一种In?Cell触控阵列基板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种In?Cell触控阵列基板，包括：一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极电机层，栅极绝缘层，半导体层，源漏电极层，第一钝化层，有机绝缘层，共通电极层，第二钝化层，检测线，第三钝化层和像素电极层；其中，在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述第一钝化层和第二钝化层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径。通过对第一钝化层和第二钝化层的接触孔进行同时蚀刻，使第一接触孔的边缘形成一个缓坡，进而使得像素电极沿第二钝化层形成的缓坡与漏极电极层的漏电极顺利连接，确保像素电极不断裂。
【专利说明】
一种I n-Ce I I触控阵列基板及其制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及平板显示器技术领域，尤其涉及一种In-Cell触控阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]AIT技术是将触摸传感器功能嵌入到TFT阵列基板上的像素内部，现有技术的In-Cell触控阵列基板的剖面示意图如I所示，包括在透明基板01上依次形成栅极02、栅极绝缘层03、半导体层04、漏极金属层05、有机绝缘层06、有机绝缘层通孔601、ITO电极07、第一钝化层08、检测线层09、第二钝化层010以及共通电机层011。其中，有机绝缘层06是透明的，并覆盖了透明基板的绝大部分，ITO电极层通过有机绝缘层通孔61与漏极金属层的漏电极连接。而在有机绝缘层通孔61形成的ITO层会形成一个较大的落差，极易导致ITO层的断裂，无法给像素电极充电，进而造成不可修复的不良。
【发明内容】
[0003]为了解决现有技术的问题，本发明给出一种In-Cell触控阵列基板，包括:一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极电机层，栅极绝缘层，半导体层，源漏电极层，第一钝化层，有机绝缘层，共通电极层，第二钝化层，检测线，第三钝化层和像素电极层；
[0004]其中，在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述第一钝化层和第二钝化层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接;其中，所述的第一接触孔包括同心的第一钝化层接触孔和第二钝化层的接触孔;所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径。
[0005]进一步，所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径lum。
[0006]本发明还给出一种In-Ce11触控阵列基板的制造方法，包括如下步骤:
[0007]第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，形成栅极电极层，在该电机层上刻蚀出栅极；
[0008]第二步、形成栅极绝缘层；
[0009]第三步、沉积金属氧化物薄膜，形成氧化物半导体层；
[0010]第四步、在以上步骤基础上形成金属层，该金属层包括数据线、源电极和漏电极；
[0011]第五步、在步骤四上形成第一钝化层；
[0012]第六步、对以上阵列基板涂布有机绝缘层，并去除第一接触孔位置对应的有机绝缘层；
[0013]第七步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成共通电极；
[0014]第八步、在步骤七上形成第二钝化层；
[0015]第九步、在以上阵列基板上涂布光刻胶并对光刻胶进行曝光，并对光刻胶进行显影，对暴露出的第一接触孔位置的第一钝化层和第二钝化层同时进行干刻，
[0016]形成第一接触孔；
[0017]第十步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成检测线，并形成第三钝化层；
[0018]第十一步、在以上步骤上形成像素电极层，像素电极层通过第一钝化层和第二钝化层形成的第一接触孔与漏电极连接。
[0019]进一步，步骤八中的第一接触孔由同心的第一钝化层接触孔和第二钝化层接触孔组成，并所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径lum。
[0020]有益效果:本发明通过对第一钝化层和第二钝化层的接触孔进行同时蚀刻，使第一接触孔的边缘形成一个缓坡，进而使得像素电极沿第二钝化层形成的缓坡与漏极电极层的漏电极顺利连接，确保像素电极不断裂。
【附图说明】
[0021 ]图1为现有阵列基板像素区域的剖面示意图；
[0022]图2为本发明的阵列基板像素区域的剖面示意图；
[0023]图3为本发明第二实施例步骤五的剖面示意图；
[0024]图4为本发明第二实施例步骤六的剖面示意图；
[0025]图5为本发明第二实施例步骤八的剖面示意图；
[0026]图6为本发明第二实施例步骤九的剖面示意图；
[0027]图7为本发明第二实施例步骤十的剖面示意图；
[0028]图8为本发明第二实施例步骤十一的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0029]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0030]当AIT技术运用在阵列设计中时，像素结构需要更多的绝缘层，所以在通孔处的像素电极会形成一个较大的落差，极易导致ITO膜层断裂，进而造成不可修复的不良。为了解决In-Cell触控阵列基板的像素电极极易断裂的问题，本发明提供一种新的In-Cell触控阵列基板结构。
