专利名称：光记录介质检查方法和光记录介质制造方法
技术领域：
本发明涉及用于检查光记录介质的方法以及用于制造光记录介质的方法，该光记录介质具有相变型记录层并适合用作一次写入型介质。
背景技术：
近年来，能以高密度记录数据的光记录介质已经引起了注意。这些光记录介质包括仅可记录数据一次并且不能再写入数据的一次写入型记录介质，和可重复记录数据的可重写型介质。
由于记录的数据不能再写入一次写入型介质中，故一次写入型介质适合于记录官方文件以及不允许重写其内容等等情形。就一次写入型介质而言，广泛使用将有机染料用作记录材料的一次写入型介质。然而，在采用有机染料作为记录材料的情况下，由于当通过增加记录的线速度实施高速记录时，记录灵敏度趋向于不高，因此不能实现高的传输率。另外，由于有机染料的光谱吸收特性和光谱反射特性相对急剧(steep)，因此有必要选择与用于记录和再现数据的波长匹配的有机染料。因此，例如，当存在使用用于记录和再现数据的短波长光的较高级格式时，不可能使用用于将数据记录在较高级格式中以及从该较高级格式再现数据的光将数据记录在低级的介质中并从该介质再现数据。此外，很难设计或获得与用于记录和再现数据的短波长的光匹配的有机染料。
另一方面，在可重写型光记录介质中，在相变类型中，通过用激光束照射记录层来记录数据，从而改变记录层的晶体状态以及通过检测由该晶体状态中的这种变化引起的记录层的反射中的变化来再现数据。在相变型介质中，其中可通过改写它们来重写数据，通过用具有记录功率电平的激光束照射晶体记录层、熔化它并快速冷却记录层的熔化部分来形成非晶记录标记。当数据将被擦除时，通过用具有擦除功率电平的激光束照射它、将非晶记录标记加热到等于或高于结晶温度并低于记录层的熔点并且逐渐地冷却它来使非晶记录标记结晶。因此，有可能通过用正在调制其功率的激光束照射记录层来重写数据。
具有相变型记录层的介质不仅可用作上述可重写介质，而且可用作一次写入型介质。当将该介质用作一次写入型介质时，要求一次成形的非晶记录标记不可能被擦除或重写。
在使用有机染料的一次写入型介质中，在数据记录期间分解有机染料。因而，通常当用于记录数据的线速度加倍时，有必要使用于记录的激光束的功率为21/2倍。另一方面，在将相变型介质用作一次写入型介质时，足以使通过用于记录的激光束照射的部分的温度达到其熔点。由于记录层吸收激光束并且其温度瞬时达到熔点，用于记录的激光束的功率不是非常依赖于记录线速度。因此，即使用记录数据的线速度加倍，稍微增加用于记录的激光束的功率就已足够。
然而，还没有提出用于将相变型介质用作一次写入型介质的有用观点。
本发明的目的是提供用于判断光记录介质是否可有效地用作一次写入型介质的检查方法。此外，本发明的另一目的是提供用于制造具有相变型记录层并适合于用作一次写入型介质的光记录介质。
发明内容
为将已经开发为可重写型介质的相变型介质用作一次写入性介质，相变介质必须具有不允许新数据实质上重写在已经记录的数据上的特性。通常，在相变型介质中，将新数据重写在已经记录的数据所需的条件比在未记录区中重新写入数据所需的条件更苛刻。因此，为将相变型介质用作一次写入型介质，在预定记录条件下能将数据新写入未记录区同时数据不能重新改写已经记录的数据是必要的。
本发明的是提供用于判断光记录介质是否能有效地用作一次写入型介质的检查方法，本发明的该目的能通过用于检查光记录介质的方法来实现，该方法包括步骤在具有相变型记录层的光记录介质中记录最短信号，以便该最短信号的CNR等于或高于45dB；用恒流激光束照射记录最短信号的区域，该激光束的功率电平不能以与记录最短信号相同的线速度熔化记录层；测量最短信号的载波中的减小量以及当载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
本发明的上述目的也能通过用于检查光记录介质的方法来实现，该方法包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，在记录随机信号的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rini，通过恒流激光束用与记录随机信号相同的线速度照射记录随机信号的区域，在利用恒流激光束照射的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平(reflective level)Rtop以及最低反射水平Rbottom，并且当满足(Rtop+Rbottom)/2Rini＜1时，判定光记录介质为一次写入型介质，而不管恒流激光束是否具有能熔化记录层的功率电平。
本发明的上述目的也能通过用于检查光记录介质的方法来实现，该方法包括步骤在具有相变型记录层的光记录介质中记录随机信号；再一次以与记录第一所述随机信号相同的线速度记录随机信号以便重叠在第一所述随机信号上；实施信号的再现操作；并且当信号不能再现时，判定光记录介质为一次写入型介质。
本发明的上述目的也能通过用于检查光记录介质的方法来实现，该方法包括步骤在具有相变型记录层的光记录介质中记录随机信号；通过恒流激光束以与记录随机信号相同的线速度照射记录随机信号的区域；从而再一次将随机信号记录在用恒流激光束照射的区域中；实施信号的再现操作；以及当不能再现信号时，将光记录介质判定为一次写入型介质。
根据每一种用于检查光记录介质的方法，有可能有效地判定是否构成将被检查的光记录介质，以便在预定记录条件下将数据新写入未记录区中，并且新数据不能改写已经记录的数据。
本发明的上述目的也能通过用于制造光记录介质的方法来实现，该方法包括形成至少一个相变记录层的层形成步骤，至少结晶记录层中将记录数据的区域的初始化步骤，以及判断经受初始化步骤的光记录介质是一次写入型介质还是可重写型介质的检查步骤，该检查步骤包括将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便最短信号的CNR等于或高于45dB；用其功率电平不能熔化记录层的恒流激光束以与记录最短信号相同的线速度照射记录最短信号的区域；测量最短信号的载波中的减小量；以及当载波中的减小量等于或低于20dB时，将光记录介质判定为一次写入型介质。
本发明的上述目的也能通过用于制造光记录介质的方法来实现，该方法包括形成至少一个相变记录层的层形成步骤，至少结晶记录层中将记录数据的区域的初始化步骤，以及判断经受初始化步骤的光记录介质是一次写入型介质还是可重写型介质的检查步骤，该检查步骤包括将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中；在记录随机信号的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rini；用恒流激光束以与记录随机信号相同的线速度照射记录随机信号的区域；在用恒流激光束照射的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rtop和最低反射水平Rbottom；并且当满足(Rtop+Rbottom)/2Rini＜1时，判定光记录介质为一次写入型介质，而不管恒流激光束是否具有能熔化记录层的功率电平。
