专利名称：磁盘及其制造方法和磁记录装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁盘及其制造方法和磁记录装置，且具体涉及一种通过向一基底施加偏压来形成磁性层等的磁盘制造方法。
背景技术：
近年来，由于磁记录装置已经逐渐用于记录高清晰度数字静态图像和动态图像，对较大容量和较高记录密度的需求也随之增长。磁记录装置，尤其是磁盘装置由于小且轻以及具有高存取性能因此经常用在家用音频/视频记录装置和移动终端中。
由于这种情况，为了提高记录密度，正在进行用于减小用在磁盘装置中的磁盘的磁性层的厚度和增加其矫顽力的开发。但是，如果增加了记录密度，则使磁性层退磁的去磁域被加强。因此，必须具有高的矫顽力以抑制该去磁域。由于磁性层的厚度越厚则产生的去磁域越大，因此还必须减小磁性层的厚度。
在其中磁盘装置用在移动终端中的情况下，磁盘装置通常会受到振动和冲击。磁盘的基底通常由铝合金形成。但是，如果在记录/再生操作中发生冲击和磁头撞击磁盘的表面，则铝合金基底容易产生凹痕或损坏。为此，用具有更高弹性的玻璃基底代替铝合金基底。
通过溅射工艺或等离子体CVD(Chemical Vapor Depostion，化学气相沉积)工艺来制成构成磁盘的层。当通过溅射工艺制成磁性层时，利用一基底支架来支撑基底使其直立，从而允许在该基底的两侧上形成所述层(参见，例如参考文献1日本专利特开平公布No.7-243037和参考文献2日本专利特开平公布No.9-7174)。所述基底在其外边缘的端面处由基底支架的爪状支撑件保持。在这个状态中，Ar离子或类似物击打在真空处理腔中的靶物。然后，溅射的金属微粒沉积在形成于非磁性基底上的底层上。由于金属微粒在这个过程中带正电，因此对非磁性基底施加负偏压以使金属微粒加速。公知的是，可以通过金属微粒的这种加速来提高磁性层的矫顽力。
参照参考文献1，通过基底支架的爪状支撑件施加偏压。为了确保支撑件与形成在绝缘基底上的底层之间的接触，设置有一变换机构，该机构使基底转动从而在形成磁性层之前改变支撑件接触端面的位置。
参考文献2公开了如图1所示的基底支架100，其中由支撑件103来保持基底101，且通过与基底101下侧的端面接触的偏压施加端子104来施加偏压。
根据参考文献1，因为通过变换机构来实现基底在真空处理腔中的转动，所以必须具有其中安装有变换机构的附加真空处理腔。真空处理腔的费用(几十万美元)影响了制造成本。如果没有可用于变换机构用的真空处理腔的空间，且因此变换机构安装在设定用于形成一层的已有的真空处理腔中，则减少了将要形成的层的数量。结果，限制了磁盘的设计。另外，由于需要去除、转动和保持基底的操作，因此基底可能被不正确地保持或意外掉落。
根据参考文献2，如图1所示，偏压施加端子104通过横梁105向上移动，以使接触部分104a与基底101的下侧接触，且在该状态下施加偏压。由于仅通过接触部分104a来施加偏压，因此偏压在具有薄底层的磁盘内可能被不均匀地传送。这使得矫顽力在磁盘内分布不均匀。
发明内容
本发明的总体目的是提供一种解决了上述至少一个问题的磁盘及其制造方法和磁记录装置。本发明的特定目的是提供一种高记录密度磁盘及其制造方法和磁记录装置，对该磁盘施加偏压而不会使基底重新定位，并且矫顽力均匀地分布在该磁盘上。
根据本发明的一个方面，提供一种磁盘制造方法，其包括第一步骤，在由多个基底支撑件支撑的绝缘基底的表面上形成导电层，该基底支撑件由导电材料制成并连接至导电基底支架；和第二步骤，通过溅射工艺在导电层上形成记录层，同时对该导电层施加负偏压。在第二步骤中，使一可移动电极与被保持支撑的绝缘基底的端面上的导电层接触，且在通过所述可移动电极和基底支撑件对该导电层施加偏压的同时形成所述记录层。
在该磁盘制造方法中，在第一步骤中，在绝缘基底上形成有导电层，该绝缘基底被由导电材料制成的多个基底支撑件支撑。在第二步骤中，在所述绝缘基底按照原状被保持支撑时，使一可移动电极与绝缘基底的端面接触。通过溅射工艺形成记录层，同时对所述导电层施加负偏压。所述导电层形成在绝缘基底的端面上，从而在可移动电极与导电层之间的电传导良好。此外，形成所述导电层以跨接在所述绝缘基底和支撑件之间的接触部分的一部分。因此，支撑件和导电层电连接。因此，所述偏压通过所述可移动电极和多个支撑件被均匀地供给所述导电层。利用以这种方式供给的偏压，所述记录层可以被形成得使矫顽力均匀分布。结果，可以增加磁盘的记录密度。另外，由于从多个点来供给所述偏压，因此可以使异常放电的发生及由异常放电的发生而引起的故障最小化。这有助于提高产量。
