磁记录介质用基板及磁记录介质用基板的制造方法

文档序号:6774979阅读:166来源:国知局
专利名称:磁记录介质用基板及磁记录介质用基板的制造方法
技术领域
本发明涉及磁盘记录装置的基板中使用的磁记录介质用基板及磁记录介质用基板的制造方法,特别是涉及采用树脂制基板的磁记录介质用基板。
背景技术
计算机等中使用的磁盘记录装置,例如硬盘,采用铝合金或玻璃的圆盘作为基板。在该基板上形成金属磁膜,把金属磁膜通过磁头进行磁化而记录信息。
另外,用于读取磁记录介质中存储的磁记录信息的磁头,其构成是对着磁记录介质,从其表面以上浮的状态移动。当磁记录介质表面存在凹凸时,在磁头移动时,这些凹凸与磁头碰撞,有产生磁头损伤、磁记录介质损伤等不良情况之虑。为了抑制这种不良情况的发生,有试图采用铝基板或玻璃基板,在制造时实施高精度的磨削·研磨处理,使其表面达到平滑,极力抑制表面凹凸的发生(例如,特开2003-54965号公报的图4、图5、特开2003-55001号公报、特开2000-163740号公报)。
例如,采用铝基板时,把铝板压制成型,制成圆盘状后,对表面实施高精度的磨削·研磨(或将“研磨”称为“抛光”)加工及洗涤工序,借此使其表面达到平滑,接着,实施Ni-P电镀等电镀处理后,进行研磨加工、组织加工,再通过溅射法形成Co类合金磁性层,制造磁记录介质。
另外,采用玻璃基板时,把玻璃原料熔融,把熔融的玻璃进行压制成型,制成圆盘状玻璃基板。然后,对表面实施高精度的磨削·研磨加工及洗涤工序,借此使其表面达到平滑后,采用碱熔融盐通过离子交换对表面进行化学强化处理,经过精密洗涤工序后实施组织加工,再通过溅射法形成Co类合金磁性层,制造磁记录介质。
如上所述,对铝基板或玻璃基板反复实施磨削·研磨加工及洗涤工序,可得到平滑的表面。但是,用于制得基板表面平滑性的磨削·研磨工序烦杂,另外,因压制成型后磨削·研磨工序前的基板表面粗糙度大,所以,为了得到磁记录介质用基板所要求的表面粗糙度,用于实施磨削·研磨加工的相应时间加长。因此,基板的制造成本增大,成为磁记录介质本身价格上升的重要原因。例如,作为铝基板或玻璃基板的表面粗糙度Ra,最终要求表面粗糙度Ra≤1[nm],为了达到此要求,磨削·研磨必须长时间加以精密控制来实施。还有,“表面粗糙度Ra”,是JIS B0601规定的“表面粗糙度”的算术平均粗糙度Ra。
另外,当为2.5英寸、1英寸、或0.85英寸等可携带小型磁盘记录装置时,当对装置施加碰撞时,由于对磁记录介质本体施加碰撞,故磁记录介质受到大的损伤,作为基板的玻璃基板或铝基板发生破损或变形的问题产生。另外,在磁记录介质的制造工序,玻璃基板还存在容易破裂的问题。
还有,对可携带的磁盘记录装置,考虑携带性,希望装置质量轻,但由于铝基板或玻璃基板的基板本身就重,在采用铝基板或玻璃基板时,装置难以达到轻量化。

发明内容
本发明的目的是,为了解决上述问题,采用树脂制基板作为磁记录介质用基板的母材,借此可以省略磁记录介质用基板制造工序中的研磨工序,提供可能的磁记录介质用基板。
本发明另一目的是提供一种,难以破裂、使磁盘记录装置轻量化可能的磁记录介质用基板。
本发明人着眼于树脂制基板的特征,把树脂成型,制作具有圆盘形状的树脂制基板,在该树脂制基板表面上形成被覆层的磁记录介质用基板。
树脂制基板,通过注射成型或浇铸成型等进行制造,树脂制基板的尺寸精度或表面精度,取决于注射成型等所用模具的表面精度或成型条件。因此,采用高精度加工的模具,精密地控制成型,可以大量制造尺寸精度良好、具有平滑性的均匀质量的树脂制基板。例如,树脂制基板的表面粗糙度Ra也可达到10nm以下。因此,可以省略研磨工序,另外,为了达到所希望的表面精度(表面粗糙度或起伏度)或尺寸精度,在成型制品出来后尽管必须进行磨削·研磨,但与以玻璃或铝作为母材的工序(研磨、磨削、洗涤等工序)相比,工序可大大省略。因此,可使制造成本降低。而且,可在树脂制基板上形成被覆层而制成磁记录介质用基板。形成被覆层后,当未达到磁记录介质用基板所希望的表面精度(例如,表面粗糙度Ra在1nm以下)时,通过研磨被覆层,可以达到所希望的性能。对这样得到的磁记录介质用基板形成磁性层而制成磁记录介质。


图1(a)~1(c)是本发明的第1实施方案涉及的磁记录介质用基板的构成图。
图2(a)、2(b)是本发明的第2实施方案涉及的磁记录介质用基板构成的截面图。
图3(a)~3(c)是本发明的第3实施方案涉及的磁记录介质用基板的作为母材的基板构成截面图。
图4是本发明实施方案涉及的磁记录介质用基板的构成截面图。
具体实施例方式
下面给出本发明的具体实施方案。
发明1所述的结构涉及磁记录介质用基板,其特征在于,具有圆盘状形状的树脂制基板;以及,在该基板的至少一侧表面上形成的被覆层。
发明2所述的结构涉及的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层在上述树脂制基板的二个表面上形成。
发明3所述的结构,涉及发明1或2所述的磁记录介质用基板,其特征在于,在上述树脂制基板与上述被覆层之间形成有中间层。
发明4所述的结构,涉及发明3所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述中间层是通过涂布形成的,由树脂所构成。
发明5所述的结构,涉及发明3或4中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述中间层含有粒子。
这里中间层中含有的粒子也可以与周围的材质不同。
发明6所述的结构,涉及发明5所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子由金属、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、磷化物、硫化物、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硝酸盐、氟化物、氯化物、溴化物、玻璃、玻璃纤维、碳纤维、炭粉、碳纳米管、或富勒烯构成。
发明7所述的结构,涉及发明5所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子是与周围的材质不同的树脂粒子。
发明8所述的结构,涉及发明1~7中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板含有粒子。
这里树脂制基板中含有的粒子也可以与母材的材质不同。