本发明的上述目的也能通过用于制造光记录介质的方法来实现，该方法包括形成至少一个相变记录层的层形成步骤，至少结晶记录层中将记录数据的区域的初始化步骤，以及判断经受初始化步骤的光记录介质是一次写入型介质还是可重写型介质的检查步骤，该检查步骤包括在具有相变型记录层的光记录介质中记录随机信号；再一次以与记录第一所述随机信号相同的线速度记录随机信号以便重叠在第一所述随机信号上；实施信号的再现操作；并且当信号不能再现时，判定光记录介质为一次写入型介质。
本发明的上述目的也能通过用于制造光记录介质的方法来实现，该方法包括形成至少一个相变记录层的层形成步骤，至少结晶记录层中将记录数据的区域的初始化步骤，以及判断经受初始化步骤的光记录介质是一次写入型介质还是可重写型介质的检查步骤，该检查步骤包括在具有相变型记录层的光记录介质中记录随机信号；通过恒流激光束以与记录随机信号相同的线速度照射记录随机信号的区域；从而再一次将随机信号记录在用恒流激光束照射的区域中；实施信号的再现操作；以及当不能再现信号时，将光记录介质判定为一次写入型介质。
根据用于制造光记录介质的每一种方法，有可能制造构成为在预定记录条件下数据可新写入未记录的区域并且新数据不能改写曾经记录数据的光记录介质。
图1是表示用于判断是否满足将相变型介质用作一次写入型介质的第一条件的检查方法的流程图。
图2是表示用于判断是否满足将相变型介质用作一次写入型介质的第二条件的检查方法的流程图。
图3是表示用于判断是否满足将相变型介质用作一次写入型介质的第三条件的检查方法的流程图。
图4是表示用于判断是否满足将相变型介质用作一次写入型介质的第四条件的检查方法的流程图。
图5是表示用在本发明中的光记录介质的一个例子的部分截面图。
图6是表示用在本发明中的光记录介质的另一个例子的部分截面图。
图7是表示5T信号及其记录波形的图。
图8是取代表示晶体结构的制图的照相以及记录层的透射电子显微镜照相。
图9是表示DC擦除率和(Rtop+Rbottom)/2Rini间的关系的图。
具体实施例方式
本发明的优选实施例将参考这些图来说明。
不管相变型介质是可重写型还是一次写入型，均需要具有提高的记录密度。然而，当缩短记录标记的长度以便以高密度记录数据时，再现输出趋向降低并且抖动趋向增加。另一方面，日本专利申请公开No.2000-231725建议通过控制记录标记的形状，减轻再现输出的降低以及由以高密度记录的数据引起的抖动的增加。日本专利申请公开N0.2000-231725公开了用于形成最短记录标记的光记录方法，该记录标记具有至少其后端的一部分投射到前端部分的形状，即，象蝙蝠形状。这种蝙蝠状的最短记录标记可通过控制记录条件来形成。当激光束离开后，快速冷却由激光束熔化的用于记录的记录层，从而形成非晶记录标记。同时，如果通过控制激光束的功率调制图控制熔化区的后端部分附近的冷却速度，那么可再次结晶熔化区的后半部分。因此，仅熔化区的前半部分变成非晶并形成蝙蝠状的非晶记录标记。
根据在该公开文本中公开的方法，相对于记录标记的长度，能增加该记录标记的宽度，因此，能抑制由于记录标记宽度变窄引起的再现输出的降低。结果，根据在该公开文本中公开的方法，即使当将最短记录标记的长度设置成等于或短于0.4λ/NA(其中λ为记录光的波长，NA为记录光学系统的物镜的数值孔径)，也能保证足够的记录标记宽度，由此能获得足够的再现输出。此外，在该公开文本中，尝试通过形成最短记录标记以便具有上述形状来降低抖动。
另一方面，在相变型介质中，用于将新数据重写在曾经记录过的数据上所需的条件比用于在未记录区中新写入数据所需的条件更苛刻。因此，采用其结晶速率很高的记录层以便以高的记录线速度重写数据是很有效的。这意味着为将相变型介质用作一次写入型介质，最好采用其结晶速率相对较低的记录层并且将线速度设置为相对较高以便能写新数据并且不能改写该数据。
与在日本专利申请公开No.2000-231725的工作例子中描述的可重写介质中的记录数据的情形相似，本发明的发明人通过将数据记录在构成为用作一次写入型介质的相变型介质中来进行实验，以便具有其结晶速率相对较低并且适合用于相对高的记录线速度的记录层，用以下方式进行实验，即，最短记录标记的长度设定为等于或短于0.4λ/NA并且将再次结晶熔化区的后端部分。然而，在这种情况下，抖动增加，不象在日本专利申请公开No.2000-231725的加工例子中描述的可重写介质的情形。
可认为当以高密度将数据记录在一次写入型介质中时抖动增加的原因如下。在该实验中，提供其结晶速率相对较低的记录层，以及将记录线速度设置为相对较高以便将相变型介质用作一次写入型介质。然而，在形成具有长度等于或短于0.4λ/NA的最短记录标记以便再次使熔化区的后面部分结晶的情况下，由于记录层的结晶速率相对较低且阻止熔化的记录层再次结晶，记录标记的后端部分的位置易于变动并且记录标记的形状易于变化。因此，可认为在最短记录标记处增加的抖动显著地引起整个介质抖动。
基于该实验的结果，本发明的发明人试图通过在抑制记录层的熔化区的后面部分的条件下记录数据来防止记录标记的形状变化。具体地，根据记录线速度来控制记录层的结晶速率以及介质的热设计，并且建立最佳记录条件，以便确保高记录灵敏度以及将最短标记形成为具有环形或椭圆形。然而，如果将最短记录标记形成为圆形或椭圆形，如在日本专利申请公开No.2000-231725的比较例子中那样，降低了再现输出。因此，在本发明中，选择记录层以便具有结晶速率相对较低以及结晶状态和非晶状态间反射系数的变化很大的组成。因此，根据本发明，有可能提供具有记录层的相变型介质，该记录层具有可用于一次写入型介质的结晶速率，当以高密度记录数据时，抖动很小且可获得高再现输出。
在本发明中，当以高密度记录数据时能获得高的再现输出的描述意指最短记录标记的CNR(载波噪声比)等于或高于45dB，当最短记录标记的长度等于或短于0.4λ/NA时，最好为48dB。
另外，在本发明中，有下述第一至第四个将相变型介质用作一次写入型介质应当满足的条件。至少必须满足第一至第四条件中的一个以便将相变型介质用作一次写入型介质。
第一条件是在将数据记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便最短信号的CNR等于或高于45dB，最好是48dB，以及通过用具有不能熔化记录层的功率电平的激光束，以与记录数据时相同的线速度照射光记录介质以实施擦除操作的情况下，最短信号的载波的衰减等于或低于20dB，最好是18dB。如果载波的衰减在该范围内，在擦除操作后读取记录的信号是不可能的。将相变型介质用作一次写入型介质已经很公知，但将相变型介质用作一次写入型介质必需的条件还不清楚。在可重写相变型介质中，已知如果擦除系数等于或高于25dB，则擦除数据后能再次记录数据，即可重写数据。因此，假定不能重写数据，即，如果擦除系数低于25dB，不能插入记录的数据。然而，在由本发明的发明人所做的研究中，已经发现即使擦除系数低于25dB，也能读取擦除操作后记录的信号，除非最短信号的载波的衰减等于或低于20dB。
