专利名称：存取性能调整方法和存储装置的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及存取性能调整方法和存储装置，更具体地涉及用于调整对于记录介质的顺序存取性能和随机存取性能的存取性能调整方法，并涉及采用这种存取性能调整方法的存储装置。
背景技术：
在使用磁盘(该磁盘具有其上记录有数据的同心磁道)的磁盘装置中，执行顺序存取以顺序存取多个磁道。为了在执行顺序存取时高速进行数据传输，使用了所谓的“斜移(skew)”技术。斜移技术根据磁头从一个磁道移动到另一个磁道所花的时间(下文中称为磁头移动时间)转换各个磁道的数据写入起始位置。
例如，假设不使用斜移技术并且两个相邻的磁道的数据存取起始位置物理地沿相同的径向设置。在这种情况下，当完成对第一磁道的存取且磁头将向相邻的第二磁道移动时，磁头不能及时移动到第二磁道的数据存取起始位置，而需要等待磁盘旋转一周。换言之，产生了等待时间。但是当使用斜移技术时，沿圆周方向以与磁头移动时间相对应的量从第一磁道的数据存取起始位置转换到第二磁道的数据存取起始位置，以减少等待时间。当使用斜移技术时，通过减少由等待时间引起的数据存取延迟来提高存取性能。因此，当及时进行转换时，将斜移量设置为使得最小值等于两个相邻磁道之间的磁头移动时间。
另一方面，磁盘装置使用称为“缺陷磁道回避处理”的技术以避开存在于磁盘上的缺陷磁道。当在磁盘上检测到缺陷磁道时，该缺陷磁道回避处理通过在缺陷磁道的内周边侧准备并使用备用磁道来避开该缺陷磁道，以将磁盘装置中的磁道总数保持为常量。
磁盘装置的记录密度逐年上升，且已经提出根据磁头和磁盘的性能可变地设置记录密度(例如，位每英寸(BPI)或磁道每英寸(TPI))的系统。可以通过将BPI或TPI可变地设置为对于磁头和磁盘的每一个组合的最优值来提高磁盘装置的容量(yield)。然而，当采用这种系统时，磁道内的扇区数和柱面(cylinder)数对于磁头和磁盘的每一个组合和/或对每一个磁盘装置变得不同。BPI或TPI的可变设置不是由用户进行的，而是在装运该磁盘装置时进行的。
在具有可变设置的记录密度(例如，BPI和TPI)的磁盘装置中，数据传输速率对于每一个磁头和/或每一个磁盘装置变得不同。由此，即使在具有相同存储容量的磁盘装置中，存在的第一个问题是在磁盘装置之间顺序存取性能变得大为不同。
此外，当进行缺陷磁道回避处理时，所使用的磁道向磁盘的内周边侧移动。因此，如果在具有多个磁盘的磁盘装置中的特定磁盘上频繁地检测到缺陷磁道，则在该特定磁盘上的数据存储位置变得与磁盘装置中其他磁盘上的对应数据存取位置大为不同。结果，与其上未检测到缺陷磁道的磁盘相比，对于该特定磁盘的磁头寻道距离变得更长。因此，存在的第二个问题在于根据缺陷磁道的数量，磁盘装置内的各个磁盘之间对于任意磁道的随机存取性能变得大为不同，并且由于类似的原因而导致在具有相同存储容量的磁盘装置之间随机存取性能变得大为不同。
此外，在具有可变设置的记录密度(例如，BPI和TPI)的磁盘装置中，在避开一个磁道时的柱面宽度对于每一个磁头和/或每一个磁盘装置变得不同，并且在磁头之间柱面的物理位置方面的差异增大。因此，存在的第三个问题在于在磁盘装置之间随机存取性能变得大为不同，即使在具有相同存储容量的磁盘装置之间。
上述第一到第三个问题不仅存在于磁盘装置中，而且存在于具有各种记录介质的存储装置(例如，光盘装置和磁光盘装置)中。
发明内容
因此，本发明总的目的是提供一种新颖且有用的存取性能调整方法和存储装置，其中消除了上述问题。
本发明的另一个和更具体的目的是提供一种存取性能调整方法和存储装置，其可以解决上述第一到第三个问题中的至少一个，并且实现对于记录介质一致的存取性能。
