专利名称：无源矩阵存储器的读出装置及与其一起使用的读出方法
技术领域：
本发明涉及一种用于读出存储在无源矩阵存储器中的数据，所述无源矩阵存储器包括铁电电容形式的存储单元，其中所述读出装置检测对应于所述数据的电流响应，所述数据一般为二进制1或二进制0，并执行两次读出值的积分。
本发明还涉及根据本发明和读出装置一起使用的读出方法；其中读出装置用于读取储存在无源矩阵存储器中的数据，所述无源矩阵存储器具有字线和位线，并包括在所述字线和位线的交叉点处铁电电容形式的存储单元，其中所述读出装置检测对应于存储在存储单元中的数据的电流响应，所述数据一般为二进制1或二进制0，并执行读出值的积分，其中所述读出方法包括按时间控制所有字线和位线上的电位，将字线电位锁定到从预定字线电位中选取的电位，以及将位线锁定到从预定位线电位中选取的电位，其中，在一个读周期中位线被连接到所述读出装置，用于检测所选位线和存储单元之间的电荷，所述存储单元位于所述位线和通过为预置读周期而锁定到某个选取电位从而触发的字线的交叉点上。
铁电矩阵存储器可以被划分成两类，一类包括连接到存储单元的有源元件，而一类没有有源元件。以下讨论的重点只放在没有有源元件的无源矩阵存储器上，有源元件包括在局部与存储单元相联系的二极管或晶体管。
铁电矩阵存储器可以具有铁电电容形式的存储单元，并没有诸如存取晶体管等有源存取元件。铁电矩阵存储器包括薄的铁电材料，在一侧沉积出一组平行的导电电极(“字线”)，而在另一侧沉积出基本正交的一组电极(“位线”)。这种配置被称为“无源矩阵存储器”。在无源矩阵存储器中，在相对电极的交叉点处形成各个存储单元，这些存储单元形成存储矩阵。存储矩阵包括通过从矩阵边缘处选择性激励适当的电极而以电的形式单独访问的存储单元。
为了向存储单元写入，给电极施加一个正或负电压，使铁电材料按被写数据，二进制1或二进制0，沿磁滞曲线移动到一个稳定状态。为了确定如此存入到铁电电容中的数据，电压(通常为电压脉冲形式)被施加到电容的极板上，进而用读出装置，通常为读出放大器来检测电流响应。读出装置通常直接或经由复用器或门电路连接到各位线。
读出期间的困难之一是建立能够区分二进制0和二进制1的参考值。一种解决方法是给读出放大器引入参考电压，例如在US-A-5905671中描述的方法。测得的任何高于参考值的信号被认为是两种逻辑值之一，而任何低于参考值的信号被当成另一逻辑状态。
然而，上述参考值方法和类似的直接参考值方法都存在一些局限和不足，以下将进一步描述。
如果条件稳定和可预测，从原理上讲，寄生作用可以通过在读周期期间从读出放大器记录的电荷中减去一个固定量的电荷来加以消除。然而在许多情况下，寄生作用的大小和变化使得这种方法不适当。除了器件的制造容差以外，同一储存装置中的不同单元，甚至同一位线上的不同单元之间疲劳和印记(imprint)历史将在很宽的范围内变化。同时，寄生电流强烈地受到读出时器件温度的影响。另外，与有效位线上的非寻址单元相关联的寄生电流可取决于此单元的实际逻辑状态有关。在这种情况下，有效位线上所有非寻址单元的累计寄生电流取决于存储在这些单元中的数据集合，这样必须形成预测。因此，使用直接参考值有很多弊端。
上述问题可以通过从相邻单元获取参考值的办法来获得解决。可以认为相邻单元和读出的单元具有相同的条件。然而，这种假设并不总是对的，因此，也带来各种问题。
另一种实现是采用一个电流积分器，提供与某个已知极性变换对应的信号电平。再由一个非单位增益放大器将该电位传送给数个读出放大器作为参考值。
上述各种获得参考值的方法都具有不可预测条件这一共同问题，因此，需要有新的解决方案来获取真实参考值。
因此，本发明的主要目的是改进读出装置的参考方式，使读出装置能抵抗噪声和其它背景干扰信号。本发明的另一目的是提供读出放大器，通过所谓“部分字读出”读取数据，使它不受读出期间来自于其它非寻址单元的累计信号的影响。最后，本发明还有一个目的是提供与这种类型的读出装置一起使用的一种读出方法。
根据本发明，通过使用一种读出装置来实现上述目的以及其它特性和优点，其特征在于读出装置包括用于检测电流响应的积分电路、以及用于存储和比较两次连续读出值的部件。其中两次连续读出值之一为参考值。
在根据本发明的读出装置的一个有利实施例中，积分电路包括运算放大器和一个连接在该运算放大器的输出端和反相输入端之间的电容。积分电路最好包括一个与电容并联的开关。
