专利名称：光头装置的光源装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及CD(激光盘片)或DVD(数码视盘)等的光记录媒体的记录、再生所使用的光头装置。更详细地说，涉及在这种光头装置所使用的光源装置中的激光二极管芯片的定位技术。
背景技术：
我们知道，作为光记录媒体，如CD或DVD等那样，基板厚度或记录密度是不同的，为对这些光记录媒体进行信息记录或再生，需要不同波长的激光。例如，对于DVD的再生，必需650nm波长的激光，而CD-R由于在650nm波长带域的反射率较低，故其再生、记录需要780波长的激光。
作为进行DVD的再生及CD-R的再生记录用的光头装置，我们知道一种叫作2波长光头装置，其搭载有将波长为650nm的激光和波长为780nm的激光射出的光源装置。这种2波长光头装置所使用的光源装置中，即在将激光二极管、光电检波器集成化后的受发光单元中，众所周知，有叫作在1个半导体芯片上形成2个激光的单片式的受发光单元以及叫做将2个激光二极管芯片搭载在1个基板上的混合式的受发光单元。
这里，需要将激光二极管芯片精度良好地定位在基板上。因此，在例如混合式的光源装置中，利用与基座上的定位用标记一致地安装激光二极管芯片的无源定位方式、或一边用LED模式使激光二极管芯片发光一边进行定位的有源定位方式来进行2个激光二极管芯片的定位。
另外，作为激光二极管芯片的定位方法，有一种如日本专利特开平3-95506号公报揭示的、将搭载在基板上的2个激光二极管芯片用另外的基板来进行定位的配置技术。而在日本专利特开平8-339570号公报上揭示了如下一种配置技术在基板上预先雕刻导向槽，通过在该导向槽中搭载2个激光二极管芯片，而精度良好地规定双方的间隔。
这里，随着光头装置的薄型化，有必要提高其光源装置的激光二极管芯片的定位精度。例如，2个激光二极管的发光点间隔的偏差必须抑制在数微米以下。在混合式的结构中，由于通用的安装装置的固定精度(マゥンタ精度)是±20μm，所以，无源定位方式的合格率变差。另外，在可高精度搭载的安装装置中，由于零件的搭载节拍(搭載タクト)明显下降，因此影响了设备投资及生产率。
另一方面，如上述公开公报所揭示的那样，只要预先在基板上设置导向槽，在该导向槽中搭载2个激光二极管芯片，就可精度良好地规定它们的发光点间隔，但存在着不能改善光轴方向的定位精度的问题。
鉴于这种问题，本发明的目的是，提供可精度良好地对激光二极管芯片进行定位的光头装置的光源装置。
发明的公开本发明的光头装置的光源装置，具有至少一个激光二极管芯片和搭载有该激光二极管芯片的半导体基板，其特点是，在所述半导体基板的表面上，通过半导体加工处理而形成有对所述激光二极管芯片进行定位用的定位用凹部，该定位用凹部具有对从所述激光二极管芯片射出的激光的光轴方向的位置予以规定的第1侧面和对与所述光轴方向正交的方向的位置予以规定的第2侧面。
附图的简单说明
图1(a)是表示搭载本发明适用的光源装置的光头装置一例子的俯视图，图1(b)是其剖视图。
图2(a)是图1所示的光源装置的俯视图，图2(b)是表示安装在零件保持架上的光学元件的立体图。
图3是表示图1所示的光源装置中2个激光二极管芯片61、62的定位机构用的说明图。
图4是表示图1所示的光源装置的装配工序的工序图。
图5(a)是表示图1所示的光源装置变形例的立体图，图5(b)是表示另一变形例的立体图，图5(c)是表示其他变形例的立体图。
图6是表示图1所示的光源装置变形例的立体图。
图7(a)是表示光源装置的其他例子的说明图，图7(b)是另一例子的说明图，图7(c)是又一例子的说明图。
图8(A)是为了表示图1所示的光源装置中第1及第2激光二极管芯片的定位机构的立体图，图8(B)是其俯视图。
图9是表示第1及第2激光二极管芯片的搭载工序的工序图。
图10是表示形成定位用突部的辅助支架薄板(ゥェハ)的立体图。
图11是为了表示图1所示的光源装置中第1及第2激光二极管芯片的发光点间隔的调整的立体图。
图12(A)是表示图1所示的光源装置变形例的立体图，图12(B)是其俯视图。
图13(A)是表示图1所示的光源装置另一变形例的立体图，图13(B)是其俯视图。
图14(A)是表示光源装置其他例子的立体图，图14(B)是其俯视图，图14(C)是其说明图。
发明的实施形态下面，结合附图来说明装入有本发明光源装置的光头装置的实施例。
(光头装置)图1(a)及(b)是表示本例的光头装置的俯视图及剖视图。图2(a)及(b)是表示图1所示的光源装置的俯视图及立体图。