本发明的另一目的是提供一种用于存储装置的存取性能调整方法，该存储装置具有预先存储用于根据磁头移动时间来转换记录介质的各个磁道的数据写入起始位置的斜移量的存储器，其中该磁头移动时间是在顺序存取记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的时间，该方法包括以下步骤(a)测量关于磁头和记录介质的组合的装置性能；(b)根据基准装置性能和所测量的装置性能，计算对于该组合的斜移调整量；以及(c)通过该斜移调整量调整从该存储器中读取的斜移量，并将该调整后的斜移量作为斜移量的更新值存储在该存储器中。根据本发明的存取性能调整方法，可以解决上述第一个问题。
本发明的另一目的是提供一种存取性能调整方法，该方法包括以下步骤根据对于磁头和记录介质的组合的实际数据传输速率和基准数据传输速率，计算对于磁头和记录介质的组合的斜移调整量；根据磁头移动时间，通过斜移调整量来调整斜移量，以更新用于转换各个磁道的数据写入起始位置的预先存储的斜移量，其中该磁头移动时间是在顺序存取记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的时间；以及使得在磁头之间和/或配备有记录介质的存储装置之间顺序存取性能一致。根据本发明的存取性能调整方法，可以解决上述第一个问题。
本发明的另一目的是提供一种用于存储装置的存取性能调整方法，该存储装置具有带有用于避开缺陷磁道的备用(auxiliary)磁道的记录介质，该方法包括以下步骤如果磁头的预定间隔的柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于记录介质上与备用磁道相对侧的磁头插入附加回避磁道来获得用于校正磁头的柱面位置之间的差异的附加回避信息；以及通过使用该附加回避信息，更新存储在一存储器中用于通过避开缺陷磁道来存取备用磁道的回避磁道信息。根据本发明的存取性能调整方法，可以解决上述第二和第三个问题。
本发明的另一目的是提供一种存取性能调整方法，该方法包括以下步骤制备具有用于避开缺陷磁道的备用磁道的至少一个记录介质；以及存储一个磁头对于缺陷磁道和备用磁道的数据写入起始位置之间的偏移量，作为所有磁头对于与缺陷磁道相对应的柱面的数据写入起始位置之间的偏移量，以使得在磁头之间随机存取性能一致。根据本发明的存取性能调整方法，可以解决上述第二和第三个问题。
本发明的另一目的是提供一种存储装置，其包括第一存储器，该第一存储器被构造用来预先存储斜移量，该斜移量用于根据磁头移动时间来转换记录介质的各个磁道的数据写入起始位置，该磁头移动时间是在顺序存取记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需要的时间；测量部分，该测量部分被构造用来测量关于磁头和记录介质的组合的装置性能；计算部分，该计算部分被构造用来根据基准装置性能和所测量的装置性能，计算对于该组合的斜移调整量；以及调整部分，该调整部分被构造用来通过该斜移调整量调整从第一存储器中读取的斜移量，并将调整后的斜移量作为斜移量的更新值存储在第一存储器中。根据本发明的存储装置，可以解决上述第一个问题。
本发明的另一目的是提供一种存储装置，其包括计算部分，该计算部分被构造用来根据对于磁头和记录介质的组合的实际数据传输速率和基准数据传输速率，来计算对于磁头和记录介质的组合的斜移调整量；以及更新部分，该更新部分被构造用来根据磁头移动时间，通过斜移调整量来调整斜移量，以更新用于转换各个磁道的数据写入起始位置的预先存储的斜移量，以使得在磁头之间和/或配备有记录介质的存储装置之间顺序存取性能一致，其中该磁头移动时间是在顺序存取记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一个磁道所需的时间。根据本发明的存储装置，可以解决上述第一个问题。
本发明的另一目的是提供一种存储装置，其包括具有用于避开缺陷磁道的备用磁道的至少一个记录介质；获取部分，该获取部分被构造用来执行下述操作，如果磁头的预定间隔的柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于记录介质上与备用磁道相对侧的磁头插入附加回避磁道来获得用于校正磁头的柱面位置之间的差异的附加回避信息；存储器，该存储器被构造用来存储用于通过避开缺陷磁道来存取备用磁道的回避磁道信息；以及更新部分，该更新部分被构造用来通过使用该附加回避信息，更新存储在存储器中的回避磁道信息。根据本发明的存储装置，可以解决上述第二和第三个问题。
