专利名称：磁记录介质、生产磁记录介质的方法和磁存储装置的制作方法
技术领域：
本发明一般地涉及磁记录介质、生产磁记录介质的方法和磁存储装置，更具体地，涉及在纵向磁记录中使用的磁记录介质、生产这种磁记录介质的方法和使用这种磁存储装置的磁存储装置。
背景技术：
近来，在家庭使用的个人计算机和动态图像记录装置中使用的磁存储装置的存储容量已经相当大地增长了。例如，已经有存储容量超过100GB的主要用于动态图像记录的磁盘驱动器。可以预期，对进一步增加存储容量以及进一步降低磁盘驱动器成本的需要将持续增长。
现在，对于纵向磁记录(或者平面磁记录)中使用的磁盘驱动器，作出了积极的研究来增加记录密度，以便实现大存储容量。磁盘信噪比(SNR)和磁头灵敏度两者的改进已经使得平面记录密度超过100吉比特/平方英寸。
通过在衬底上相继形成衬层、磁性层和保护层来生产磁盘。为了改善磁盘的电磁转换特性，例如分辨率、非线性转变位移(NLTS)和SNR，存在一种技术，该技术使衬底表面在磁盘的圆周方向经受机械纹理化。通过提供机械纹理化，形成磁性层的CoCr合金的易磁化轴变得与圆周方向对准，从而改善了圆周方向上的磁取向比(OR)和矫顽磁力。这种技术可以获得高的记录密度，但是因为衬底表面经受了机械纹理化，所以被纹理化的衬底表面的形状被继承给了磁盘的表面形状。换句话说，由于衬底表面的机械纹理化，造成盘表面的表面粗糙度增大。在盘表面具有增大的表面粗糙度的情况中，难于通过减小磁头与盘表面之间的距离来改善磁盘的电磁转换特性，并且根据这种方法，存在增大记录密度方面的限制。
为了改善圆周方向上的磁性层的易磁化轴的方向性，日本专利申请早期公开No.8-7250提出了一种用斜向蒸发来沉积Cr衬层和磁性层的方法。另外，日本专利申请早期公开No.2002-203312和No.2002-260218提供了一种在衬底和衬层之间以一个倾斜度来溅射Cr衬层的方法。
但是，日本专利申请早期公开No.8-7250使用Cr作为以一个倾斜度被沉积的衬层，而日本专利申请早期公开No.2002-203312和No.2002-260218使用Cr合金、Ni合金和Co合金作为以一个倾斜度被溅射的种子层。在这些日本专利申请早期公开No.8-7250、No.2002-203312和No.2002-260218中并没有研究其他的材料。
此外，根据日本专利申请早期公开No.8-7250的斜向沉积，沉积原子的入射角由在圆周方向局部开口的掩膜限制，并且通过旋转衬底使得圆周方向的薄膜厚度均匀。根据日本专利申请早期公开No.2002-203312，溅射颗粒的入射角被在衬底中心附近开口或者在预定径向位置的环形中开口的掩膜限制。根据这样的沉积或者溅射，大部分的沉积或溅射颗粒将不会到达衬底表面，生产率低。此外，薄膜厚度分布变成这样的，即在日本专利申请早期公开No.8-7250的情况中，薄膜厚度在圆周方向上容易增大，在日本专利申请早期公开No.2002-203312的情况中，薄膜厚度在径向方向上容易增大。当出现这样的薄膜厚度分布时，方向性分布变成使得在磁性层的易磁化轴的方向出现偏离，并且在同一盘表面中，磁盘电磁转换特性的不一致性增大了，从而使得难于进一步增大记录密度。
发明内容
相应地，本发明的总体的目的是提供解决上述问题的新颖和有用的磁记录介质、生产磁记录介质的方法和存储装置。
本发明的另一和更具体的目的是提供一种磁记录介质、生产磁记录介质的方法和磁存储装置，它们可以改善磁性层的易磁化轴的方向性，即，在磁记录介质具有盘形形状时，改善磁性层的易磁化轴的圆周方向性，并改善磁记录介质的记录密度。
本发明的又一目的是提供一种磁记录介质，该磁记录介质包括具有衬底表面的衬底；被提供在所述衬底表面上的种子层；被提供在所述种子层上的衬层；和被提供在所述衬层上的记录层，其中，通过在记录方向上磁化所述记录层，信息被记录在所述记录层中，并且所述种子层由晶粒的多晶体形成，所述晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且所述晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，所述平面由所述记录方向和与所述衬底表面垂直的衬底法向形成。根据本发明的磁记录介质，可以改善磁性层的易磁化轴的方向性，并改善磁记录介质的记录密度。
本发明的又一个目的是提供一种生产磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有记录层，所述记录层在记录方向被磁化以在所述记录层中记录信息，所述方法包括以下步骤(a)在衬底表面上形成种子层；(b)在所述种子层上形成衬层；和(c)在所述衬层上形成所述记录层，其中，所述步骤(a)使用由具有B2晶体结构的合金材料构成并且面对所述衬底表面的靶，并且从被第一平面分割的两侧中的一侧，在相对于与所述衬底表面垂直的衬底法向倾斜的预定方向中，相对于所述衬底表面溅射所述靶的溅射粒子，所述第一平面由所述记录方向和所述衬底法向形成。根据本发明的生产磁记录介质的方法，可以改善磁性层的易磁化轴的方向性，并改善磁记录介质的记录密度。
本发明的又一个目的是提供一种磁存储装置，该磁存储装置包括至少一个磁记录介质；和用于向所述磁记录介质记录信息和/或从所述磁记录介质重现信息的头，其中，所述磁记录介质包括具有衬底表面的衬底、被提供在所述衬底表面上的种子层、被提供在所述种子层上的衬层和被提供在所述衬层上的记录层，通过在记录方向上磁化所述记录层，信息被记录在所述记录层中，并且，所述种子层由晶粒的多晶体形成，所述晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且所述晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，所述平面由所述记录方向和与所述衬底表面垂直的衬底法向形成。根据本发明的磁存储装置，可以改善磁性层的易磁化轴的方向性，并改善磁记录介质的记录密度。
当结合附图一起阅读时，从下面详细的说明中，本发明的其他目的和进一步的特征将变得清楚。
图1是示出了根据本发明的磁记录介质的实施例的横截面视图；图2是示意性地示出了磁记录介质的实施例中的晶粒的方向的示图；图3是示意性地示出了形成种子层的晶粒的晶格方向的示图；图4A到图4C是用于解释根据本发明的生产磁记录介质的方法的实施例的横截面视图；图5是一般地示出了溅射装置的重要部分的立体图；图6是示出了图5中所示的溅射装置的重要部分的横截面视图；图7是示出了实施例样本和对比样本的AlRu层的摇摆曲线的示图；图8是示出了实施例样本和对比样本的AlRu种子层的入射角与晶向倾角的关系的示图；图9是示出了实施例样本和对比样本的CoCrPt12B7Cu4第二磁性层的摇摆曲线的示图；图10是示出了根据实施例样本和对比样本的磁盘的磁特性的示图；图11A和图11B是示出了根据实施例样本和对比样本的磁盘的电磁转换特性的示图；图12是示出了根据实施例样本和对比样本的磁盘的磁特性的示图；图13A和图13B是示出了根据实施例样本和对比样本的磁盘的电磁转换特性的示图；图14是示出了根据本发明的磁存储装置的实施例的重要部分的平面图。