尽管在由气相生长过程，诸如溅射形成相变型记录导层，将该记录层形成为非晶形的情况下，本发明的结晶记录层中有必要形成非晶记录标记。因此，有必要在记录数据前，至少使记录层的将记录数据的区域结晶。该结晶通常称为初始化。然而，在形成记录层后立即使记录层结晶是极其困难的。因此，如果按照使最短信号的载波的衰减非常小，即，极难使记录层再次结晶的方式设计光记录介质，则必须以极其低的线速度实施初始化并且必然降低光记录介质的生产率。考虑到此，在第一条件中，由擦除操作引起的最短信号的载波中的衰减最好等于或高于5dB，以及当记录线性速率相对较低时，其最好等于或高于10dB。
图1是表示用于判断是否满足第一条件的检查方法的流程图。
当实施用于判断是否满足第一条件的检查时，在步骤S1，首先把将要检查的光记录介质设置到检查装置(未示出)中。有必要将检查装置构造成至少能在任意记录条件，诸如激光束功率、记录线速度等等下，将任意信号(记录标记)记录在光记录介质中，以及测量记录在光记录介质中的记录标记的载波电平和反射系数。然而，这并不意味着必须使用单个检查装置来执行检查，而是可使用多个装置来执行检查。
在步骤S2，将“最短信号”设置成用于该检查装置的将记录在光记录介质中的记录信号，以及在步骤S3，进一步将预定激光束功率以及预定记录线速度设置为记录条件。
当完成设置时，在步骤S4，实际上将构成最短信号的信号序列记录在将被检查的光记录介质中，以及在步骤S5，测量其CNR。将在步骤S5获得的CNR定义为CNR1。
然后，在步骤S6判断由此测量的CNR是否等于或高于预定值以及当断定CNR低于预定值时，检查操作返回到步骤S3，并且重新设置记录条件。该预定值必须确定为等于或高于45dB，最好是48dB。
当在步骤S6断定CNR等于或高于该预定值时，在光记录介质上实现读取操作并且在步骤S7测量其反射水平。将在步骤S7获得的最高反射水平定义为Rtop1。
然后，在步骤S8将“恒流激光束”设置为用于该检查装置的记录信号，并且在步骤S9用下列方式设置记录条件，即将记录线速度设置成与在步骤S6中设置的相同并且逐步改变恒流激光束的功率。有必要将恒流激光束的功率方面的连续改变之间的间隔设置成比一个时钟周期足够大，并且例如，每次光记录介质旋转一次时，可逐步改变恒流激光束的功率。当完成设置时，在步骤S10，将其功率控制为逐步改变的恒流激光束投射到在步骤S4记录的最短信号序列上。
在将被检查的光记录介质上再次实现读取操作并且在步骤S11，测量用具有不同功率的恒流激光束照射的各个区域的反射水平。将在步骤S11获得的最高反射水平定义为Rtop2。
然后，在步骤S12，通过将在步骤S7获得的反射水平Rtop1与在步骤S11获得的反射水平Rtop2进行比较以判断反射水平Rtop2是否实质上低于反射水平Rtop1。当发现反射水平Rtop2实质上低于反射水平Rtop1时，判定记录层已经由在步骤S8投射的恒流激光束熔化并且检查操作返回到步骤S4，从而将由最短信号组成的信号序列记录在记录层的新区域中。
另一方面，当发现反射水平Rtop2实质上不低于反射水平Rtop1时，判定记录层未被在步骤S8投射的恒流激光束熔化，并且在步骤S13测量CNR。将在步骤S13获得的CNR定义为CNR2。
然后，在步骤S14判断在步骤S5获得的CNR1与在步骤S13获得的CNR2间的差值(CNR1-CNR2)是否等于或低于预定值。最好将该预定值设置为等于或低于20dB，更好是等于或低于18dB。
当发现CNR1与CNR2间的差值(CNR1-CNR2)等于或低于该预定值时，在步骤S15判定光记录介质为一次写入型记录介质。相反，当发现CNR1与CNR2间的差值超过该预定值时，在步骤S16判定光记录介质为可重写型介质。
从光记录介质的生产率的观点看，在步骤S16判定光记录介质为一次写入型介质的情况下，最好进一步确定CNR1与CNR2间的差值(CNR1-CNR2)是否等于或大于5dB，更好为10dB，并且当发现CNR1与CNR2间的差值低于5dB或10dB时，判断光记录介质不适合一次写入型介质或可重写型介质。
因此，有可能判断光记录介质是否满足第一条件。
关于第二条件，在将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中的情况下，在记录随机信号的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rini，用恒流激光束以与记录随机信号时相同的线速度照射记录随机信号的区域，从而实施信号的擦除操作，并在用恒流激光束照射的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rtop和最低反射水平Rbottom，当(Rtop+Rbottom)/2Rini低于1，最好是等于或低于0.95时，则满足第二条件。将反射水平定义为返回到光头的光量，以及将最高反射水平Rini定义为每个排列在相邻记录标记间的结晶区的反射水平。
必须满足第二条件而不管恒流激光束的功率电平如何。具体地，(Rtop+Rbottom)/2Rini必须在上述定义的范围内，不管恒流激光束的是否具有能熔化记录层的功率电平。在恒流激光束不熔化层的情况下，如果满足第二条件，通过用恒流激光束照射使记录层以固相结晶是不可能的。另一方面，在恒流激光束熔化记录层的情况下，如果满足第二条件，有可能冷却熔化的记录层以便能将记录层制成非晶形的。相反，如果用恒流激光束照射可重写型介质，同时逐步增加其功率电平，由于以固相或从液相使记录层结晶，恒流激光束的功率电平可满足(Rtop+Rbottom)/2Rini等于或大于1。
最好在最佳记录条件下记录随机信号。在这种情况下，从下列条件中选择最佳记录条件，在该条件下，初始化记录层后能立即使记录在该记录层中的信号抖动，最佳记录条件由记录介质的制造商推荐，或由用于光记录介质的标准来定义最佳记录条件。
图2是表示用于判断是否满足第二条件的检查方法的流程图。
当实施检查以用于判断是否满足第二条件时，在步骤S21中，首先在检查装置(未示出)中设置将被检查的光记录介质。有必要将检查装置构造成至少能在任意记录条件如激光束功率、记录线速度等等下将任意信号记录标记记录在光记录介质中，并且测量记录在光记录介质中的记录标记的抖动以及反射系数。然而，这并不意味着检查必须使用单个检查装置来实现，也可使用多个装置来实现检查。
然后，在步骤S22，将“随机信号”设置为用于检查装置的将记录在光记录介质中的记录信号，并且在步骤S23进一步将预定激光束功率和预定记录线速度设置成记录条件。
当完成设置时，在步骤S24，实际上将由随机信号构成的信号序列记录在将被检查的光记录介质中，并且在步骤S25测量其抖动。
然后，在步骤S26判断测量的抖动是否等于或低于一个预定值。当发现抖动超过该预定值时，检查操作返回到步骤S23以及重新设置记录条件。最好将该预定值设置为等于或低于9％，更好是8％。
当在步骤S26判断抖动等于或低于该预定值时，在光记录介质上执行读取操作并且在步骤S27测量其反射水平。将在步骤S27获得的最高反射水平定义为Rini。