本例的光头装置1，是为对CD或DVD等光记录媒体2进行信息记录、信息再生而使用波长为650nm的激光和波长为780nm的激光的2波长光头装置，具有铁、铝等金属制的配线基板3，在其上搭载有各种元件。该配线基板3由框架4支承。框架4的一侧端形成有圆形的主轴导向孔41，另一侧端形成有侧方开口的“コ”字形状的副轴导向槽42。
在搭载光头装置1的信息记录再生装置(未图示)一侧配置有平行延伸的主轴43及副轴44。在将框架4架设在主轴43及副轴44之间的状态下、作成主轴43通过主轴导向孔41且副轴44通过副轴导向槽42的状态地将光头装置1搭载在信息记录再生装置一侧。光头装置1沿着这些主轴43及副轴44而可向光记录媒体2的半径方向作往复移动。
在配线基板3中的副轴导向槽42侧的表面部分，搭载有如图2(a)所示那样的激光、受光元件一体型的光源装置9。该光源装置9具有用Ag糊剂等的粘接剂而层叠粘接在配线基板3表面上的半导体基板10；层叠粘接在该半导体基板10表面上的辅助支架7；以及同样层叠粘接在该辅助支架7上面的第1与第2激光二极管芯片61、62。第1激光二极管芯片61射出波长650nm的激光，第2激光二极管芯片62射出波长780nm的激光。
在半导体基板10上，装入有具有信号再生用的受光面13a的受光元件13及信号运算电路。在辅助支架7上装入有激光监控用的受光元件131。另外，形成于光源装置9侧的电极端子14与形成在配线基板3表面上的电极端子15之间由连接线16连接。
另一方面，在配线基板3的主轴导向孔41侧的表面部分搭载有电磁式物镜驱动机构17。该物镜驱动机构17具有保持物镜18的物镜保持架19、向跟踪方向及聚焦方向可移动地将该物镜保持架19支承的支轴20、以及使物镜保持架19向跟踪方向及聚焦方向移动的产生磁力的磁力驱动电路。磁力驱动电路包含安装在形成于弯曲轭板22的竖立部分22a、22b、22c、22d上的磁铁23a、23b、23c、23d、和配置在与它们相对的物镜保持架部分上的驱动线圈(未图示)。该结构的轴滑动转动式的物镜驱动机构是公知技术。
在从激光二极管芯片61、62至物镜18的光路上，配置有第1衍射光栅25、第2衍射光栅26、校直透镜27及上升反射镜28。第1衍射光栅25是仅将激光二极管芯片62射出的波长780nm的激光分成3束的波长选择性的衍射光栅，第2衍射光栅26是改变来自光记录媒体2的回光光路、经由全反射镜29而引导到受光元件13的受光面13a上用的波长选择性全息照相元件。上升反射镜28是将由校直透镜27作成平行光的射出激光反射成直角并引导到物镜18上用的。
这里，在本例中，光源装置9、衍射光栅25、26及校直透镜27，使用将这些构件保持成定位的状态的元件保持架30，并搭载在配线基板3上。如图2(b)所示，元件保持架30是将整体平板开口成コ字形状的感光性玻璃框体，在其内侧设有将光源装置9、衍射光栅25、26及校直透镜27以规定的姿势保持在各规定位置上的凹凸或窗。因此，对于光源装置9、衍射光栅25、26及校直透镜27，只要搭载在该元件保持架30上，就可自动地进行这些构件间的光轴对准、光轴方向的位置调整。
在安装有光源装置9的元件保持架30的部分上安装有罩盖31，以封闭状态保护该光源装置9。在该罩盖31的里面安装有全反射镜29。
在如此构成的光头装置中，当从DVD对信息进行再生等作为光记录媒体2时，就从第1激光二极管芯片61射出波长为650nm的激光，而当在CD-R上记录信息等作为光记录媒体2时，就从第2激光二极管芯片62射出波长为780nm的激光，从而进行不同种类的光记录媒体2的信息再生、信息记录等。
(光源装置)图3是用来说明本例的光源装置9中2个激光二极管芯片61、62的定位机构的说明图，图4是表示光源装置9的装配工序的工序图。
首先，如图3所示，第1激光二极管芯片61作成长方体形状，且具有处于射出第1激光L1的第1前方发光点S1的前方射出面612；处于后方发光点的后方射出面614；左右的侧面613、615；形成有N电极的上面616；形成有P电极的下面611。该第1激光二极管芯片61在射出面612称作P侧下方，以使第1前方发光点S1位于P电极的下面611侧，通过下面611搭载在辅助支架7上，而效率良好地将第1前方发光点S1产生的热量进行散热。从后方射出面614向后方射出第1监控用激光LM1。