具体实施例方式
图1是示出了根据本发明的磁记录介质的实施例的横截面视图。图1中所示的磁记录介质10具有盘衬底11以及相继形成在盘衬底11上的种子层12、衬层13、第一磁性层14、非磁性耦合层15、第二磁性层16、保护层19和润滑层20。第一磁性层14、非磁性耦合层15和第二磁性层16形成了记录层18。记录层18具有交换耦合结构，其中第一和第二磁性层14和16经由非磁性耦合层15反铁磁地交换耦合。在没有在磁记录介质10上施加外部磁场的状态中，第一和第二磁性层14和16的取向在平面方向中的磁化强度互相反平行。
本实施例的特征在于种子层12。通过提供该种子层12，即使没有在盘衬底11和/或种子层12的表面上提供机械纹理化，形成记录层18的晶粒的易磁化轴也取向在盘衬底11的圆周方向中。结果，磁记录介质10(即，记录层18)的圆周矫顽磁力Hcc、方向性Hcc/Hcr和圆周矫顽磁力矩形比S*改善了，其中，Hcr代表径向矫顽磁力。
举例来说，盘衬底11由具有盘形的塑料衬底、玻璃衬底、镀NiP的Al合金衬底、Si衬底等构成。盘衬底11的表面可以被纹理化或者可以不被纹理化。例如，可以通过在圆周方向上，即形成在磁记录介质10上的磁道的纵向方向上，经受机械纹理化或者激光纹理化，来纹理化塑料衬底、玻璃衬底或镀NiP的Al合金衬底的表面。
种子层12由具有通过诸如AlRu、NiAl和FeAl之类的具有B2晶体结构的合金形成的晶粒的多晶体构成。种子层12通过后面将描述的斜向(或者倾斜)溅射形成。当种子层12通过倾斜溅射形成时，种子层12的晶粒与盘衬底11的衬底表面的法向斜向地生长。
图2是示意性地示出了磁记录介质的这个实施例中的晶粒方向的示图。在图2中，种子层12的晶粒斜向地形成，即，朝向盘衬底11的外周侧倾斜，其中，箭头OD指示盘衬底11的外周侧。种子层12的晶粒相对于与衬底表面垂直的衬底法向NOR的倾角θGRA被设置在一个范围内，该范围小于或等于后面将要描述的实施例样本的入射角的范围(从38.7度到小于90度)。通过法向溅射，即垂直溅射，形成相继形成在种子层12上的衬层13、第一磁性层14、非磁性耦合层15和第二磁性层16，使得晶粒与衬底表面相垂直地形成。因而，衬层13、第一磁性层14、非磁性耦合层15和第二磁性层16的晶粒13a、14a、15a和16a分别在衬底法向NOR方向上生长。
图3是示意性地示出了形成种子层12的晶粒的晶格方向的示图。在图3中，形成种子层12的晶格的格面12-1，例如(100)晶面，从衬底平面方向朝向盘衬底11的外周侧(方向OD)倾斜。格面12-1的倾角可以通过衬底法向NOR和[100]晶向所形成的角度θCRY描述，该角度θCRY将被称作晶向倾角。根据后面描述的实施例样本，当晶向倾角θCRY被设置在从2.1度到小于5.4度的范围中时，圆周方向中的晶粒方向性改善了，并且电磁转换特性改善了。
当种子层12的晶格以一个倾斜度形成时，形成在种子层12上的衬层13的晶格也以一个倾斜度形成，并且该倾斜度被继承给图1和图2中所示的第一磁性层14和第二磁性层16。关于形成第一和第二磁性层14和16的晶粒，本发明者已证实易磁化轴在径向方向上倾斜的晶粒使得易磁化轴从平面方向倾斜约2.7度。因此，通过倾斜溅射形成种子层12影响了第一和第二磁性层14和16的晶向。可以认为，通过种子层12的晶格倾斜度，也类似地引起一种现象，其中第一和第二磁性层14和16的易磁化轴在盘衬底11圆周方向上取向的概率增加，并且从而改善了在圆周方向中的第一和第二磁性层14和16的晶粒的方向性。或者，可以认为，由于衬层13的晶格朝向盘衬底11的外周侧倾斜，而衬层13的晶粒生长在衬底法向NOR的方向上，所以对在晶粒的颗粒界面处的晶格施加了压缩应力，以在圆周方向上膨胀晶格，从而使第一和第二磁性层14和16的c轴取向在圆周方向上。
种子层12的厚度被设置在5nm到30nm的范围内。从获得磁记录介质10的满意的电磁转换特性的角度，如果盘衬底11或者在种子层12之下任意提供的另一种子层的表面被机械纹理化了，则种子层12的厚度优选地被设置在5nm到15nm的范围内，如果没有对盘衬底11或者在种子层12之下任意提供的另一种子层的表面实施机械纹理化，则种子层12的厚度优选地被设置在5nm到25nm的范围内。
可以通过垂直溅射，直接在种子层12上形成由与种子层12所用的材料类似的材料构成的层。例如，该层使其晶粒在衬底法向NOR方向上生长，并具有在5nm到30nm范围内的厚度。通过继承提供在其下的种子层12的晶格倾斜度，该层的晶格被倾斜，并且可以获得类似于通过进行倾斜溅射而获得的效果，从而使得种子层12的厚度能够被减小。
举例来说，衬层13由Cr或者Cr-X合金构成，其中X＝Mo、M、V、B、Mo或其合金。如上所述，衬层13在种子层12上外延生长，并且(001)或(112)面取向在适合晶体生长的方向上。衬层13由叠层结构构成，该叠层结构包括多个由Cr或Cr-X合金构成的堆叠的层。通过对衬层13使用叠层结构，可以抑制衬层13的晶粒变大，并抑制第一和第二磁性层14和16的晶粒变大。
现在转到图1的描述，第一磁性层14具有0.5nm到20nm范围内的厚度，并例如由Co、Ni、Fe、Co合金、Ni合金、Fe合金等构成。CoCrTa和CoCrB是优选的，CoCrPt-M合金可以被用作形成第一磁性层14的Co合金，其中M＝B、Mo、Nb、Ta、W、Cu或其合金。第一磁性层14由叠层结构构成，该叠层结构包括多个由Co、Ni、Fe、Co合金、Ni合金、Fe合金等构成的堆叠的层。通过对第一磁性层14使用叠层结构，可以改善第二磁性层16的晶粒的方向性。
举例来说，非磁性耦合层15由Ru、Rh、Ir、Ru合金、Rh合金、Ir合金等构成。Rh和Ir具有fcc结构，而Ru具有hcp结构。Ru具有晶格常数a＝0.27nm，它接近被用于第一磁性层14和第二磁性层16的CoCrPt合金的晶格常数a＝0.25nm，因而，当对第一和第二磁性层14和16使用CoCrPt合金时，对非磁性耦合层15优选地使用Ru和Ru合金。Ru合金可以包括Co、Cr、Fe、Ni、Mn或其合金中的至少一种。