本发明的另一目的是提供一种存储装置，其包括具有用于避开缺陷磁道的备用磁道的至少一个记录介质；以及存储器，该存储器被构造用来存储一个磁头对于缺陷磁道和备用磁道的数据写入起始位置之间的偏移量，作为所有磁头对于与缺陷磁道相对应的柱面的数据写入起始位置之间的偏移量，以使得在磁头之间随机存取性能一致。根据本发明的存储装置，可以解决上述第二和第三个问题。
当结合附图阅读时，本发明的其他目的和进一步的特征将由以下详细描述而明了。
图1是表示根据本发明的存储装置的第一实施例的一部分的系统方框图；图2是用于说明存储装置的第一实施例的操作的简图；图3是用于说明存储装置的第一实施例的操作的简图；图4是用于说明存储装置的第一实施例的操作的流程图；图5是用于说明顺序存取操作的流程图；图6是用于说明根据本发明的存储装置的第二实施例的操作的简图；图7是用于说明存储装置的第二实施例的操作的简图；图8是用于说明存储装置的第二实施例的操作的简图；以及图9是用于说明随机存取操作的流程图。
具体实施例方式
将参照附图给出根据本发明的存取性能调整方法以及根据本发明的存储装置的实施例的描述。
图1是表示根据本发明的存储装置的第一实施例的一部分的系统方框图。存储装置的该第一实施例采用根据本发明的存取性能调整方法的第一实施例。在本实施例中，将本发明应用于磁盘装置。
在图1中，磁盘装置包括主机单元1和通过总线3连接的磁盘驱动部分2。磁盘驱动部分2包括多个磁盘11、多个磁头12、执行器部分13、读/写(R/W)部分14、MPU 15和存储器16。主机单元1控制整个磁盘装置，而MPU 15控制磁盘驱动部分2内的元件。
执行器部分13具有用于控制各个磁头12对于相应磁盘11的位置的已知结构。R/W部分14具有用于处理所读取数据和提供写入数据的已知结构，该所读取数据是在读操作期间通过各个磁头12从磁盘11再生的，该写入数据在写操作期间通过各个磁头12记录在磁盘11上。将来自主机单元1的读命令通过总线3提供给MPU 15，并且在MPU 15的控制下将来自R/W部分14的所读取数据通过总线3提供给主机单元1。将来自主机单元1的写命令和写入数据通过总线3提供给磁盘驱动部分2。将写命令提供给MPU 15，并且将写入数据提供给R/W部分14，并在MPU 15的控制下通过磁头12将写入数据记录在磁盘11上。存储器16储存由MPU 15执行的程序和包括由MPU 15所进行的操作的中间数据在内的各种数据。存储器16还储存将在后面描述的斜移量表(第一实施例)、缺陷回避表等。
磁盘装置的基本结构不限于图1所示的结构，并且只要能够进行将在后面描述的顺序存取和随机存取，磁盘装置就可以具有任何合适的基本结构。
在本实施例中，根据关于磁头12和磁盘11的组合的装置性能(例如实际数据传输速率)和基准装置性能(例如基准数据传输速率)，通过计算获得对于磁头12和磁盘11的组合的斜移调整量。将取决于磁头移动时间的用于转换各个磁道的数据写入起始位置的斜移量预先存储在存储器16中，该磁头移动时间是进行顺序存取以顺序存取磁盘11的多个磁道时将磁头12从一个磁道移动到另一磁道所需的时间。将斜移量更新为使用斜移调整量调整后的值。由此，可以使得在磁头12之间和/或具有磁盘11的磁盘装置之间顺序存取性能一致。
图2和3是用于说明本实施例的操作的简图。图2示出了在具有基准装置性能的磁盘装置中磁头12与磁盘11的柱面的关系。图3示出了在作为存取性能调整对象的磁盘装置中磁头12与磁盘11的柱面(或磁道)的关系。为了方便起见，假设磁盘11以10025rpm的转速旋转，且具有基准装置性能的磁盘装置的磁道容量为512000字节每磁道(字节/磁道)。在图2和3中，“Cyl”表示柱面号(分配给柱面的编号)，而Hd0和Hd1表示分配给磁头12的磁头号。
