专利名称：不对称垂直磁记录头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种磁记录头及其制造方法，更具体地讲，涉及一种不对称垂直磁记录头及其制造方法。
背景技术：
目前可用的硬盘驱动(HDD)采用水平磁记录法作为数据记录方法。因此，当数据写入硬盘时，在其上记录数据的磁记录层的区域产生的磁极化与磁记录层的表面平行。当采用水平磁记录法将数据记录在磁记录层上时，磁极化可被取向为同性极彼此面对。在这种情况下，由于被取向为其面对的极性相同的磁极化彼此排斥，所以这两个磁极化之间的距离大于被取向为其面对的极性相反的磁极化之间的距离。其面对的极性相同的磁极化占用的面积大于其面对的极性不同的磁极化占用的面积，从而，降低了磁记录层的数据记录密度。
解决水平磁记录法问题的方法是采用垂直磁记录法将数据记录到磁记录层上。在垂直磁记录法中，磁极化垂直于磁记录层的表面取向。在垂直磁记录法中，当相邻的磁极化在相反的方向上取向时，磁极化趋于在一个方向上移动以减小磁极化占用的面积，从而增大了数据记录密度。
由于垂直磁记录法的这个优点，有效采用这种方法的垂直磁记录头已经引起了广泛关注，目前正提出各种类型的垂直磁记录头。
图1是从平行于轨道的方向观察的用于传统垂直磁记录头的写头的剖视图。
参照图1，写头包括主磁极10、返回极12和被绝缘层16覆盖的磁感应线圈14。磁感应线圈14和绝缘层16位于主磁极10和返回极12之间。在主磁极10和返回极12之间产生用于在磁记录层18上记录位数据的磁场BO。磁场BO垂直穿过直接位于主磁极10下的磁记录层18和位于磁记录层18下的软磁性层(未示出)，并从软磁性层的下面延伸至返回极12。到达返回极12下面的磁场BO随后垂直地穿过磁记录层18进入返回极12。在这个过程中，向上或向下方向的磁化发生在磁记录层18的预定区域中。该磁化被认为是记录在预定区域上的位数据。图1中的箭头22表示磁记录层18正在移动的方向。图2是从图1的右边即轨道的方向观察到的图1中示出的主磁极10的正视图。图2中的标号24表示从磁记录层18中选择的轨道。
参照图2，主磁极10的紧密接近于磁记录层18的部分10a的宽度w1小于或等于磁记录层18上的轨道的宽度Tw，并且部分10a从主磁极10突出预定的长度。图3是具有突出部分10a的主磁极10的透视图。参照图3，紧密接近于磁记录层18的主磁极的部分10a沿着其整个长度都具有均匀的宽度w1，并且部分10a呈几何对称。在图2和图3中，标号24E和24I分别表示磁记录层18的向外方向和向内方向。
与传统的水平磁记录头相比，具有上述结构的传统的垂直磁记录头提供了增加的面积密度，但是当轨道密度和斜交角增加时却会遭受沿着轨道的方向的漏通量。这会在选择的轨道上记录数据期间大大影响未选择的轨道。
发明内容
本发明提供了一种具有高轨道密度的磁记录层的垂直磁记录头，其可降低漏通量的量。
本发明也提供了一种制造该垂直磁记录头的方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种垂直磁记录头，该垂直磁记录头包括从磁记录层读取数据的读头和将数据写在磁记录层上的写头，其中，写头是包括主磁极和返回极的单极头。主磁极具有第一表面，面对磁记录层的内侧；第二表面，面对磁记录层的数据记录表面；第三表面，面对所述磁记录层的外侧，其中，第一表面与第三表面不对称。
第一表面和第三表面中的一个表面与第二表面可成大于90度的角度。可选地，第一表面和第三表面可彼此对称并与第二表面成大于90度的角度。
该垂直磁记录头还可包括在面对读头的主磁极的一侧上的子磁轭。在这种情况下，垂直磁记录头还可包括子磁轭和读头之间的屏蔽层。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造垂直磁记录头的方法，该方法包括在基底上形成读头；在读头上形成磁屏蔽层；在磁屏蔽层上形成主磁极磁层；将主磁极磁层图案化，从而主磁极磁层的面对磁记录层内侧的第一表面与主磁极磁层的面对磁记录层外侧的第三表面不对称；形成绝缘层，所述绝缘层包括不对称图案化的主磁极磁层上的磁感应线圈；去除绝缘层的部分，以暴露主磁极磁层的部分；在绝缘层上形成返回极磁层，以接触所述主磁极磁层的暴露的部分。