接着，第2激光二极管芯片62也作成相同形状，且具有处于射出第2激光L2的第2前方发光点S2的前方射出面622；处于后方发光点的后方射出面624；左右的侧面623、625；形成有N电极的上面626；形成有P电极的下面621。该第2激光二极管芯片62也在前方射出面622称作P侧下方，以使第2前方发光点S2位于P电极的下面621侧，通过下面621搭载在辅助支架7上，而效率良好地将第2前方发光点S2产生的热量进行散热。从后方射出面624向后方射出第2监控用激光LM2。
在辅助支架7的上面700上，并排刻设有对第1激光二极管芯片61进行定位用的第1定位用凹部71和对第2激光二极管芯片62进行定位用的第2定位用凹部72，在它们的后方装入有监控用受光元件131。
第1定位用凹部71是刻设成比第1激光二极管芯片61的下面611还大的长方形的凹部，具有底面711、从底面711的三边垂直竖起的前方侧面712、左右的侧面713、715、以及向后方倾斜的后方倾斜面714。
第2定位用凹部72也作成相同形状，是刻设成比第2激光二极管芯片62的下面621还大的长方形的凹部，具有底面721、从底面721的三边竖起的前方侧面722、左右的侧面723、725、以及向后方倾斜的后方倾斜面724。
另外，从各定位用凹部71、72的前方侧面712、722连续形成有向第1及第2激光L1、L2的射出方向延伸的第1及第2激光通过用凹部712a、722a。
2个激光二极管芯片61、62的定位，是通过将它们各自搭载在第1及第2定位用凹部71、72、抵接固定在前方侧面712、722和一方侧面713、725上来进行的。因此，前方侧面712、722规定从第1及第2激光二极管芯片61、62射出的激光L1、L2的光轴方向的位置，侧面713、725规定与光轴方向正交的方向。于是，第1及第2前方发光点S1、S2的间隔由侧面713、725的间隔来规定。
另外，由于定位用凹部71、72的前方侧面712、722连接有第1及第2激光通过用凹部712a、722a，所以，可避免以规定的发散角射出的激光L1、L2被遮住。
此外，定位用凹部71、72的后方侧的部分，由于被后方侧面714、724规定，故从后方射出面614、624射出的第1及第2监控用激光LM1、LM2不会被定位用凹部71、72的后方侧的部分遮住而被引导到监控用受光元件131上。
下面，结合图4来说明光源装置9的装配工序。首先，准备刻设有第1及第2定位用凹部71、72和第1及第2激光通过用凹部712a、722a的辅助支架7。第1及第2定位用凹部71、72，以利用光蚀刻技术的半导体加工处理方式形成为1μm～50μm的深度。底面711、721是向第1及第2激光二极管芯片的下面611、621的P电极供电用的电极，形成作为钎焊料的AuSn膜。另外，第1及第2激光通过用凹部712a、722a也用半导体加工处理来刻设形成。
接着，在工序ST1、2中，将第1激光二极管芯片(LD1)61及第2激光二极管芯片(LD2)62搭载在辅助支架7的第1及第2定位用凹部71、72上。此时，如图3(a)所示，将第1激光二极管芯片(LD1)61及第2激光二极管芯片(LD2)62嵌入第1及第2定位用凹部71、72内，在将前方射出面612、622与前方侧面712、722接触的同时，进行将与前方射出面612、622正交的侧面613、625与侧面713、725的接触定位。
此外，在工序ST3中，使AuSn膜加热硬化，并将第1激光二极管芯片(LD1)61及第2激光二极管芯片(LD2)62固定在辅助支架7上。
在工序ST4、5中，在安装于配线基板3的元件保持架(感光性玻璃框体)30的定位面上，对辅助支架7和装入包含信号再生用的受光元件及信号运算电路的集成电路的半导体基板(PDIC)10进行层叠并定位，然后用Ag糊剂等粘接剂进行固定。
然后，在工序6中，第1及第2激光二极管芯片61、62的上端面616、626的N电极、辅助支架7及半导体基板10侧的电极部分和形成于配线基板3侧的电极端子间用连接线连接，获得图2所示的光源装置9。
(本实施例的效果)如上说明所示，在本例的光头装置的光源装置9中，辅助支架7的上面700，通过半导体加工处理而形成有对第1及第2激光二极管芯片61、62进行定位用的第1及第2定位用凹部71、72，所述第1及第2定位用凹部71、72具有对从第1及第2激光二极管芯片61、62射出的激光L1、L2的光轴方向的位置进行规定的前方侧面712、722和对与光轴方向正交的位置进行规定的侧面713、725。因此，若将第1及第2激光二极管芯片61、62搭载在辅助支架7上，就可对这些光轴方向的位置及与光轴方向正交的位置、还有它们各自的发光点间隔进行精度良好的定位。因此，即使不使用高精度安装装置，也可用将激光二极管芯片61、62搭载在辅助支架7上的装配水平进行高精度的定位。