在顺序存取的情况下，其中在图2中顺序进行通过磁头号Hd0对7个柱面Cyl10至Cyl16的存取以及通过磁头号Hd1对7个柱面Cyl0至Cyl6的存取，可以通过下面的公式(1)描述基准数据传输速率RDTR，其中ST1表示对于14个柱面(磁道)的斜移量的总计(总斜移量)。
RDTR＝[512000(字节/磁道)×14(磁道)]/[{60(秒)/10025(rpm)}×14(磁道)+ST1]---(1)由此，如果总斜移量ST1为0，则基准数据传输速率RDTR为85.55(兆字节/秒)。
在图3所示的情况下，磁盘11的转速为10025rpm，且作为存取性能调整对象的磁盘装置的磁道容量对于磁头号Hd0为512000(字节/磁道)，而对于磁头号Hd1为716800(字节/磁道)。换言之，与磁头号Hd0相比，将磁头号Hd1的BPI可变地设置为高1.5倍，而将磁头号Hd1的TPI可变地设置为低1.5倍。
在顺序存取的情况下，其中在图3中顺序进行通过磁头号Hd0对7个柱面Cyl10至Cyl16的存取以及通过磁头号Hd1对5个柱面Cyl0至Cyl4的存取，可以通过下面的公式(2)描述数据传输速率DTR，其中ST2表示对于12个柱面(磁道)的斜移量的总计(总斜移量)。
DTR＝[{512000(字节/磁道)×7(磁道)}+{716800(字节/磁道)×5(磁道)}]/[{60(秒)/10025(rpm)}×12(磁道)+ST2]---(2)由此，如果总斜移量ST2为0，则数据传输速率DTR为99.80(兆字节/秒)。
当磁盘装置的实际测量的装置性能小于或等于基准装置性能时，不调整斜移量。但是当实际测量的装置性能超过基准装置性能时，将调整量加入斜移量以调整斜移量。换言之，在本实施例中，如果数据传输速率DTR超过基准数据传输速率RDTR，则使用由下面的公式(3)获得的调整量ADJ调整并更新斜移量。在公式(3)中，DAT1表示基准装置性能下的数据存取时间，DAT2表示磁盘装置的实际测量的装置性能下的数据存取时间，CAP1表示基准装置性能下的容量，CAP2表示磁盘装置的实际测量的装置性能下的容量。
ADJ＝[(DAT1-DAT2)×CAP2]/CAP1---(3)因此，在图3所示的情况下，调整量ADJ为11.97(毫秒)+(ST1-ST2)，如果总斜移量ST1和ST2为0，则调整量ADJ为11.97(毫秒)。如果将公式(2)中的总斜移量ST1更新为ST1+ADJ，由于将ST1假定为0，则数据传输速率DTR变为85.55(兆字节/秒)，且数据传输速率DTR变得与基准数据传输速率RDTR相同。结果，在磁头12之间和/或具有磁盘11的磁盘装置之间顺序存取性能变得一致。
图4是用于说明本实施例的操作的流程图。当装运磁盘装置时通过图1所示的主机单元1执行图4所示的过程。
在图4中，步骤S1使用公式(2)测量作为存取性能调整对象的磁盘装置的数据传输速率DTR，其中磁头12与磁盘11的柱面的关系如图3所示。步骤S2从存储器16或主机单元1的存储器中读取基准数据传输速率RDTR，并且如果数据传输速率DTR超过基准数据传输速率RDTR，则使用公式(3)计算调整量ADJ。使用公式(1)计算基准数据传输速率RDTR，并预先存储在存储器16或主机单元1的存储器中。可以存储多种基准数据传输速率RDTR并读取要在作为存取性能调整对象的磁盘装置中用作为基准的基准数据传输速率RDTR。
步骤S3对于磁盘装置中的磁头12和磁盘11的所有组合判定是否执行步骤S1和S2。如果步骤S3中的判定结果为否，则过程返回到步骤S1。如果步骤S3中的判定结果为是，则步骤S4通过数据传输速率DTR(即装置性能)的调整，判定是否满足基准装置性能。如果步骤S4的判定结果为否，则过程进行到不直接涉及本发明主题的下一过程，例如，作出判定以确定是否使用磁盘装置作为满足另一基准装置性能的装置。另一方面，如果步骤S4中的判定结果为是，则步骤S5通过将调整量ADJ加入存储在存储器16中的斜移量表内的斜移量来调整斜移量，将斜移量表内的斜移量更新为调整后的斜移量，并结束过程。可以仅对其装置性能大于或等于预定装置性能的磁头12或者对磁头12和磁盘11的所有组合更新斜移量表内的斜移量。