然后，在步骤S28将“恒流激光束”设置为用于该检查装置的记录信号并且用下列方式在步骤S29设置记录条件，即将记录线速度设置成与在步骤S23中设置的相同并且逐步改变恒流激光束的功率。有必要将恒流激光束的功率的连续改变之间的间隔设置成比一个时钟周期足够大，并且例如，每次光记录介质旋转一次时，可逐步改变恒流激光束的功率。
当完成设置时，在步骤10，将其功率控制为逐步改变的恒流激光束投射到在步骤S24记录的随机信号序列上。
再次在将被检查的光记录介质上实现读取操作，以及在步骤S31测量用具有不同功率的恒流激光束照射的各个区域的反射水平。将在步骤S31获得的最高反射水平定义为Rtop，以及将在步骤S31获得的最低反射水平定义为Rbottom。
然后在步骤S32判断在步骤S27获得的Rini和在步骤S31获得的Rtop和Rbottom是否满足(Rtop+Rbottom)/2Rini小于1的预定条件，最好满足(Rtop+Rbottom)/2Rini等于或低于0.95的预定条件。
当在步骤S32发现满足预定条件时，在步骤S33判定光记录介质为一次写入型介质。相反，当在步骤S32发现满足预定条件时，在步骤S34判定光记录介质为可重写型介质。
因此，有可能判断光记录介质是否满足第二条件。
第三条件是在将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，以与记录第一所述随机信号相同的速度将该随机信号记录在由此记录的随机信号上并读取这些信号的情况下，不能实施信号的读取。最好在最佳记录条件下记录随机信号。在这种情况下，从如下条件选择最佳记录条件，在该条件下初始化记录层后能立即使记录在该记录层中的信号抖动，最佳记录条件由记录介质的制造商推荐，或由用于光记录介质的标准定义最佳记录条件。
在本发明中，不能实施信号的读取的表述意指再现信号包含不能较正的误差，最好意指再现信号的时钟抖动大于13％并且更好意指时钟抖动大于15％。
图3是表示用于判断是否满足第三条件的检查方法的流程图。
当实施用于判断是否满足第三条件的检查时，在步骤S41中，首先在检查装置(未示出)中设置将被检查的光记录介质。有必要将检查装置构造成至少能在任意记录条件，如激光束功率、记录线速度等等下将任意信号(记录标记)记录在光记录介质中，并且测量记录在光记录介质中的记录标记的抖动以及反射系数。然而，这并不意味着检查必须使用单个检查装置来实现，也可使用多个装置来实现检查。
然后，在步骤S42，将“随机信号”设置为用于检查装置的将被记录在光记录介质中的记录信号，并且在步骤S43进一步将预定激光束和预定记录线速度设置成记录条件。
当完成设置时，在步骤S44，实际上将由随机信号构成的信号序列记录在将被检查的光记录介质中，并且在步骤S45测量其抖动。
然后，在步骤S46判断由此测量的抖动是否等于或低于一个预定值。当发现抖动超过该预定值时，检查操作返回到步骤S43以及重新设置记录条件。最好将该预定值设置为等于或低于9％，最好是8％。
当在步骤S46判断抖动等于或低于该预定值时，在步骤S47，在相同的条件下，将随机信号序列再次记录在于步骤S44记录的随机信号序列上，以及在步骤S48测量其抖动。
然后在步骤S49断定抖动是否超过表示再现信号包含不能较正的误差的水平，具体说为13％，最好为15％。当发现抖动超过13％或15％时，在步骤S50将光记录介质判定为一次写入型介质。相反，当发现抖动未超过13％或15％时，在步骤S51判定光记录介质为可重写型介质。
因此，判断光记录介质是否满足第三条件是可能的。
第四条件是，在将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，用恒流激光束以与记录随机信号时相同的线速度照射记录有随机信号的区域，从而实施擦除操作，再将随机信号记录在用恒流激光束照射的区域中并且实施读取操作的情况下，不能实施信号的读取。最好在上述最佳记录条件下记录随机信号。
必须满足第四条件，不管恒流激光束的功率电平如何。具体来说，要求不能读取用恒流激光束照射后记录的随机信号，不管恒流激光束是否具有能熔化记录层的功率电平。在恒流激光束不能熔化记录层的情况下，如果满足第四条件，通过用恒流激光束照射以固相使记录层结晶是不可能的。另一方面，在恒流激光束熔化记录层的情况下，如果满足第四条件，有可能冷却熔化的记录层以便能将记录层制成非晶形的。相反，在可重写型介质中，由于以固相或从液相使记录层结晶，在任何一种情况下，能将数据再次记录在用恒流激光束照射过的区域中。
图4是表示用于判断是否满足第四条件的检查方法的流程图。
当实施用于判断是否满足第四条件的检查时，在步骤S61中，首先在检查装置(未示出)中设置将被检查的光记录介质。有必要将检查装置构造成至少能在任意记录条件如激光束功率、记录线速度等等下将任意信号(记录标记)记录在光记录介质中，并且测量记录在光记录介质中的记录标记的抖动以及反射系数。然而，这并不意味着检查必须使用单个检查装置来实现，也可使用多个装置来实现检查。
然后，在步骤S62，将“随机信号”设置为用于被检查装置的将记录在光记录介质中的记录信号，并且在步骤S63进一步将预定激光束和预定记录线速度设置成记录条件。
当完成设置时，在步骤S64，实际上将由随机信号构成的信号序列记录在将被检查的光记录介质中，并且在步骤S65测量其抖动。
然后，在步骤S66判断由此测量的抖动是否等于或低于一个预定值。当发现抖动超过该预定值时，检查操作返回到步骤S63以及重新设置记录条件。最好将该预定值设置为等于或低于9％，更好是8％。
当在步骤S66判断抖动等于或低于该预定值时，在步骤S67将“恒流激光束”设置为用于检查装置的记录信号并且在步骤S68用以下方式设置记录条件，即，将记录线速度设置成与步骤S63中设置的相同，以及逐步改变恒流激光束的功率。有必要将恒流激光束的功率的连续改变之间的间隔设置成比一个时钟周期足够长，并且例如，每次光记录介质旋转一次时，可逐步改变恒流激光束的功率。当完成设置时，在步骤S69，将其功率控制为逐步改变的恒流激光束投射到在步骤S64记录的随机信号序列上。
然后，在步骤S70，再次将“随机信号”设置为用于检查装置的将记录在光记录介质中的记录信号，以及在步骤S71将记录条件设置成与在步骤S63设置的条件。当完成设置时，在步骤S72，将随机信号序列再次记录在于步骤S63记录的随机信号序列上，并且在步骤S73测量用具有不同功率的恒流激光束照射的各个区域中的抖动。
然后在步骤S74断定抖动是否超过表示再现信号包含不能较正的误差的水平，具体为13％，最好为15％。当发现抖动超过13％或15％时，在步骤S75将光记录介质判定为一次写入型介质。相反，当发现抖动未超过13％或15％时，在步骤S76判定光记录介质为可重写型介质。
因此，判断光记录介质是否满足第四条件是可能的。
没有必要在所有运送的光记录介质上实施判断是否满足第一至第四条件的检查，并且可能从经历层形成步骤和初始化步骤的每批光记录介质中选择至少一个光记录介质，并且根据上述检查过程检查所选择的光介质，由此能判断包含在该批中的光记录介质是一次写入型介质还是可重写型介质。因此，可认为检查过程构成了光记录介质的制造过程的一部分，并且在这种情况下，按层形成步骤、初始化步骤以及检查步骤的顺序执行光记录介质的制造过程。
