存储单元410,以及采用第二写入方式将满足第二属性的元数据写入所述存储单元410。[〇〇74] 可选地，所述属性至少包括所述待写入元数据的优先级。并且，所述处理单元420 还:将所述待写入元数据的优先级与参考优先级相比较；以及如果所述待写入元数据的优先级低于所述参考优先级，则将所述待写入元数据标识为满足第一属性，否则将所述待写入元数据标识为满足第二属性。
[0075]可选地，所述满足第一属性的元数据包括第一元数据、以及第二元数据，并且所述满足第二属性的元数据包括第三元数据。并且，所述处理单元420还:拷贝出所述第一元数据;采用第一写入方式将所述第一元数据写入所述存储单元410;基于来自所述存储单元的第一反馈，结束所述第一元数据的写入;基于所述第一元数据，修改所述第二元数据;采用第一写入方式将经修改的第二元数据写入所述存储单元410;以及基于来自所述存储单元的第二反馈，结束所述经修改的第二元数据的写入。[〇〇76] 进一步可选地，所述处理单元420还:采用第二写入方式将在采用第一写入方式写入第一元数据和第二元数据期间第一元数据中改变的项写入所述存储单元410。[〇〇77]可选地，在所述基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据之前，所述处理单元420还:基于选取策略选取所述要进行写入的元数据。[〇〇78]进一步可选地，在基于选取策略选取所述要进行写入的元数据之前，所述处理单元420还:基于写入策略触发元数据写入。
[0079]可选地，所述第一写入方式为非阻塞方式，并且所述第二写入方式为阻塞方式。
[0080]可选地，所述处理单元420基于二级映射FTL算法。
[0081]以上参照图4描述了本发明的一个实施例的写入元数据的存储装置40。在所述存储装置40中，通过对于不同属性的元数据采用不同的回写方式，也就是说，采用两种回写方式相结合，从而能够同时兼顾数据写入速度以及数据一致性的保护。
[0082]下面，将参照图5描述根据本发明又一实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备50。图5是图示根据本发明又一实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备50的配置框图。这里，如前所述，第一存储介质例如是RAM等的易失性存储器，而第二存储介质例如是R〇M、EPROM、SSD等的非易失性存储器。[〇〇83]如图5中所示，根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备50可以包括标识单元510、第一写入单元520以及第二写入单元530。
[0084]标识单元510基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据。第一写入单元520 采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据。并且，第二写入单元530采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
[0085]所述将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备50的各单元的配置和具体操作已经在参照图1-3所述的根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法1 〇中详细描述，在此不再重复。[〇〇86]以上，参照图1-5描述了根据本发明实施例的将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法、设备、以及写入元数据的存储装置。[〇〇87]需要说明的是，在本说明书中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。[〇〇88] 最后，还需要说明的是，上述一系列处理不仅包括以这里所述的顺序按时间序列执行的处理，而且包括并行或分别地、而不是按时间顺序执行的处理。
[0089]通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本发明可借助软件加必需的硬件平台的方式来实现，当然也可以全部通过硬件来实施。基于这样的理解， 本发明的技术方案对【背景技术】做出贡献的全部或者部分可以以软件产品的形式体现出来， 该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如R0M/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
[0090]在本发明实施例中，单元/模块可以用软件实现，以便由各种类型的处理器执行。 举例来说，一个标识的可执行代码模块可以包括计算机指令的一个或多个物理或者逻辑块，举例来说，其可以被构建为对象、过程或函数。尽管如此，所标识模块的可执行代码无需物理地位于一起，而是可以包括存储在不同位里上的不同的指令，当这些指令逻辑上结合在一起时，其构成单元/模块并且实现该单元/模块的规定目的。