与上述现有技术不同，不需要改变基底支架用于使基底在形成记录层之前转动。因此，可以节省用于实施这些操作的设施的费用。因此，降低了制造成本。
可移动电极可以包括电极体、设置在电极体的前端上的接触端子和电极弹簧。同样，在第一步骤中，所述接触端子可以通过电极弹簧的偏压力而保持不与所述端面接触，且在第二步骤中，所述可移动电极可以沿与电极弹簧的偏压力的方向相反的方向被按压，使得所述接触端子被保持得与所述端面上的导电层接触。通过这种结构，记录层的矫顽力被进一步均匀分布。在不供给偏压时，这个简单的结构通过可移动电极的电极弹簧的偏压力能使所述电极不与基底的端面接触。
所述可移动电极可以被设置在绝缘基底的上侧，且可移动电极可以通过设置在真空处理腔中的按压件被向下按压，从而使接触端子与绝缘基底上侧的所述端面上的导电层接触。所述按压件可以被设置在空间限制相对较少的真空处理腔的上侧。
当所述可移动电极接触所述端面时，该可移动电极可以沿绝缘基底的圆周方向将力施加到所述绝缘基底上，从而使所述支撑弹簧与基底的端面接触的位置相对于所述支撑弹簧移动。通过使所述接触位置移动，所述可移动电极能更加可靠地接触形成在所述基底的端面上的导电层。
根据本发明的另一方面，提供了一种通过上述盘制造方法制造的磁盘，其包括绝缘基底，形成在所述绝缘基底上的导电层，和形成在所述导电层上的记录层。
这个磁盘具有记录层，该记录层的矫顽力分布均匀且因此具有较高的记录密度。这有助于使故障磁盘最少化，且因此提高了产量。
根据本发明的仍另一方面，提供了一种磁记录装置，其包括上述磁盘，以及记录和再生件。
由于所述磁盘具有较高的记录密度且产量较高，因此能以较低的制造成本制造具有较大容量的磁记录装置。
图1表示现有技术的偏压施加机构；图2是表示通过根据本发明的制造方法制造的磁盘的一个示例的截面图；图3是表示磁盘制造装置的示意图；图4是表示用于根据本发明的制造方法的真空处理腔的示意图；图5A和5B是根据本发明的第一示例的基底支架的前视图；图6是表示支撑弹簧的接触部分与底层之间的接触状态的视图；图7A和7B是根据本发明的第二示例的基底支架的前视图；图8是根据本发明的第三示例的基底支架的前视图；图9A和9B是根据本发明的第四示例的基底支架的前视图；图10A和10B是根据本发明的第五示例的基底支架的前视图；和图11表示根据本发明的磁记录装置的主要部件。
具体实施例方式
下文参照附图描述本发明的示例性实施例。
(第一实施例)图2是表示通过根据本发明的一个实施例的制造方法制造的磁盘的示例的截面图。
参照图2，磁盘10包括基底11、形成在基底11上的底层12、形成在底层12上的记录层13、和形成记录层13上的保护膜14。
基底11由盘状非磁性绝缘材料制成，其包括玻璃基底、塑料基底和陶瓷基底。基底11可以具有带有图案的表面、或带有纹理的表面。所述纹理包括激光纹理、机械纹理等。基底11也可以具有这样的机械纹理，其沿圆周方向具有多个细长的槽。
底层12由非磁性的Cr或Cr-X合金(X为Mo、W、V、B或这些元素的合金中的任一种)制成。例如，底层12可以由Cr、CrMo或CrW制成。通过该底层12，可以将磁性层的易磁化方向设置为平行于基底11的方向，或可以设置为所谓的平面内方向。该底层12具有导电性。当形成记录层13时，对该底层12施加偏压。
记录层13由强磁性材料制成，例如Co、Ni、Fe、Co合金、Ni合金、或Fe合金。具体地说，CoCr、CoCr合金、CoCrTa、CoCrTa合金、CoCrPt和CoCrPt合金在Co合金当中是优选的。记录层13可包括两个强磁性层和在它们之间的用于反强磁性连接所述强磁性层的非磁性夹层。
保护膜14可以由非晶质碳、碳氢化物或碳氮化物制成，但并不限于此。保护膜14通过溅射工艺或等离子体CVD工艺形成。当通过等离子体CVD工艺形成保护膜14时，与形成记录层13的加工过程一样供给偏压。供给偏压有助于提高保护膜14的质量和密度。
虽然在图中未示出，但是在基底11和底层12之间可以设置由金属材料制成的一个或多个种子层。所述种子层具有导电性。因此，当通过提供偏压来形成记录层13和保护膜14时，将所述偏压施加给所述种子层与底层12。参照图2，基底11的外边缘的端面11a也被底层12覆盖，下面将详细描述记录层13和保护膜14。