在将主磁极磁层图案化的过程中，第一表面和第三表面中的一个表面倾斜地形成，从而所述一个表面和与磁记录层的数据记录表面相对的并紧密接近于磁记录层的部分的第二表面形成大于90度的角度。
将主磁极磁层图案化的过程还包括在主磁极磁层上形成光致抗蚀剂层，以暴露所述主磁极磁层的区域；将所述光致抗蚀剂层图案化，从而不对称地形成将紧密接近于磁记录层的主磁极磁层的暴露区域的部分。
在该方法中，光致抗蚀剂层的部分的两个相对的内侧可以不彼此平行，所述部分限定了将紧密接近于磁记录层的主磁极磁层的暴露区域的部分。
该方法还可包括在磁屏蔽层和主磁极磁层之间形成子磁轭，以接触主磁极磁层。在这种情况下，该方法还可包括在子磁轭和磁屏蔽层之间形成附加的屏蔽层。
该垂直磁记录头提供了增加的轨道密度(TPI)以及数据记录密度。由于这种不对称的结构导致由主磁极产生的磁场的梯度增加，从而在将数据记录在所选择的轨道期间降低了头对邻近于所选择的轨道的影响。本发明也可以以包括除了传统工艺之外的切割(cutting)步骤的简单制造工艺来显著地增加轨道密度。
参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的上述和其它特点和优点将变得更加清楚，在附图中图1是从平行于轨道的方向观察的用于传统垂直磁记录头的写头的剖视图；图2是从图1中的头正在移动的方向观察的图1中示出的主磁极的正视图；图3是具有紧密邻近于磁记录层的部分的图1中示出的主磁极的透视图；图4是根据本发明的第一实施例的从平行于轨道的方向观察的不对称垂直磁记录头的剖视图；图5是从图1中的头正在移动的方向观察的图4中示出的主磁极的正视图；图6是示出图4中示出的主磁极的特征部分的透视图；图7是当采用传统的垂直磁记录头和根据本发明的垂直磁记录头来记录数据时磁记录层的记录方向上的磁场梯度的曲线图；图8是当采用传统的垂直磁记录头和根据本发明的垂直磁记录头来记录数据时磁记录层的轨道方向上的磁场梯度的曲线图；图9是示出当采用传统的对称型垂直磁记录头和根据本发明的不对称垂直磁记录头来记录数据时在磁记录层内的轨道方向上的磁场强度分布的曲线图；图10和图11分别示出当采用传统的对称型垂直磁记录头和根据本发明的不对称垂直磁记录头来记录数据时磁场强度分布的仿真结果；图12至图17是示出制造根据本发明的实施例的不对称垂直磁记录头的方法的剖视图和平面图；图18是根据本发明的第二实施例的从平行于轨道的方向观察到的不对称垂直磁记录头的剖视图；图19是根据本发明的第三实施例的从平行于轨道的方向观察到的不对称垂直磁记录头的剖视图；图20至图23是用于解释制造图18中的不对称垂直磁记录头的方法的每个操作的剖视图；图24是示出不对称垂直磁记录头的主磁极的几何形状的正视图。
具体实施例方式
以下，将参照附图更充分地描述根据本发明实施例的不对称磁记录头及其制造方法。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。
首先，将描述根据本发明实施例的不对称垂直磁记录头(以下，称作本发明的磁头)。
参照图4，磁头44包括写头40和读头42。基于磁记录层18运动的方向22，写头40位于读头42的前方。写头40包括接触读头42的主磁极40b和返回极40a，磁感应线圈40c围绕返回极40a缠绕。返回极40a的一端与主磁极40b结合，另一端紧密地接近于磁记录层18。返回极40a的中间部分中凸地突出，绝缘层40d形成在返回极40a和主磁极40b之间。所述的返回极40a的另一端与主磁极40b间隔给定的间隙，该给定的间隙具有非常小的宽度并且填充有绝缘层40d。磁感应线圈40c埋藏在绝缘层40d中。