(光源装置的变形例)图5(a)、(b)及(c)和图6是分别表示光源装置的变形例的立体图。
在图5(a)所示的光源装置9A中，搭载有第1及第2激光二极管芯片61、62的辅助支架7层叠在装入有受光元件13的半导体基板10A上。
在半导体基板10A的表面101上，通过半导体加工处理而形成有对辅助支架7进行定位用的辅助支架定位用凹部102。因此，只要将辅助支架7搭载在半导体基板10A上，就可进行定位。并在辅助支架7上，精度良好地定位有2个激光二极管芯片61、62。所以，可精度良好地对激光二极管芯片61、62及受光元件13进行定位。
接着在上述的光源装置9、9A中，将搭载有第1及第2激光二极管芯片61、62的辅助支架7层叠在半导体基板10、10A上，但也可并排配置。
例如，在图5(b)所示的光源装置9B中，搭载有第1及第2激光二极管芯片61、62的辅助支架7和装入有受光元件13的半导体基板10被并排地搭载在半导体部件73的表面730上。
在半导体部件73的表面730上，通过半导体加工处理而形成有对辅助支架7进行定位用的辅助支架定位用凹部731和对半导体基板10进行定位用的半导体基板定位用凹部732。因此，辅助支架7及半导体基板10只要搭载在半导体部件73上就可定位，可简单而精度良好地进行激光二极管芯片61、62及受光元件13的定位。
这里，如图6所示，也可将搭载有激光二极管芯片61、62的辅助支架7和半导体基板10用元件保持架30进行定位，且并排配置。在这种光源装置9C中，元件保持架30是由将整体平板切成コ字状的感光性玻璃框体构成，在其内侧具有对半导体基板10和辅助支架7进行定位用的定位面。因此，只要将辅助支架7及半导体基板10搭载在元件保持架30A上，辅助支架7及半导体基板10就被定位。
如此，在这些光源装置9A、9B、9C中，通过对辅助支架7和半导体基板10A、10进行定位，其结果，搭载在辅助支架7上的第1及第2激光二极管芯片61、62和装入在半导体基板10上的受光元件13的受光面13a就可进行位置调整。
另一方面，第1及第2激光二极管芯片61、62也可直接搭载在半导体基板10上，来代替搭载在辅助支架7上。
如图5(c)所示，在光源装置9D中，第1及第2激光二极管芯片61、62也可层叠在装入有受光元件13的半导体基板10C上。
在半导体基板10C的表面103上，通过半导体加工处理而形成有对第1及第2激光二极管芯片61、62进行定位用的定位用凹部104、105。因此，第1及第2激光二极管芯片61、62只要搭载在半导体基板10C上就可定位，第1及第2激光二极管芯片61、62和装入在半导体基板10C上的受光元件13的受光面13a就可进行位置调整。
(光源装置的其他实施例)本发明也可适用于具有单一激光二极管芯片的光源装置。例如，如图7(a)所示，在具有射出单波长的激光、或射出不同波长的激光的单片式受发光单元作为一个激光二极管芯片601的情况下，只要在辅助支架7A上形成对1个激光二极管芯片601进行定位用的1个定位用凹部701即可。
本发明也可适用于具有大小不同的激光二极管芯片的光源装置。例如，如图7(b)所示，2个激光二极管芯片602、603中，在激光二极管芯片603比激光二极管芯片602高输出而具有较大尺寸的情况下，只要在辅助支架7B上形成2个光源定位用凹部702、703、将与尺寸较大的激光二极管芯片603对准的定位用凹部703做得大于定位用凹部702即可。
此外，本发明还可适用于具有3个以上的激光二极管芯片的光源装置。例如，如图7(c)所示，在具有波长不同的3个激光二极管芯片604、605、606的情况下，只要在辅助支架7C上形成3个光源定位用凹部704、705、706即可。
在这些辅助支架7A、7B、7C中，即使使所搭载的激光二极管芯片601～606的形状、种类和搭载数量不相同，通过形成与它们相一致形状的光源定位用凹部701～706，也可对激光二极管芯片601～606进行定位。
下面，结合附图来说明装入本发明光源装置的光头装置的其他实施例。
而对于光头装置，参照上述的图1(a)及(b)、即表示本例的光头装置的俯视图及剖视图、并参照图2(a)及(b)、即表示图1所示的光源装置的俯视图及立体图，此处的详细说明省略。
(光源装置的定位机构)图8是表示本例光源装置90中2个激光二极管芯片610、620的定位机构的说明图。图9是表示激光二极管芯片610、620的搭载工序的工序图。图10是表示形成有定位用突部的辅助支架薄板的立体图。