另外，非磁性耦合层15的厚度在0.4nm到1.5nm的范围内，优选地在0.6nm到0.9nm的范围内。在非磁性耦合层15是由Ru合金构成的情况中，依赖于Ru合金中的Ru含量，非磁性耦合层15的厚度可以在0.8nm到1.4nm的范围内。第一和第二磁性层14和16经由非磁性耦合层15交换耦合，并且通过将非磁性耦合层15的厚度设置在上述范围内，第一和第二磁性层14和16变为反铁磁地耦合。在没有向磁记录介质10施加外部磁场的状态中，第一和第二磁性层14和16的磁化强度变得互相反平行，如图1中的箭头所示。第一和第二磁性层14和16的交换耦合状态依赖于非磁性耦合层15的厚度，并且依赖于非磁性耦合层15的厚度，第一和第二磁性层14和16的磁化强度在互相反平行的状态和互相平行的状态之间互换。尤其优选的是将非磁性耦合层15的厚度设置为与第一反铁磁峰相匹配，其中第一和第二磁性层14和16的磁化强度变得互相反平行，且非磁性耦合层15的厚度是最薄的。
第二磁性层16具有5nm到20nm范围内的厚度，并由Co、Ni、Fe、Co合金、Ni合金、Fe合金等构成，类似于第一磁性层14的情况。优选的是，第一磁性层14的剩余磁化强度Mr1和厚度t1的乘积(即剩余磁化强度和厚度的积Mr1×t1)与第二磁性层16的剩余磁化强度Mr2和厚度t2的乘积(即剩余磁化强度和厚度的积Mr2×t2)满足关系(Mr1×t1)＜(Mr2×t2)。第二磁性层16具有与磁记录介质10的总剩余磁化强度相同的方向上的磁化强度，并且可以在第二磁性层16中与磁头的记录磁场的变换位置相对应的位置正确地写入信息。当然，剩余磁化强度和厚度的积Mr1×t1与剩余磁化强度和厚度的积Mr2×t2可能满足关系(Mr1×t1)＞(Mr2×t2)。随着第一和第二磁性层14和16的厚度减小，在记录时刻遇到的上述问题抑制了。
第一磁性层14和第二磁性层16可以具有不同的组成。例如，用于第二磁性层16的材料从比用于第一磁性层14的材料产生更大各向异性磁场的材料中选择。用于第二磁性层16的合金可以被添加Pt，而不对用于第一磁性层14的合金添加Pt，或者第二磁性层16的合金的pt含量(按原子百分比)可以大于第一磁性层14的。例如，当对第一和第二磁性层14和16使用CoCr合金时，只有第二磁性层16可以被添加了Pt。另一方面，当对第一和第二磁性层14和16使用CoCrPt合金时，可以对第一磁性层14使用CoCrPt8，对第二磁性层16使用CoCrPt12，其中Pt所附的数字代表原子百分比(at.％)。在本说明书中，其他元素的原子百分比(at.％)类似地表示。
所以，在记录层18中，第一和第二磁性层14和16经由非磁性耦合层15反铁磁地交换耦合。因而，记录层18的视体积变为基本上等于第一和第二磁性层14和16的体积和，其相比于由单层结构形成记录层的情况来说更大，从而改善了磁化强度(或写入的位)的热稳定性。
记录层18可以由具有多于两个磁性层的叠层结构形成。在这种情况中，叠层结构的磁性层交换耦合，并且至少两个磁性层反铁磁地交换耦合。
当然，记录层18可以由不使用交换耦合的单个磁性层形成，类似于传统磁记录介质的情况。
保护层19具有0.5nm到10nm范围内的厚度，优选地在0.5nm到5nm的范围内，并例如由类金刚石碳(DLC)、氮化碳、无定形碳等构成。
润滑层20由有机液体润滑剂构成，该润滑剂以全氟聚醚作为主链，-OH、苯基、苯环等作为末端功能团。更具体地说，可以对润滑层20使用厚度在0.5nm到3.0nm范围内的Monte Fluos生产的ZDol(末端功能团-OH)、Ausimonoto生产的AM3001(末端功能团苯环)、MonteFluos生产的Z25等。可以依赖于用于保护层19的材料来适当地选择润滑剂。依赖于所使用的保护层19的种类，润滑层20可能被省去。
可以在盘衬底11与种子层12之间提供另外的种子层(未示出)。该另外的种子层可以由诸如NiP、CoW和CrTi之类的非磁性材料构成。该另外的种子层的表面可以被纹理化，或者可以不被纹理化。当对该另外的种子层使用例如NiP的无定形材料时，优选的是该另外的种子层的表面被氧化。优选地被氧化的由NiP构成的该另外的种子层改善了第一和第二磁性层14和16的c轴平面方向性。当然，可以使用除了NiP之外的适当的材料来改善第一和第二磁性层14和16的c轴方向性。
可以在衬层13与第一磁性层14之间提供非磁性中间层(未示出)。非磁性中间层由具有hcp结构的非磁性合金构成，例如添加有M1元素或合金的CoCr合金，其中M1＝Pt、B、Mo、Nb、Ta、W、Cu或其合金，并且例如具有0.5nm到5nm的范围内的厚度。非磁性中间层通过继承衬层13的结晶度和晶粒大小而生长，并改善了在非磁性中间层上外延生长的第一和第二磁性层14和16的结晶度。另外，非磁性中间层减小了晶粒(磁性颗粒)大小分布中的颗粒大小偏差宽度，并改善了平面方向中的c轴的方向性。非磁性中间层可以由叠层结构形成，该叠层结构由多个层构成，这些层由上述非磁性合金构成，并且在这种情况中，可以进一步改善第一和第二磁性层14和16的晶体方向性。非磁性中间层的晶格常数可以被设置为与第一磁性层14或第二磁性层16的晶格常数的相差几个百分点，以便在非磁性中间层和第一磁性层14的表面或者在第一磁性层14内产生平面方向中的内部应力，以便增大第一磁性层14的矫顽磁力。
根据本实施例，种子层12由晶粒的多晶体形成，这些晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，该平面由记录方向和与衬底表面垂直的衬底法向NOR形成。B2晶体结构使合金AB的原子A和原子B交替地布置在bcc晶体结构的相邻原子位置上。换句话说，种子层12被沉积使得形成种子层12的晶格的[100]晶向相对于衬底法向NOR朝向盘衬底11的外周侧倾斜。因此，记录层18的在圆周方向上的晶向被改善了，从而改善了静态磁特性和电磁转换特性，并且作为结果，可以增大磁记录介质10的记录密度，实现高记录密度。
晶向包括与[100]晶向等同的
晶向和
晶向。当在本说明中考虑相对于衬底法向NOR的倾角时，假定[100]晶向代表相对于衬底法向NOR具有最小角度的晶向或[100]晶向。
另外，第二磁性层16的晶向可以被改善，而不用在衬底表面等上提供机械纹理化。由于这个原因，磁记录介质10的表面光洁度被改善，从而使得能够减小记录元件和/或重现元件与记录层18之间的间距，并且使用磁记录介质10的磁存储装置的记录密度可以被进一步提高。
接着将给出根据本发明的生产磁记录介质的方法的说明。
图4A到图4C是用于解释根据本发明的生产磁记录介质的方法的实施例的横截面视图。
在图4A所示的步骤中，盘衬底11的衬底表面被清洁和干燥之后，盘衬底11例如通过使用热解氮化硼(PBN)加热器，在真空环境中被加热到180℃。
另外，在图4A所示的步骤中，使用溅射装置，通过倾斜溅射，在盘衬底11的衬底表面上形成种子层12。举例来说，室的内部一次被排气至10-5Pa或更低的真空，并且Ar气体压力被设置到0.67Pa，功率被设置到2KW，使得通过放电时间为4秒的直流磁控管溅射将种子层12形成到10nm的厚度。以如下方式实施倾斜溅射，该倾斜溅射形成本发明的重要部分。