连接主磁极40b与返回极40a的虚线B表示在位数据的记录期间在主磁极40b和返回极40a之间感应的磁场。读头42包括第一和第二磁屏蔽层42a和42b以及位于第一磁屏蔽层42a和第二磁屏蔽层42b之间的读取元件42c。当从选择的轨道上的指定位置读取数据时，第一和第二磁屏蔽层42a和42b防止由围绕所述指定位置的磁性元件产生的磁场延伸到所述指定位置。读取元件42c可为巨型磁阻(GMR)或隧道型MR(TMR)。磁头44的主要零件位于主磁极40b紧密地接近于磁记录层18的另一端40aa。
图5是从图4的右边看到的图4中示出的主磁极40b的正视图。参照图5，主磁极40b紧密地接近于磁记录层18的部分40aa具有不均匀的宽度。即，主磁极40b的宽度向着磁记录层18减小。部分40aa的较下面的宽度w2小于磁记录层18的轨道18s的宽度w3。基于如上所述，因为主磁极40b的一个表面(GS1)被斜切，且该表面(GS1)位于沿着垂直于轨道18s的方向或沿着支撑本发明的磁头的支撑臂(未显示)旋转的方向，所以主磁极40b紧密地接近于磁记录层18的部分40aa的宽度向着磁记录层18逐渐减小。这可以通过图6看出，图6是包含部分40aa的主磁极40b的透视图。在图6中，第一和第二箭头50和52分别表示磁记录层18的向外和向内的径向方向。
参照图6，主磁极40b紧密地接近于磁记录层18的部分的第一和第二表面GS1和GS2之间的角度θ大于90°。第一表面GS1面向磁记录层18的内侧，第二表面GS2与轨道18s相对。尽管图6示出了主磁极40b的部分40aa面向磁记录层18的外侧的第三表面GS3与相对于轨道18s的第二表面GS2形成90度的角，但是第二表面GS2和第三表面GS3之间的角度可大于90°并且第一表面GS1和第二表面GS2之间的角度可为90°。即，主磁极40b面向磁记录层18的外侧的部分与主磁极40b面向磁记录层18的内侧的部分不对称。另一方面，第一表面GS1和第二表面GS2之间的角度θ以及第二表面GS2和第三表面GS3之间的角度均可大于90°。此时，两个角度可不同，因此，主磁极40b可变成不对称的。
图7是示出分别在当主磁极40b对称就好像在传统的磁头中时(第一情况)和当主磁极40b不对称就好像在本发明的磁头中时(第二情况)，在磁记录层上在记录方向上磁场梯度的曲线G1和G2的曲线图。
图8是示出对于第一情况和第二情况在磁记录层上在轨道方向上磁场梯度的曲线G11和G22的曲线图。
参照图7，曲线G2中的场梯度大于曲线G1中的场梯度。大的场梯度意味着磁场的扩散小。从图7中可以明显的看出，在记录方向上，本发明的磁头的磁场的集中程度(concentration degree)高于传统磁头的磁场的集中程度。因此，本发明的磁头实现了在记录方向上的增大的线性记录密度。
参照图8，与图7一样，曲线G22中的场梯度大于曲线G11中的场梯度，这意味着在第一情况下在轨道方向上的磁场的扩散小于在第二情况下在轨道方向上的磁场的扩散。因此，本发明的磁头提供了增大的轨道密度同时减小了在数据记录期间磁场对未选择轨道的影响。
图9是示出分别当使用传统磁头记录数据时(第一情况)和当使用本发明的磁头记录数据时(第二情况)，在磁记录层内在轨道方向磁场变化的曲线GG1和GG2的曲线图。参照图9，曲线GG1在垂直方向磁场扩散的程度大于曲线GG2在垂直方向磁场扩散的程度，这意味着对于磁场的集中程度，第二情况显著地高于第一情况。因此，通过结合图7和图8中的结果可获得图9中的结果。
可以通过比较图10和图11中示出的仿真结果使结果更清楚。
图10和图11分别示出了对于第一情况和第二情况磁场强度分布的仿真结果。第一区域A1和第二区域A2分别表示代表最高磁场强度和次高磁场强度的区域。参照图10，第一区域A1位于轨道18s内，第二区域A2稍微位于轨道18s外。另一方面，参照图11，第一区域A1和第二区域A2均位于轨道18s内。这种比较的结果证明第二情况(图11)表现出的磁场的集中程度显著地高于第一情况(图10)表现出的磁场的集中程度。这种结果还表示磁场对相邻轨道的影响在第二情况下比第一情况下小。