[0091]在单元/模块可以利用软件实现时，考虑到现有硬件工艺的水平，所以可以以软件实现的单元/模块，在不考虑成本的情况下，本领域技术人员都可以搭建对应的硬件电路来实现对应的功能，所述硬件电路包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者是其它分立的元件。模块还可以用可编程硬件设备，诸如现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等实现。
[0092]以上对本发明进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的方法，包括:基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据；采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据；以及 采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述属性至少包括所述待写入元数据的优先级，并 且其中，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据包括:将所述待写入元数据的优先级与参考优先级相比较；以及如果所述待写入元数据的优先级低于所述参考优先级，则将所述待写入元数据标识为 满足第一属性，否则将所述待写入元数据标识为满足第二属性。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述满足第一属性的元数据包括第一元数据、以及 第二元数据，并且所述满足第二属性的元数据包括第三元数据，并且其中，所述采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据包括:拷贝出所述第一元数据；采用第一写入方式写入所述第一元数据；基于来自所述第二存储介质的第一反馈结束所述第一元数据的写入；基于所述第一元数据，修改所述第二元数据；采用第一写入方式写入经修改的第二元数据；以及基于来自所述第二存储介质的第二反馈结束所述经修改的第二元数据的写入。4.如权利要求3所述的方法，还包括:采用第二写入方式写入在采用第一写入方式写入第一元数据和第二元数据期间第一 元数据中改变的项。5.如权利要求1所述的方法，在所述基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据 之前，还包括:基于选取策略选取所述要进行写入的元数据。6.如权利要求5所述的方法，在基于选取策略选取所述要进行写入的元数据之前，还包 括:基于写入策略触发元数据写入。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一写入方式为非阻塞方式，并且所述第二写 入方式为阻塞方式。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法基于二级映射FTL算法。9.一种写入元数据的存储装置，包括:存储单元，存储元数据；处理单元，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据，采用第一写入方式将满 足第一属性的元数据写入所述存储单元，以及采用第二写入方式将满足第二属性的元数据 写入所述存储单元。10.如权利要求9所述的存储装置，其中，所述属性至少包括所述待写入元数据的优先 级，并且其中，所述处理单元还:将所述待写入元数据的优先级与参考优先级相比较；以及如果所述待写入元数据的优先级低于所述参考优先级，则将所述待写入元数据标识为 满足第一属性，否则将所述待写入元数据标识为满足第二属性。11.如权利要求9所述的存储装置，其中，所述满足第一属性的元数据包括第一元数据、 以及第二元数据，并且所述满足第二属性的元数据包括第三元数据，并且其中，所述处理单元还:拷贝出所述第一元数据；采用第一写入方式将所述第一元数据写入所述存储单元；基于来自所述存储单元的第一反馈，结束所述第一元数据的写入；基于所述第一元数据，修改所述第二元数据；采用第一写入方式将经修改的第二元数据写入所述存储单元；以及 基于来自所述存储单元的第二反馈，结束所述经修改的第二元数据的写入。12.如权利要求11所述的存储装置，其中，所述处理单元还:采用第二写入方式将在采用第一写入方式写入第一元数据和第二元数据期间第一元 数据中改变的项写入所述存储单元。13.如权利要求9所述的存储装置，其中，在所述基于待写入元数据的属性标识所述待 写入元数据之前，所述处理单元还:基于选取策略选取所述要进行写入的元数据。14.如权利要求13所述的存储装置，其中，在基于选取策略选取所述要进行写入的元数 据之前，所述处理单元还:基于写入策略触发元数据写入。15.如权利要求9所述的存储装置，其中，所述第一写入方式为非阻塞方式，并且所述第 二写入方式为阻塞方式。16.如权利要求9所述的存储装置，其中，所述处理单元基于二级映射FTL算法。17.—种将元数据从第一存储介质写入到第二存储介质中的设备，包括:标识单元，基于待写入元数据的属性标识所述待写入元数据；第一写入单元，采用第一写入方式写入满足第一属性的元数据；以及 第二写入单元，采用第二写入方式写入满足第二属性的元数据。
【文档编号】G06F3/06GK106020726SQ201610344167
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】刘文静, 肖蔓君
【申请人】联想(北京)有限公司