发明9所述的结构,涉及发明8所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子由金属、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、磷化物、硫化物、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硝酸盐、氟化物、氯化物、溴化物、玻璃、玻璃纤维、碳纤维、炭粉、碳纳米管、或富勒烯构成。
发明10所述的结构,涉及发明8所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子是与周围的材质不同的树脂粒子。
发明11所述的结构,涉及发明1~10中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板表面的表面粗糙度Ra在10nm以下。
发明12所述的结构,涉及发明1~11中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,构成上述树脂制基板的树脂的玻璃化转变温度Tg为200℃以上。
发明13所述的结构,涉及发明1~12中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板采用注射成型、浇铸成型、片材成型、注射压缩成型或压缩成型而成型的。
发明14所述的结构,涉及发明13所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述基板的中央有孔。
发明15所述的结构,涉及发明14所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板的内径尺寸、外径尺寸、内周端部形状或外周端部形状中的至少1个是在上述成型时形成的。
发明16所述的结构,涉及发明1~15中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层至少包括金属层、陶瓷层、磁性层、玻璃层,或无机层与有机层的复合层的任何一层。
发明17所述的结构,涉及发明1~15中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层包括含Ni(镍)、Fe(铁)、Cu(铜)、Ti(钛)、P(磷)、Co(钴)、Si(硅)、Sn(锡)或Pd(钯)、Zn(锌)、Ga(镓)、Ge(锗)、Mn(锰)的任何一种成分的金属层、陶瓷层、或磁性层的任何一层。
发明18所述的结构,涉及发明1~17中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层由各膜成分不同的多层膜构成。
发明19所述的结构,涉及发明1~17中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层从上述树脂制基板侧的面向着表面,其成分缓慢变化而形成。
发明20所述的结构,涉及发明1~19中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层在表面侧的硬度比上述树脂制基板侧高。
发明21所述的结构,涉及发明1~20中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层的表面粗糙度Ra在1nm以下。
发明22所述的结构,涉及发明1~21中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层表面经过研磨。
发明23所述的结构,涉及发明1~22中任何一项所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板在中央部的厚度比端部的厚度大。
发明24所述的结构,涉及发明23所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板从中央部至端部的厚度缓慢变薄。
发明25所述的磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,其中包括从具有圆盘状形状的树脂制母材形成基板的工序;在上述树脂制基板的至少一侧表面上形成被覆层的工序;以及,研磨上述被覆层表面的工序。
发明26所述的磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,其中包括从具有圆盘状形状的树脂制母材形成基板的工序;在上述树脂制基板的至少一侧表面上形成中间层的工序;在上述中间层上形成被覆层的工序;以及,研磨上述被覆层表面的工序。
发明27所述的方案涉及发明25及26所述的磁记录介质用基板的制造方法,其中,上述树脂制基板的形成工序中,上述树脂制基板采用注射成型、浇铸成型、片材成型、注射压缩成型、或压缩成型而成型的。
发明28所述的方案涉及发明27所述的磁记录介质用基板的制造方法,其中,在形成上述树脂制基板的工序中,在上述树脂制基板的中心有孔。
发明29所述的方案涉及发明28所述的磁记录介质用基板的制造方法,在形成上述树脂制基板的工序中,形成上述树脂制基板的内径尺寸、外径尺寸、内周端部形状或外周端部形状中的至少1种。
按照本发明的方案,由于采用成型的树脂制基板,在成型制品取出后的追加工序状态下,可以得到高的尺寸质量或表面粗糙度良好的树脂制基板,工序可以省略。另外,为了达到所希望的表面精度(表面粗糙度或起伏度)及尺寸精度,在成型制品取出后必须进行磨削·研磨等,与以玻璃或铝作为母材的工序相比,工序可大大简化。因此,生产性提高,可以削减磁记录介质的制造成本。
另外,由于难以破裂,与原有技术涉及的玻璃基板或铝基板相比,质量轻,故磁记录介质或磁盘记录装置的轻量化成为可能。另外,由于磁盘记录装置的轻量化成为可能,因此,相应地可以抑制磁盘记录装置的电力消耗。
另外,由于通过注射成型或浇铸成型等可以制作树脂制基板,所以,通过制作模具、控制成型,可比较容易地制造复杂形状的树脂制基板。另外,仅制作模型,在树脂制基板上直接形成图案也可。
另外,在树脂制基板与被覆层之间设置中间层,可以提高树脂制基板与被覆层的粘合度。另外,通过中间层也可使表面平滑,通过提高中间层的硬度,也可提高磁记录介质用基板的硬度。
另外,通过树脂制基板中含有粒子,使树脂制基板的表面粗糙度加大,结果是,在提高树脂制基板的强度特性的同时,通过附加粗糙度控制功能,可以得到优良的表面形状,提高树脂制基板与被覆层的粘合度。另外,在形成中间层时,即使该中间层含有粒子,也可以提高中间层与被覆层的粘合强度。
在这里,树脂制基板内含有的粒子或中间层中含有的粒子,既可以是与周围材质不同的粒子,也可以是与周围材质相同的粒子。
