用于高密度存储器的磁电部件的制作方法

专利名称：用于高密度存储器的磁电部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子技术，并具体涉及电子部件及其制造方法。
背景技术：
在磁存储部件中，通过减小各磁存储器单元的横向尺寸，能够增大磁存储部件的密度。当减小横向尺寸时，磁存储器单元的体积会减小。最终，磁存储器单元的体积会减小至用于切换磁存储器单元存储状态的能量势垒与热能量相当的程度。体积减小至这样的程度，会使磁存储器单元内所存储的数据丢失。
用于解决该问题的一种技术涉及到，通过增大存储数据的磁存储器单元的磁层厚度，使磁存储器单元的体积保持恒定。不过，由于对磁层内自旋之间的磁交换相互作用与磁层内自旋之间的偶极子相互作用之间采取折衷，对于该磁层的厚度存在着物理上限。磁交换相互作用致使电子自旋相互平行对准。偶极子相互作用致使磁层的不同区域中的自旋反对准。在临界厚度以下，交换相互作用起主导作用，存储器单元使所有自旋基本上对准，成为单磁畴。如果使磁层的厚度增加至高于其临界厚度，则偶极子相互作用变得起主导作用，并且不期望磁畴的形成将使磁层的磁能减少，使得存储器单元的各区域具有对准到基本上不同的方向的自旋。所形成的一个特定畴结构为磁旋涡，它是不具有净磁矩的圆形磁畴。消除这些不期望的磁漩涡需要高量值的磁场，这与操作磁存储部件的目的不相容。
因此，需要这样一种磁存储部件，其磁存储器单元的体积增大到或者至少保持在非易失性数据保持所需的体积之上，同时增大磁存储器单元的密度。


结合附图阅读后面的详细描述，将更好地理解本发明，在附图中图1表示根据本发明实施例的磁电部件的一部分的俯视图；图2表示根据本发明实施例沿图1的剖面线2-2得到的图1磁电部件一部分的剖面图；图3表示根据本发明实施例沿图1的剖面线3-3得到的图1磁电部件一部分的另一剖面图；图4表示根据本发明实施例沿图1的剖面线4-4得到的图1磁电部件一部分的又一剖面图；图5表示根据本发明实施例的另一磁电部件的一部分的剖面图；图6表示根据本发明实施例的另一磁电部件的一部分的剖面图；图7表示根据本发明实施例的另一磁电部件的一部分的剖面图；图8表示根据本发明实施例的另一磁电部件的一部分的剖面图；图9概括说明根据本发明实施例的磁电部件的制造方法。
为了使说明简单、清楚，附图表示一般构成方式，并且为了避免不必要地干扰对本发明的理解，省略了公知特征和技术的描述和细节。另外，附图中的部件不必按比例绘出。例如，可以相对其他部件放大附图中某些部件的尺寸，这有助于本发明实施例的理解。此外，不同附图中的相同附图标记表示相同部件。
另外，说明书和权利要求中的术语第一、第二等，如果有的话，用于区分相同部件，未必用于描述序号或时间顺序。还可知，在适当情况下可以互换使用这些术语，此处所描述的本发明实施例能以此处所描述或说明以外的顺序操作。
此外，说明书和权利要求中的术语顶部、底部、上、下等，如果有的话，用于描述的目的而未必用于描述相对位置。应当理解在适当情况下可互换使用这些术语，此处所描述的本发明实施例能以此处所描述或说明以外的取向操作。
具体实施例方式
图1表示磁电部件100的一部分的俯视图。例如，磁电部件100可以为磁存储部件，如MRAM，或者磁电部件100可以为某些其他类型的磁换能器。图2，3和4表示分别沿图1中的剖面线2-2，3-3和4-4得到的磁电部件100的一个部分的各个剖面图。
磁电部件100包括基底200，以及可选地设置在基底200上的电绝缘层210。例如，基底200可以由半导体材料或电绝缘材料构成。例如，电绝缘层210可以由诸如二氧化硅、氮化硅、4乙基原硅酸盐(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)(TEOS)等的电绝缘材料构成。
磁电部件100还包括用于产生磁场的多个第一位线120。位线120位于电绝缘层210和基底200上面。在优选实施例中，各位线120基本相同且彼此平行，并且可以同时制造，如后面详细描述的。位线120也称为电流线。
位线120由导电材料构成。导电材料可以包括例如铜或铝。每条位线120的高度和宽度小于或等于大约1微米，并且长度远大于1微米。例如，每条位线120的高度可以为大约400纳米，宽度为大约400纳米。