图5是用于说明顺序存取操作的流程图。通过MPU 15响应于来自图1所示的主机单元1的写命令来执行图5所示的过程。
在图5中，步骤S11判定来自主机单元1的写命令是否为顺序存取命令。如果步骤S11中的判定结果为否，则过程进行到下一过程(例如，判定该写命令是否为随机存取命令)。另一方面，如果步骤S11中的判定结果为是，则步骤S12从存储在存储器16中的斜移量表中读取斜移量。如果已经通过上述存取性能调整对斜移量进行了更新，则从存储在存储器16中的斜移量表中读取已更新的斜移量。步骤S13根据从存储在存储器16中的斜移量表中读取的斜移量执行已知的控制，以根据顺序存取时磁头12从一个磁道移动到另一磁道所需的磁头移动时间来转换各个磁道的数据写入起始位置，并结束过程。
接下来，将给出对根据本发明的存储装置的第二实施例的描述。存储装置的该第二实施例采用根据本发明的存取性能调整方法的第二实施例。在本实施例中，将本发明应用于磁盘装置，并且该磁盘装置的基本结构与图1所示的第一实施例的基本结构相同。
在本实施例中，对磁盘装置进行存取性能调整，该磁盘装置使用具有为了避开缺陷磁道而制备的备用磁道的磁盘11。将一个磁头123对于缺陷磁道和备用磁道的数据写入起始位置的偏移量作为所有磁头12对于与缺陷磁道相对应的柱面的数据写入起始位置的偏移量进行存储。由此，可以使得在磁盘12之间存取备用磁道的随机存取性能一致，而与缺陷磁道的数量无关。即使在其中可变地设置记录密度(例如BPI和TPI)的磁盘装置的情况下，对于每一个磁头12和/或每一个磁盘装置，当避开1磁道时柱面的宽度变得相同。因此，磁头12之间在柱面的物理位置方面的差异将不会根据被避开的磁道的数量而增加，并且可以使得在具有相同存储容量的磁盘装置之间随机存取性能一致。
图6是用于说明本实施例的操作的简图。图6示出了在作为存取性能调整对象的磁盘装置中的磁头12与磁盘11的柱面(或磁道)的关系。在图6中，“Cyl”表示柱面号(分配给柱面的编号)，且Hd0和Hd1表示分配给磁头12的磁头号。此外，在图6中，向右的方向与磁盘11的内周边方向相对应，而向左的方向与磁盘11的外周边方向相对应。为了方便起见，假设对于每一个磁头号Hd0和Hd1，柱面数量为1000且备用磁道数量为500，并且TPI为常数。
当执行缺陷回避处理时，假设对于磁头号Hd0来说进行缺陷回避处理的柱面(或磁道)数量为0，而对于磁头号Hd1来说进行缺陷回避处理的柱面(或磁道)数量为100，如图6所示。在这种情况下，设置最大用户柱面号“999”的物理位置(或柱面号)对于磁头号Hd0来说为Cyl＝999而对于磁头号Hd1来说为Cyl＝1099。由此，在磁头号Hd0开始从柱面号Cyl＝999寻道且磁头号Hd1寻道到柱面号Cyl＝999的情况下，除了切换磁头12之外还必须寻道100个柱面。
图7是用于说明本实施例的操作的简图。图7示出了磁盘装置中磁头12与磁盘11的柱面(或磁道)的关系。在图7中，“Cyl”表示柱面号(分配给柱面的编号)，且Hd0和Hd1表示分配给磁头12的磁头号。此外，在图7中，向右的方向与磁盘11的内周边方向相对应，而向左的方向与磁盘11的外周边方向相对应。为了方便起见，假设对于磁头号Hd0柱面的数量为1000且备用磁道的数量为500，而对于磁头号Hd1柱面的数目为500且备用磁道的数量为375。换言之，TPI不是常数，且对于磁头号Hd1的柱面宽度是对于磁头号Hd0的柱面宽度的4/3倍。
当执行缺陷回避处理时，假设对于磁头号Hd0来说对100个柱面(或磁道)进行缺陷回避处理，而对于磁头号Hd1来说对100个柱面(或磁道)进行缺陷回避处理。在这种情况下，如果TPI不是常数，则当避开1柱面(或磁道)时的柱面宽度也变得不同。换言之，即使对于相同位置和/或相同数量的柱面(或磁道)进行缺陷回避处理，随着所回避的磁道数量增加，磁头12的相同柱面的各个物理位置之间的差异也会增大。