另外,树脂制基板的中央部厚度比周边部的厚度大,在用磁盘记录装置使磁记录介质旋转时,通过旋转可以缩小磁记录介质的摇摆,另外,可使磁头的追随性达到良好。
下面,对本发明的实施方案涉及的磁记录介质用基板及其制造方法加以说明。
首先,参照图1对本发明的第1实施方案涉及的磁记录介质用基板加以说明。图1(a)~1(c)是本发明的第1实施方案涉及的磁记录介质用基板的构成图,图1(a)是磁记录介质用基板的斜视图,图1(b)及1(c)是图1(a)的I-I截面图。
如图1(a)的斜视图所示,磁记录介质用基板1具有圆盘状形状,中央形成孔1c,可用作硬盘等磁记录介质的基板。
如图1(b)的截面图所示,磁记录介质用基板1具有树脂材料成型为圆盘状的树脂制基板2,在树脂制基板2的一侧表面上形成被覆层3a。在该第1实施方案中,树脂制基板2的两表面形成平面且水平状。
采用该磁记录介质用基板1制造磁记录介质时,在被覆层3a上形成磁性层而构成磁记录介质。例如,研磨被覆层3a,在研磨后的被覆层3a上通过溅射形成Co类合金磁性层。
树脂制基板2,除热塑性树脂、热固性树脂、或活性线固化性树脂以外,可以用各种树脂。
例如,树脂制基板2,作为热塑性树脂,例如可以采用聚碳酸酯、聚醚醚酮树脂(PEEK树脂)、环状聚烯烃树脂、甲基丙烯酸苯乙烯树脂(MS树脂)、聚苯乙烯树脂(PS)、聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂)、ABS树脂、聚酯树脂(PET树脂、PBT树脂等)、聚烯烃树脂(PE树脂、PP树脂等)、聚砜树脂、聚醚砜树脂(PES树脂)、聚芳基化物树脂、聚亚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂、或丙烯酸树脂等。另外,作为热固性树脂,例如可以采用酚醛树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂(BMC树脂等)、硅树脂、尿烷树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或聚苯并咪唑树脂等。另外,可以采用聚萘乙二醇酯树脂(PEN树脂)等。
另外,作为活性线固化性树脂,例如,可以举出紫外线固化性树脂。作为紫外线固化性树脂,例如,可以举出紫外线固化性丙烯酸尿烷类树脂、紫外线固化性聚酯丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性环氧丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性多元醇丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性环氧树脂、紫外线固化性硅类树脂、或紫外线固化性丙烯酸树脂等。
为了有效呈现本发明的目的,对涂敷的固化前的层照射活性线进行固化时,用光引发剂促进固化反应是优选的。此时也可并用光敏剂。
另外,当空气中的氧抑制上述固化反应时,为使氧浓度降低或除去,例如,也可在惰性氛围气中照射紫外线。作为活性线,可以适当选择红外线、可见光、紫外线等,但选择紫外线是特优选的,对此未作特别限定。另外,活性线照射中或前后,也可通过加热,增强固化反应。
另外,树脂制基板2,可以采用液晶聚合物、有机/无机混合树脂(例如,高分子成分中嵌入以硅作骨架的树脂)等。还有,上述列举的树脂是树脂制基板2中使用的树脂之一例,本发明涉及的树脂制基板不限于这些树脂。2种以上的树脂加以混合也可作为树脂制基板,另外,使各层不同的成分相接触,也可作为树脂制基板。
另外,树脂制基板2,可以采用注射成型、浇铸成型、片材成型、注射压缩成型或压缩成型等而制成。另外,根据需要,把成型的树脂制基板进行偶合,通过打孔,或压制成型,制造树脂制基板2。
另外,通过上述注射成型等,成型树脂制基板2,树脂制基板2的内径尺寸、内周端部形状或外周端部形状的至少一种可同时形成。即,为使树脂制基板2的内径尺寸或外径尺寸吻合,制造用于注射成型等的模具,通过采用该模具,内径尺寸或外径尺寸在树脂成型时完成。另外,为使树脂制基板2的内周端部形状或外周端部形状吻合,制造用于注射成型等的模具,通过采用该模具,内周端部形状或外周端部形状,在树脂成型时形成。
被覆层3a,可以采用金属层、陶瓷层、磁性层、玻璃层、或无机层与有机层的复合层(混合层)。作为被覆层3a的具体成分,包括Ni(镍)、Fe(铁)、Cu(铜)、Ti(钛)、P(磷)、Co(钴)、Si(硅)、Sn(锡)或Pd(钯)、Zn(锌)、Ga(镓)、Ge(锗)、Mn(锰)等。
磁记录介质用基板1,在形成磁性层前,必须达到所希望的表面精度(例如,表面粗糙度Ra≤1nm),根据需要,研磨被覆层3a的表面,考虑通过研磨削去的成分厚度,形成被覆层3a是必要的。例如,不进行研磨时,被覆层3a的厚度为0.01~30μm,在必需研磨时,研磨前的被覆层3a的厚度为0.01~50μm。还有,通过研磨,形成削去厚度的2倍以上厚度的被覆层3a是优选的。
另外,被覆层3a,采用电镀或化学镀等电镀方法,在树脂制基板2的表面上形成。另外,也可采用溅射法、真空蒸镀法或CVD法等形成。另外,条形涂布法、浸渍涂布(浸渍后上拉)法、旋转涂布法、喷涂法、或印刷法等涂布方法也可以采用。
如上所述,由于采用树脂作为母材,通过注射成型或浇铸成型等,可制作树脂制基板2。树脂制基板的尺寸精度或表面精度,取决于注射成型等所用模具的表面精度或成型条件。因此,通过采用加工成高精度模具,精密地控制成型,可以大量制造尺寸精度良好、具有平滑性的均匀质量的树脂制基板。例如,树脂制基板的表面粗糙度Ra也可达到10nm以下。因此,可以省略研磨工序,另外,为了达到所希望的表面精度(表面粗糙度或起伏度)或尺寸精度,尽管在成型制品出来后必须进行磨削·研磨等,与以玻璃或铝作为母材的工序(研磨、磨削、洗涤等工序)相比,工序仍可大大简化。因此,可以降低磁记录介质用基板的制造成本。
另外,由于是树脂制的,故难破裂,与现有技术涉及的铝基板或玻璃基板相比质轻,从而可使磁记录介质及磁盘记录装置的轻量化。
另外,由于可通过注射成型或浇铸成型等制造树脂制基板2,故仅制作模型,也可较容易地制造复杂形状的树脂制基板,另外,基板本身上也可直接形成图案。
而且,被覆层3a本身的表面精度即使达不到所希望的表面精度,根据需要,把被覆层3a通过磨削、研磨,仍可得到最终的磁记录介质用基板,例如,其表面粗糙度Ra可达到1nm以下。在该研磨后,通过溅射在被覆层3a上形成磁性层,制成磁记录介质。还有,被覆层3a的研磨量,取决于形成被覆层3a前的树脂制基板2的表面粗糙度Ra,表面粗糙度Ra愈大,被覆层3a的研磨量愈多。