图5是一般地示出了溅射装置的重要部分的立体图。图5示出了溅射装置30的室(未示出)的内部。在溅射装置30中，由诸如AlRu合金之类的具有B2晶体结构的材料构成的圆形溅射靶31被布置，使得溅射靶31的溅射表面面对盘衬底11的衬底表面。磁体单元32被布置在溅射靶31的后部。旋转屏蔽部件33被布置在盘衬底11与溅射靶31之间。虽然没有在图5中示出，但是溅射装置30还包括用于对室内部排气的排气系统、用于将气体引入室内的气体引入系统以及用于向溅射靶31提供放电功率的电源。
溅射装置30沿着磁体单元32的磁力线，在溅射靶31的溅射表面附近俘获放电等离子体，包括电子和例如Ar离子的气体离子。Ar离子使得在溅射靶31的靶表面上的预定区域处的靶材料作为溅射粒子被溅射到盘衬底11的衬底表面上。溅射粒子从溅射靶31近似直线地朝向衬底表面运动，以形成种子层12。在溅射靶31的靶表面的产生溅射料子的预定区域中形成腐蚀区域31a。
旋转屏蔽部件33具有与盘衬底11、溅射靶31和磁体单元32同轴地提供的旋转轴33a。旋转屏蔽部件33还具有从旋转轴33a径向向外延伸的多个屏蔽板33b。屏蔽板33b的表面垂直于溅射靶31的靶表面。
屏蔽板33b围绕旋转轴33a以相等的间隔角布置。每个屏蔽板33b在径向方向上从旋转轴33a的中心到屏蔽板33b的外周边缘的长度近似大于或等于盘衬底11的半径。因此，在盘衬底11径向方向上的运动的溅射粒子比在盘衬底11的圆周方向上运动的粒子更容易到达盘衬底的衬底表面，以便抑制溅射粒子在偏离径向方向上运动而变成倾斜地沉积在衬底表面上。另外，屏蔽板33b的布置和尺寸也防止了溅射粒子穿过盘衬底11的中央部分而变成沉积在盘衬底11的反面表面上。从而，具有小的生长方向偏差的晶粒生长在盘衬底11的衬底表面上，以形成种子层12。
每个屏蔽板33b在径向方向上的长度可以小于盘衬底11的半径。在这种情况中，仍然可能防止溅射粒子穿过盘衬底11的中央部分而变成沉积在盘衬底11的反面表面上。
旋转屏蔽部件33的旋转轴33a被连接到提供在溅射靶31后部上的旋转驱动部件34(示出在图6中，将在后面描述)上，旋转屏蔽部件33通过旋转驱动部件34例如以60rpm的转速被转动。通过转动旋转屏蔽部件33，可以使种子层12的厚度均匀，并且溅射粒子将均匀地附着在屏蔽板33b上，使得屏蔽板33b的维护周期可以被延长。当然，旋转屏蔽部件33并非必须被转动。
图6是示出了图5中所示的溅射装置30的重要部分的横截面视图。图6是沿穿过中心轴Ax的平面截出的横截面视图，该中心轴Ax近似与图5中所示的盘衬底11、溅射靶31和磁体单元32的中心轴相符合。由于在中心轴Ax上方和下方的结构关于中心轴Ax对称，所以在图6中只示出上方的结构。
如图6所示，磁体单元32包括磁体基座32a和磁体部件32b。磁体部件32b由外部环形磁体35、内部环形磁体36和磁轭38构成。外部和内部环形磁体35和36由在图6中所示的箭头方向上磁化的永磁体构成。磁轭38由软磁材料构成。磁体部件32b的磁力线(下文中简单地称作MF线)从内部环形磁体36的N极延伸出，穿过溅射靶31，转向并再次穿过溅射靶31，返回外部环形磁体35的S极。沿着MF线被俘获的形成放电等离子体的Ar离子使得溅射粒子从溅射靶31的溅射表面被释放出，并使得在溅射表面上形成腐蚀区域31a。
外部和内部环形磁体35和36可以由电磁体形成。
在本实施例中，磁体部件32b被布置使得溅射靶31的腐蚀区域31a位于盘衬底11的外周侧的外侧上，以使得溅射粒子从外周侧向内周侧倾斜地朝向盘衬底11运动，即，使得溅射粒子变为以倾角θINC入射到衬底表面。溅射粒子相对于盘衬底11的倾角θINC优选地设置在38.7度到小于90度的范围内。通过将倾角θINC设置在这个范围内，在图3中所示的由衬底法向NOR与所形成的种子层12的[100]晶向形成的晶向倾角θCRY可以被设置在2.1度到小于5.4度的范围内。结果，如可从后面将描述的实施例样本中看到的，可以改善盘衬底11的圆周方向中的记录层18的晶向。
为了用上述溅射装置30的布置获得满意的溅射效率，倾角θinc优选地被设置在38.7度到80度或更小的范围内，更优选地设置在38.7度到75度或更小的范围内。此外，从进一步改善盘衬底11的圆周方向中的记录层18的晶向的角度，倾角θINC优选地设置在43.0度到75度或更小的范围内。晶向倾角θCRY的上限，即5.4度，基于的是以下事实，即，晶向倾角θCRY近似是后面将描述的第二和第三实施例样本的倾角θINC的6％。
倾角θINC被定义为在衬底法向NOR和假想入射线之间所形成的夹角，该假想入射线连接腐蚀区域31a的中心TERO与盘衬底11的衬底表面上的磁道区域中的沉积位置。磁道区域被定义为内(或者最内)周位置DIN与外(或最外)周位置DOUT之间的区域。腐蚀区域31a的中心TERO被定义为溅射开始之前溅射靶31的溅射表面与平分线35ac的交点，该平分线35ac是外部环形磁体35的中心线35c和内部环形磁体36的中心线36c之间的平分线。
因为在中心轴Ax附近提供了屏蔽板33b，所以在盘衬底11径向方向上运动以至于超过中心轴Ax上的溅射粒子将被屏蔽板33b阻挡。因此，这样的溅射粒子附着在屏蔽板33b上，并被防止超过中心轴Ax，到达盘衬底11。因此，在盘衬底11的衬底表面上形成的种子层12基本上是由在径向方向上朝向盘衬底11的外周侧倾斜的晶粒形成的，并且种子层12的晶粒方向近似是均匀的。因为这个原因，种子层12的结晶度改善了，并且种子层12的晶格倾斜度变得近似均匀，从而抑制了记录层18的局部不均匀平面晶向。
在图4B所示的步骤中，通过溅射，相继在种子层12上方形成由上述材料构成的衬层13、第一磁性层14、非磁性耦合层15和第二磁性层16。通过将Ar气体压力设置为0.67Pa，并通过直流磁控管溅射相继溅射层13到16，使得溅射粒子以近似与衬底表面垂直的入射角到达盘衬底11的衬底表面，来形成层13到16。在形成第一磁性层14或者非磁性耦合层15之前，可以再次加热盘衬底11。这种情况中，盘衬底11的加热温度被设置为270℃或更低，优选地在200℃到240℃的范围内。
接着，在图4C所示的步骤中，例如通过溅射、CVD、FCA等，在第二磁性层16上形成由DLC等构成的保护层19。在室中实施从图4A所示的衬底加热步骤到图4C所示的保护层形成步骤的步骤。优选地，在实施这些步骤中的每一个时，即使在传递期间，盘衬底11也不暴露给外界。
图4C中所示的步骤可以使用被氟溶剂等稀释的有机液体润滑剂，并且润滑层20可以例如通过牵引(pulling)、旋涂、液浸、蒸气喷射等形成到1.5nm的厚度。通过上述步骤，以这种方式产生磁记录介质10。