因此，在本实施例中，以预定的间隔确定磁头12(即磁头号Hd0和Hd1)的各个柱面位置。如果柱面位置之间的差异变得大于可容许值，则对于相对于其他磁头12位于磁盘11外周边侧的磁头12插入附加回避磁道，以获得用于校正磁头12的柱面位置之间的差异的附加回避信息。例如，在对每个柱面确定柱面位置并且磁头12的柱面位置之间的差异的可容许值为0的情况下，附加回避信息可以包括以下内容。
附加回避信息附加回避磁道号Hd0＝990到999Hd1＝0到4、8和9存储器16以缺陷回避表的形式预先存储以下磁道回避信息。
磁道回避信息回避磁道号Hd0＝0到9Hd1＝5到7、和990到999使用附加回避信息更新缺陷回避表内的磁道回避信息，并且磁道回避信息变为以下内容。
磁道回避信息回避磁道号Hd0＝0到9、和990到999Hd1＝0到4、5到7、8、9、和990到999因此，可以消除磁头12的柱面位置之间的差异，并使得在磁头12之间随机存取性能一致。还可以在计算柱面位置时通过考虑柱面宽度来处理柱面宽度根据磁头12而不同的磁盘装置。此外，磁盘11上的备用磁道包括用于缺陷回避的备用磁道和用于存取性能调整的备用磁道。
通过校正各个磁盘装置在磁头12的柱面位置之间的差异，可以使得在这些磁盘装置之间随机存取性能一致。
图8是用于说明本实施例的操作的流程图。在装运磁盘装置时通过图1所示的主机单元1执行图8所示的过程。
在图8中，步骤S21以预定的间隔确定一对磁头12的柱面位置。步骤S22判定该对磁头12的柱面位置之间的差异是否大于可容许值。如果步骤S22中的判定结果为否，则过程进行到将在后面描述的步骤S24。另一方面，如果步骤S22中的判定结果为是，则步骤S23对于相对于该对磁头中的另一磁头位于磁盘11的外周边侧的磁头12插入附加回避磁道，以获得并在存储器16中储存用于校正该对磁头12的柱面位置之间的差异的附加回避信息。步骤S24判定是否对磁盘装置内的所有对磁头12执行了步骤S21至S23，并且如果步骤S24中的判定结果为否，则过程返回到步骤S21。如果步骤S24中的判定结果为是，则步骤S25使用存储在存储器16中的附加回避信息更新存储在存储器16中的缺陷回避表内的回避磁道信息，并结束过程。
图9是用于说明随机存取操作的流程图。通过MPU 15响应于来自图1所示的主机单元1的写命令来执行图9所示的过程。
在图9中，步骤S31判定来自主机单元1的写命令是否为随机存取命令。如果步骤S31中的判定结果为否，则过程进行到下一过程(例如，判定该写命令是否为顺序存取命令)。另一方面，如果步骤S31中的判定结果为是，则步骤S32从存储在存储器16中的缺陷回避表中读取回避磁道信息。如果已经通过上述存取性能调整对回避磁道信息进行了更新，则从存储在存储器16中的缺陷回避表中读取已更新的回避磁道信息。步骤S33根据从存储在存储器16中的缺陷回避表中读取的回避磁道信息执行已知的控制，以避免在随机存取期间将磁头12移动到缺陷磁道，并结束过程。
此外，本发明不限于这些实施例，而是在不脱离本发明的范围的情况下，可以作出各种变化和改进。
权利要求
1.一种用于存储装置的存取性能调整方法，该存储装置具有存储器，该存储器用来预先存储用于根据磁头移动时间转换记录介质的各个磁道的数据写入起始位置的斜移量，该磁头移动时间是在顺序存取该记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的时间，该方法的特征在于包括以下步骤(a)测量关于所述磁头和所述记录介质的组合的装置性能；(b)根据基准装置性能和所测量的装置性能计算对于所述组合的斜移调整量；以及(c)通过所述斜移调整量调整从所述存储器中读取的所述斜移量，并将调整后的斜移量作为所述斜移量的更新值存储在所述存储器中。
2.如权利要求1所述的存取性能调整方法，其特征在于所述步骤(c)仅对于具有预定的装置性能或更大装置性能的磁头将所述调整后的斜移量作为所述斜移量存储在所述存储器中。