这是由于,磁记录介质用基板表面的表面粗糙度,即被覆层3a的表面粗糙度Ra,与树脂制基板2的表面粗糙度Ra有关,如树脂制基板2的表面粗糙度Ra大,则磁记录介质用基板表面的表面粗糙度也加大所致。
因此,树脂制基板2的表面粗糙度Ra在20nm以下是优选的。树脂制基板2的表面粗糙度Ra在20nm以下形成被覆层3a,与原来的铝基板或玻璃基板的磨削·研磨所需的时间相比,研磨时间可大幅缩短。
另外,通过成型得到的树脂制基板2表面的表面粗糙度Ra在10nm以下的表面形成被覆层3a,与树脂制基板2表面的表面粗糙度Ra在20nm以下的表面形成的被覆层3a相比,其研磨时间约为一半。因此,树脂制基板2表面的表面粗糙度Ra在10nm以下是更优选的。
另外,磁记录介质用基板的起伏度Wa达到50以下是优选的。通过使起伏度Wa达到50以下,可以得到进行稳定记录·再生的磁记录介质。还有,起伏度Wa达到30以下是更优选的。
起伏度的具体测定方法,可以采用按照JIS B0651《制品的几何特性规则(GPS)-表面性状轮廓曲线方式-触针式表面粗糙度测定器的特性》的触针式表面粗糙度测定器或按照JIS B0652的《光波干涉式表面粗糙度测定器》规定的方法进行测定。
另外,磁记录介质用基板的外形与中央部的圆形孔的同心度为P,磁记录介质用基板的直径为L时,则满足P/L<3.2×10-4是优选的。由此,可以得到稳定而高速旋转的磁记录介质。
另外,作为母材的树脂制基板2,极力、耐热温度或玻璃化转变温度Tg高者是优选的。由于在研磨处理后的被覆层3a上通过溅射法形成磁性层,故优选耐热温度或玻璃化转变温度Tg在该溅射的温度以上。例如,采用耐热温度或玻璃化转变温度Tg高于200℃的树脂是优选的。
作为玻璃化转变温度Tg高于200℃的代表性树脂,可以举出聚醚砜树脂(PES树脂)、聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂)、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯并咪唑树脂、BMC树脂、或液晶聚合物等。更具体讲,作为聚醚砜树脂(PES树脂),可以举出ュ一デル(ソルベィアドバンストポリマ一ズ),作为聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂),可以举出ゥルテム(日本GE塑料),作为聚酰胺酰亚胺树脂,可以举出ト一ロン(ソルベィアドバンストポリマ一ズ),作为聚酰亚胺树脂(热塑性),可以举出ォ一ラム(三井化学),作为聚酰亚胺树脂(热固性),可以举出ュ一ピレツクス(宇部兴产),或作为苯并咪唑树脂,可以举出PBI/Celazole(クラリアントジャパン)。另外,作为液晶聚合物,可以举出スミカス一パ一LCP(住友化学),作为聚醚醚酮,可以举出ビクトレツクス(ビクトレツクスMC)。
另外,作为树脂制基板2,为了防止因吸湿而引起的磁记录介质用基板的尺寸变化所产生的磁头位置偏离,优选采用吸湿性小的树脂。作为吸湿性小的树脂代表,可以举出聚碳酸酯及环状聚烯烃树脂。
另外,采用与表面形成的被覆层3a粘合性等优良的树脂是优选的。例如,作为树脂制基板2的材料,可以采用表面存在极性基的树脂、表面粗糙度Ra大的树脂或含粒子的树脂等。
例如,当树脂制基板2的表面粗糙度Ra加大时,由于与其表面上形成的被覆层3a的粘合面积加大,故树脂制基板2与被覆层3a的粘合度可以升高。采用注射成型或浇铸成型等制作树脂制基板2时使用的模具的表面粗糙度Ra,通过调整,则通过成型得到的树脂制基板2的表面粗糙度Ra可以加大。另外,即使树脂制基板2的表面粗糙度Ra加大,其表面形成的被覆层3a通过研磨,可以得到必要的表面粗糙度Ra。但是,被覆层3a,为了覆盖被覆的表面粗糙度,以及在被覆层形成后仅通过达到表面粗糙度Ra≤1nm的研磨所进行的补充摩擦而必要的被覆层厚度,因此,对树脂制基板表面,当表面粗糙度Ra达到过大时,加工效率下降。例如,表面粗糙度Ra≤1000nm是优选的,更优选Ra≤100nm。
另外,当树脂树中含粒子时,作为该粒子,也可以采用与周围相同材质的粒子,但与周围不同材质的粒子,采用比作为母材的树脂硬度高的粒子或比作为母材的树脂线膨胀系数小的粒子是优选的。另外,对溶剂或药品蚀刻的化学耐久性,以及对耐热性、紫外线具有脆化性等与母材的耐久性不同的粒子也可以采用。
粒子的形状,例如球状、凹凸状、椭圆状、或纤维状等任何一种形状即可。另外,既可以含有沿1方向的粒子,也可以含有以无规方向状态存在的粒子。粒子的大小,采用0.1~10μm。
作为粒子,可以采用金属、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、磷化物、硫化物、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硝酸盐、氟化物、氯化物、溴化物、玻璃、玻璃纤维、碳纤维、炭粉、碳纳米管、或富勒烯等。例如,作为粒子的材质,可以采用Si(硅)、Al(铝)、C(炭)、Sn(锡)、Zn(锌)、Ti(钛)、In(铟)、Mg(镁)、Pd(钯)、Ba(钡)、La(镧)、Ta(钽)、Mo(钼)、W(钨)、V(钒)或Sr(锶)等。另外,以这些作为主成分的化合物,例如,氧化物、硫化物、碳酸化物、磷酸化物、氟化物等也可。具体的可以采用SiO2、Al2O3、TiO2、SrCO3、C、AlPO4、CaCO3、ITO、ZnS、MgF2等粒子。
作为上述无机粒子的例子,也可以采用与母材树脂不同种类的树脂粒子。例如,ABS树脂中可以含有其本身粒子的丁二烯,通过选择蚀刻丁二烯粒子,可使表面形状改变。
因此,通过在母材树脂中含有粒子,提高耐擦伤性或刚性,在树脂制基板2的表面上突出一部分粒子,通过该突出而使表面形状形成凹凸状,借此可以提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合强度。还有,该凹凸的程度可通过粒子的选择(例如,粒子的种类、粒子的大小、粒子的添加量)、蚀刻、加热、能量粒子照射及它们的组合进行控制。
上述粒子,其粒径大、添加量多者,树脂制基板2的硬度、强度及热膨胀的改善效果高,表面的凹凸也容易制成,可以提高与被覆层3a的粘合度。但是,当粒径过大,添加量过多时,成型有障碍,树脂制基板的表面过粗,则加工困难,故根据目的设定适宜的添加量。例如,在被覆层3a薄、加工量少时,在可以确保粘合力的范围内,把粒径1μm以下的粒子以添加量10%以下的范围添加至树脂中。另外,在重视粘合性、树脂特性的改质时,在不妨碍成型的范围内,使粒径10μm左右的粒子添加量达到数十%的范围添加至树脂中。