根据本方法的这个实施例，在形成种子层12的步骤中，溅射靶31的腐蚀区域31a位于盘衬底11的外周侧的外侧上，以使得溅射粒子以从外周侧到内周侧的倾斜度朝向盘衬底11运动，即，使得溅射粒子变为以相对于衬底法向NOR的倾角θINC入射到衬底表面。由于这个原因，可以抑制种子层12的晶粒的倾角变得不均匀，并且可以抑制种子层12的晶粒的[100]晶向变得不均匀。因此，盘衬底11的圆周方向上的记录层18的晶向被改善了，并且可以增大磁记录介质10的记录密度。
另外，根据本方法的这个实施例，在盘衬底11与溅射靶31之间提供了旋转屏蔽部件33。因此，可以防止溅射粒子穿过盘衬底11的中心部分和/或外周部分而变为沉积在盘衬底11的反面表面上。所以，可以防止种子层12的晶粒朝向盘衬底11的圆周方向或者内周侧倾斜，以进一步抑制种子层12的晶粒的倾角变得不均匀。因此，可以抑制种子层12的晶粒的[100]晶向变得不均匀，并且盘衬底11的圆周方向上的记录层18的晶向被改善了。
接着，将给出通过这个实施例产生的样本(下文中称为实施例样本)的描述。
直流磁控管溅射装置30被用于形成如磁记录介质10的具有如下结构的磁盘。
所形成的磁盘包括直径65mm的玻璃衬底11、厚度10nm的AlRu种子层12、厚度4.5nm的Cr衬层13、厚度2nm的Co90Cr10第一磁性层14、厚度0.7nm的Ru非磁性间隔层15、厚度15nm的CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16和厚度4.5nm的C保护层19。
在形成AlRu种子层12之前，玻璃衬底11通过PBN加热器在真空中被加热到180℃。在形成Ru非磁性间隔层15之前，玻璃衬底11被类似地加热到230℃。使用图5和图6中所示的溅射装置30，在从玻璃衬底11的盘中心半径为67.0mm的位置与半径为77.0mm的位置之间，在ALRu溅射靶31中形成腐蚀区域31a。腐蚀区域31a的中心位置位于从玻璃衬底11的盘中心半径为72.0mm的位置。从玻璃衬底11外周侧的溅射粒子的入射角θINC被设置为在图6所示的外(或最外)周位置DOUT处的盘中心入射角是46.4度(范围从42.8度到49.6度)，在图6所示的内(或最内)周位置DIN处的中心入射角是56.3度(范围从54.0度到58.4度)。外(或最外)和内(或最内)周位置DOUT和DIN分别位于从玻璃衬底11的中心半径为30mm和12mm处。AlRu种子层12在Ar气体中形成，其中Ar气体压力为0.67Pa。旋转屏蔽部件33的屏蔽板33b以沿玻璃衬底11圆周方向30度的间隔角提供，并且旋转屏蔽部件33以60rpm的速度旋转。
使用图5和图6中所示的溅射装置30，在从玻璃衬底11的盘中心半径为47.0mm的位置与半径为77.0mm的位置之间，在AlRu溅射靶31中形成腐蚀区域31a。腐蚀区域31a的中心位置位于从玻璃衬底11的盘中心半径为62.0mm的位置。从玻璃衬底11外周侧的溅射粒子的入射角θINC被设置为在图6所示的外(或最外)周位置DOUT处的中心入射角是38.7度(范围从23.0度到49.6度)，在图6所示的内(或最内)周位置DIN处的中心入射角是56.3度(范围从41.2度到58.4度)。在其他方面，第二实施例样本Emb-2在与上述第一实施例样本Emb-1相同的条件下形成。
使用图5和图6中所示的溅射装置30，在从玻璃衬底11的盘中心半径为47.0mm的位置与半径为57.0mm的位置之间，在AlRu溅射靶31中形成腐蚀区域31a。腐蚀区域31a的中心位置位于从玻璃衬底11的盘中心半径为52.0mm的位置。从玻璃衬底11外周侧的溅射粒子的入射角θINC被设置为在图6所示的外(或最外)周位置DOUT处的中心入射角是28.8度(范围从23.0度到34.0度)，在图6所示的内(或最内)周位置DIN处的中心入射角是45.0度(范围从41.2度到48.4度)。在其他方面，第三实施例样本Emb-3在与上述第一实施例样本Emb-1相同的条件下形成。
当通过垂直溅射形成AlRu种子层12时，AlRu溅射靶31的腐蚀区域31a被设置在近似面对玻璃衬底11的位置。从玻璃衬底11的外周侧的溅射粒子入射角θINC被设置为0。没有使用旋转屏蔽部件33。在其他方面，对比Cmp-1在与上述第一实施例样本Emb-1相同的条件下形成。
对第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2及第一对比样本Cmp-1，获得了AlRu种子层12的晶格的晶向倾角θCRY。
图7是示出了第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2及第一对比样本Cmp-1的AlRu种子层12的摇摆曲线的示图。图8是示出了第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2及第一对比样本Cmp-1的AlRu种子层12的入射角θINC与晶向倾角θCRY的关系的示图。
通过使用X射线衍射仪(Cu-Kα射线)，从磁盘(第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2及第一对比样本Cmp-1)外周侧到内周侧测量AlRu种子层12的(100)晶面(X射线衍射角(或衍射的角度)2θ＝29.7度)的摇摆曲线，得到图7和图8的结果，其中扫描角φ在磁盘的外周侧取负值，在内周侧取正值。在摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ取负值时的情况中，(100)晶面朝向磁盘的外周侧倾斜了扫描角φ，即，[100]晶向从衬底法向NOR朝向磁盘的外周侧倾斜了扫描角φ(晶向倾角θCRY)。当进行测量时，没有在磁盘上形成AlRu种子层12之上的层，即，Co衬层到保护层19，以降低摇摆曲线中的噪声，并且AlRu种子层12的厚度被设置为100nm。
如从图7和图8可以看到的，对于使用入射角θINC为0的垂直溅射的第一对比样本Cmp-1，摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ近似0.1度的时候。另一方面，对于使用入射角θINC为56.3度(在测量半径为12mm处)的倾斜溅射的第一实施例样本Emb-1，摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ为-3.6度的时候。此外，在测量半径为30mm处，对于第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2两者，AlRu种子层12的晶向倾角θCRY近似为溅射粒子入射角θINC的6％。因而，对于第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2两者，证实了AlRu种子层12的[100]晶向相对于衬底法向NOR朝向磁盘的外周侧倾斜，并且倾角θINC和晶向倾角θCRY近似地互相成比例。
