一种ogs电容式触摸屏及触控显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子玻璃技术领域，尤其涉及一种OGS电容式触摸屏及触控显示
目.ο
【背景技术】
[0002]目前，触摸屏技术应用到了日常生活的方方面面。市场上生产的消费类触控屏主要是电容式触控屏，它主要分为表面式和投射式两种，其中投射式又称感应电容触控屏，电容触控屏机械结构简单，且无需人工校正，采用矩阵结构，精确度很高，非常适合在便携式电子产品上使用。
[0003]市场主流的触摸屏器件采用IT0(IndiumTin Oxides，铟锡金属氧化物)薄膜为导电材料，该材料资源稀少，价格昂贵，行业人士都在研究其可替代材料，包括石墨烯，金属网格和AZO(铝掺杂的氧化锌的简称)薄膜等。AZO透过率较差，刻蚀纹明显，导致显示效果欠佳。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种OGS电容式触摸屏，其采用AZO取代传统ITO为导电材料制作电容式触摸屏，成本低廉，原材料丰富。
[0005]本实用新型的技术方案是:提供了一种OGS电容式触摸屏，包括透明的玻璃基底层、覆盖于所述玻璃基底层空气面的油墨图层、镀制于所述油墨图层上的第一消影AZO图层、镀制于所述第一消影AZO图层上的绝缘层、镀制于所述绝缘层上的第二消影AZO图层、镀制于所述第二消影AZO图层上的金属层，以及镀制于所述金属层上的保护层。
[0006]进一步地，所述第一消影AZO图层和第二消影AZO图层均为导电感应图层，且所述第一消影AZO图层包括第一消影层和透明的第一 AZO导电线路层，所述第二消影AZO图层包括第二消影层和透明的第二 AZO导电线路层。
[0007]进一步地，所述第一消影层和第二消影层均为五氧化二铌膜层与二氧化硅膜层的叠加。
[0008]进一步地，所述绝缘层为磁控溅射法镀制的二氧化硅膜层。
[0009]优选地，所述绝缘层的膜厚大于80nm。
[0010]进一步地，所述第一消影AZO图层和第二消影AZO图层均通过边部金属走线接入IC芯片，且所述金属走线为银或铜走线并通过丝网印刷镀制。
[0011]进一步地，所述玻璃基底层为钠钙硅玻璃或高硼硅玻璃或高铝硅玻璃。
[0012]优选地，所述玻璃基底层的厚度为0.4mm?2.0mm。
[0013]本实用新型还提供了一种触控显示装置，包括如上述所述的OGS电容式触摸屏。
[0014]实施本实用新型的一种OGS电容式触摸屏，其具有以下有益效果:采用AZO取代传统ITO为基底制作电容式触摸屏，成本低廉，原材料丰富;通过在AZO膜上加镀消影层，可解决刻蚀纹明显的问题，在玻璃基底层空气面上加镀油墨层来提高AZO玻璃的透过率，其目的在于满足触摸屏显示效果的同时，提高AZO基电容式触摸屏器件的性能。
【附图说明】
[0015]图1是本实用新型实施例提供的OGS电容式触摸屏的结构示意图；
[0016]图2是本实用新型实施例提供的OGS电容式触摸屏的制备方法流程图。
【具体实施方式】
[0017]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0018]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0019]还需要说明的是，本实用新型实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
[0020]如图1所示，本实用新型实施例提供的OGS电容式触摸屏包括依次层叠设置的玻璃基底层1、油墨(Black Matrix，BM)图层2、第一消影AZO图层3、绝缘层4、第二消影AZO图层5和金属层6和保护层7。具体地，油墨图层2覆盖于玻璃基底层I的空气面，第一消影AZO图层3镀制于油墨图层2上，绝缘层4镀制于第一消影AZO图层3上，第二消影AZO图层5镀制于绝缘层4上，金属层6镀制于第二消影AZO图层5上，保护层7镀制于金属层6上。
[0021]本实用新型采用AZO取代传统ITO为导电材料制作电容式触摸屏，成本低廉，原材料丰富；通过在AZO膜上加镀消影层，可解决刻蚀纹明显的问题，在玻璃基底层空气面上加镀油墨层来提高AZO玻璃的透过率，其目的在于满足触摸屏显示效果的同时，提高AZO基电容式触摸屏器件的性能。
[0022]进一步地，上述第一消影AZO图层3和第二消影AZO图层5均为导电感应图层，且第一消影AZO图层3包括第一消影层和透明的第一 AZO导电线路层，第二消影AZO图层5包括第二消影层和透明的第二 AZO导电线路层。。具体地，可通过直流磁控溅射方法在油墨图层2上沉积得到第一消影层，并通过湿法刻蚀得到第一 AZO导电线路层，进而制得第一消影AZO图层3。另外，再通过直流磁控溅射方法在绝缘层4上沉积得到第二消影层，并通过湿法刻蚀得到第二 AZO导电线路层，进而制得第二消影AZO图层5。本实用新型实施例通过在第一消影AZO图层3上加镀第一消影层，并在第二消影AZO图层5上加镀第二消影层，可解决刻蚀纹明显的问题。
[0023]优选地，在本实用新型的一个实施例中，上述第一消影层和第二消影层均为五氧化二铌膜层与二氧化硅膜层的叠加。
[0024]进一步地，绝缘层4为磁控溅射法镀制的二氧化硅膜层。具体地，可通过中频磁控溅射方法在第一消影AZO图层3上镀制二氧化硅膜层。
[0025]优选地，上述绝缘层4的膜厚大于80nm，以满足OGS电容式触摸屏的性能需求。
[0026]进一步地，上述第一消影AZO图层3和第二消影AZO图层5均通过边部金属走线接入IC芯片，且上述金属走线可以为银或铜走线并通过丝网印刷镀制。其中，银或铜走线的导电性能好。
[0027]优选地，上述玻璃基底层I的材质为钠钙硅玻璃或高硼硅玻璃或高铝硅玻璃，其厚度为0.4mm?2.0mm，例如0.4mm、0.55mm、0.7mm等。可以理解的是，玻璃基底层I的具体厚度根据实际需要在