首先，如图8(A)所示，第1激光二极管芯片610作成大致长方体状，且具有处于射出第1激光L1的第1前方发光点S1的前方射出面6120；处于后方发光点的后方射出面6140；左右的侧面6130、6150；形成有P电极的上面6160；以及形成有N电极的下面6110。该第1激光二极管芯片610，在射出面6120使第1前方发光点S1位于P电极的上面6160侧，其配置称作P侧上方，以将P电极固定在上侧。从后方射出面6140向后方射出监控用激光。
第2激光二极管芯片620作成比第1激光二极管芯片小的大致长方体形状，且具有处于射出第2激光L2的第2前方发光点S2的前方射出面6220；处于后方发光点的后方射出面6240；左右的侧面6230、6250；形成有P电极的上面6260；以及形成有N电极的下面6210。该第2激光二极管芯片620也在前方射出面6220使第2前方发光点S2位于P电极的上面6260侧，其配置是将P电极配置在上侧的P侧上方。从后方射出面6240向后方射出监控用激光。
在辅助支架70的上面7000上，竖立有将防护材料层叠而形成的长方体形状的第1凸部810、T字状的第2凸部820和长方体形状的第3凸部830。由这些凸部构成对第1及第2激光二极管芯片610、620进行定位的定位用突部80。在辅助支架上面7000中的第1及第2激光二极管芯片610、620的后方，装入有监控用受光元件1310。
参照图8(B)再详细说明定位用突部80。位于中央的定位用突部80的第2凸部820具有向左右延伸的横壁部分8220、从该后侧侧面8220a的中央向后方直角状延伸的分隔壁部分8210。在该第2凸部820的一方侧，以一定间隔配置有第1凸部810，该后侧侧面810a位于与第2凸部820的后侧侧面8220a同一的平面。同样，第3凸部830也以一定间隔位于第2凸部820的另一方侧，该后侧侧面830a也处于与第2凸部820的后侧侧面8220a同一的平面上。
这里，第2凸部820的分隔部分8210的左右侧面8210a、8210b是垂直于辅助支架表面的，且是相互平行的面，对与第1及第2激光二极管芯片610、620的光轴正交的方向的位置予以规定。另外，各凸部810、820、830的后侧侧面810a、820a、830a对激光二极管芯片的光轴方向的位置予以规定。
下面结合图9(A)来说明第1及第2激光二极管芯片610、620的搭载工序。首先，制作光栅状地装入有多个辅助支架70的辅助支架薄板。在各辅助支架70上，也装入有监控用受光元件1310。
在工序ST′1中，对形成定位用突部80的部分涂布感光性类型的防护材料。作为该防护材料，使用液状或薄膜。在工序ST′2中，将防护材料预烘干，接着在工序ST′3、工序ST′4中进行曝光、显像后，在工序ST′5中进行后烘干。其结果，如图10所示，可获得在各辅助支架70上形成有定位用突部80即第1凸部810、第2凸部820、第3凸部830的辅助支架薄板700。定位用突部80以曝光时的掩模精度(マスク精度)形成，其厚度是数微米至300微米。
在工序ST′6中，对辅助支架薄板700进行一次切片，作成在下一工序的处理操作良好的尺寸，在工序ST′7中，在各辅助支架70上，将第1激光二极管芯片(LD1)610及第2激光二极管芯片(LD2)620搭载定位在由定位用突部80规定的位置上。
在工序ST′8中，通过使在第1激光二极管芯片(LD1)610及第2激光二极管芯片(LD2)620或辅助支架70任一个上形成的、作为熔化剂的AuSn膜加热硬化，从而将第1激光二极管芯片(LD1)610及第2激光二极管芯片(LD2)620固定在辅助支架70上。
下面，在工序ST′9中，进行二次切片，将辅助支架70切断成规定的大小。
(本实施例的效果)如上所述，在本例的光头装置的光源装置90中，辅助支架70的上面7000，利用光掩模的曝光技术由感光性树脂形成对第1及第2激光二极管芯片610、620进行定位用的定位用突部80，该定位用突部80具有对从第1及第2激光二极管芯片610、620射出的激光L1、L2的光轴方向的位置进行规定的第1凸部810、第2凸部820、第3凸部830的后侧侧面810a、820a、830a；对与光轴方向正交的位置进行规定的第2凸部820的分隔部分8210的左右侧面8210a、8210b。因此，只要将第1及第2激光二极管芯片610、620搭载在辅助支架70上，就可对这些光轴方向的位置及与光轴方向正交的位置、以及它们各自的发光点间隔进行精度良好的定位。所以，即使不使用高精度安装装置，也可以装配水准高精度的定位将激光二极管芯片610、620搭载在辅助支架70上。