在根据本发明的读出装置的一个有利实施例中，用于两次连续读出的部件包括用于采样/保持第一读出值的第一采样/保持电路、用于采样/保持第二读出值的第二采样/保持电路、以及连接到采样/保持电路的输出端用于确定寻址的存储单元的状态的比较电路。
采样/保持电路最好包括电容，而比较电路最好能够是运算放大器。
最后，可以将校正电路连接在第二采样/保持电路和积分电路的输出端之间。
根据本发明，也通过一种读出方法来实现上述目的和其它特性及优点。所述读出方法的特征在于两次连续读取一个存储单元；分别对各读出信号在预定时段上进行积分来生成第一和第二读出值；储存所述读出值；比较存储的读出值；以及根据检测到的电荷确定逻辑值。
在根据本发明的读出方法的有利实施例中，在读周期中的两次连续读出之间引入时间延迟。
现在将参照附图对本发明进行更详细地描述。
图1示意了本发明所用的双斜率积分原理，图2更详细的示意了图1所示原理，图3a是根据本发明的读出装置的概括电路图，图3b是图3所示读出装置的变化电路，图4是根据本发明最佳实施例的双斜率积分读出装置的电路图。
本发明实现双读出，这种方式可以根据以下称为方案I和II的两个主要方案执行。
(I)通过包括一个两次读出操作的“单读出”实现的双读出，由此在长的位线稳定时间之后字线WL立即出现高脉冲，随后是两次连续地读出(积分)。
(II)此处的双读出是从第一次读出中减去第二次的读出，以确定存储值。优点是去掉了公共的偏置/失配。字线WL出现两次脉冲，并在各字线WL为高期间进行读出。
双读出方法的目的是减少背景电流的影响，同时在特定位线上提供自参考。在图1中，示意了综合的电荷与时间的曲线。曲线(i)示意了背景电流和从有效单元中发出的电荷在幅度上的差异。曲线(ii)代表存储于单元中的逻辑“1”，曲线(iii)代表逻辑“0”。在这个特定的示例中，在第一时间点t1和第二时间点t2之间进行第一次读出，在第二时间点t2和第三时间点t3之间进行第二次读出。
在图2中可以更加详细地看出检测到的电荷之间的关系。假定在第一时间点t1和第二时间点t2之间的第一次读出期间有效单元包括“1”，首先读取到读出值ΔQ1(“1”)＝Q4-Q1，在第二时间点t2和第三时间点t3之间进行第二次读出，以相似的方式读取第二次读出值ΔQ2(“1”)＝Q5-Q4。将第一读出值存储在第一采样/保持电路中，将第二读出值存储在第二采样/保持电路中，这将在下面说明。例如，这些采样/保持电路可以例如包括电容作为电荷存储部件。其它电荷存储部件当然也是可能的。这将在下面参考根据本发明的读出装置的相同地，如果有效单元中包括“0”，可以得到ΔQ1(“1”)＝Q2-Q1以及ΔQ2(“1”)＝Q3-Q2。但是这个例子中，无论是“1”还是“0”，ΔQ1都比ΔQ2大。因此，必须引入阈值来区分“0”和“1”。
图3示意性地显示了根据本发明的读出装置10的主要功能部件，提供覆盖上述两种主要读出方案(I)和(II)的双读出。首先，由积分电路11(虚线框内)对位线BL上的电流IBL进行积分，完成一次读出，积分电路11包括带有非反相输入端13和反相输入端14的积分放大器12，以及并联在放大器12的非反相输入端14和输出端之间的反馈电容。从积分电路11输出的第一和第二读出值分别被储存到第一和第二采样/保持电路16、17中。每个采样/保持电路16、17都具有控制信号CTR1、CTR2输入端。比较器18，最好是运算放大器，其非反相输入端19连接到采样/保持电路16，其反相输入端20连接到采样/保持电路17。比较器比较在双读出中读出的两个存储的读出值，产生比较结果作为其输出端Dout上的数据输出信号。
如果引入一个假设值，在此标记为V00-offset作为阈值电平，对于输出可以得到以下条件ΔQ1-ΔQ2＞V00-offset，这种条件解释成“1”，以及ΔQ1-ΔQ2＜V00-offset，这种条件解释成“0”。
这样，背景电流、偏置以及积分放大器中晶体管的工艺波动所引起的误差都将表现为ΔQ1-ΔQ2计算中的一个常数。这种误差可以通过调整校正电路中的假想值V00-offset来进行消除。图3b示意了图3a所示装置的一个变型实施例，不同点在于第二采样/存储电路17和积分电路11的输出端15之间接入了校正电路21。