另外,作为被覆层3a,可以采用多层叠加的多层膜,另外,也可以采用在厚度方向缓慢改变其成分的倾斜成分层。例如,在与树脂制基板2接触的面侧,形成与树脂粘合性高的层,在最表面侧形成具有容易研磨硬度的层。因此,在提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合性的同时,可容易研磨被覆层3a。例如,与树脂制基板2侧的面上形成的层相比,最表面侧形成的层的硬度高,因此,通过被覆层3a研磨,可容易得到所希望的表面精度。
另外,在作为高密度化技术期待高的垂直磁记录介质中,相对于磁记录介质用基板表面垂直并列的磁性体是必要的,因此,在磁性层与磁记录介质用基板之间必须形成软磁性层。作为该软磁性层代表的合金,有镍-钴(Ni-Co)合金。通过采用Ni-Co合金作被覆层3a,也可以在垂直磁记录介质中起到作为软磁性层的功能。
另外,如图1(c)的截面图中所示的磁记录介质用基板4所示,在树脂制基板2的两面也可以形成被覆层3a、3b。当然此时,树脂制基板2的端面也可同时被覆。在这种情况下,在一侧表面上形成的被覆层3a上,形成Co类合金磁性层,制成磁记录介质。
还有,为了提高被覆层3a(3b)的粘合性,当在树脂制基板2的表面设置凹凸形状等时,被覆层3a(3b)的表面粗糙度Ra,达不到所希望的表面粗糙度(例如,表面粗糙度Ra≤1nm)时,被覆层3a(3b)的表面通过磨削、研磨,加工至所希望的表面粗糙度,作为磁记录介质用基板,在该被覆层3a(3b)上形成磁性层,制成磁记录介质。
因此,在树脂制基板2的两面上通过形成被覆层3a、3b,可以缓和磁记录介质用基板的翘曲。即,当仅在树脂制基板2的一侧表面上形成被覆层3a时,通过起因于该被覆层3a的拉伸应力或压缩应力,有使磁记录介质用基板发生翘曲之虑。反之,在树脂制基板2的两面上通过形成被覆层3a、3b,由于两面发生拉伸应力或压缩应力,这些应力相克,可以缓和磁记录介质用基板发生翘曲。另外,通过对树脂制基板的被覆效果,可以改善吸湿性、放出气体性等化学稳定性。
还有,被覆层3a、3b的厚度既可以相等也可以相异。即使厚度相异,通过在两面上形成被覆层3a、3b,与不形成被覆层3b的场合相比,可以缓和磁记录介质用基板发生翘曲。
另外,制成树脂制基板2后,在形成被覆层3a的工序及研磨被覆层3a的工序前后,根据需要,为了使性能提高及质量稳定,进行适当的退火处理也无妨。
其次,参照图2(a)~2(b)对本发明的第2实施方案涉及的磁记录介质用基板进行说明。图2是本发明的第2实施方案涉及的磁记录介质用基板结构的截面图。
如图2(a)所示,第2实施方案涉及的磁记录介质用基板5,具有树脂制基板2,在树脂制基板2的一侧表面上形成中间层6a,在该中间层6a上形成被覆层3a。上述第1实施方案中,在树脂制基板2上直接设置被覆层3a,但在第2实施方案中,在树脂制基板2与被覆层3a之间设置中间层6a,这是其特征。
中间层6a,除热固性树脂或活性线固化性树脂外,可以采用各种树脂。例如,作为热固性树脂,可以采用环氧树脂或硅酮树脂等。
另外,作为活性线固化性树脂,可以采用紫外线固化性树脂,例如,可以举出紫外线固化性丙烯酸尿烷类树脂、紫外线固化性聚酯丙烯酸类树脂、紫外线固化性环氧丙烯酸类树脂、紫外线固化性多元醇丙烯酸酯类树脂、或紫外线固化性环氧树脂等。为了有效呈现本发明的目的,对涂敷的固化前的层照射紫外线进行固化时,用光引发剂促进固化反应是优选的。此时也可并用光敏剂。另外,当空气中的氧抑制上述固化反应时,为使氧浓度降低或除去,例如,在惰性氛围气中照射紫外线也可。作为活性线,可以适当选择红外线、可见光、紫外线等,但选择紫外线是特别优选的,对此未作特别限定。另外,活性线照射中或前后通过加热增强固化反应也可。
中间层6a,可在树脂制基板2上涂布形成。例如,采用条形涂布法、浸渍涂布(浸渍后上拉)法、旋转涂布法、喷涂法、或印刷法等涂布方法在树脂制基板2上成膜。
中间层6a具有使树脂制基板2的表面平滑的功能(平滑性)、提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合性功能(粘合性)、以及提高最终制成的磁记录介质用基板5的强度的功能(强度性)。下面分别对这些功能加以说明。
首先,说明平滑性。通过在树脂制基板2上形成中间层6a,吸收树脂制基板2制作时形成的表面凹凸,可减小磁记录介质用基板的表面粗糙度。即使当磁记录介质用基板的表面粗糙度或起伏度大时,通过中间层6a也可以减轻表面粗糙度或起伏度影响,可以减小磁记录介质用基板的表面粗糙度或起伏度。还有,中间层6a形成后,当尺寸精度或表面精度等达不到所希望的性能时,可以实施切削、研磨、磨削等追加工序。
其次,说明粘合性。通过树脂制基板2与被覆层3a的材料组合,有时也可降低树脂制基板2与被覆层3a的粘合性。此时,通过设置中间层6a,可以提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合性。例如,通过成膜条件使中间层6a的表面粗糙而形成凹凸,由于与被覆层3a的接触面积加大,故树脂制基板2与被覆层3a的粘合性提高,由此,在树脂制基板2上可牢固形成被覆层3a。
另外,为了进一步提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合性,也可用含粒子的树脂作为中间层6a。作为该粒子,可以采用与第1实施方案的树脂制基板2中含有的相同的粒子。也可把与树脂相同材质的粒子含在树脂中作为中间层6a。在本实施方案中,以树脂含有与树脂不同材质的粒子来作为中间层6a。例如,可以采用硬度大于树脂的粒子,或线膨胀系数比树脂小的粒子,耐久性与树脂不同的粒子等。
因此,通过使树脂中含粒子形成中间层6a,在中间层6a的表面上突出一部分粒子,或通过蚀刻除去粒子一部分或全部,使中间层6a的表面形状形成凹凸状。因此,通过中间层6a的表面形成凹凸状,可以更加提高树脂制基板2与被覆层3a的粘合强度。
另外,因树脂制基板2与被覆层3a之间的线膨胀系数差大,在温度上升时产生裂缝,通过使中间层6a的线膨胀系数这到树脂制基板2与被覆层3a之间的线膨胀系数,可以防止或减小产生裂缝。
再其次,对强度性能加以说明。因树脂制基板2是以树脂作为母材的基板,柔软,存在因树脂制基板厚度造成基板弯曲、变形的危险。因此,当树脂制基板2弯曲时,在磁记录介质旋转时,影响磁头的追随性。在这里,通过在树脂制基板2与被覆层3a之间设置中间层6a,可以增加树脂制基板2的强度。另外,为了进一步提高强度,使在树脂中含粒子后作为中间层6a也可。
还有,树脂制基板2,与第1实施方案同样的材料(树脂)作母材,采用同样的方法制造。因此,树脂制基板2中也可以含有粒子。另外,关于被覆层3a,也可以采用与第1实施方案同样的材料,采用同样的方法制造。因此,被覆层3a,也可以制成多层膜等。