另外，在对2个激光二极管芯片进行定位时，在图9(A)所示的工序ST′7中，是利用定位用突部80对2个激光二极管进行定位固定的，但也可如图9(B)所示，在工序ST′71中，首先预先利用定位用突部80对第1激光二极管芯片610定位，在工序ST′72中，在搭载第2激光二极管芯片620并调整位置后，在工序ST′73中决定第2激光二极管芯片620的位置。
也就是说，在工序ST′72中，如图11所示，在第1激光二极管芯片610由定位用突部80定位的辅助支架70中，用吸附探头900保持第2激光二极管芯片620。在该状态下，利用是否由LED型式同时使第1及第2激光二极管芯片610、620发光、或利用校直标记而根据图像一边监控它们各自的位置一边进行位置调整。此时的位置调整，可通过沿由定位用突部80中第2凸部820、第3凸部830后侧侧面8220a、830a所规定的基准面而用吸附探头900一边保持第2激光二极管芯片620一边向箭头H所示的一轴方向使其移动来进行。因此，可用仅一轴方向的简单调整来进行第1及第2激光二极管芯片610、620的发光点间隔的调整。
(光源装置的变形例)图12、图13、图14是分别表示光源装置的变形例的立体图。
在上述的实施例中，第1及第2激光二极管芯片610、620是用将P电极侧作成上侧的P侧上方来固定的，但为有效地使发光点所产生的热量散热，也可将上下作成相反地用P侧下方将P电极的面作成辅助支架70侧进行固定。
如图12(A)、(B)所示，光源装置90A中，由于第1及第2激光二极管芯片610、620用P侧上方固定，故第1及第2前方发光点S1、S2位于辅助支架70A侧。
在辅助支架70A的表面7010上，形成有对第1及第2激光二极管芯片610、620进行定位用的构成定位用突部80的第1凸部810、第2凸部820、第3凸部830，从后侧侧面810a、8220a、830a的位置形成有通过蚀刻或切片而挖入的激光通过用凹部7110、7120。
在如此形成的光源装置90A中，由于形成有第1及第2激光通过用凹部7110、7120，故可避免从由P侧上方固定的第1及第2激光二极管芯片610、620以规定的发散角射出的激光L1、L2被辅助支架70的表面7010遮住的现象。另外，利用定位用突部80，可进行第1及第2激光二极管芯片610、620的定位。
另一方面，通过使用隔板构件，也可由P侧下方固定第1及第2激光二极管芯片610、620，来代替在半导体基板100的表面上形成激光通过用凹部7110、7120。另外，激光二极管芯片610、620也可直接搭载在装入有受光元件130及信号运算电路的半导体基板100上，而代替搭载在辅助支架70A上。
如图13(A)、(B)所示，在光源装置90B中，在形成有受光元件130的半导体基板100A上，由P侧下方固定第1及第2激光二极管芯片610、620，第1及第2前方发光点S1、S2位于半导体基板100A侧。
在半导体基板100A的表面1010上，形成有对第1及第2激光二极管芯片610、620进行定位用的定位用突部80。在该定位用突部80上，将由金属或半导体所形成的隔板构件910、920夹住地搭载有第1及第2激光二极管芯片610、620。该隔板构件910、920形成得比第1及第2激光二极管芯片610、620的宽度窄，且配置成位于它们各自前方射出面6110、6210及侧面6130、6150、6230、6250的内侧。因此，由于第1及第2激光二极管芯片610、620在由定位用突部80保持定位的状态下，利用隔板构件910、920而被配置在离半导体基板100A的表面1010较高的位置上，所以，可避免以规定的发散角射出的激光被半导体基板的表面遮住的现象。
另外，在半导体基板100A的表面1010上，由于形成有受光元件130，故通过定位用突部80对第1及第2激光二极管芯片610、620进行定位，从而可对第1及第2激光二极管芯片610、620和受光元件130进行定位。
(其他实施例)
这里，对于使用由例如日本专利特开平10-149559号公报所揭示的棱镜合成体所构成的偏光光束分离器、将第1激光与第2激光引导到共同光路中而构成的光学系统的光源装置，也可适用本发明的定位机构。
在该场合，如图14(A)所示，光源装置90D具有在半导体基板70C的表面7020上，搭载有第1激光二极管芯片610的第1辅助支架71；搭载有第2激光二极管芯片620的第2辅助支架720；使第1激光L1反射、使第2激光L2通过而引导到共同光路中的棱镜合成体的偏光光束分离器2800；定位用突部840。