下面讨论图4所示的本发明的最佳实施例。在该实施例中，读出装置10包括积分电路11(虚线框内)，积分电路具有带非反相输入端13、反相输入端14、输出端15的运算放大器12，以及连接在运算(积分)放大器的输出端15和反相输入端14之间的反馈电容C1。和反馈电容C1并联的是第一开关SW1，在检测开始之前，该开关可以闭合。第一开关SW1能够在至少两种状态之间切换断开状态和闭合状态，图中所示为断开状态。
初始时，反馈电容C1被短路，使得通过运算放大器12的输出级，位线BL被充电到非反相输入端13的电位上。位线电位VBL与开关电平VS之间相差运算放大器12的输入偏置Voffset。然而，只要该输入偏置电压Voffset的幅度比存储单元的总开关电位VS小，这种差异可以被忽略。
当第一开关断开时，少量的电荷将从电容C1注入到位线BL上，该电荷必须由连接到积分电路11的输出端15上的比较器18来消除。结果，流向位线BL的电流必须流经反馈电容C1，造成电位偏移Q/C，其中Q代表来自将读取的有效存储单元的电荷，而C代表反馈电容值。由于位线BL上的电位几乎维持不变，该电位由运算放大器12的开环增益决定，因此位线BL的总电容值CBL不影响测到的信号值。该信号的幅度也可以通过正确地选择反馈电容C1的值来确立。
积分电路11的输出端15经对应于采样/保持电路16的电容C2交流耦合到比较器18。为了提供一个绝对参考值，在地和电容C2的输出侧之间接入开关SW2。为了消除开关SW1的瞬态，开关SW2在积分电路11开始检测以后断开。
有可能根据单位线BL的顺序积分开发出一种自参考算法。在这种两级读出中，积分电路11提供自参考来消除位线BL上的漏电流和其它共模噪声。如图4中所示，第三开关SW3经由作为图3a所示采样/保持电路16的电容C2，连接在输出端15和比较器18的非反相输入端之间，以及第四开关SW4连接在地和比较器18的反相输入端之间，这些开关用来实现所述目的。第四开关SW4的上侧经作为图3a所示的采样/保持电路17的第三电容C3连接到输出端15。在包括运算放大器12的积分电路11的复位期间，第一开关SW1、第二开关SW2、以及第三和第四开关SW3和SW4全部闭合。从第一开关断开开始积分，紧接着第二开关断开，以锁定由第一开关SW1断开引入的偏置误差。经过第一时段后，第三开关SW3断开，将第二电容C2上第一时段的积分值(即图2中时间点t2和t1之间的时段)隔离。第四开关SW4断开(也可能在第三开关断开之前)开始第二时段期间的积分。任何漏电流都将表现为到比较器18的输入端的共模信号，因而能被消除，留下的仅仅是对应于极化变化带来的电荷差。第二和第三电容C2和C3的积分时段可以按需进行调整，从而为比较器18建立适当的裕度。
现在将详细描述根据本发明利用发明性读出装置进行读出的寻址方案。
在读周期期间，根据协议或时序按时间控制所有字线和位线上的电位，其中字线电位按照预定顺序锁定在从预定字线电位中选择的电位上，而位线或者按预定顺序锁定在从预定字线电位中选择的电位上，或者在时序的某个时段期间将所述位线连接到检测在位线和连接到所述位线的单元之间流动的电荷的电路。在读周期期间，对所述寻址单元进行两次连续读出。得到的两次读出值储存在采样/保持电路中，最后在读出装置的比较器中进行比较。
在所述连续读出之间，可能有时间或静态(dwell)延迟。在读周期中，在确定寻址单元的逻辑值(以确定所述单元中包括的是逻辑“0”还是逻辑“1”)的两次读出中的第一次读出期间由读出装置读出的电流积分结果被储存在第一采样/保持电路中。由于读出总是以“0”结束的破坏性读出，所以存储单元必须被恢复到其初始状态(由于破坏性读出的原因，“1”和“0”都以“0”结束)。插入静态延迟以使存储单元中的材料恢复到放松状态。执行第二次读出时使用和第一次读出期间所用的相同的脉冲和读出协议。第二次读出的结果按第一次读出相同的方法进行估算，并存储在第二采样/保持电路中。然后，存储在第一和第二采样/保持电路中的值被传送到比较器，以确定寻址单元的状态。由于在两种情况中连续读出对位线施加的条件相同，因此偏置电流的影响几乎被抵消。通过使用相同的读出装置，通常是相同的积分放大器，消除了对电路参数和元件值匹配的担忧。