图9是示出了第一实施例样本Emb-1和第一对比样本Cmp-1的CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的摇摆曲线。类似于获得图7中所示的结果，通过测量第一实施例样本Emb-1和第一对比样本Cmp-1的CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的晶粒的(110)晶面的摇摆曲线，得到图9的结果。在图9中，当摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ取负值时的时候，CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16(对于第一实施例样本Emb-1)的(110)晶面朝向磁盘外周侧倾斜了与扫描角φ相对应的一个角度。图9示出了对于X射线衍射角2θ＝73.55度，并且在30mm的测量半径进行测量的情况的结果。
如从图9可以看出的，对于第一对比样本Cmp-1，摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ近似为0的时候，并且CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的(110)晶面没有倾斜。另一方面，对于第一实施例样本Emb-1，摇摆曲线的峰值出现在扫描角φ为-2.7度的时候，并且CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的(110)晶面朝向磁盘的外周侧倾斜，其中CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的c轴或易磁化轴布置在磁盘径向方向上。对于第一实施例样本Emb-1，对于CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的摇摆曲线在该处具有峰值的-2.7度的扫描角φ与图7和图8中对于AlRu种子层12的摇摆曲线在该处具有峰值的-2.7度的扫描角φ相符合。换句话说，通过倾斜AlRu种子层12的(100)晶面，AlRu种子层12的(100)的倾斜度被继承给Cr衬层13、Co90Cr10第一磁性层14和Ru非磁性耦合层15，从而使CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的(110)晶面倾斜。通过以这种方式倾斜CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的(110)晶面，CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16的c轴或易磁化轴变为取向在磁盘的圆周方向中，并且证实了CoCrPt12B7Cu4第二磁性层16在圆周方向上的晶向被改善了。
图10是示出了根据第一到第三实施例样本Emb-1到Emb-3和第一对比样本Cmp-1的磁盘的磁特性的示图。使用震动样本型磁强计，通过在磁盘的圆周方向和径向方向上施加磁场，并测量相应的磁滞回线，获得圆周矫顽磁力Hcc、方向性Hcc/Hcr和圆周矫顽磁力矩形比S*，来获得第二磁性层16的磁特性，其中Hcr代表径向矫顽磁力。当方向性Hcc/Hcr＝1.00时，第二磁性层16的易磁化轴(或c轴)各向同性地取向在平面中。从图10中可以看出，方向性Hcc/Hcr越大则越提高圆周方向的易磁化轴的方向性。从图10中还可以看出，圆周矫顽磁力矩形比S*越大则越提高提高圆周方向的易磁化轴的方向性。
在图10中，第一对比样本Cmp-1的方向性Hcc/Hcr为1.00，这意味着第二磁性层16的晶粒各向同性地取向。另一方面，第一实施例样本Emb-1的方向性Hcc/Hcr在12mm的测量半径处为1.04，在30mm的测量半径处为1.03，这意味着第二磁性层16的圆周方向的易磁化轴的方向性被提高了。相比于第一对比样本Cmp-1，第一实施例样本Emb-1的圆周矫顽磁力矩形比S*也被改善了，并且还可以从圆周矫顽磁力矩形比S*看出，第一实施例样本Emb-1的第二磁性层16的圆周方向的易磁化轴的方向性被提高了。
第三实施例样本Emb-3使用了倾斜溅射，其入射角θINC在测量半径12mm处是45.0度，在测量半径30mm处是28.8度。在其他方面，第三实施例样本Emb-3在与第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2相同的条件下形成。
当第一实施例样本Emb-1的方向性Hcc/Hcr超过1.00，即大于或等于1.01时，电磁转换特性改善了。从第一到第三实施例样本Emb-1到Emb-3的倾角θINC与方向性Hcc/Hcr的关系可以看出，当倾角θINC是38.7度(对于第二实施例样本Emb-2在测量半径30mm处)时，方向性Hcc/Hcr变为1.01，倾角θINC优选地被设置为38.7度或更大。本发明已经通过研究证实，当方向性Hcc/Hcr是1.02或更大时，电磁转换特性被极大地改善。由于当方向性Hcc/Hcr变为1.02时倾角θINC是43.0度(对于第一实施例样本Emb-1在测量半径30mm处)，所以倾角θINC更优选地被设置为43.0度或者更大。此外，从图8所示的AlRu种子层12的晶向倾角θCRY与倾角θINC的关系可以看出，当倾角θINC是38.7度时，所形成的AlRu种子层12的晶向倾角θCRY是2.1度。因此，可以看出，晶向倾角θCRY优选地被设置为2.1度或者更大，并且更优选地被设置为2.7度(对于倾角θINC是43.0度的情况中的晶向倾角θCRY)或者更大。
图11A和图11B是示出了根据第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2以及第一对比样本Cmp-1的磁盘的电磁转换特性的示图。使用含有感应记录元件和巨磁阻(GMR)重现元件的复合磁头，测量孤立波形(isolatedwave)输出、分辨率和SNR，获得图11A和图11B中所示的电磁转换特性。孤立波形输出(μVp-p)表示在104kFCI的线性记录密度平均的输出。从(在104kFCI的平均输出)/(在414kFCI的平均输出)×100，获得分辨率(％)，基于在414kFCI的平均输出S(μVp-p)和介质噪声N(μVrms)，从20×log(S/N)获得SNR(dB)。