磁电部件100还包括横贯位线120间隔设置的多个位或多态磁存储器单元140。在优选实施例中，磁存储器单元140横贯位线120排列成方形或矩形栅格图案。各多态磁存储器单元140最好彼此基本相同，并且可同时制造。
如本领域中所公知的，各部分的磁存储器单元140为其他部分的磁存储器单元140提供内部交换偏置场，以固定或设定这些其他部分的磁存储器单元的磁方向。这些部分和其它部分的磁存储器单元140统称为磁存储器单元140内的“固定层”。图2，3和4中的层241为铁磁存储器单元140之一中固定层的一个例子。层241可以由铁磁材料，如镍铁合金(NiFe)构成。后面将说明层241的其他细节。
磁存储器单元140还包括磁方向可调的“自由层”，其磁方向可平行或反平行于磁存储器单元140中固定层的磁方向。自由层为用作磁存储器单元140的信息存储或存储器存储部分的多态存储器层。
图2，3和4中的层243是磁存储器单元140之一中自由层的一个例子。从图2可以看出，层243的磁化方向可以顺时针或逆时针围绕位线的周线或周围。层243可以由铁磁材料，如NiFe构成。如图2，3和4中所示，层243可以连续包围限定(circumscribe)位线，并与位线邻接。在磁电部件100中，在位线与磁存储器单元之间不需要电绝缘层。后面描述层243的其他细节。
磁存储器单元140还包括一个或多个位于固定层与自由层之间的介电层，并且介电层足够薄，以形成隧道势垒。例如，图2，3和4中的层242位于层241和243之间。层242可以由薄介电材料，例如氧化铝或氮化铝构成。
磁电部件100还包括靠近磁存储器单元140的多态存储器读出层或电触点。图2，3和4中的层250是多态存储器读出层的一个例子，并与层241电连接，以决定层243中磁状态的方向，并读出上面磁存储器单元的电阻值。图2，3和4中层250靠近层241，242和234设置，并且最好仅处于位线120的单侧。本领域中已知层250为磁隧道结(MTJ)电极。例如，隧道结可以处于层250与231之间。
磁电部件100还包括用于产生附加磁场的多个字线或数字线170。数字线170也称作电流线。数字线170位于位线120上面，并跨过位线120，并且数字线170也位于磁存储器单元140上面，靠近磁存储器单元140设置，并跨过磁存储器单元140。如图2，3和4中所示，在数字线170与位线120之间最好没有层250。在优选实施例中，各数字线170基本相同且彼此平行，并且可同时制造。而且在该优选实施例中，各数字线170最好基本垂直于位线120，这种垂直结构也称作交叉点结构。
数字线170的结构可以与位线120相同。不过，数字线也可以与位线120具有不同的实现方式，如图4中的数字线470所示。数字线470包括导电层471和铁磁包层472。在优选实施例中，位线没有任何铁磁包层，而数字线优选具有铁磁包层。
对于通过导电层471传导的给定量值的电流，铁磁包层472使数字线能在数字线下面产生更大量值的磁场。铁磁包层472还将导电层471产生的磁场与邻近直接处于数字线下面的磁存储器单元的其他磁存储器单元屏蔽开，以防止这些其他磁存储器单元的存储状态发生非有意的切换。
铁磁包层472包括铁磁材料，例如类似Ni80Fe20的镍铁合金。例如，铁磁包层472的厚度为大约25纳米。导电层471包括导电材料，如铜或铝。
铁磁包层472靠近导电层471设置，并与导电层471邻接。如图4中所示，铁磁包层472最好位于导电层471的四边中的三边。在可选实施方式中，铁磁包层472可以仅位于一侧，或者位于两个连续或不连续侧。
图1，2，3和4中的磁电部件100还包括电绝缘层160。电绝缘层160位于数字线170与基底200之间。例如，绝缘层160可以包括氮化硅，二氧化硅，TEOS等。层160可以由单层或多个相似或不相似的层组成。
下面简单描述磁电部件100的操作。为了改变特定一个磁存储器单元140的存储状态，电流通过穿过所述特定一个磁存储器单元140的自由层的特定一条位线120进行传导，并且电流还通过覆盖所述特定一个磁存储器单元140的特定一条数字线170进行传导。如麦克斯韦方程所给出的，特定一条位线120和数字线170中的电流均产生周围磁场。磁场的量值与流经特定一条位线120和数字线170的电流的量值成比例。