3.如权利要求1所述的存取性能调整方法，其特征在于所述步骤(a)计算对于所有磁头和所有记录介质的每一个组合的所述斜移调整量，并且所述步骤(c)将所述调整后的斜移量作为对于所有磁头的斜移量存储在所述存储器中。
4.如权利要求1至3中的任何一项所述的存取性能调整方法，其特征在于所测量的装置性能包括数据传输速率，并且所述基准装置性能包括基准数据传输速率。
5.如权利要求1至4中的任何一项所述的存取性能调整方法，其特征在于在至少一个记录介质上制备用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道，并且还包括以下步骤(d)如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道，来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息；以及(e)通过使用所述附加回避信息来更新存储在第二存储器中的回避磁道信息，该回避磁道信息用于通过避开所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道。
6.如权利要求1至5中的任何一项所述的存取性能调整方法，其特征在于对于所述磁头和所述记录介质的组合的记录密度根据磁头而不同。
7.一种存取性能调整方法，其特征在于包括以下步骤根据对于磁头和记录介质的组合的实际数据传输速率和基准数据传输速率，计算对于所述磁头和所述记录介质的所述组合的斜移调整量；根据在顺序存取所述记录介质的多个磁道的顺序存取期间所述磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的磁头移动时间，通过所述斜移调整量调整用于转换各个磁道的数据写入起始位置的预先存储的斜移量，来更新所述预先存储的斜移量；以及使得在多个磁头之间和/或配备有记录介质的多个存储装置之间顺序存取性能一致。
8.一种用于存储装置的存取性能调整方法，该存储装置具有带有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的记录介质，该方法的特征在于包括以下步骤如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道，来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息；以及通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的回避磁道信息，该磁道回避信息用于通过回避所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道。
9.一种存取性能调整方法，其特征在于包括以下步骤制备具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质；以及存储一个磁头对于所述多个缺陷磁道和所述多个备用磁道的多个数据写入起始位置之间的偏移量，将其作为所有磁头对于与所述多个缺陷磁道相对应的多个柱面的多个数据写入起始位置之间的偏移量，以使得在多个磁头之间随机存取性能一致。
10.一种存储装置，其特征在于第一存储器，该第一存储器被构造用来预先存储用于根据磁头移动时间转换记录介质的各个磁道的数据写入起始位置的斜移量，该磁头移动时间是在顺序存取所述记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的时间；测量部分，该测量部分被构造用来测量关于所述磁头和所述记录介质的组合的装置性能；计算部分，该计算部分被构造用来根据基准装置性能和所测量的装置性能计算对于所述组合的斜移调整量；以及调整部分，该调整部分被构造用来通过所述斜移调整量调整从所述第一存储器中读取的所述斜移量，并将调整后的斜移量作为所述斜移量的更新值存储在所述第一存储器中。
11.如权利要求10所述的存储装置，其特征在于所述调整部分仅对于具有预定的装置性能或更大装置性能的磁头将所述调整后的斜移量作为所述斜移量存储在所述第一存储器中。