如图14(B)所示，形成于半导体基板70C表面7020上的定位用突部840分别包括对L字状的第1辅助支架710进行定位用的第1定位部8410；对第2辅助支架720进行定位用的第2定位部8420；对偏光光束分离器2800进行定位用的第3定位部8430。因此，只要将第1及第2辅助支架710、720和偏光光束分离器2800搭载在半导体基板70C上，就可进行第1及第2激光二极管芯片610、620、偏光光束分离器2800间的定位。
另外，如图14(C)所示，在对偏光光束分离器2800及第1辅助支架710进行定位后，只要用吸附探头900保持第2辅助支架720，并一边与定位用突部840的第2定位部8420中的射出面方向的基准面接触一边向一轴方向移动，则可简单地进行定位调整。
另外，上述例子是对CD、DVD等进行记录、再生的光头装置的光源装置，但对于其他的光学仪器，例如有必要精度良好地对激光二极管芯片和光纤进行定位的光通信用组件等的光源装置，当然也可适用。
如上所述，在本发明的光头装置的光源装置中，在作为半导体基板的辅助支架的表面上，通过半导体加工处理而形成有对激光二极管芯片进行定位用的定位用凹部，定位用凹部具有对从激光二极管芯片射出的激光的光轴方向的位置进行规定的前方侧壁面；对与光轴方向正交的位置进行规定的侧壁。因此，只要将激光二极管芯片搭载在辅助支架上，就可对这些的光轴方向的位置及与光轴方向正交的位置、及它们各自的发光点间隔进行精度良好的定位。因此，即使不使用高精度安装装置，也可用装配水准高精度的定位将激光二极管芯片搭载在辅助支架上。
另外，由于定位用凹部利用光蚀刻技术通过半导体加工处理而形成，故可进行高精度的加工，通过改变挖入的形状和深度，来扩展激光二极管芯片和辅助支架的配置位置、结构设计的选择范围。
此外，在本发明中，在定位用凹部的前方，由于形成有与激光的发散角对应的宽度及深度的激光通过用凹部，故可避免射出的激光被定位用凹部的前侧部分遮住的现象。
还有，在本发明中，由于将定位用凹部的后方侧的侧面作为倾斜面，故监控用的后方射出激光不会被该定位用凹部遮住，从而可将其引导到监控用受光元件上。
另外，在本发明的光源装置中，在半导体基板的表面上形成有对激光二极管芯片进行定位用的定位用突部，在该定位用突部的典型的结构中，具有对从激光二极管芯片射出的激光的光轴方向的位置进行规定的侧面和对与光轴方向正交的位置进行规定的侧面。
因此，只要将激光二极管芯片压在定位用突部上，则可精度良好地对其光轴方向的位置及与光轴方向正交的位置进行定位，还可精度良好地对多个激光二极管芯片间的发光点间隔进行定位。
于是，即使不使用高精度安装装置，也可以简单的操作而高精度地对激光二极管芯片进行定位。
权利要求
1.一种光头装置的光源装置，具有至少一个激光二极管芯片和搭载有该激光二极管芯片的半导体基板，其特征在于，在所述半导体基板的表面上，通过半导体加工处理而形成有对所述激光二极管芯片进行定位用的定位用凹部，该定位用凹部具有对从所述激光二极管芯片射出的激光的光轴方向的位置予以规定的第1侧面和对与所述光轴方向正交的方向的位置予以规定的第2侧面。
2.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述第1侧面及所述第2侧面相对所述半导体基板的表面是垂直的。
3.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述半导体基板是装入有受光元件的受光元件用半导体基板，而受光元件接受来自光记录媒体的返回激光。
4.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述半导体基板是装入有监控用受光元件的散热用半导体基板，而监控用受光元件接受所述激光二极管芯片的后方发光激光。
5.如权利要求4所述的光头装置的光源装置，其特征在于，在搭载有所述散热用半导体基板的同时，还具有装入有受光元件的受光元件用半导体基板，而受光元件接受来自光记录媒体的返回激光，在该受光元件用半导体基板的表面上，通过半导体加工处理而形成有对所述散热用半导体基板进行定位用的定位用凹部。
6.如权利要求4所述的光头装置的光源装置，其特征在于，具有受光元件用半导体基板和感光性玻璃框体，而受光元件用半导体基板装入有接受来自光记录媒体的返回激光的受光元件，在所述感光性玻璃框体上，形成有对所述散热用半导体基板及所述受光元件用半导体基板进行定位用的定位面。