下面描述根据本发明第一实施例的磁盘制造方法。
图3是表示磁盘制造装置20的示意图。参照图3，制造装置20包括负荷固定腔(load lock chamber)21、真空处理腔22A至22D、卸荷固定腔(unload lock chamber)23和用于使腔21至23相互隔离的门阀25。制造装置20还包括用于支撑基底11的基底支架40，和用于通过真空处理腔22A至22D将基底支架40从负荷固定腔21传送到卸荷固定腔23的传送机构24。虽然图3中未示出，但是制造装置20还包括供气机构和排气机构(两者都未示出)。
首先，将装载到盒子或类似物中的基底11供应给制造装置20。机器人(未示出)从该盒子中一个一个地移出基底11，并将基底11放置在基底支架40上。基底11被设置在基底支架40的开口的内周面上的多个支撑弹簧43(下面将详细描述)保持。在这个实施例中，设置有三个支撑弹簧43。支撑弹簧43被设置成使支撑弹簧43与基底11之间的相应接触点相对于基底11的中心相互分开120度。通过这种结构，所述基底11可以被稳定支撑。虽然在本实施例中设置了三个支撑弹簧43，但是除此之外也可以设置两个和三个以上的支撑弹簧43。
接着，负荷固定腔21内的空气被排气机构排出以形成真空环境。当形成了真空环境时，门阀25打开以将基底支架40传送到下一个真空处理腔22A。当在真空处理腔22A至22D中的每个中进行处理时，门阀25保持关闭。但是，在其中真空处理腔22A至22D被设置为相同环境的情况下，腔22A至22D中的处理可以在门阀25打开的情况下进行。下文不对门阀25的操作作进一步的描述。
在真空处理腔22A中，基底11被加热。真空处理腔22A的内部被设置为压力为，例如0.67Pa的Ar气环境。基底11通过诸如热解氮化硼加热器(Pyrolytic Boron Nitride heater)的加热器被加热到大约200℃。基底11的这种热处理有助于在以后的加工过程中形成高质量的底层12和记录层13。该热处理还能去除基底11的表面的水和污物。之后，将保持基底11的基底支架40传送到下一个真空处理腔22B。
在真空处理腔22B中，通过溅射工艺在基底11的表面上形成底层12。
图4是表示用于根据本发明的制造方法的真空处理腔22C的示意图。虽然图4中示出的真空处理腔22C是用于形成记录层13的，但是图4中还示出了真空处理腔22B的组成部分，且因此，参照图4还描述了形成底层12的加工过程。
然后参照图4，固定到传送机构24上的基底支架40位于中心。在基底支架40的每一侧上设有靶物32、靶物支架33、阴极34和连接到阴极34上的溅射电源35。用于供应Ar气或类似物的供气机构30和用于排气的排气机构31安装在真空处理腔22C内。
在真空处理腔22B中，通过例如DC磁控管溅射法利用由上述Cr或Cr-X合金材料制成的靶物32来形成底层12。真空处理腔22C被设置为，例如压力为0.67Pa的Ar气环境。根据需要来设置底层12的厚度。如果底层12的厚度被设置大约为例如几纳米一20纳米，则优选在基底11和底层12之间设置种子层以均匀地施加偏压。该种子层可以是由例如NiP制成的非晶质金属膜，且该种子层的厚度可以被设置为大约5nm-100nm。种子层还可以由具有B2晶体结构的AlRu制成。以这种方式可以将作为导电层的底层12或种子层与底层12的复合层制成为较厚。再参照图3，保持基底11的基底支架40被传送到下一个真空处理腔22C。
在真空处理腔22C中，通过溅射工艺从记录层13向底层12施加偏压。再次参照图4，向基底支架40供应偏压的偏压施加电源26连接至真空处理腔22C中的基底支架40用于形成记录层13。偏压施加电源26供应负偏压(例如，-300V)。偏压施加电源26连接至基底支架40的支架导电部分41，该部分由Al合金或Ti合金材料制成。基底支架40通过支架绝缘部分42固定到传送机构24上。
基底11由支撑弹簧43支撑。每个支撑弹簧43的一端固定到支架导电部分41上，且另一端与基底11的端面11a保持接触。可移动电极45设置在位于基底11上侧的支架导电部分41上。该可移动电极45被固定于真空处理腔22C的导板28向下推动，并被推动得与基底11接触。导板28通过绝缘体36与真空处理腔22C电绝缘。