在用于光记录介质的驱动装置中，通常将具有高于记录频率数量级的频率的高频波，诸如具有几个100MHz的频率的高频波叠加在用来调制用于记录数据的激光束、用于读取数据的激光束和用于擦除数据的激光束的强度的驱动信号上。恒流激光束包括由在其上叠加这种高频波的直流驱动的激光束。
在下文中，将说明根据本发明的检查方法检查光记录介质的一个例子。
在本发明中，最好优化光记录介质的热设计以及记录层的组成，以便以相对高的线速度执行初始化并且以相对低的线速度不能擦除记录标记。具体地说，最好记录层具有能相对快地冷却的结构，即，快速冷却结构，以便阻止非晶记录标记再结晶。在由大容量擦除器使用具有大直径的激光束实施初始化的情况下，与使用具有小直径的激光束的情形不同，由于即使它具有快速冷却结构，记录层的冷却率不是那样地增加，用于初始化的线速度不是那样地减小。因此，如果将介质设计成具有快速冷却结构，可以相对高的线速度执行初始化并且能以相对低的线速度记录数据。通过经介电层在记录层上提供金属反射层作为热辐射层，将介电层做得很薄以便在记录层中产生的热快速地传送到反射层或增加介电层的热导率和/或反射层热导率，可将介质做成具有快速冷却结构。
在本发明中，不特别限定记录线速度。然而，由于有必要将初始线速度设置成低于记录线速度，所以有必要将初始线速度设置得相当低以便初始化记录层，为记录数据以低的记录线速度优化记录层并且必须降低光记录介质的生产率。另外，有时不能初始化为记录数据以低记录线速度优化的记录层。另一方面，如果将记录线速度设置为高，则很难抑制容差范围内的场偏转，以及用于驱动介质的马达的振动变得很大，除非以高机械准确性制作光记录介质，由此，很难稳定地记录数据。由于这些原因，通常最好将记录线速度设置为2至20m/sec，最好为3至15m/sec。
另外，在本发明中，在初始化时，最好提供能相对容易结晶的记录层以及提供能够防止记录层从与记录层相邻的介电层结晶到记录层中的扩散(diffuse)元素。这时，有可能实现能以相对高的线速度初始化的光记录介质以及其中记录标记阻止再结晶。换句话说，有可能实现将相变型介质用作一次写入型介质并很容易初始化。为制作这种光记录介质，最好提供至少包含Sb和Te的光记录层，以及提供包含S(硫)并且与记录层相邻的介电层。
现在将描述根据本发明的光记录介质的一个例子的结构。
在图5中所示的光记录介质的结构图5表示根据本发明的光记录介质的一个例子。光记录介质在半透明衬底2上按此顺序包括第一介电层31、记录层4、第二介电层32、反射层5以及保护层6，以及通过半透明衬底2投射用于记录数据或读取数据的激光束。
半透明衬底2半透明衬底2具有透射用于记录数据或读取数据的激光束的特性。半透明衬底2的厚度为0.2至1.2mm，最好是0.4至1.2mm。半透明衬底2通常由树脂形成，但也可由玻璃形成。通常在光记录介质中形成的凹槽(导向槽)21被放置在激光束的入射面上，以及在相邻凹槽间形成为凸面的岸部(land)22。
在本发明中，凹槽21和岸部22均用作记录磁道。
第一介电层31和第二介电层32这些介电层用来防止记录层4氧化和变质以及当记录数据或沿它们辐射时，阻挡从记录层传送的热，从而保护支撑衬底2以及记录层4。另外，通过提供这些介电层，可提高激光束调制度。可通过层压两个或多个具有不同成分的层来形成第一和第二介电层中的每一个。
用作这些介电层的介电材料的示例性例子包括优选的化合物，这些化合物包含从由Si、Ge、Zn、Al、稀土元素等组成的组中选择的至少一种金属组分。优选地将氧化物、氮化物或硫化物用作该化合物，以及可使用它们的两种或多种的混合物。
如上所述，在本发明中，与记录层相邻设置的介电层最好包含能防止记录层结晶的元素，并且用以下方式设置初始化条件，即在初始化时，将这些元素扩散到记录层中。最好将S用作能防止记录层结晶的元素。因此，在本发明中，最好第一介电层31和第二介电层32中的一个，特别是第一介电层31包含硫化物。最好将硫化锌(ZnS)用作硫化物，因为能获得高的折射率。然而，如果介电层仅用ZnS形成的话，介电层的应力变得太高，因此，最好使用ZnS和SiO2的混合物(ZnS-SiO2)。
另外，如上所述，在本发明中，最好将介质构成为具有快速冷却结构，为此，介电层，特别是第二介电层32最好由具有高导热率的介电材料形成。具有高导热率的介电材料的示例性例子包括硫化锌和氧化硅(ZnS-SiO2)、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化钽等等的混合物，特别好的是使用铝的氧化物和/或氮化物以及硅的氧化物和/或氮化物。ZnS-SiO2最好包含30至60mol的SiO2。如果SiO2的量太小，介电层的导热率太低。另一方面，如果SiO2的量太大，由于与其他层的粘合性变得较低，在光记录介质的长期存放期间，介电层易于从其他层剥落。
第二介电层最好具有1W/mK或更大的导热率，更优选的为1.5W/mK或更高。不具体限定第二介电层的导热率的上限，但用于介电层的材料的导热率通常等于或低于20W/mK。在该说明书中，第二介电层的导热率不定义为在薄膜状态中测量的值而是在块状态中测量的值。
可确定第一介电层和第二介电层的厚度以便确保保护能力以及改进激光束的调制度。通常，第一介电层31的厚度为30至300nm，最好是50至250nm，第二介电层32的厚度为10至50nm。然而，为使光记录介质构成为具有快速冷却结构，第二介电层32最好具有等于或薄于30nm的厚度，更优选的是等于或薄于25nm。
最好使用溅射工艺形成各个介电层。
记录层4不具体限定记录层4的成分。记录层可由从各种相变材料，但最好至少包含Sb和Te选择的材料组成。如果记录层仅由Sb和Te形成，由于其结晶温度低，约130度，以及长期存放的可靠性低，最好将其他元素添加到记录层中以便增加其结晶温度。作为添加到记录层中的元素，最好使用从由In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pd和稀土元素(Sc、Y以及镧系元素)组成的组中选择的至少一种元素。在这些元素中，最优选的是使用从由稀土元素、Ag、In和Ge组成的组中选择的至少一种元素，因为这样特别能提高长期存放可靠性。
当包含Sb和Te时，记录层最好具有由下述化学式表示的成分(SbxTe1-x)1-yMy其中M为除Sb和Te外的元素，x等于或大于0.2并且等于或小于0.9，y等于或大于0并且等于或小于0.4。最好x等于或大于0.5同时等于或小于0.7，以及y等于或大于0.01同时等于或小于0.2。如果表示Sb量的x太小，那么结晶速率变得太低且很难初始化记录层。另外，由于记录层的结晶区的反射系数变低，故再现输出也变低。另外，如果x极其低，数据记录本身变得不可能。另一方面，如果x太大，由于结晶速率变得太高，记录层不适合于一次写入型介质。另外，如果x太大，由于结晶状态与非晶状态间的反射系数的差值变小，再现输出也变低。因此，通过确定x在上述定义的范围内，有可能获得适合于一次写入型介质的记录层的结晶速率并增加再现输出。x的具体值可根据记录线速度来确定。