而且,采用磁记录介质用基板5制作磁记录介质时,与第1实施方案同样,在被覆层3a上形成磁性层,制成磁记录介质。还有,为了得到所希望的表面精度,被覆层3a也可以磨削、研磨。
另外,如图2(b)的截面图所示的磁记录介质用基板7那样,也可在树脂制基板2的两面形成中间层6a、6b,在这些中间层6a、6b上形成被覆层3a、3b。因此,通过在树脂制基板2的两面形成中间层6a、6b及被覆层3a、3b,使两面产生的拉伸应力或压缩应力相克,可以缓和磁记录介质用基板的翘曲。另外,中间层6a、6b的厚度、被覆层3a、3b的厚度既可以相等,也可以相异。
在一侧表面上形成的被覆层3a上通过形成磁性膜,制作磁记录介质。与第1实施方案同样,当被覆层3a的表面粗糙度Ra达不到所希望的值(例如,Ra≤1nm)时,被覆层3a的表面可通过磨削、研磨加工成所希望的表面粗糙度Ra,作成磁记录介质用基板,在被覆层3a上形成磁性层,制成磁记录介质。
另外,树脂制基板2制成后,在形成中间层6a的工序、形成被覆层3a的工序及研磨被覆层3a的工序前后,根据需要,为了提高性能及质量稳定,进行适当的退火处理也可。
下面,参照图3(a)~3(b)对本发明的第3实施方案涉及的磁记录介质用基板进行说明。图3(a)~3(b)是本发明的第3实施方案涉及的磁记录介质用基板作为母材的树脂制基板构成的截面图。
在上述第1及第2实施方案中,树脂制基板2的表面形成平面且水平状,无论树脂制基板的中央部或周边部,树脂制基板2的厚度相等,而在第3实施方案中,树脂制基板的厚度中央部与周边部不同,这点是其特征。
如图3(a)的截面图所示,第3实施方案涉及的树脂制基板8,在树脂制基板的中央部O,形成贯穿上下方向的开口部8c,从中央部O至树脂制基板8的端部8d附近,使树脂制基板的厚度缓慢变薄。即,与树脂制基板的中央部O相比,周边部的厚度变薄。在此例子中,树脂制基板8的表面8a、8b制成平面状,两表面8a、8b同时形成倾斜,借此,树脂制基板8的厚度向端部8d缓慢变薄。在这里,当中央部O附近的厚度作为“厚度d1”,端部8d的厚度作为“厚度d2”时,则厚度d1>厚度d2。
另外,该树脂制基板8,可以采用与第1及第2实施方案同样的方法(注射成型等)进行制作。还有,表面8a、8b的倾斜角度通过改变树脂制基板8制作时的模具形状,可任意变更。例如,采用外径1英寸的树脂制基板时,当中央部O的厚度d1达到1mm时,端部8d的厚度薄到0.3mm也可。
如上所述,通过使周边部的厚度比树脂制基板8的中央部薄,基于树脂制基板8制成的磁记录介质,用磁盘记录装置使其旋转时,可通过旋转使变形变小,另外,磁头的追随性可达到良好。
另外,采用注射成型制作树脂制基板时,一般从设在中央部的开口填充树脂,制成树脂制基板,在相当于中央部的部分打孔,形成开口部,把作为成品取出。在采用该法时,树脂制基板中央部采用比周边部厚度厚的模具,故树脂的流动性提高,具有容易成型的效果。
还有,表面8a的倾斜与表面8b的倾斜,其倾斜角度既可以相同,也可以相异。两表面8a、8b的倾斜角度既可以相同,也可以相异,从中央部O向端部8d,如树脂制基板的厚度缓慢变薄,则可以发挥上述作用及效果。
另外,作为树脂制基板,也可以采用图3(b)所示的树脂制基板9。在该树脂制基板9的中央部O,形成贯穿上下方向的开口部9c,从中央部O至树脂制基板9的端部9d附近,使树脂制基板的厚度缓慢变薄。在该例中,树脂制基板9的表面9a、9b具有凸型的曲面形状,两表面9a、9b同时形成凸型的曲面形状,借此,树脂制基板的厚度向端部9d缓慢变薄。
如上所述,表面9a、9b形成凸型的曲面形状,周边部的厚度即使变薄,在旋转时不匀变小,磁头的追随性良好。
还有,表面9a的曲率半径与表面9b的曲率半径,这些曲率半径既可以相同也可以相异。两表面9a、9b的曲率半径既可以相同也可以相异,从中央部O向端部9d,如树脂制基板的厚度缓慢变薄,则可以发挥上述作用及效果。
另外,作为树脂制基板,也可以采用图3(c)所示的树脂制基板10。该树脂制基板10,在中央部O,形成贯穿上下方向的开口部10c,从中央部O至树脂制基板10的端部10d附近,使树脂制基板的厚度缓慢变薄。在该例中,树脂制基板10的表面10a、10b形成平面状,作为一侧表面的表面10a形成水平状,而作为另一侧表面的表面10b形成倾斜。这一点与图3(a)所示的树脂制基板8不同。树脂制基板8a两面形成倾斜面,但图3(c)所示的树脂制基板10,一侧表面(表面10a)形成水平状,而仅另一侧表面(表面10b)形成倾斜面。因此,由于一侧表面(表面10b)形成倾斜,故从树脂制基板的中央部O向端部10d的厚度变薄。
另外,在树脂制基板10形成被覆层3a或中间层6a时,至少在水平面的表面10a上形成。还有,在作为斜面的表面10b上形成被覆层3b或中间层6b也可。
如上所述,仅一侧表面(表面10b)形成倾斜,即使周边部的厚度变薄,在旋转时不匀仍变小,磁头的追随性良好。
还有,该第3实施方案涉及的树脂制基板8、9、10,其特征点在于,其形状与第1及第2实施方案涉及的树脂制基板形状不同,而涉及的材质、表面粗糙度Ra及任意所含的粒子等,与第1及第2实施方案相同。
而且,在图3(a)、(b)及(c)中所示的树脂制基板8、9、10的表面上,形成与第1实施方案相同的被覆层6a,制成磁记录介质用基板。另外,当被覆层3a的表面粗糙度Ra未达到所希望的值(例如,Ra≤1nm)时,被覆层3a的表面通过磨削、研磨,加工成所希望的表面粗糙度Ra,制成磁记录介质用基板,在被覆层3a上形成磁性层,制成磁记录介质。
另外,与第2实施方案同样,在树脂制基板8、9、10与被覆层6a之间设置中间层3a也可。另外,在树脂制基板8、9、10的两面设置被覆层6a、6b,或中间层6a、6b也可。
另外,在上述第1~第3实施方案中,树脂制基板2或中间层6a(6b)中含粒子时,通过含粒子,在树脂制基板2或中间层6a(6b)的表面产生凹凸,或粒子一部分露出,借此可以期待与相邻层的粘合性增强的效果。
另外,作为增强其粘合力的办法,可以采用树脂制基板2或中间层6a(6b)中含有与周围材质不同的粒子,树脂制基板2或中间层6a(6b)的表面用溶剂溶解,树脂制基板2或中间层6a(6b)中含有的粒子露出增加,积极在表面形成凹凸形状也可。另外,树脂制基板2或中间层6a(6b)通过蚀刻,除去表面附近的一部分或全部粒子,积极在表面形成凹凸形状也可。此时,当凹凸形状是表面树脂渗入内部的形状,则粘合力的增强效果更高。例如,如同图4所示的树脂制基板的截面图那样,在树脂制基板2或中间层6a的表面形成的凹部11,从凹部11的开口填入内部的树脂而形成(图4中虚线表示的部分),凹凸形状,从凹部12的侧面通过凹部11填入内部所形成的形状,则呈现粘合力的增强效果。