在供应偏压时，真空处理腔22C的内部被设置为压力为0.67Pa的Ar气环境。通过DC磁控管加工方法利用由例如CoCrPtB材料制成的靶物32来形成记录层13。记录层13的厚度设置为，例如大约5nm-20nm。在其中记录层13由第一磁性层(例如，CoCr膜)、非磁性夹层(例如，Ru膜)、和第二磁性层(例如，CoCrPtB膜)制成的情况下，这些层在不同的真空处理腔中形成。下面将详细描述偏压施加方法。
图5A和5B是根据本发明第一示例的基底支架40的前视图。更具体地说，图5A表示在可移动电极45不与基底11接触的状态下的基底支架40，而图5B表示在可移动电极45与基底11接触的状态下的基底支架40。
参照图5A和5B，基底支架40包括支架导电部分41、支架绝缘部分42、固定于支架导电部分41的开口41a的内周面上的三个支撑弹簧43、和设置在基底11上侧的可移动电极45。
支撑弹簧43中的每一个都是由诸如铬镍铁合金(TM)的金属材料制成的弹簧板，且具有大约为例如0.5mm的厚度。支撑弹簧43的基部固定于开口41a的内周面上，且通过大致直角地弯曲支撑弹簧43的前端形成接触部分43a。接触部分43a与基底11的外边缘的端面11a接触。接触部分43a被这样构成，使得一力从支撑弹簧43的支撑点43b朝向基底11的中心施加。因此，基底11通过三个支撑弹簧43被支撑在基底支架40上。
如图2所示，由于基底11的端面11a向外凸出，因此接触部分43a的前端面可以向内凹。为了更容易地形成将所述接触部分43a电连接至形成在基底11上的底层12的跨接部分，所述凹入的程度优选较轻。
可移动电极45包括极螺栓46和固定于极螺栓46的前端上的接触端子48，且弹簧49设置在极螺栓46的上部与基底支架40的顶面之间。
极螺栓46可以由与用于支架导电部分41的Al合金材料相同的金属材料制成。接触端子48具有固定到极螺栓46上的基部，和通过大致直角地弯曲接触端子48的前端而形成的接触部分48a。接触端子48可以由与支撑弹簧43相同材料的金属材料制成。接触所述基底11的端面11a的接触部分48a的一部分可以具有任意形状。基底支架40具有极螺栓46插入其中的孔41b。
或者，基底支架40在其表面上可以具有导槽(未示出)，极螺栓46设置成在该导槽中可竖直移动。该槽可以具有防止极螺栓46掉落的盖子。
弹簧49可以由任意弹性金属材料制成，只要所形成的弹簧49至少具有导电面。
当基底支架40处于用于加热基底11或用于形成底层12的真空处理腔22A中时，极螺栓46和接触端子48被弹簧49向上推动，使得接触部分48a不与基底11的端面11a接触，如图5A所示。
另一方面，如图5B所示，在用于形成记录层13的真空处理腔22C中，可移动电极45的极螺栓46的顶面46a接触设置在真空处理腔中的导板28，且可移动电极45被向下推动。因此，接触部分48a在基底11上侧与端面11a接触。基底11的端面11a上的底层12通过可移动电极45与基底支架40的支架导电部分41电连接。即使可移动电极45被过分向下推动，由板簧形成的接触端子48变形以防止接触端子48滑离端面11a并防止基底11离开支撑弹簧43。
从偏压施加电源26向基底支架40的支架导电部分41施加一负偏压。该偏压然后从支架导电部分41通过可移动电极45和三个支撑弹簧43被供给到基底11的底层12。可移动电极45与形成在基底11的端面11a上的底层12直接接触，且因此与该底层电导通。每一个支撑弹簧43都部分地接触底层12以与其电连接。下面参照图6描述所述接触的状态。
图6示出了支撑弹簧43的接触部分43a与位于基底11的端面11a上的底层12之间的接触状态。图6是基底11和支撑弹簧43的接触部分43a的截面图。
参照图6，接触部分43a的前端面向内凹，而基底11的端面11a向外凸。在形成底层12的加工过程中，金属微粒SP从基本上正交于基底11的表面的方向(X方向)入射到基底11的表面上，以在该表面和基底11的端面11a上形成底层12。在接触部分43a与端面11a接触的接触点43a-1周围形成的底层12比其它区域薄，因为金属微粒SP被接触部分43a遮蔽。但是，其中一些金属微粒SP沉积在接触点43a-1周围，从而形成在端面11a上的底层12跨接到接触部分43a。金属微粒还从Y方向沉积在接触点43a-1周围。结果，底层12电连接到接触部分43a。
再参照图5，由于支撑弹簧43在三个位置处接触底层12，因此偏压被均匀地提供给底层12。通过该可移动电极45和支撑弹簧43，即使底层12较薄，偏压也能可靠地被施加给底层12。