从图11A可以看出，与第一对比样本Cmp-1相比，第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2在测量半径30mm处的分辨率和SNR被改善了。如上述图10所示，第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2的方向性Hcc/Hcr相比于第一对比样本Cmp-1被改善了。因此，可以看出，被改善的方向性Hcc/Hcr改善了第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2的分辨率和SNR。此外，当第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2相比较时，可以看出，具有比第二实施例样本Emb-2更大的方向性Hcc/Hcr的第一实施例样本Emb-1具有比第二实施例样本Emb-2更高的分辨率和SNR。因此，证实了倾角θINC越大，即晶向倾角θCRY越大，则分辨率和SNR改善得越多。
类似地，还可以从图11B看出，第一和第二实施例样本Emb-1和Emb-2在测量半径16mm处的分辨率和SNR相比于第一对比样本Cmp-1被改善了。
接着，将给出对第四到第六实施例样本Emb-4到Emb-6以及对比样本Cmp-2的描述，它们具有玻璃衬底11，该玻璃衬底11具有被机械纹理化的表面。
第四实施例样本Emb-4除了使用抛光和清洁装置，使玻璃衬底11的衬底表面经受机械纹理化，使得在磁盘的圆周方向上提供平均表面粗糙度Ra为0.3nm的纹理化之外，与上述第一实施例样本Emb-1类似地形成。
第五实施例样本Emb-5除了与第四实施例样本Emb-4相类似地使玻璃衬底11的表面经受机械纹理化之外，与上述第二实施例样本Emb-2类似地形成。
第六实施例样本Emb-6除了与第四实施例样本Emb-4相类似地使玻璃衬底11的表面经受机械纹理化之外，与上述第三实施例样本Emb-3类似地形成。
第二对比样本Cmp-2除了与第四实施例样本Emb-4相类似地使玻璃衬底11的表面经受机械纹理化之外，与上述第一对比样本Cmp-1类似地形成。
图12是示出了根据第四到第六实施例样本Emb-4到Emb-6以及第二对比样本Cmp-2的磁盘的磁特性的示图。与图10中所示的磁特性的情况相类似测量图12中所示的磁特性。
在图12中，第二对比样本Cmp-2的方向性Hcc/Hcr是1.08，高于第一对比样本Cmp-1的1.00。与第一对比样本Cmp-1相比，第二对比样本Cmp-2的被改善的方向性Hcc/Hcr是由于在衬底表面提供了机械纹理化而引起的。另一方面，第四实施例样本Emb-4的方向性Hcc/Hcr在测量半径12mm处是1.11，在测量半径30mm处是1.10，这意味着，第二磁性层16的在圆周方向上的易磁化轴的方向性被提高了。换句话说，除了由倾斜溅射形成的AlRu种子层之外，第二磁性层16的圆周方向上的易磁化轴的方向性通过被机械纹理化的衬底表面而被进一步提高了。当与第二对比样本Cmp-2相比较时，第四实施例样本Emb-4的圆周矫顽磁力矩形比S*也被改善了，并且从圆周矫顽磁力矩形比S*还可以看出，第四实施例样本Emb-4的第二磁性层16的圆周方向上的易磁化轴的方向性被提高了。
当第二对比样本Cmp-2的方向性Hcc/Hcr超过1.08，即大于或等于1.09时，电磁转换特性被改善了。从第四到第六实施例样本Emb-4到Emb-6的倾角θINC与方向性Hcc/Hcr的关系可以看出，当倾角θINC是38.7度(对于第五实施例样本Emb-5在测量半径30mm处)时，方向性Hcc/Hcr变为1.09，倾角θINC优选地被设置为38.7度或者更大。本发明者已经通过研究证实，尤其当方向性Hcc/Hcr是1.10或更大时，电磁转换特性被极大地改善。由于当方向性Hcc/Hcr变为1.10或更大时，倾角θINC是43.0度(对于第四实施例样本Emb-4在测量半径30mm处)，所以倾角θINC更优选地被设置为43.0度或者更大。
图13A和图13B是示出了根据第四到第六实施例样本Emb-4到Emb-6以及第二对比样本Cmp-2的磁盘的电磁转换特性的示图。与图11A和图11B中所示的电磁转换特性的情况相类似获得图13A和图13B中所示的电磁转换特性。
从图13A可以看出，与第二对比样本Cmp-2相比，第四和第五实施例样本Emb-4和Emb-5在测量半径30mm处的分辨率和SNR被改善了。如上述图12中所示，与第二对比样本Cmp-2相比，第四和第五实施例样本Emb-4和Emb-5的方向性Hcc/Hcr被改善了。因此，可以看出，被改善的方向性Hcc/Hcr改善了第四和第五实施例样本Emb-4和Emb-5的分辨率和SNR。此外，当第四和第五实施例样本Emb-4和Emb-5相比较时，可以看出，具有比第五实施例样本Emb-5更大的方向性Hcc/Hcr的第四实施例样本Emb-4具有比第五实施例样本Emb-5更高的分辨率和SNR。因此，证实了倾角θINC越大，即晶向倾角θCRY越大，则分辨率和SNR改善得越多。
类似地，还可以从图13B看出，第四和第五实施例样本Emb-4和Emb-5在测量半径16mm处的分辨率和SNR相比于第二对比样本Cmp-2被改善了。
图14是示出了根据本发明的磁存储装置的实施例的重要部分的平面图。
如图14所示，磁存储装置60一般包括有壳体61。在壳体61中提供有轮轴62、多个磁记录介质63、致动器单元64、多个臂65、多个悬架66以及多个记录和重现头(复合头)68。磁记录介质63被安装在轮轴62上，该轮轴62被电动机(未示出)旋转。记录和重现头68由重现头和记录头构成。例如，磁阻(MR)元件、巨磁阻(GMR)元件、诸如平面电流(CIP)元件和垂直平面电流(CPP)元件之类的隧道磁阻(TMR)元件等可以被用作重现头。另一方面，例如薄膜头的感应头可以被用作记录头。每个记录和重现头68经由悬架66被安装在相应臂65的末端。臂65通过致动器单元64被移动。该磁存储装置的基本结构是公知的，在本说明书中将省略对其的详细描述。
磁存储装置60的特征在于磁记录介质63。磁记录介质63中的每个都具有上面结合图1到图13B所描述的磁记录介质的实施例的叠层结构。换句话说，磁记录介质63的每个可以具有例如图1中所示的磁记录介质10的结构。当然，磁记录介质63的数量并不受限制，可以提供一个或多个磁记录介质63。在磁记录介质63具有如图14所示的盘形形状的情况中，记录层18的圆周方向中的晶向以及电磁转换特性被改善了，并且通过磁记录介质63，可以实现高记录密度。