[0031]如图2所示的为本发明的In-Cell触控阵列基板的剖面示意图，该阵列基板包括:基板10，以及在所述基板上依次形成的栅极电极层20，栅极绝缘层30，半导体层40，源漏电极层50，第一钝化层60，有机绝缘层70，共通电极层80，第二钝化层90，检测线100，第三钝化层200以及像素电极层300。其中，在位于源漏电极层50上方的第一钝化层60和第二钝化层90上形成有第一接触孔701，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层300相连接;所述的第一接触孔701包括同心的第一钝化层接触孔和第二钝化层的接触孔;所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径lum。
[0032]在本实施例中，由于第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径，这样会在第一接触孔的边缘形成一个缓坡，使得像素电极沿第二钝化层形成的缓坡与漏极电极层的漏电极顺利连接，确保像素电极不断裂。
[0033]本发明还给出了第二实施例一种In-Cell触控阵列基板制造方法，该方法包括如下步骤:
[0034]第一步、在透明基板10上，沉积金属薄膜，形成栅极电极层20，在该金属薄膜上刻蚀出栅极；
[0035]第二步、形成栅极绝缘层30;
[0036]第三步、沉积金属氧化物薄膜，在该薄膜上刻蚀出图案，形成半导体层40;
[0037]第四步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成源漏电极层;该金属层包括括数据线(图中未示)、源电极51和漏电极52;
[0038]第五步、在步骤四上形成第一钝化层60，如图3所示；
[0039]第六步、对以上阵列基板涂布有机绝缘层70，并对对有机绝缘层70进行曝光，显影去除第一接触孔701位置对应的有机绝缘层，形成有机绝缘层通孔，如图4所示。
[0040]第七步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成共通电极80;
[0041 ]第八步、在步骤七上形成第二钝化层90，如图5所示；
[0042]第九步、在以上阵列基板上涂布光刻胶并对光刻胶进行曝光，并对光刻胶进行显影，对暴露出的第一接触孔701位置的第一钝化层60和第二钝化层90同时进行干刻，形成第一接触孔，该接触孔由同心的第一钝化层接触孔601和第二钝化层接触孔901形成，并所述第二钝化层触孔901的孔径R2大于所述第一钝化层接触孔的孔径Rl Ium，如图6所示；
[0043]第十步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成检测线100、并形成第三钝化层200，如图7所示；
[0044]第十一步、沉积ITO图形，并形成像素电极层300，像素电极层300通过第一钝化层和第二钝化层形成的第一接触孔701与漏电极51连接，如图8所示。
[0045]本发明通过对第一钝化层和第二钝化层的接触孔进行同时蚀刻，使第一接触孔的边缘形成一个缓坡，进而使得像素电极沿第二钝化层形成的缓坡与漏极电极层的漏电极顺利连接，确保像素电极不断裂。
【主权项】
1.一种In-Cell触控阵列基板，包括:一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极电机层，栅极绝缘层，半导体层，源漏电极层，第一钝化层，有机绝缘层，共通电极层，第二钝化层，检测线，第三钝化层和像素电极层； 其中，在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述第一钝化层和第二钝化层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；其中，所述的第一接触孔包括同心的第一钝化层接触孔和第二钝化层的接触孔;所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径。2.根据权利要求1所述的一种In-Cell触控阵列基板，其特征在于:所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径lum。3.—种In-Cell触控阵列基板的制造方法，包括如下步骤: 第一步、在透明基板上，沉积金属薄膜，形成栅极电极层，在该电机层上刻蚀出栅极； 第二步、形成栅极绝缘层； 第三步、沉积金属氧化物薄膜，形成氧化物半导体层； 第四步、在以上步骤基础上形成金属层，该金属层包括数据线、源电极和漏电极； 第五步、在步骤四上形成第一钝化层； 第六步、对以上阵列基板涂布有机绝缘层，并去除第一接触孔位置对应的有机绝缘层； 第七步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成共通电极； 第八步、在步骤七上形成第二钝化层； 第九步、在以上阵列基板上涂布光刻胶并对光刻胶进行曝光，并对光刻胶进行显影，对暴露出的第一接触孔位置的第一钝化层和第二钝化层同时进行干刻，形成第一接触孔； 第十步、在以上步骤基础沉积金属薄膜形成检测线，并形成第三钝化层； 第十一步、在以上步骤上形成像素电极层，像素电极层通过第一钝化层和第二钝化层形成的第一接触孔与漏电极连接。4.根据权利要求1所述的一种In-Cell触控阵列基板的制造方法，其特征在于:步骤八中的第一接触孔由同心的第一钝化层接触孔和第二钝化层接触孔组成，并所述第二钝化层触孔的孔径大于所述第一钝化层接触孔的孔径lum。
【文档编号】H01L27/12GK106095189SQ201610493670
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月29日
【发明人】王利忠, 周刘飞
【申请人】南京中电熊猫液晶显示科技有限公司