磁场改变或者旋转特定一个磁存储器单元140中自由层或多态存储器层的磁化方向。图2中自由层的磁化方向可以从顺时针改变成逆时针，从逆时针改变成顺时针。当易磁化轴磁场和难磁化轴磁场几乎同时施加给磁存储器单元时，自由层磁化方向可发生反转。如图1中所示，磁存储器单元140的易磁化轴基本平行于数字线170，磁存储器单元140的难磁化轴与其易磁化轴垂直，并基本平行于位线120。位线120提供易磁化轴磁场，数字线170提供难磁化轴磁场。
特定一个磁存储器单元140的电阻取决于自由层与固定层的磁化方向是彼此平行还是反平行。在特定一个磁存储器单元140中，当自由层底部的磁化方向与固定层的磁化方向平行时，该特定一个磁存储器单元140具有最小电阻。在特定一个磁存储器单元140中，当自由层底部的磁化方向与固定层的磁化方向反平行时，所述特定一个磁存储器单元140具有最大电阻。通过使电流流经穿过特定一个磁存储器单元140中的自由层并与之电耦合的位线120，然后通过使用位于特定一个磁存储器单元140下面的多态存储器读出层读出所述特定一个磁存储器单元140的电阻，可检测所述特定一个磁存储器单元140的电阻。
再描述磁存储器单元中的自由层或多态存储器层，或图2，3和4中的层243，层243具有靠近位线的结构，使得从层243发出的磁通量基本上被限制成围绕在位线周围。因此，位线周围的磁通量静磁闭合。靠近位线的结构通过使层243底部的端部处的磁间断性最小，使得自由层中的内部退磁场(Hd)最小。标准存储器单元仅使用层243的底部作为磁自由层。通过在位线周围增加其他磁结构，在位线周围的磁化大体上是连续的，使得在自由层底部的端部形成较少的去磁电荷以产生Hd。当Hd最小时，偶极子能量Ed＝M×Hd最小，从而与不具有围绕层243中位线的附加结构的自由层相比，可大大减小形成畴结构的趋势。在优选实施例中，在位线周围，层243中的磁化是完全连续的。不过，层243也可以具有间隙，使得磁通量闭合的量值小于连续结构的相应量值，但大于仅由自由层243底部组成的标准自由层的相应量值。
层243位置邻近位线的至少两侧。具体而言，如图2，3和4中所示，层243可具有环形几何结构，以连续地包围限定位线的整个周边。这种环形几何结构消除层243的端部，使得可消除在自由层端部的成核的畴(domain)所引起的性能改变。
层243具有沿包围限定位线周边的方向计量的长度。层243具有基本垂直于其长度的宽度，其中宽度小于长度。因此，可减小磁存储器单元在基底200上的覆盖面积，同时可将磁存储器单元的体积增大到或者至少保持在非易失性数据保持所需的体积之上。无需传导高量值切换电流通过数字线和位线，即可实现体积增大。
图5表示电子部件500一部分的剖面图，其是图1，2，3和4中的磁电部件100的不同实施方式。图5中磁电部件500的视图与图2中磁电部件100的视图类似。
图5中的磁电部件500包括位线520，该位线520可与图1，2，3和4中的各位线120相似。图5中的磁电部件500还包括多态存储器读出层550，其可与图2，3和4中的层250相似。图5中的磁电部件500还包括电绝缘层561和562，它们可与图1，2，3和4中的电绝缘层160相似。图5中的磁电部件500还包括位或多态磁存储器单元540，其可与图1，2，3和4中的各磁存储器单元140相似。多态磁存储器单元540包括固定层541，介电层542，由层544、545和547组成的自由层或多态存储器层，以及可选的阻蚀层546。
在一个实施例中，如果不使用可选的阻蚀层546，则多态磁存储器单元540的多态存储器层能在位线520的周围或围边是连续的。在另一实施例中，如果使用该可选的阻蚀层546，则多态磁存储器单元540的多态存储器层在位线520周围可以是不连续的。如果从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕位线520，则任一种结构的实施方式都是可以接受的。
以下为制造磁电部件500的方法的例子。当在基底200上形成电绝缘层210之后，可以将用于构成多态存储器读出层550的单层或多个层沉积或者通过其他方式形成在电绝缘层210上。然后，可以沉积或者通过其他方式形成用于构成固定层541的单层或多个层。随后可以沉积或者通过其他方式形成用于构成介电层542的单层或多个层，然后可沉积或通过其他方式形成用于构成层544的单层或多个层。此后，可按照与沉积相反的顺序将这些层中的每一个蚀刻或者通过其他方式光刻，以相继形成一部分多态存储器层，介电层542，固定层541和多态存储器读出层550。在一个不同的实施例中，可在开始形成后续覆盖的层之前形成多态存储器读出层550，固定层541和介电层542的每一个，或者这些层的一个子集可在这些层中其他层形成之前形成。