不具体限定元素M，但最好是从上述定义的能提高长期存放可靠性的元素中选择。如果表示元素M含量的y太大，记录层的结晶速率变得太高且再现输出变低。
记录层最好厚于4nm并且等于或薄于50nm，更优选的是等于或厚于5nm同时等于或薄于30nm。如果记录层太薄，难于生长晶相同时记录层很难结晶。另一方面，如果记录层太厚，由于记录层的热容量变得太大，变得难以记录数据并且再现输出变低。
最好使用溅射工艺形成记录层。
另外，在本发明中，不具体限定记录层的结构。例如，本发明可适用于在日本专利申请公开No.8-221814或日本专利申请公开No.10-226173中描述的具有多个记录层的介质。
反射层5在本发明中，不具体限定用于形成反射层的材料，反射层通常由诸如Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等等的金属或仅非金属或包含上述中的至少一种的合金形成。如上所述，由于最好光记录介质具有快速冷却结构，反射层最好由具有高导热率的材料形成。至于具有高导热率的材料，优选Ag或Al用于形成反射层。然而，由于具有高耐蚀性的反射层不能仅使用Ag或Al形成，可将另一种元素添加到反射层中用于提高耐蚀性。
然而，当将另一种元素添加到反射层中时，由于降低了反射层的导热率，在将另一种元素添加到其中的情况下，最好采用具有较高导热率的Ag作为用于反射层的主要成分。添加到反射层中作为和Ag在一起的次要成分的元素的示例性例子包括从由Mg、Pd、Ce、Cu、La、S、Sb、Si、Te、Zr组成的组中选择的至少一种元素。在这些元素中，将至少一种元素，最好是两种或更多种元素添加到反射层中作为次要成分元素。包含在反射层中的每种次要成分元素的含量最好为0.05至2.0原子％，更优选的是0.2至1.0原子％，并且包含在反射层中的所有次要成分元素的总量最好为0.2至5原子％，更优选的是0.5至3原子％。如果次要成分元素的量太小，不能获得上述效果。相反，如果次要成分元素的量太大，反射层的导热率变高。
反射层的导热率最好等于或高于100W/mK，更优选的是等于或高于150W/mK。例如，能通过基于由电阻测量的四探测法获得的电阻值的Widemann-Franz原理来计算反射层的导热率。不具体限定反射层的导热率的上限。因此，在适用于反射层的材料中导热率250W/mK为最高的纯银可用于形成反射层。
最好将反射层形成为具有10至300nm的厚度。如果反射层薄于10nm，反射层的反射系数变得太低，另一方面，即使反射层厚于300nm，反射系数的增加很也小并且成本增加。反射层最好使用气相生长方法诸如溅射、真空淀积等等来形成。
保护层6为提高防止刮伤以及耐蚀性，形成保护层6。最好用各种有机物质形成保护层，特别优选由通过用辐射诸如电子束、紫外线等等固化的辐射可固化化合物或其成分获得的物质来形成保护层。保护层的厚度通常为0.1至100μm，并且通常使用旋涂法、凹版涂布法、喷涂法、浸渍涂敷法等等形成。
图6中所示的光记录介质的结构图6表示根据本发明的光记录介质的另一例子。通过按以下顺序在支撑衬底20上分层形成由金属或非金属构成的反射层5、第二介电层32、记录层4、第一记录层32以及半透明衬底2以获得光记录介质。通过半透明衬底2投射用于记录数据或读取数据的激光束。包含介电材料的中间层可形成在支撑衬底2和反射层5间。
关于该例子中的半透明衬底2，可使用具有基本上与如图5所示的半透明衬底2相同厚度的树脂板或玻璃板。然而，最好使半透明衬底2变薄，以便通过增加记录和读取光学系统的NA，能以高密度记录数据。在这种情况下，半透明衬底的厚度最好为30至300μm。如果半透明衬底太薄，附着到半透明衬底的表面上的灰尘的光影响增加。另一方面，如果半透明衬底太厚，它变得很难以高密度记录数据，即使增加NA。
例如，通过将由半透明树脂制成的半透明片附着到第一介电层31以便形成半透明衬底，或使用涂敷法直接在第一介电层31上形成半透明树脂层以形成半透明衬底来使半透明衬底变薄。
提供支撑衬底20用于确保光记录介质的硬度。可与图5所示的半透明衬底2类似地选择支撑衬底20的厚度以及用于形成支撑衬底20的材料。支撑衬底20可是透明或不透明的。如所述，通过将在支撑衬底20上形成的凹槽转移到在其上形成的各个层来形成凹槽。
在图6所示的介质中，当形成反射层时，通过晶体生长，易于增加激光束进入侧反射层的表面粗糙度。当增加反射层的表面粗糙度时，增加再现信号中的噪音。因此，最好减小反射层的晶体大小同时将反射层形成为非晶层。对这些表面，最好反射层包含Ag或Al作为主要成分以及包括上述规定的次要成分元素。
由于当反射层为非晶形时，随着晶体尺寸更小，反射层的导热率增加，当记录数据时，很难获得冷却速率。因此，最好一次将反射层形成为非晶层并加热将被结晶的该反射层。当一次形成为非晶层的反射层被结晶时，可基本上保持为非晶层的反射层的表面粗糙度，同时通过结晶能增加该反射层的导热率。
其他层与图5中所示的介质的其他层相同。
加工例子和比较例子加工例子1通过采用直径为120nm以及厚度为0.6mm的盘状聚碳酸酯衬底制作具有如图5中所示的结构的光介质样品No.1，以及同时通过注塑成形为具有宽度为0.2μm、深度为20nm以及节距为0.74μm的凹槽的半透明衬底2，并以下述方式按顺序在半透明衬底上形成第一介电层31、记录层4、第二介电层32、反射层5以及保护层6。
在包含Ar气的大气中，通过溅射法，使用80mol％的ZnS和20mol％的SiO2的指标(target)形成第一介电层31。第一记录层31的厚度为90nm。
在包含Ar气的大气中，通过溅射法形成记录层4。记录层4的成分(原子比)为(Sb0.67Te0.33)0.9In0.04Ag0.05。记录层4的厚度为20nm。
在包含Ar气的大气中，通过溅射法，使用ZnS(50mol％)-SiO2(50mol％)的指标形成第一介电层32。第一记录层32的厚度为20nm。用作指标的ZnS(50mol％)-SiO2(50mol％)的导热率为1.0W/mK。
在包含Ar气的大气中，通过溅射法，使用Al-1.7mol％Cr的合金指标形成反射层5。反射层5的厚度为100nm。反射层5的导热率为40W/mK。
通过旋涂方法涂上紫外线可固化的树脂并通过用紫外线照射来固化它以形成保护层6。固化后保护层6的厚度为5μm。
初始化由此制作的样品No.1。使用大容量擦除器，以2m/sec的线速度执行初始化。
使用由Pulstec Industrial Co.，Ltd制造的DDU1000光记录介质评定装置，在下列条件下将最短信号和随机信号记录在样品No.1中一次。
激光束的波长λ635nm物镜的数值孔径NA0.6将被记录的信号通过EFM加(8-16)调制的单个信号(为最短信号的3T信号)以及随机信号线速度3.5m/sec(最短信号长度0.38λ/NA)此后，使用0.9mW的再现频率再现记录的数据。