12.如权利要求10所述的存储装置，其特征在于所述测量部分计算对于所有磁头和所有记录介质的每一个组合的所述斜移调整量，并且所述调整部分将所述调整过的斜移量作为对于所有磁头的斜移量存储在所述第一存储器中。
13.如权利要求10至12中的任何一项所述的存储装置，其特征在于所述测量的装置性能包括数据传输速率，并且所述基准装置性能包括基准数据传输速率。
14.如权利要求10至13中的任何一项所述的存储装置，其特征在于在至少一个记录介质上制备用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道，并且还包括被构造用来进行下述操作的部分，如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道，来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息；第二存储器，该第二存储器被构造用来存储用于通过避开所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道的回避磁道信息；以及更新部分，该更新部分被构造用来通过使用所述附加回避信息更新存储在所述第二存储器中的所述回避磁道信息。
15.如权利要求10至14中的任何一项所述的存储装置，其特征在于对于所述磁头和所述记录介质的组合的记录密度根据所述磁头而不同。
16.一种存储装置，其特征在于计算部分，该计算部分被构造用来根据对于磁头和记录介质的组合的实际数据传输速率和基准数据传输速率，计算对于所述磁头和所述记录介质的所述组合的斜移调整量；以及更新部分，该更新部分被构造用来根据在顺序存取所述记录介质的多个磁道的顺序存取期间所述磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的磁头移动时间，通过所述斜移调整量调整用于转换各个磁道的数据写入起始位置的预先存储的斜移量，来更新所述预先存储的斜移量，以使得在多个磁头之间和/或在配备有记录介质的多个存储装置之间顺序存取性能一致。
17.一种存储装置，其特征在于具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质；获取部分，该获取部分被构造用来执行下述操作，如果多个磁头的预定间隔的多个柱面位置之间的差异大于可容许值，则通过对于位于所述记录介质上与所述多个备用磁道相对侧的磁头插入多个附加回避磁道，来获得用于校正所述多个磁头的多个柱面位置之间的差异的附加回避信息；存储器，该存储器被构造用来存储通过避开所述多个缺陷磁道来存取所述备用磁道的回避磁道信息；以及更新部分，该更新部分被构造用来通过使用所述附加回避信息更新存储在存储器中的所述回避磁道信息。
18.一种存储装置，其特征在于具有用于避开多个缺陷磁道的多个备用磁道的至少一个记录介质；以及存储器，该存储器被构造用来存储一个磁头对于所述多个缺陷磁道和所述多个备用磁道的多个数据写入起始位置之间的偏移量，将其作为所有磁头对于与所述多个缺陷磁道相对应的多个柱面的多个数据写入起始位置之间的偏移量，以使得在多个磁头之间随机存取性能一致。
全文摘要
存取性能调整方法和存储装置。一种存取性能调整方法，适用于具有存储器的存储装置，该存储器用来预先存储用于根据磁头移动时间转换记录介质的各个磁道的数据写入起始位置的斜移量，该磁头移动时间是在顺序存取记录介质的多个磁道的顺序存取期间磁头从一个磁道移动到另一磁道所需的时间。该方法包括测量关于磁头和记录介质的组合的装置性能，根据基准装置性能和所测量的装置性能，计算对于该组合的斜移调整量，并通过该斜移调整量调整从该存储器中读取的斜移量并将该调整后的斜移量作为斜移量的更新值存储在该存储器中。
文档编号G11B20/20GK1661677SQ200410063600
公开日2005年8月31日 申请日期2004年7月13日 优先权日2004年2月26日
发明者山本道夫 申请人:富士通株式会社