7.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，在所述半导体基板的表面上，通过半导体加工处理而形成有激光通过用凹部，该激光通过用凹部，是从面向所述定位用凹部中所述激光二极管芯片的前方发光点的前侧侧面向激光的射出方向延伸。
8.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，面向所述定位用凹部中所述激光二极管芯片的后方发光点的后侧侧面，作成向后方倾斜的倾斜面，在所述半导体基板表面的所述倾斜面的后方位置，装入有监控用受光元件。
9.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述激光二极管芯片是将不同波长的激光射出的单片式激光二极管芯片。
10.如权利要求1所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述激光二极管芯片包含第1及第2激光二极管芯片，所述定位用凹部包含对第1及第2激光二极管芯片进行定位用的第1及第2定位用凹部，对于所述第1定位用凹部，利用其第1及第2侧面将所述第1激光二极管芯片以定位后的状态而搭载，对于所述第2定位用凹部，通过沿其第2侧面使所述第2激光二极管芯片移动而定位搭载该第2激光二极管芯片。
11.一种光头装置的光源装置，具有至少一个激光二极管芯片和搭载有该激光二极管芯片的半导体基板，其特征在于，在所述半导体基板的表面上，形成有对所述激光二极管芯片进行定位用的定位用突部。
12.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述定位用突部，由层叠在所述半导体基板表面上的感光性树脂形成。
13.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述定位用突部具有对从所述激光二极管芯片射出的激光的光轴方向的位置进行规定的第1侧面；以及对与所述光轴方向正交的方向的位置进行规定的第2侧面，通过将所述激光二极管芯片的射出面压在所述第1侧面上，将与所述激光二极管芯片的射出面正交的一方侧面压在所述第2侧面上，使该激光二极管芯片被定位。
14.如权利要求13所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述激光二极管芯片包含第1及第2激光二极管芯片，所述定位用突部包含对所述第1及第2激光二极管芯片进行定位用的第1及第2定位用突部。
15.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，在所述半导体基板的表面上形成有激光通过用凹部，所述激光通过用凹部，从所述定位用突部中所述第1侧面的位置向激光的射出方向延伸。
16.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述激光二极管芯片放置在搭载于所述半导体基板表面的隔板构件上。
17.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述半导体基板包含第1半导体基板和在该第1半导体基板表面上层叠配置的第2半导体基板，在所述第2半导体基板的表面上形成有所述定位用突部。
18.如权利要求11所述的光头装置的光源装置，其特征在于，所述定位用突部具有对规定所述激光二极管芯片的相对位置的光学元件进行定位用的第3侧面。
19.一种光头装置的光源装置的激光二极管芯片定位方法，系权利要求14所述的光源装置的激光二极管芯片定位方法，其特征在于，通过将所述第1激光二极管芯片压在所述第1定位用突部的所述第1及第2侧面上而进行定位，在该状态，通过一边将所述第2激光二极管芯片压在所述第1侧面一边沿该第1侧面而使其滑动，从而对该第2激光二极管芯片进行定位。
全文摘要
一种光头装置的光源装置,在辅助支架上面形成有对第1及第2激光二极管芯片进行定位的定位用突部,该定位用突部具有:对从第1及第2激光二极管芯片、射出的激光L1、L2的光轴方向的位置进行规定的第1凸部、第2凸部、第3凸部的后侧侧面;对与光轴方向正交的位置进行规定的第2凸部的分隔部分的左右侧面。因此,只要将第1及第2激光二极管芯片、安装在辅助支架的定位用突部上,就可对它们光轴方向的位置及与光轴方向正交的位置、它们各自的发光点间隔进行精度良好的定位。
文档编号G11B7/12GK1338736SQ0112440
公开日2002年3月6日 申请日期2001年7月20日 优先权日2000年7月21日
发明者森山克也, 竹村政夫, 石原久宽 申请人:株式会社三协精机制作所