再参照图3，在形成记录层13之后，基底支架40被传送给下一个真空处理腔22D。当传送基底支架40时，从导板28释放可移动电极45以允许接触端子48脱离与基底11的接触。
在真空处理腔22D中，通过例如等离子体CVD工艺形成诸如碳氢化物膜的保护膜14来覆盖记录层13。为了形成所述碳氢化物膜，将烃气、氢气、惰性气体或其它类似物供应给真空处理腔22D，且将真空处理腔22D的压力设置为，例如5Pa。之后，向等离子体产生部分37提供高频功率(例如，100W)以产生等离子体。同时，与形成记录层13的情况一样，通过可移动电极45和支撑弹簧43将负偏压(例如，-300V)施加给记录层13。因此，在记录层13的表面上形成碳氢化物膜。
基底支架40然后移动到卸载固定腔23。在卸载固定腔23中，通过机器人来卸载磁盘10(基底11)并将其放置在盒子中。将设置为真空环境的卸载固定腔23设置回到大气压，且从制造装置20移除磁盘10。
此后，虽然未示出，通过浸涂法在保护膜14的表面上形成例如全氟化聚醚(fluorinated perfluoropolyether)的润滑层。这样就产生出了磁盘10。
根据这个实施例，当形成底层12时，由绝缘材料制成的基底11被由导电材料制成的支撑弹簧43支撑。在保持基底11被支撑的同时，可移动电极45被推动以与端面11a接触，从而形成记录层13。由于底层12形成在基底11的端面11a上，因此在可移动电极45和底层12之间的电传导良好。而且，由于形成在端面11a上的底层12跨接到每个支撑弹簧43的一部分上，因此支撑弹簧43电连接到底层12上。因此，所述偏压通过可移动电极45和支撑弹簧43被供应给底层12。通过以这种方式供应偏压，记录层13可以被形成为使得矫顽力在基底11上的底层12的整个表面均匀分布。结果，可以增加磁盘10的记录密度。此外，由于偏压从多个点被供给，因此可以使异常放电的发生和由于该异常放电的发生而导致的故障最少。这有助于提高产量。同样，通过以同样的方式供应偏压可以形成均匀且高质量的保护膜14。
下面将描述用于根据这个实施例的制造方法的另一基底支架。
图7A和7B是根据本发明的第二示例的基底支架50的前视图。更具体地说，图7A表示在可移动电极52不与基底11接触的状态下的基底支架50，而图7B表示在可移动电极52与基底11接触的状态下的基底支架50。与上文描述的元件相同的那些元件由相同的附图标记表示且不再进行说明。
参照图7A和7B，基底支架50包括支架导电部分51，支架绝缘部分42，固定于支架导电部分51的开口51a的内周面上的三个支撑弹簧43，和设置在基底11上侧的可移动电极52。
可移动电极52包括极螺栓53和固定于极螺栓53的前端上的接触端子54。在支撑点53b处弯曲并沿着支架导电部分51的上面延伸的两个板簧部分53c设置在极螺栓53的头部。每个板簧部分53c的前端与支架导电部分51的顶面51b接触。极螺栓53和接触端子54被板簧部分53c向上推动，使得接触部分54a(下面将描述)脱离与基底11的端面11a的接触。
接触端子54被构成为沿基底11的端面11a以相反的方向从极螺栓53的下部开始延伸。接触端子54包括接触部分54a，通过使接触端子54的两端大致成直角弯曲来形成所述接触部分54a。这两个接触部分54a中的每一个的前端都设置在一虚拟圆的圆周上，该虚拟圆的半径大致与基底11的端面11a的半径相同。接触端子54由与图5所示的第一示例的接触端子48相同的材料制成。
当基底支架50处于用于加热基底11或用于形成底层12的真空处理腔中时，极螺栓53被与支架导电部分51的顶面51b接触的两个板簧部分53c的前端向上推动，以使接触部分54a脱离与基底11的端面11a的接触，如图7A所示。
参照图7B，支承件56设置在用于形成记录层13的真空处理腔中。支承件56用于向下推动可移动电极52，使得接触部分54a与基底11的端面11a接触。支承件56通过绝缘体36被支撑板55支撑在真空处理腔上侧。支承件56构成为沿基底支架50的移动方向转动。
当基底支架50移动到真空处理腔时，可移动电极52的板簧部分53c接触支承件56。基底支架50进一步移动，使得极螺栓53的顶面53a到达支承件56，同时板簧部分53c被支承件56向下推动。当极螺栓53的顶面53a到达支承件56时，基底支架50停止。极螺栓53被支承件56向下推动，使得接触端子54的两个接触部分54a与基底11的端面11a接触。即使极螺栓53被过大的力向下推动，接触端子54也能利用其弹性吸收所述过大的力。这样，可移动电极52在基底11上侧接触端面11a。