磁存储装置的基本结构并不限于图14中所示出的。此外，本发明中所使用的磁记录介质63并不限于磁盘。例如，磁记录介质63可以是磁带。当使用磁带作为磁记录介质63的时候，可以在诸如PET、PEN和聚酰胺薄膜之类的带状塑料薄膜上形成种子层。在这种情况中，通过从带的两侧(沿着带宽度的两侧上的带的两个边缘)中的一个，以从带表面的法向倾斜预定角度的一个角度，溅射种子层的粒子，可以在带状薄膜的纵向长度上改善记录层的晶向。
此外，本发明并不限于这些实施例，不脱离本发明的范围，可以作出各种变化和修改。
权利要求
1.一种磁记录介质，包括具有衬底表面的衬底；被提供在所述衬底表面上的种子层；被提供在所述种子层上的衬层；和被提供在所述衬层上的记录层，其中，通过在记录方向上磁化所述记录层，信息被记录在所述记录层中，其特征在于，所述种子层由晶粒的多晶体形成，所述晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且所述晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，所述平面由所述记录方向和与所述衬底表面垂直的衬底法向形成。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述衬底具有盘形形状，并且所述晶粒的所述[100]晶向向所述盘形形状的外周侧倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，由所述晶粒的所述[100]晶向与所述衬底法向形成的角度在2.1度到小于5.4度的范围内。
4.根据权利要求1到3中的任何一个所述的磁记录介质，其特征在于，所述合金材料是从由AlRu合金、NiAl合金和FeAl合金组成的组中选择的。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质，其特征在于，所述AlRu合金具有原子百分比45％到55％的范围内的Ru含量。
6.根据权利要求1到5中的任何一个所述的磁记录介质，其特征在于，所述衬层由Cr或Cr-X合金构成，其中X是从由Mo、W、V、B、Mo和其合金组成的组中选择的。
7.根据权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于，所述衬底由玻璃构成，并且所述衬底表面被机械纹理化。
8.根据权利要求1到7中的任何一个所述的磁记录介质，其特征在于所述记录层包括在所述衬层上的相继堆叠的第一磁性层、非磁性间隔层和第二磁性层，以及所述第一和第二磁性层经由所述非磁性间隔层反铁磁地交换耦合。
9.一种生产磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有记录层，所述记录层在记录方向被磁化以在所述记录层中记录信息，所述方法包括以下步骤(a)在衬底表面上形成种子层；(b)在所述种子层上形成衬层；和(c)在所述衬层上形成所述记录层，其特征在于，所述步骤(a)使用由具有B2晶体结构的合金材料构成并且面对所述衬底表面的靶，并且从被第一平面分割的两侧中的一侧，在相对于与所述衬底表面垂直的衬底法向倾斜的预定方向中，相对于所述衬底表面溅射所述靶的溅射粒子，所述第一平面由所述记录方向和所述衬底法向形成。
10.根据权利要求9所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(a)在近似与所述第一平面垂直的第二平面中的所述预定方向上，相对于所述衬底表面溅射所述溅射粒子。
11.根据权利要求9所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(a)中，在所述衬底法向与将所述靶的腐蚀区域的中心与所述衬底表面上的所述溅射粒子的沉积位置相连的假想入射线之间所形成的倾角在38.7度到小于90度的范围内。
12.根据权利要求9到11中的任何一个所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(a)使用盘形衬底，并且相对于所述第一平面，从所述盘形衬底的外周侧溅射所述溅射粒子。
13.根据权利要求12所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于还包括以下步骤(d)当实施所述步骤(a)时，防止相对于所述衬底表面被溅射的所述溅射粒子到达所述衬底的与所述衬底表面相反的表面。
14.根据权利要求13所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(d)使用屏蔽部件，所述屏蔽部件面对所述衬底表面，并且具有轴和多个屏蔽板，所述轴与所述盘形衬底的中心同轴地布置，所述多个屏蔽板从所述轴径向地延伸并且以相等的间隔角布置。
15.根据权利要求14所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(d)围绕所述轴旋转所述屏蔽部件。
16.根据权利要求9到15中的任何一个所述的生产磁记录介质的方法，其特征在于，所述步骤(b)和(c)在近似与所述衬底表面垂直的方向上，分别相对于所述种子层和所述衬层溅射溅射粒子。
17.一种磁存储装置，包括至少一个磁记录介质；和用于向所述磁记录介质记录信息和/或从所述磁记录介质重现信息的头，其中，所述磁记录介质包括具有衬底表面的衬底、被提供在所述衬底表面上的种子层、被提供在所述种子层上的衬层和被提供在所述衬层上的记录层，通过在记录方向上磁化所述记录层，信息被记录在所述记录层中，其特征在于，所述种子层由晶粒的多晶体形成，所述晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且所述晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，所述平面由所述记录方向和与所述衬底表面垂直的衬底法向形成。
18.根据权利要求17所述的磁存储装置，其特征在于，所述磁记录介质具有盘形形状。
全文摘要
本发明公开了一种磁记录介质、生产磁记录介质的方法和磁存储装置。磁记录介质具有提供在衬底表面上的种子层、提供在种子层上的衬层以及提供在衬层上的记录层。通过在记录方向上磁化记录层，信息被记录在记录层中。种子层由晶粒的多晶体形成，晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，该平面由记录方向和与衬底表面垂直的衬底法向形成。
文档编号G11B5/66GK1713275SQ200410096139
公开日2005年12月28日 申请日期2004年11月26日 优先权日2004年6月14日
发明者佐藤贤治 申请人:富士通株式会社