然后，在电绝缘层210上沉积或者通过其他方式形成电绝缘层561，并且在电绝缘层561中蚀刻或者通过其他方式形成通孔，以便将层544的至少一部分暴露。电绝缘层561可以由单层或多个电绝缘层组成，并且可以进行平坦化。然后，可以沉积或者通过其他方式形成用于构成层545的单层或多个层，并且可沉积或者通过其他方式形成用于构成阻蚀层546的单层或多个层。此时，可沉积或者通过其他方式形成用于构成位线520的单层或多个层。之后，按照与其沉积顺序相反的顺序将这些层中的每一个蚀刻或者通过其他方式光刻，以相继形成位线520，阻蚀层546和多态存储器层的另一部份。阻蚀层546可以是电绝缘或者电导通的，并且在用于构成位线520的单层或多个层的蚀刻过程中可以用作阻蚀层，并保护下面的层545。在磁电部件500中如果需要的话也可以使用其他阻蚀层。在一个不同的实施例中，可在开始形成后续覆盖的层之前形成层545。
随后，可以沉积或者通过其他方式形成用于构成层547的单层或多个层，然后可以将该单层或多个层蚀刻或者通过其他方式光刻以形成层547，层547是多态存储器层的另一部份。之后，可以沉积或者通过其他方式形成电绝缘层562，此后进行平坦化。电绝缘层562可以由单层或多个层组成。在电绝缘层562上形成数字线170。
如图5中所示，多态存储器层靠近位线520的至少两边设置。在磁电部件500的一个不同的实施例中，如果从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕位线520，则多态磁存储器单元540的多态存储器层可以没有层547。在这种不同的实施例中，多态存储器层仅位于位线520的三个边的附近。
图6表示磁电部件600的一部分的剖面图，其是图1，2，3和4磁电部件100的不同实施方式。图6中磁电部件600的视图与图2中磁电部件的视图相似。
图6中的磁电部件600包括位线620，其可以与图1，2，3和4中的各位线120相似。图6中的磁电部件600还包括多态存储器读出层650，其可与图2，3和4中的层250相似。图6中的磁电部件600还包括电绝缘层661和662，其均与图1，2，3和4中的电绝缘层160相似。图6中的磁电部件600还包括位或多态磁存储器单元640，其可与图1，2，3和4中的各磁存储器单元140相似。多态磁存储器单元640包括固定层641，介电层642，由层645和647组成的自由层或多态存储器层，以及可选的阻蚀层646。
在一个实施例中，如果不使用可选的阻蚀层646，则多态磁存储器单元640的多态存储器层在位线620周围或四周可以是连续的。在另一实施例中，如果采用可选的阻蚀层646，则多态磁存储器单元640的多态存储器层在位线620周围可以中断。如果从多态存储器层发出的连续磁通量基本被限制成围绕位线620，则任何一种结构实施例都是可以接受的。
如图6中所示，多态存储器层位于位线620的至少两边附近，其中所述至少两边彼此相邻，并且所述至少两边中的一边面向数字线。在磁电部件600的一种不同实施方式中，如果从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制为围绕位线620，则多态磁存储器单元640的多态存储器层可以没有层647。在这种不同的实施方式中，多态存储器层仅位于位线620的三边附近。
图7表示磁电部件700的一部分的剖面图，其是图5中磁电部件500的不同实施方式。图7中磁电部件700的视图与图5中磁电部件500的视图相似。图7中的磁电部件700包括电绝缘层763和764，其均可与图5中的电绝缘层562相似。
图7中的磁电部件700还包括位或多态磁存储器单元740，其可与图5中的多态磁存储器单元540相似。多态磁存储器单元740包括由层544，545和747组成的自由层或多态存储器层，以及可选的阻蚀层546。在位线520周围多态磁存储器单元740的多态存储器层是间断的，不过从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕位线520。