双斜率积分具体解决了利用聚合存储材料的铁电存储器中大量的电位问题。首先，比较可以建立在裕度接近零的情况下。因此，在疲劳的存储单元中，释放的电荷电平低而且释放得慢，读出装置仍然能区分状态，因为第一时段中释放的总电荷比随后(相等)时段中释放的要多。为了正确地读出存储单元值，无需疲劳程度的先验知识。相似的，印记之后，由于矫顽场中的偏移，任何给定的第一时段释放的电荷的绝对量减少，但相对值仍然是有顺序的。因此，采用双斜率积分仍可以在不需要印记量的知识的情况下确定存储单元的状态。
在本发明的备选实施例中，可以在紧靠读周期之前采用预读出周期，这种预读出周期跟读出周期的差异只有一点，即有效字线不偏移。读出装置在与后续读周期的情况下完全相同的相对于位线电压偏移的时隙被触发。因此，在预读处周期期间检测到的累计电荷应该非常密切地对应于读周期期间捕捉的寄生电流的影响，寄生电流的影响包括来自有效单元的影响。预读出周期中检测到的电荷被储存，并从读周期期间记录中的电荷中减去，产生有效存储单元中来自切换或非切换瞬态的所需净电荷。
权利要求
1.一种读出装置(10)，用于读取存储在无源矩阵存储器中的数据，所述无源矩阵存储器包括铁电电容形式的存储单元，其中所述读出装置(10)检测对应于所述数据的电流响应，并执行两次读出值的积分，其中所述数据一般为二进制一或二进制零，其特征在于所述读出装置(10)包括积分电路(11)，用于检测所述电流响应；以及用于储存和比较两次连续读出值的部件(16，17，18)，其中所述两次连续读出值之一是参考值。
2.如权利要求1所述的读出装置(10)，其特征在于所述积分电路(1)包括运算放大器(12)和连接在所述运算放大器(12)的反相输入端(14)和其输出端(15)之间的电容(C1)。
3.如权利要求2所述的读出装置(10)，其特征在于所述积分电路包括与所述电容(C1)并联的开关(SW1)。
4.如权利要求1所述的读出装置(10)，其特征在于用于两次连续读出的部件(16，17，18)包括第一采样/保持电路(16)，用于采样/保持第一读出值；第二采样/保持电路(17)，用于采样/保持第二读出值；以及比较电路(18)，它连接到所述采样/保持电路(16；17)的输出端，用于确定被寻址存储单元的状态。
5.如权利要求4所述的读出装置(10)，其特征在于所述采样/保持电路(16；17)包括电容(C2；C3)。
6.如权利要求4所述的读出装置(10)，其特征在于所述比较电路(18)是运算放大器。
7.如权利要求4的读出装置(10)，其特征在于将校正电路(21)连接在所述第二采样/保持电路(17)和所述积分电路(11)的输出端(15)之间。
8.一种读出方法，所述方法与根据权利要求1所述的读出装置一起使用，其中所述读出装置用于读取储存在无源矩阵存储器中的数据，所述无源矩阵存储器具有字线和位线，并包括在所述字线和位线的交叉点处铁电电容形式的存储单元，其中所述读出装置检测对应于存储在存储单元中的数据的电流响应，并执行读出值的积分，所述数据一般为二进制一或二进制零，其中所述读出方法包括按时间控制所有字线和位线上的电位，将字线电位锁定到从预定字线电位中选取的电位，以及或者将位线锁定到从预定位线电位中选取的电位，其中，在一个读周期中位线被连接到所述读出装置，用于检测所选位线和存储单元之间的电荷，所述存储单元位于所述位线和通过为预置读周期而锁定到某个选取电位从而触发的字线的交叉点上，其特征在于对存储单元执行两次连续读出，分别在预定时段上对各读出信号积分，以生成第一和第二读出值，储存所述读出值，比较所述储存的读出值，以及依据所述检测到的电荷确定逻辑值。
9.如权利要求8所述的读出方法，其特征在于在读周期中的两次连续读出之间引入时间延迟。
全文摘要
用于读出存储在无源矩阵存储器中的数据的读出装置(10)，该无源矩阵存储器包括铁电电容形式的存储单元，读出装置(10)包括检测电流响应的积分电路(11)以及存储和比较两次连续读出值的部件(16，17，18)，两次连续读出值之一为参考值。在和读出装置一起使用的读出方法中，将位线连接到读出装置，用于检测在它与位于所述位线和触发的字线的交叉点上的存储单元之间流动的电荷。之后，在预定时段上对存储单元的两次连续读取信号进行积分，以生成第一和第二读出值。之后，对第一和第二读出值进行比较以根据检测的电荷确定逻辑值。
文档编号G11C11/15GK1471711SQ01817737
公开日2004年1月28日 申请日期2001年8月24日 优先权日2000年8月24日
发明者M·汤普森, R·沃马克, M 汤普森, 砜 申请人:薄膜电子有限公司