调制用于记录的激光束的模式如下。当将数据记录在相变型光记录介质中时，通常不是以与记录标记的长度相应的直流电的形式投射激光束，而是以在日本专利申请公开No.2000-155945中描述的多相的形式投射。在图7中示出了多相的形式的记录波形的一个例子。在本说明书中，记录波形表示用于调制记录光束的强度的驱动信号的图形。图7表示NRZI信号的5T信号以及与5T信号相应的记录波形。在图7中，Pw代表记录功率以及Pb代表偏压功率。Pb通常是指可写数据的记录系统中的擦除功率。记录波形包括记录脉冲部分和直流电部分，每个直流电部分连接相邻的记录脉冲部分。通过重复向上脉冲(强度Pw)以及其后的向下脉冲(强度Pb)的组合来构成记录脉冲部分。总的来说，记录脉冲部分从Pb上升并返回到Pb。在图7中，Ttop是最初的向上脉冲的宽度以及Tmp是其他向上脉冲(也可称为多脉冲)的宽度。这些脉冲的宽度通常由基准时钟宽度(1T)来标准化。
在加工例子1中，在下述条件下，使用下列记录波形记录数据。
记录功率Pw9mW偏压功率Pb0.5mWTtop0.6TTmp0.35T在最短信号(3T信号)中，在每个记录脉冲部分中有一个向上的脉冲且其宽度为Ttop。这些记录条件与用于最小化抖动的最佳记录条件相应。
在记录数据后，使用由ADVANTEST CORPORATION制造的光谱分析器测量最短信号的CNR并发现其为49.1dB。另外，测量随机信号的时钟抖动以及再现输出并得出其分别为8.5％和1.04V。当时钟抖动等于或低于9％时，能再现信号并且没有实际问题。另一方面，当时钟抖动超过13％时，特别是当它超过15％时，由于误差频繁发生，不能利用再现信号。通过使用由YOKOKAWAELECTRIC CORPORATION制造的时间间隔分析器测量再现信号以获得信号的波动σ并计算σ/Tw(％)来获得时钟抖动，其中，Tw为检测窗的宽度。使用模拟示波器测量再现输出。
然后，用具有2至7mW的恒流激光束，以3.5m/sec的线速度照射记录有信号的磁道，以便擦除记录标记。此后，在记录有最短信号的磁道的区域测量CNR并得出最大信号衰减为16.5dB。另一方面，在记录随机信号的磁道的区域用恒流激光束照射后的再现输出与照射前的再现输出之间的比率为0.29。
然后，将随机信号以3.5m/sec的线速度记录在用恒流激光束照射的磁道上并测量其时钟抖动。发现最大值为16.8％且不能利用再现信号。
在该样品No.1中，由于当投射恒流激光束时，擦除率很低，所以当在用恒流激光束照射后记录随机信号时，时钟抖动极高。因此，发现在该样品No.1中不可能重写数据。
当将恒流激光束的功率增加到高于7mW时，熔化记录层并在用激光束照射后变为非晶形。即，发现即使增加激光束的功率，也不可能再结晶记录层。
在初始化后，在上述定义的条件下，于上述定义的条件下已经记录随机信号的区域中记录随机信号，然后测量时钟抖动。发现时钟抖动超过20％并且不能测量，以及不可能再现信号。
在上述定义的条件下记录数据后，使用透射电子显微镜观察样品No.1的记录层。如图8所示，发现最短记录标记实质上是圆形的。
比较例子除第一介电层的厚度为120nm以及第二介电层的厚度为50nm外，按加工1例子的方式制作样品No.2。
除将记录功率Pw设置为8mW外，用加工例子1的方式在样品No.2中记录最短信号和随机信号，并测量CNR，再现输出和抖动。最短信号的CNR为49dB，随机信号的再现输出为0.98V，抖动为10％。因此，与加工例子1相比，发现CNR基本上与加工例子1相同但抖动增加。
与加工例子1类似，用恒流激光束照射样品No.2，并发现最短信号的载波衰减为18dB，在用恒流激光束照射后，将信号再次记录到样品No.2中，并发现再次记录的信号的时钟抖动超过15％。
当使用透射电子显微镜观察样品No.2的记录层时，发现最短记录标记不是圆形而是其后端边缘舀出(scoope out)并且后端边缘附近的一部分再结晶。出现这种再结晶被认为是合理的，因为与加工例子1相比，通过加厚第二介电层制成样品No.2使其具有逐步冷却结构。另外，认为抖动变得更糟也是合理的，因为在记录标记间大大地改变了再结晶程度。
一次写入型介质和可重写型介质的比较除记录层的成分为(Sb0.7Te0.3)0.9In0.04Ag0.05外，以样品No.1的方式制作样品No.3。由于样品No.3具有其结晶速率高于加工例子1的结晶速率的记录层，在样品No.3中能以3.5m/sec的速度重写数据。
与加工例子1类似，将随机信号记录在样品No.1和No.3的每一个中，并测量Rini。然后，用恒流激光束，按与用于记录信号的相同的线速度照射每个样品，从而实施擦除操作。投射恒流激光束(DC擦除功率)的功率与线速度V的关系如图9所示。然后测量Rtop和Rbottom并计算(Rtop+Rbottom)/2Rini。结果如图9所示。使用由Pulstec Industrial Co.，Ltd制造的DDU1000光记录介质评定装置来测量反射水平。
如图9所示，当在样品No.1中，线速度为3.5m/sec以及恒流激光束的功率为3mW，但(Rtop+Rbottom)/2Rini小于1时，不管线速度等于或高于3.5m/sec时恒流激光束的功率如何，样品No.3中的(Rtop+Rbottom)/2Rini等于或大于1。另外，在投射恒流激光束后，在用于在样品No.1和样品No.3中的每一个中首次记录的相同条件下，再次记录随机信号并测量时钟抖动。当恒流激光束的功率等于或高于3mW时，样品No.3中的时钟抖动为8至9％，样品No.1中的时钟抖动为16.8至20％。因此，发现可以3.5m/sec的线速度将数据重写在样品No.3中，并且不能以3.5至14m/sec的线速度重写数据。
根据本发明，可能制造即使以高密度记录数据时，也能降低抖动同时获得良好的高再现输出的一次写入型介质和相变型介质。
另外，根据本发明，可能正确地判断相变型介质是否可用作一次写入型介质。
权利要求
1.一种用于检查光记录介质的方法，包括步骤将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便该最短信号的CNR等于或高于45dB，利用其功率电平不能熔化记录层的恒流激光束，以与记录该最短信号时相同的线速度照射记录有该最短信号的区域，测量该最短信号的载波中的减小量，并且当载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
2.如权利要求1所述的用于检查光记录介质的方法，其中，记录最短信号以便CNR等于或高于48dB。
3.如权利要求1或2所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当载波中的减小量等于或低于18dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
4.如权利要求3所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当载波中的减小量等于或高于5dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
5.如权利要求4所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当载波中的减小量等于或高于10dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