如图7中所示，多态存储器层位于位线720的至少两边附近，其中所述至少两边彼此相邻，并且所述至少两边中的一边面向数字线。在磁电部件700的一个不同实施方式中，如果从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕位线720，则多态磁存储器单元740的多态存储器层可以没有层747。在这种不同实施方式中，多态存储器层仅位于位线720的三边附近。
图8表示磁电部件800的一部分的剖面图，其是图5磁电部件500的一种不同实施方式。图8中磁电部件800的视图与图5中磁电部件500的视图相似。图8中的磁电部件800包括与图5中的位线520相似的位线820。图8中的磁电部件800还包括电绝缘层860，其可与图5中的电绝缘层561和562相似。
图8中的磁电部件800还包括位或多态磁存储器单元840，其可与图5中的多态磁存储器单元540相似。多态磁存储器单元840包括由层544和847组成的自由层或多态存储器层。在位线820周围，多态磁存储器单元840的多态存储器层是间断的，不过从多态存储器层发出的磁通量依然基本上被限制为围绕位线820。如图8中所示，多态存储器层仅位于位线820的相对两边附近，这两边中的一边面对数字线，不过从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕位线820。如果需要，在磁电部件800中也可以使用阻蚀层。
图9表示磁电部件制造方法的流程图900。例如，可使用流程图900中的方法分别制造图2，5，6，7和8中的磁电部件100，500，600，700和800。在图9的流程图900的步骤910中，在基底上形成多态存储器读出层。然后，在步骤920中，在多态存储器读出层上形成固定层，在步骤930，在固定层上形成介电层。固定层和介电层是磁电部件中磁存储器单元的部分。
然后，在图9的流程图900的步骤940中，在于步骤930形成的介电层上形成多态存储器层和第一电流线，其中多态存储器层具有靠近第一电流线，使得从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕第一电流线的结构。多态存储器层是磁电部件中磁存储器单元的一部分，第一电流线用于产生用于多态存储器层的第一磁场。在形成第一电流线之前形成多态存储器层的一个或多个部分，并且可以在形成第一电流线之后形成多态存储器层的一个或多个部分。多态存储器层可以是连续或间断的。第一电流线用于产生用于多态存储器层的第一磁场。
之后，在图9的流程图900的步骤950中，在于步骤940产生的多态存储器层和第一电流线上形成电绝缘层。然后，在图9的流程图900的步骤960中，靠近多态存储器层且在于步骤940形成的第一电流线和于步骤950形成的电绝缘层上，形成第二电流线。第二电流线用于产生用于多态存储器层的第二磁场，并且跨过第一电流线。在第一与第二电流线之间没有多态存储器读出层。
从而，提供一种克服现有技术缺陷的改进磁电部件。磁电部件中的磁存储器单元的切换体积增大到，或者至少保持在非易失性数据保持力所需的体积之上。因此，超顺磁限制被延伸到更小的结构，以提供可伸缩的存储部件。这种体积增大无需使用具有高量值的切换电流即可实现。从而，可显著减小各磁存储器单元所占的面积，同时不会降低磁存储器单元的数据保持力。因此，可增大存储阵列的密度。
另外，磁存储器单元还消除或者至少减小来自相邻存储器单元的磁场干扰。因此，可进一步增大存储阵列的密度。
此外，磁电部件中磁存储器单元的自由层或多态存储器层最好没有端部，以便消除端畴成核引起的变化，并在存储器状态切换期间消除形状敏感性。
虽然参照特定实施例描述了本发明，不过本领域技术人员应该理解，在不偏离本发明精神或范围的条件下，可以进行多种变型。因此，本发明实施例的内容意在说明本发明的范围，而非限制。本发明的范围应当仅由所附权利要求所要求的范围限制。
例如，此处给出的大量细节，如材料组分，特定几何形状，配置或结构，以及制造步骤顺序是为了便于理解本发明，不用于限制本发明的范围。作为另一个例子，此处披露的概念可以应用于不同类型的磁存储器单元，如具有将固定层与自由层分隔开的至少一个导电层的磁存储器单元。作为另一个例子，数字线与位线的功能可以颠倒。作为另一个例子，图5和7中的层544可以用并非多态存储器层一部分的阻蚀层取代。另外，可添加各个阻蚀层和扩散势垒区。