在这个状态下，从偏压施加电源26向基底支架50供应负偏压。该负偏压通过支撑弹簧43和可移动电极52被施加到形成在基底11上的底层12上。
如上所述，基底支架50设置有位于可移动电极52上侧的板簧部分53c。支承件56在板簧部分53c的表面上转动，同时向下推动可移动电极52。由于支承件56在板簧部分53c上转动，但是并不滑动，因此可以防止其上的微粒和膜脱落。这有助于使故障磁盘最少化且因此提高产量。
可移动电极52设置有接触端子54，其具有用作供压点(voltagefeeding point)的两个接触部分54a。由于增加了供压点的数量，因此偏压能进一步均匀地分布。支架导电部分51的上面51b具有曲面形状，但是作为候选方式也可以使用其它形状。
图8是根据本发明的第三示例的基底支架60的前视图。第三示例的基底支架60是第二示例的修改形式。与上文所述的元件相同的那些元件由相同的附图标记表示，且不再进行描述。
参照图8，基底支架60包括支架导电部分51、支架绝缘部分42、固定于支架导电部分51的开口51a的内周面上的三个支撑弹簧43、和设置在基底11上侧的可移动电极62。除了可移动电极62的接触端子64之外，第三示例的基底支架60的结构与第二示例的基底支架50相同。
接触端子64被构成为沿着基底11的端面11a以相反的方向从极螺栓53的下部开始延伸。接触端子64包括分别位于相对端上的接触部分64a和接触部分64c，通过大致直角地弯曲接触端子64的两端来形成所述接触部分64a和64c。接触端子64还包括位于极螺栓53下方的接触部分64b。通过同时接触基底11的端面11a的这三个接触部分64a至64c，可以进一步改善可移动电极64和形成在基底11上的底层12之间的电传导。以与第二示例的基底支架50相同的方式执行偏压的施加，因此不再进行说明。
图9A和9B是根据本发明第四示例的基底支架70的前视图。更具体地说，图9A表示在可移动电极72不与基底11接触的状态下的基底支架70，而图9B表示在可移动电极72与基底11接触的状态下的基底支架70。第四示例的基底支架70是第二示例的修改方式。与上文所述的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示且不再进一步说明。
参照图9A和9B，第四示例的基底支架70包括支架导电部分51、支架绝缘部分42、固定于支架导电部分51的开口51a的内周面上的三个支撑弹簧43、和设置在基底11上侧的可移动电极72。除了可移动电极72的接触端子74之外，基底支架70具有与第二示例的基底支架50相同的结构。
接触端子74包括沿基底11的端面11a以相反的方向从极螺栓53的下部53d开始延伸的臂部74a和74b；和通过大致直角地弯曲臂部74a和74b的前端而分别形成的接触部分74c和74d。极螺栓53的下部53d和接触部分74c之间的距离与下部53d和接触部分74d之间的距离不同。也就是说，臂部74a长于臂部74b。臂部74a的水平延伸部分与接触部分74c之间的角度θ设置为大于90度的角度。通过这个结构，在如图9A所示的接触部分74c不与基底11的端面11a接触的状态下，当可移动电极72被支承件56向下推动时，如图9B所示，沿箭头A所示方向的转动力通过接触部分74c施加到基底11上。之后，端面11a与支撑弹簧43相接触的点在这个转动力的作用下相对于支撑弹簧43移动。所述点可以例如移动大约0.1mm-0.2mm。通过这个移动，支撑弹簧43的接触部分43a与底层12形成在其上的端面11a接触。因此，进一步改善了支撑弹簧43与底层12之间的电传导，且使得所述偏压得以均匀分布。
图10A和10B是根据本发明的第五示例的基底支架80的前视图。更具体地说，图10A表示在可移动电极52和82不与基底11接触的状态下的基底支架80，而图10B表示在可移动电极52和82与基底11接触的状态下的基底支架80。第五示例的基底支架80是第二示例的修改形式。与上文所述的那些元件相同的元件由相同的附图标记表示且不再进一步说明。
参照图10A和10B，基底支架80包括支架导电部分81、支架绝缘部分42、固定到支架导电部分81的开口81a的内圆周上的三个支撑弹簧43、设置在基底11上侧的第一可移动电极52、和与第一可移动电极52互锁的两个第二可移动电极82。