图12至图17示出了根据本发明实施例的制造磁头的方法。
参照图12，第一磁屏蔽层42a和中间介电层102按顺序形成在基底100上。在中间介电层102的形成期间在中间介电层102内形成读取元件42c。接下来，第二磁屏蔽层42b形成在中间介电层102上。中间介电层50形成在第二磁屏蔽层42b上。主磁极40b和绝缘层40d按顺序堆叠在中间介电层50上。在绝缘层40d的形成期间，将磁感应线圈40c埋藏在绝缘层40d中。光致抗蚀剂层PR形成在绝缘层40d上，用于覆盖磁感应线圈40c。使用光致抗蚀剂层PR作为蚀刻掩模蚀刻绝缘层40d，直到暴露主磁极40b。图13示出了通过蚀刻获得的所得结构。
参照图13，绝缘层40d与磁记录层18相对的部分，即位于光致抗蚀剂层PR的左侧的部分，没有被完全去除，而是被保留。绝缘层40d位于光致抗蚀剂层PR右侧的部分被完全去除直到暴露主磁极40b。
蚀刻后，具有绝缘层40d的厚度的阶状部分形成在绝缘层40d被光致抗蚀剂层PR覆盖的顶表面和主磁极40b通过蚀刻被暴露的部分之间。由于干法蚀刻的特点，绝缘层40d从绝缘层40d的顶表面延伸到主磁极40b的暴露部分的侧面是倾斜的。参照图14，蚀刻后去除光致抗蚀剂层PR，然后在绝缘层40d上形成返回极40a。返回极40a接触主磁极40b通过蚀刻被暴露的部分。
图15是主磁极40b的平面图。参照图15，主磁极40b接近于磁记录层18的部分40aa的宽度小于主磁极40b的其他部分的宽度。可选择地，主磁极40b可具有这样的宽度，即从较窄部分40aa向上宽度逐渐增加直到特定的部分，从所述的特定部分到顶部宽度是均匀的。在形成如图15所示的主磁极40b后，参照图16，在已经形成有主磁极40b的所得结构上形成光致抗蚀剂层PR1。光致抗蚀剂层PR1以直角三角形的形式暴露主磁极40b的较窄部分40aa的右侧。
使用光致抗蚀剂层PR1作为蚀刻掩模蚀刻主磁极40b的暴露的部分40p，直到暴露中间介电层50。蚀刻后，去除光致抗蚀剂层PR1。图17示出了已经去除了光致抗蚀剂层PR1的所得结构。
参照图17，蚀刻后，较窄部分的右侧，即主磁极40b的较下面的部分40aa面向磁记录层的内侧52的右侧，变为倾斜的第一表面GS1。因此，第一表面GS1和与磁记录层相对的第二表面GS2之间的角度大于90°。较窄部分的宽度，即主磁极40b的较下面部分40aa的宽度，向着磁记录层减小。主磁极40b的较窄部分40aa的较下面的宽度(图5中的w2)可小于磁记录层的轨道的宽度。
当较窄部分的左侧，即主磁极40b的较下面部分40aa的左侧，被限定为如图16所示的在光致抗蚀剂层PR1的形成期间的暴露的部分40p时，如图17所示的第三表面GS3是倾斜的。可选择地，当较窄部分的左侧和右侧，即较下面部分40aa的左侧和右侧，在光致抗蚀剂层PR1的形成期间均被暴露时，如17所示形成的第一和第三表面GS1和GS3都是倾斜的。
以下，将描述根据本发明第二实施例的垂直磁记录头。
参照图18，读取元件202位于第一屏蔽层200和第二屏蔽层204之间。使磁场集中在主磁极208的子磁轭206与第二屏蔽层204分离。子磁轭206以面向并平行于第二屏蔽层204的状态布置。主磁极208接触子磁轭206的右侧。子磁轭206的下端位于主磁极208的下端之上。返回极210位于主磁极208的右侧。返回极210的上部接触主磁极208的上部，而返回极210的下部与主磁极208的下部隔开较小的距离。主磁极208的几何形状与如图4所示的根据第一实施例的主磁极40b的几何形状相同。绝缘层214填充在主磁极208和返回极210之间。磁感应线圈212埋藏在绝缘层214中。例如，绝缘层214可为Al2O3层。如上所示，主磁极208和返回极210的结构与图4中示出的第一实施例的二者的结构基本相同。