另外,在上述第1至第3实施方案中,为了确保作为磁记录介质的功能,把磁记录介质用基板的面保护或飞边,在下一工序进行简单处理,进行形状加工,可以提高性能与品质。
实施例下面对本发明的具体实施例加以说明。
实施例1本实施例1相当于上述第1实施方案。在这里,以在树脂制基板2的一侧表面上形成被覆层3a,制成磁记录介质用基板为例进行说明。
(树脂制基板2的成型)作为实施例1涉及的磁记录介质用基板中母材(树脂制基板)的材料,采用聚酰亚胺,通过注射成型,形成圆盘状的树脂制基板2。作为聚酰亚胺,采用ォラ一ム(三井化学社制造)。该树脂制基板2的尺寸如下所示。
外径1英寸(25.4mm)树脂制基板2的厚度0.4mm表面粗糙度Ra20nm采用这样的树脂进行注射成型,即使不进行研磨,也可以制作表面粗糙度Ra小的树脂制基板。由此,可以简化对铝基板或玻璃基板等进行的研磨工序,削减磁记录介质用基板的制造成本。
(被覆层3a的形成)对上述树脂制基板2实施非电解电镀,在树脂制基板2的表面形成1μm的Ni层。然后,再实施非电解电镀,在Ni层上形成NiP合金电镀层(下面称作NiP层)。该NiP层的厚度达到30μm。这些Ni层与NiP层相当于被覆层3a。
(研磨工序)形成上述被覆层3a后,研磨被覆层3a的表面。在该研磨工序,采用以胶体硅石作主成分的淤浆作为研磨剂。研磨后的磁记录介质用基板的表面粗糙度Ra为0.4nm。
如上所述,按照实施例1,研磨后的磁记录介质用基板的表面粗糙度Ra可达到1nm以下。因此,即使不研磨树脂制基板2本身,磁记录介质用基板的表面粗糙度Ra,仍可达到磁记录介质要求的表面粗糙度以下。
另外,上述研磨工序后,对被覆层3a的表面通过溅射形成Co类合金磁性层,制成磁记录介质。
还有,在该实施例1中,采用聚酰亚胺作为树脂制基板2的材料,但采用上述第1实施方案中举出的其他树脂,也可以发挥与实施例1同样的效果。另外,被覆层3a作为NiP层,但采用上述第1实施方案中举出的其他成分构成的层,也可以发挥同样的效果。
实施例2本实施例2相当于上述第2实施方案。在这里,对在树脂制基板2的一侧表面上形成中间层6a,在该中间层6a上形成被覆层3a,制成磁记录介质用基板为例进行说明。
(树脂制基板2的成型)作为实施例2涉及的磁记录介质用基板中母材(树脂制基板)的材料,采用环状聚烯烃树脂,通过注射成型,形成圆盘状的树脂制基板2。作为环状聚烯烃树脂,采用アペル(三井化学社制造)。该树脂制基板2的尺寸如下所示。
外径1英寸(25.4mm)树脂制基板2的厚度0.4mm表面粗糙度Ra10nm采用这样的树脂进行注射成型,即使不进行研磨,也可以制作表面粗糙度Ra小的树脂制基板。
(中间层6a的形成)对上述树脂制基板2,通过涂布,形成中间层6a。在该实施例2中,在以下所示成分的紫外线固化性丙烯酸类树脂中,混入粒径1~3μm的二氧化硅粒子20重量%,制成树脂涂布液,把该树脂涂布液,用旋转涂布法涂在上述树脂制基板2的表面上,接着,于40℃干燥30秒,使溶剂挥发,进行干燥。把涂布层照射紫外线使其固化,制成中间层6a。该中间层6a的厚度为7μm。
<紫外线固化性丙烯酸类树脂>
二季戊四醇六丙烯酸酯单体70g二季戊四醇六丙烯酸酯二聚体15g二季戊四醇六丙烯酸酯三聚体以上的成分15g二乙氧基二苯甲酮光反应引发剂4g丙二醇单甲醚75g甲乙酮75g(被覆层3a的形成)在上述树脂制基板2上形成中间层6a后,在该中间层6a上形成被覆层3a。作为形成被覆层3a的预处理,把形成中间层6a的树脂制基板2进行蚀刻。在这里进行蚀刻,使中间层6a中含有的粒子一部分从表面突出。通过该蚀刻,削去中间层6a,使中间层6a中含有的粒子一部分从表面突出。通过一部分突出的粒子,在中间层6a的表面形成凹凸。
在该蚀刻后,实施非电解电镀,在中间层6a上形成1μm的Ni层,再实施非电解电镀,在Ni层上形成NiP层。该NiP层的厚度达到35μm。形成NiP层后,再实施非电解电镀,在NiP层上形成厚5μm的Cr层。这些Ni层、NiP层及Cr层相当于被覆层3a。
另外,中间层6a通过蚀刻,使中间层6a中含有的粒子一部分从表面突出,通过该突出的粒子在中间层6a表面产生台阶的段差,表面的形状变成凹凸状。因此,中间层6a的表面由于形成凹凸状,则通过电镀形成的Ni层及NiP层等牢固地附着在中间层6a的表面上。即,通过粒子,中间层6a的表面形成凹凸状,中间层6a与NiP层等被覆层3a的粘合性增高。
还有,在NiP层上通过形成Cr层,可以防止NiP层发生翳影。
(研磨工序)形成中间层6a,再形成被覆层3a后,研磨被覆层3a的表面。在该研磨工序中,采用胶体二氧化硅作为主成分的淤浆作为研磨剂。研磨后的磁记录介质用基板1的表面粗糙度Ra为0.4nm。
如上所述,按照实施例2,研磨工序后的磁记录介质用基板的表面粗糙度Ra可达到1nm以下。因此,树脂制基板2本身即使不研磨,磁记录介质用基板的表面粗糙度Ra,仍可以达到磁记录介质要求的表面粗糙度以下。
另外,上述研磨工序后,在被覆层3a上通过溅射形成Co类合金的磁性层,制成磁记录介质。
还有,在该实施例2中,用环状聚烯烃树脂作为树脂制基板2的材料,但即使采用上述第1实施方案中列举的其他树脂,仍可以发挥与该实施例2同样的效果。另外,采用紫外线固化性丙烯酸类树脂作为中间层6a,即使采用上述第2实施方案中列举的其他树脂,仍可以发挥同样的效果。另外,被覆层3a作为NiP层及Cr层,即使采用第1实施方案中列举的其他成分构成的层,仍可以发挥同样的效果。
实施例3本实施例3相当于上述第3实施方案。在这里,对图3(b)所示的树脂制基板9的具体例子加以说明。
(树脂制基板9的尺寸)实施例3涉及的树脂制基板9的尺寸如下所示。
外径1英寸(25.4mm)内径(孔径)7mm中心部O附近的厚度1mm周边部(端部9d)的厚度0.3mm形成曲面状的表面9a、9b的曲率半径R300mm在具有上述构成的树脂制基板9上形成被覆层3a,研磨该被覆层3a的表面,制成最终的磁记录介质用基板。研磨前后的被覆层3a的厚度,与上述实施例1同样。另外,在树脂制基板9上形成上述中间层6a,再在该中间层6a上形成被覆层3a,研磨被覆层3a的表面,制成最终的磁记录介质用基板。中间层6a的厚度与上述实施例2相同。
研磨被覆层3a后,在被覆层3a上通过溅射形成Co类合金的磁性层,制成磁记录介质。
按照该实施例3,可以抑制磁记录介质旋转时的偏差,提高磁头的追随性。另外,可以确认,树脂制基板的中央部厚度比周边部厚,通过注射成型,制作树脂制基板9时,树脂的流动性提高,容易成型。
还有,表面9a、9b的曲率半径R,依赖于树脂制基板的大小,例如,当为1英寸基板时,希望曲率半径R达到135mm以上。