此外，图1，2，3，4，5，6，7和8中的数字线170可以设置在磁存储器单元的下面，并且/或者图2，3，4，5，6，7和8中的多态存储器读出层250，550和650可以位于磁存储器单元上面。除了移动数字线和/或多态存储器读出层的位置以外或与之分别进行，固定层241，541和641以及介电层242，542和642可以位于多态存储器层之上。
描述了特定实施例的益处，优点和解决问题的方案。不过，这些益处，优点，解决问题的方案，以及可带来任何益处，优点或者解决问题，或者更突出地解决问题的任何部件或多个部件，不能理解为任何或所有权利要求的关键、所需或者必要特征或部件。正如此处所使用的，术语“包括”、“具有”或者其任何其他变形意在覆盖一种非排他性的包含物，如包括部件列表的过程，方法，物品或者装置并非仅包括这些部件，而且可包括没有列出或者该过程，方法，物品或装置固有的其他部件。
权利要求
1.一种磁电部件，包括用于产生第一磁场的第一电流线；磁存储器单元，该磁存储器单元包括多态存储器层，其具有靠近第一电流线，使得从多态存储器层发出的磁通量基本上被限制成围绕第一电流线的结构；以及第二电流线，用于产生第二磁场并且位置靠近多态存储器层的一部分。
2.如权利要求1所述的磁电部件，还包括多态存储器读出层，其位置靠近多态存储器层并与之电连接，在第一与第二电流线之间没有该多态存储器读出层，使得能够决定多态存储器层中磁状态的方向。
3.如权利要求2所述的磁电部件，其中该多态存储器读出层位于第一电流线的单边的附近。
4.如权利要求1所述的磁电部件，其中第二电流线包括铁磁包层。
5.如权利要求1所述的磁电部件，其中该第一电流线基本上没有铁磁包层。
6.如权利要求1所述的磁电部件，其中该多态存储器层连续地包围限定第一电流线。
7.如权利要求1所述的磁电部件，其中该多态存储器层在第一电流线周围是间断的。
8.如权利要求1所述的磁电部件，其中该多态存储器层位于第一电流线的两边的附近。
9.如权利要求8所述的磁电部件，其中第一电流线的两边彼此相对。
10.如权利要求8所述的磁电部件，其中第一电流线的两边之一面对第二电流线。
11.如权利要求8所述的磁电部件，其中多态存储器层位于第一电流线的三边的附近。
12.如权利要求11所述的磁电部件，其中第一电流线的所述三边之一面对第二电流线。
13.如权利要求1所述的磁电部件，其中该多态存储器层的长度是在围绕第一电流线的方向上测定的；该多态存储器层的宽度基本垂直于该多态存储器层的长度；并且该多态存储器层的宽度小于该多态存储器层的长度。
14.一种磁存储部件，包括用于产生第一磁场并且基本上彼此平行的第一电流线；横贯第一电流线而间隔设置成栅格图案的磁存储器单元，该磁存储器单元包括多态存储器层，其具有靠近第一电流线，使得从多态存储器层发出的磁通量基本被限制成围绕第一电流线的结构；用于产生第二磁场的第二电流线，其基本上彼此平行，基本上垂直于第一电流线，并且位于第一电流线和多态存储器层之上，且与第一电流线和多态存储器层邻近；以及位于第一电流线、第二电流线和磁存储器单元下面的多态存储器读出层，在第一与第二电流线之间没有多态存储器读出层。
15.一种制造磁存储部件的方法，包括形成多态存储器层，其具有靠近第一电流线，使得从多态存储器层发出的磁通量基本被限制成围绕第一电流线的结构；和形成靠近多态存储器层的第二电流线，其中该多态存储器层为磁存储器单元的一部分；该第一电流线用于产生用于多态存储器层的第一磁场；并且该第二电流线用于产生用于多态存储器层的第二磁场。
全文摘要
一种磁电部件，包括用于产生第一磁场的第一电流线(120，520，620，820)，磁存储器单元(140，540，640，740，840)，和用于产生第二磁场且基本平行于第一电流线的第二电流线(170，470)。该磁存储器单元包括具有靠近第一电流线，使得多态存储器层发出的磁通量基本被限制成围绕第一电流线的结构的多态存储器层。第二电流线靠近多态存储器层的一部分设置。
文档编号G11C11/56GK1606782SQ02825450
公开日2005年4月13日 申请日期2002年12月13日 优先权日2001年12月21日
发明者赫伯特·戈伦克因, 尼古拉斯·D·里佐, 布拉德利·N·恩戈尔 申请人:自由度半导体公司