尽管未示出，但在图18中的组件之间的空间填充有绝缘层，例如Al2O3层。
以下，将描述根据本发明第三实施例的垂直磁记录头。在本实施例中，垂直磁记录头的描述将集中在与图18中的垂直磁记录头不同的部分上。
参照图19，还在第二屏蔽层204和子磁轭206之间形成第三屏蔽层220，第三屏蔽层220不与第二屏蔽层204和子磁轭206接触，这与图18中的垂直磁记录头不同。
以下，将描述制造图18中的垂直磁记录头的方法。由于图19中的垂直磁记录头的结构与图18中的垂直磁记录头的结构并没有显著地不同，所以这种方法可用于制造图19中的垂直磁记录头。
参照图20，第一屏蔽层200和绝缘层240顺序地形成基底100上。在绝缘层240的形成期间，在绝缘层240中形成读取元件202。读取元件202可与图4中的第一实施例中的读取元件相同。读取元件202埋藏在绝缘层240中，使得只有读取元件202的一侧被暴露。第二屏蔽层204形成在绝缘层240上。接下来，第一中间介电层250形成在第二屏蔽层204上。第一中间介电层250可由例如氧化铝层形成。第二中间介电层252在第一中间介电层250的区域上形成为预定的厚度。子磁轭206在第一中间介电层250的剩余区域上形成为与第二中间介电层252相同的厚度。子磁轭206可利用预定的工艺，例如剥离工艺形成。已经形成子磁轭206后，第二中间介电层252和子磁轭206的上表面利用CMP被平坦化。
接下来，参照图21，用具有预定厚度的主磁极208覆盖利用CMP方法平坦化的第二中间介电层252和子磁轭206的上表面。接着，利用光刻将主磁极208处理成如图24所示的形状。这个工艺与参照图4描述的工艺相同。
接着，参照图22，埋藏有磁感应线圈212的绝缘层214形成在主磁极208的区域上。绝缘层214可由例如氧化铝层形成。绝缘层214的左侧和右侧倾斜地形成。返回极210形成在绝缘层214上，如图23所示。返回极210的一侧接触主磁极208上没有形成绝缘层214的暴露的部分。由于绝缘层214返回极210的另一侧与主磁极208分隔较小的距离。由于绝缘层214返回极210在其一侧与另一侧之间的部分具有凸出的形状。
在制造图19中的垂直磁记录头的方法中，还可在第一中间介电层250上形成第三屏蔽层220。这时，第二中间介电层252和子磁轭206形成在第三中间介电层220上。这里，第三屏蔽层220不与子磁轭206接触。
本发明不应该理解为受限于这里阐述的实施例；当然，提供这些实施例，使得该公开彻底和完全。例如，本领域的普通技术人员应该理解，主磁极40b可具有不同的几何形状而同时保持主磁极40b的窄的下面的部分40aa的特点。此外，除了主磁极40b之外还可对其它元件进行更改。主磁极40b可采用剥离(lift-off)工艺形成。即，光致抗蚀剂层PR形成在绝缘层40d上，并以与主磁极40b的最终形状相同的方式来限定和暴露绝缘层40d的区域。磁层形成在绝缘层40d的暴露部分上，并去除光致抗蚀剂层PR，从而得到不对称的主磁极。如上所述，在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下可对本发明在形式和细节上进行各种改变。
如上所述，在本发明的垂直磁记录头中，倾斜地切割向内面对轨道的紧密邻近于磁记录层的主磁极的下面部分的第一表面(或向外面对轨道的第三表面)。因为，与磁记录层的轨道相对的下面部分的第二表面和第一表面之间的角度大于90度，而第二表面和第三表面之间的角度为90度，所以主磁极具有不对称的结构。由于可以根据第一表面的切割坡度来调整第二表面的宽度，所以可使得在轨道方向上的写头的宽度小于磁记录层的轨道的宽度，从而增加了轨道密度(每英寸的轨道数(TPI))。由于这种不对称结构而导致由主磁极产生的磁场的梯度增加，从而降低了漏通量的量并减小了头对与所选择的轨道相邻的轨道的影响。本发明也可以以包括除了传统工艺之外的切割步骤的简单制造工艺来显著增加轨道密度。
权利要求