权利要求
1.磁记录介质用基板,其特征在于,包括具有圆盘状形状的树脂制基板;以及,在该树脂制基板的至少一侧表面上形成的被覆层。
2.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层在上述树脂制基板的两侧表面上形成。
3.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,在上述树脂制基板与上述被覆层之间形成有中间层。
4.按照权利要求3所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述中间层是通过涂布形成的,由树脂所构成。
5.按照权利要求3所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述中间层含有粒子。
6.按照权利要求5所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子由金属、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、磷化物、硫化物、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硝酸盐、氟化物、氯化物、溴化物、玻璃、玻璃纤维、碳纤维、炭粉、碳纳米管、或富勒烯构成。
7.按照权利要求5所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子是与周围的材质不同的树脂粒子。
8.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板含有粒子。
9.按照权利要求8所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子由金属、半导体、氧化物、碳化物、氮化物、磷化物、硫化物、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐、硝酸盐、氟化物、氯化物、溴化物、玻璃、玻璃纤维、碳纤维、炭粉、碳纳米管、或富勒烯构成。
10.按照权利要求8所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述粒子是与周围的材质不同的树脂粒子。
11.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板表面的表面粗糙度Ra在10nm以下。
12.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,构成上述树脂制基板的树脂的玻璃化转变温度Tg为200℃以上。
13.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板的中央有孔。
14.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层至少包括金属层、陶瓷层、磁性层、玻璃层,或无机层与有机层的复合层的任何一层。
15.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层包括含Ni(镍)、Fe(铁)、Cu(铜)、Ti(钛)、P(磷)、Co(钴)、Si(硅)、Sn(锡)或Pd(钯)、Zn(锌)、Ga(镓)、Ge(锗)、Mn(锰)的任何一种成分的金属层、陶瓷层或磁性层的任何一层。
16.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层由各膜成分不同的多层膜构成。
17.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层从上述树脂制基板侧的面向着表面,其成分缓慢变化而形成。
18.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层在表面侧的硬度比上述树脂制基板侧的硬度高。
19.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层的表面粗糙度Ra在1nm以下。
20.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述被覆层表面经过研磨。
21.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板在中央部的厚度比端部的厚度厚。
22.按照权利要求1所述的磁记录介质用基板,其特征在于,上述树脂制基板从中央部至端部的厚度缓慢变薄。
23.磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,其中包括从具有圆盘状形状的树脂制母材形成基板的工序;在上述树脂制基板的至少一侧表面上形成被覆层的工序;以及,抛光上述被覆层表面的工序。
24.磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,其中包括从具有圆盘状形状的树脂制母材形成基板的工序;在上述基板的至少一侧表面上形成中间层的工序;在上述中间层上形成被覆层的工序;以及,研磨上述被覆层表面的工序。
25.按照权利要求23或24所述的磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,上述树脂制基板的形成工序中,上述树脂制基板是采用注射成型、浇铸成型、片材成型、注射压缩成型或压缩成型而成型的。
26.按照权利要求25所述的磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,在形成上述树脂制基板的工序中,在上述树脂制基板的中心形成有孔。
27.按照权利要求26所述的磁记录介质用基板的制造方法,其特征在于,在形成上述树脂制基板的工序中,形成上述树脂制基板的内径尺寸、外径尺寸、内周端部形状、或外周端部形状中的至少1种。
全文摘要
本发明涉及的磁记录介质用基板,其特征在于,包括具有圆盘状形状的树脂制基板;以及,在上述树脂制基板的至少一侧表面上形成的被覆层。
文档编号G11B5/73GK1925012SQ20061012621
公开日2007年3月7日 申请日期2006年8月25日 优先权日2005年8月30日
发明者中野智史, 小林肇, 正木义治, 河合秀树 申请人:柯尼卡美能达精密光学株式会社
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