6.一种用于检查光记录介质的方法，包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，在记录有该随机信号的区域实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rini，用恒流激光束，以与记录该随机信号时相同的线速度照射记录有该随机信号的区域，在用该恒流激光束照射过的区域上实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rtop和最低反射水平Rbottom，并且当满足(Rtop+Rbottom)/2Rini＜1时，将该光记录介质判定为一次写入型介质，不管该恒流激光束是否具有能熔化该记录层的功率电平。
7.如权利要求6所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当满足(Rtop+Rbottom)/2Rini＜0.95时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
8.一种用于检查光记录介质的方法，包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，以与记录第一次提到的随机信号时相同的线速度再次记录该随机信号以便叠加在该第一次提到的随机信号上，实施信号的再现操作，并且当不能再现信号时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
9.如权利要求8所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当再现信号包含不能较正的误差时，判定不能再现信号。
10.如权利要求9所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当时钟抖动超过13％时，判定不能再现信号。
11.如权利要求10所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当时钟抖动超过15％时，判定不能再现信号。
12.一种用于检查光记录介质的方法，包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，用恒流激光束，以与记录该随机信号时相同的线速度照射记录有该随机信号的区域，从而将该随机信号再次记录在用该恒流激光束照射过的区域中，实施信号的再现操作，并且当不能再现该信号时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
13.如权利要求12所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当再现信号包含不能较正的误差时，判定不能再现信号。
14.如权利要求13所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当时钟抖动超过13％时，判定不能再现信号。
15.如权利要求14所述的用于检查光记录介质的方法，其中，当时钟抖动超过15％时，判定不能再现信号。
16.一种用于制造光记录介质的方法，包括层形成步骤，用于形成至少一个相变记录层；初始化步骤，用于至少使该记录层的将要记录数据的区域结晶；以及检查步骤，用于判断经历初始化步骤的光记录介质为一次写入型介质还是可重写型介质，该检查步骤包括以下步骤将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便该最短信号的CNR等于或高于45dB，用其功率电平不能熔化该记录层的恒流激光束，以与记录该最短信号时相同的线速度照射记录有该最短信号的区域，测量该最短信号的载波中的减小量，并且当载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
17.一种用于制造光记录介质的方法，包括层形成步骤，用于形成至少一个相变记录层；初始化步骤，用于至少使该记录层将要记录数据的区域结晶；以及检查步骤，用于判断经历初始化步骤的光记录介质为一次写入型介质还是可重写型介质，该检查步骤包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，在记录有该随机信号的区域实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rini，用恒流激光束，以与记录该随机信号时相同的线速度照射记录有该随机信号的区域，在用该恒流激光束照射过的区域实施信号的再现操作，从而测量最高反射水平Rtop和最低反射水平Rbottom，并且当满足(Rtop+Rbottom)/2Rini＜1时，将该光记录介质判定为一次写入型介质，而不管该恒流激光束是否具有能熔化该记录层的功率电平。
18.一种用于制造光记录介质的方法，包括层形成步骤，用于形成至少一个相变记录层；初始化步骤，用于至少使记录层的将要记录数据的区域结晶；以及检查步骤，用于判断经历初始化步骤的光记录介质为一次写入型介质还是可重写型介质，该检查步骤包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，以与记录第一次提到的随机信号时相同的线速度再次记录该随机信号以便叠加在该第一次提到的随机信号上，实施信号的再现操作，并且当不能再现该信号时，将该光记录介质判定为一次写入型介质的步骤。
19.一种用于制造光记录介质的方法，包括层形成步骤，用于形成至少一个相变记录层；初始化步骤，用于至少使记录层的将要记录数据的区域结晶；以及检查步骤，用于判断经过初始化步骤的光记录介质为一次写入型介质还是可重写型介质，该检查步骤包括步骤将随机信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中，用恒流激光束，以与记录该随机信号时相同的线速度照射记录有该随机信号的区域，从而将该随机信号再次记录在用该恒流激光束照射过的区域中，实施信号的再现操作，并且当不能再现该信号时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
全文摘要
本发明的目的是提供用于判断相变型介质是否可用作一次写入型介质的检查方法。在本发明中，将最短信号记录在具有相变型记录层的光记录介质中以便该最短信号的CNR等于或高于45dB，用其功率电平不能熔化该记录层的恒流激光束，以与记录该最短信号时相同的线速度照射记录有该最短信号的区域，并测量该最短信号的载波中的减小量。当该最短信号的载波中的减小量等于或低于20dB时，将该光记录介质判定为一次写入型介质。
文档编号G11B7/00GK1483191SQ01821456
公开日2004年3月17日 申请日期2001年11月27日 优先权日2000年11月27日
发明者栗林勇, 柴原正典, 宇都宫肇, 青井利树, 典, 树, 肇 申请人:Tdk株式会社