1.一种垂直磁记录头，包括用于从磁记录层读取数据的读头和用于将数据写在磁记录层上的写头，其中，所述写头是包括主磁极和返回极的单极头，其中，所述主磁极具有第一表面，面对所述磁记录层的内侧；第二表面，与所述磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面对所述磁记录层的外侧，其中，所述第一表面与所述第三表面不对称。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录头，其中，所述第一表面和所述第三表面中的一个表面和所述第二表面之间的角度大于90度。
3.一种垂直磁记录头，所述垂直磁记录头包括从磁记录层读取数据的读头和将数据写在磁记录层上的写头，其中，所述写头是包括主磁极和返回极的单极头，其中，所述主磁极具有第一表面，面对所述磁记录层的内侧；第二表面，与所述磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面对所述磁记录层的外侧，其中，所述第一表面与所述第三表面彼此对称并且与所述第二表面形成大于90度的角度。
4.如权利要求1所述的垂直磁记录头，还包括面对所述读头的在所述主磁极的一侧上的子磁轭。
5.如权利要求3所述的垂直磁记录头，还包括面对所述读头的在所述主磁极的一侧上的子磁轭。
6.如权利要求4所述的垂直磁记录头，还包括在所述子磁轭和所述读头之间的屏蔽层。
7.如权利要求5所述的垂直磁记录头，还包括在所述子磁轭和所述读头之间的屏蔽层。
8.一种制造垂直磁记录头的方法，包括在基底上形成读头；在所述读头上形成磁屏蔽层；在所述磁屏蔽层上形成中间介电层；在所述中间介电层上形成主磁极磁层；将所述主磁极磁层图案化，从而所述主磁极磁层的面对磁记录层内侧的第一表面与所述主磁极磁层的面对所述磁记录层外侧的第三表面不对称；形成绝缘层，所述绝缘层包括不对称图案化的主磁极磁层上的磁感应线圈；去除所述绝缘层的部分，以暴露所述主磁极磁层的部分；在所述绝缘层上形成返回极磁层，以接触所述主磁极磁层的暴露的部分。
9.如权利要求8所述的方法，其中，在将所述磁层形成图案的过程中，所述第一表面和所述第三表面中的一个表面倾斜地形成，从而所述一个表面和与所述磁记录层的数据记录表面相对的并紧密接近于所述磁记录层的部分的第二表面形成大于90度的角度。
10.如权利要求8所述的方法，其中，所述将所述主磁极磁层形成图案的过程还包括在所述主磁极磁层上形成光致抗蚀剂层，以暴露所述主磁极磁层的接近于磁记录层的区域；将所述光致抗蚀剂层图案化，从而不对称地形成将紧密接近于所述磁记录层的所述主磁极磁层的所述暴露区域的部分。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂层的部分的两个相对的内侧可以不彼此平行，所述部分限定了将紧密接近于所述磁记录层的所述主磁极磁层的所述暴露区域的部分。
12.如权利要求8所述的方法，还包括在所述磁屏蔽层和所述主磁极磁层之间形成子磁轭，以接触所述主磁极磁层。
13.如权利要求12所述的方法，还包括在所述子磁轭和所述磁屏蔽层之间形成附加的屏蔽层。
全文摘要
本发明提供了一种不对称的垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括用于从磁记录层读取数据的读头和用于将数据写在磁记录层上的写头。主磁极具有第一表面，面向磁记录层的内侧；第二表面，与磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面向磁记录层的外侧，并且第一表面与第三表面不对称。第一表面和第三表面中的一个表面与第二表面可成大于90度的角度。
文档编号G11B5/127GK1819024SQ20061000731
公开日2006年8月16日 申请日期2006年2月7日 优先权日2005年2月7日
发明者任映勋, 李厚山, 金庸洙 申请人:三星电子株式会社