第一可移动电极52具有与图7所示的第二示例的基底支架50的可移动电极52相同的结构，其包括位于极螺栓53前端的接触端子54。每个第二可移动电极82都包括沿基底支架80的表面从第一可移动电极52的极螺栓53水平延伸的第一臂83、与相应的第一臂83连接并大致垂直延伸的第二臂84、和固定到第二臂84的对应前端上的接触端子85。
每个第一臂83的一端在支撑点86a处与极螺栓53可转动地连接，且其另一端在支撑点86c处与第二臂84可转动地连接。第一臂83上还设置有支撑点86b。支撑点86b固定到支架导电部分81上。极螺栓53的向下运动使得支撑点86a向下移动并使得支撑点86c向上移动。
第二臂84布置在位于支架导电部分81上的导槽81b中。通过导槽81b限制第二臂84的水平运动。第二臂84的垂直运动与通过第一臂83移动的支撑点86c的垂直运动互锁。每个接触端子85在其前端具有接触部分85a。
当基底支架80处于用于加热基底11或用于形成底层12的真空处理腔中时，极螺栓53被向上推动且第一可移动电极52的接触部分54a和第二可移动电极82的接触部分85a不与基底11的端面11a接触，如图10A所示。另一方面，当基底支架80处于用于形成记录层13的真空处理腔中时，第一可移动电极52被支承件56向下推动。因此，接触部分54a与端面11a接触，如图10B所示。与此同时，位于固定在支撑点86b处的第一臂83上的支撑点86a向下移动，且支撑点86c向上移动。第二臂84也向上移动。通过这些运动，接触端子85向上移动，使得接触部分85a接触基底11的端面11a。
在这个状态下，通过第一可移动电极52、第二可移动电极82和支撑弹簧43将一偏压施加给底层12的表面。该偏压进一步均匀地分布，且因此记录层13的矫顽力也进一步均匀地分布。
(第二实施例)本发明的第二实施例涉及一种磁记录装置，其装配有通过本发明的第一实施例制造的磁盘。
图11表示根据本发明第二实施例的磁记录装置90的主要部件。如图11所示，磁记录装置90包括壳体91、由主轴(未示出)驱动的轮毂92、固定于轮毂92上且通过其转动的磁盘93、致动器单元94、安装到致动器单元94上以沿磁盘93的径向方向移动的臂95、悬架96、和由悬架96支撑的磁头98。部件92至98布置在壳体91中。磁头98是双磁头，包括MR元件(磁致电阻效应元件)、GMR元件(巨磁致电阻效应元件)、或TMR元件(隧道磁致电阻效应元件)的再生磁头和感应磁头。这种磁记录装置90的基本结构在本领域是公知的，因此不再进一步描述。
磁盘93包括例如通过第一实施例的制造方法制造的磁盘。磁盘93具有记录层，矫顽力在该记录层的整个表面上均匀分布。因此，可以增加磁盘93的记录密度。此外，由于从多个点供应偏压，因此可以使异常放电的发生和由于异常放电的发生而导致的故障最少。这有助于提高产量。因此，可以较低的制造成本制造高容量的磁记录装置90。
根据第二实施例的磁记录装置90的基本结构并不限于图11所示的一种结构。磁头98并不限于上述结构，且也可以采用本领域公知的其它磁头。
虽然以优选实施例的形式对本发明进行了说明，但是本领域技术人员应明白在不脱离由所附权利要求阐明的本发明的范围的情况下，可以作出各种变化和修改。例如，第一示例至第四示例中的支撑弹簧43的位置和数量可以完全相同。但是，在不损害本发明的优点和效果的情况下，支撑弹簧43的位置和数量也可以变化。
本申请基于2005年1月7日向日本专利局提交的日本在先申请No.2005-002971，这里以参考的方式结合该在先申请的全部内容。
权利要求
1.一种磁盘制造方法，其包括第一步骤，在由多个基底支撑件支撑的绝缘基底的表面上形成导电层，该多个支撑件由导电材料制成且连接到一导电支架；和第二步骤，在向所述导电层施加负偏压的同时，通过溅射工艺在所述导电层上形成记录层；其中，在第二步骤中，一可移动电极与所述绝缘基底的端面上的导电层相接触，该绝缘基底由所述基底支撑件支撑，且在通过所述可移动电极和基底支撑件向所述导电层施加偏压的同时形成所述记录层。
2.如权利要求1所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述基底支撑件包括多个相互之间大致等距间隔开的支撑弹簧，每个支撑弹簧的前端与所述绝缘基底的外边缘的端面接触，和所述可移动电极被推动以与相邻支撑弹簧之间的端面上的导电层接触。
3.如权利要求1所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述可移动电极包括电极体、设置在所述电极体的前端上的接触端子、和电极弹簧，在第一步骤中，所述接触端子在电极弹簧的力作用下脱离与所述端面的接触，和在第二步骤中，所述可移动电极在与所述电极弹簧的力的方向相反的方向上被按压，使得所述接触端子与所述端面上的导电层接触。
4.如权利要求3所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述接触端子包括多个接触部分，每个接触部分接触所述端面上的导电层。
5.如权利要求3所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述可移动电极布置在所述绝缘基底上侧，和所述可移动电极被设置在真空处理腔中的按压件向下按压，从而使接触端子与位于所述绝缘基底上侧的端面上的导电层接触。
6.如权利要求5所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述按压件包括构成为沿所述基底支架移动方向转动的支承件，且当所述基底支架朝向所述支承件移动且所述可移动电极的上面接触所述支承件时，所述可移动电极被所述支承件向下按压。
7.如权利要求5所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述电极弹簧施加一力以向上按压所述可移动电极，从而使所述接触端子脱离与所述端面的接触。
8.如权利要求2所述的磁盘制造方法，其特征在于，当所述可移动电极接触所述端面时，所述可移动电极沿所述绝缘基底的圆周方向对所述绝缘基底施加力，使得所述端面与所述支撑弹簧接触的位置相对于所述支撑弹簧移动。
9.如权利要求3所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述接触端子由板簧形成，所述接触端子包括连接到所述电极体上的基部、和通过大致90度地弯曲所述接触端子的前端而形成的接触部分。
10.如权利要求3所述的磁盘制造方法，其特征在于，所述电极弹簧与所述电极体成一体。
11.如权利要求1所述的磁盘制造方法，其特征在于，在第二步骤中，多个可移动电极在大致等距分开的相应点处与所述绝缘基底的端面接触。
12.如权利要求11所述的磁盘制造方法，其特征在于，当所述多个可移动电极中的任一个被按压时，所有可移动电极都与所述绝缘体基底的端面接触。
13.如权利要求1所述的磁盘制造方法，其特征在于，还包括第三步骤，在第二步骤之后，当向所述记录层施加负偏压时通过等离子体CVD工艺在所述记录层上形成保护膜；其中，在第三步骤中，所述可移动电极与所述绝缘基底的端面上的导电层接触，该绝缘基底由所述基底支撑件支撑，且在通过所述可移动电极和基底支撑件向所述导电层和记录层施加所述偏压的同时形成所述保护层。
14.一种磁盘，其包括绝缘基底；形成在所述绝缘基底上的导电层；和形成所述导电层上的记录层；所述磁盘由包括下列步骤的磁盘制造方法制成第一步骤，在由多个基底支撑件支撑的绝缘基底的表面上形成导电层，该多个支撑件由导电材料制成且连接到一导电基底支架；和第二步骤，在向所述导电层施加负偏压的同时，通过溅射工艺在所述导电层上形成所述记录层；其中，在第二步骤中，一可移动电极与所述绝缘基底的端面上的导电层相接触，该绝缘基底保持为被支撑，且在通过所述可移动电极和基底支撑件向所述导电层施加偏压的同时形成所述记录层。
15.一种磁盘记录装置，包括权利要求14的磁盘；和记录和再生件。
16.一种基底保持机构，其包括导电支架；多个导电基底支撑件，每个支撑件连接到所述导电支架上且适于支撑绝缘基底；和可移动电极，其可移动以与所述绝缘基底接触或脱离接触。
全文摘要
在形成底层的步骤中，在绝缘基底被由导电材料制成的支撑件支撑的同时形成底层。在形成记录层的步骤中，所述绝缘基底保持被支撑。可移动电极被推动以与绝缘基底的端面接触。通过溅射工艺形成记录层，同时施加负偏压。由于底层形成在基底的端面上，因此可移动电极与底层之间的电传导良好。此外，形成在基底表面上的底层跨接到支撑弹簧的接触部分的一部分。因此，支撑弹簧和底层被电连接。一偏压通过可移动电极和支撑弹簧被施加给所述底层。
文档编号G11B5/66GK1801335SQ200510074878
公开日2006年7月12日 申请日期2005年6月3日 优先权日2005年1月7日
发明者堀笼茂, 荒井贵 申请人:富士通株式会社