专利名称：一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法
技术领域：
本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体涉及一种光磁混合存储材料及其制备方法。
背景技术：
传统的TbFeCo材料具有垂直各向异性，可用作磁光存储材料以及光磁混合存储材料。早期人们主要研究的是具有强烈耦合作用的多层膜，但是这些制备工艺复杂，材料的性能很难保证。目前受到普遍重视的是多靶共溅法制备TbFeCo。
信息技术的飞速发展得益于材料存储性能的提高。人们一直致力于提高材料的存储密度。因此寻找新的样品制备方法，在超高密度光磁混合记录领域中具有重要的意义，有助于推动信息存储等高科技领域的发展，并有可能产生巨大的经济效应。
发明内容
本发明的目的对传统的制备方法进行了改进，提出一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。
本发明提出的具有高矫顽力的光磁混合存储材料，以玻璃为衬底，其上经射频磁控溅射有一层缓冲层MgO，厚度为0.4-2nm；在该缓冲层上还磁控溅射有一层光磁混合存储材料TbFeCo，厚度为6-30nm。
上述光磁混合存储材料的制备步骤如下将经清洗处理的玻璃衬底放进溅射腔内，抽真空，腔的本底真空度降到6.0×10-5Pa以下时，通氩气，氩气压维持在0.8-1.0Pa；采用射频磁控溅射方式，在玻璃衬底上制备样品缓冲层MgO，其溅射速率为0.2-0.4/s，MgO厚度为0.4-2nm；然后直流磁控溅射光磁混合存储材料TbFeCo，其溅射速率为0.2nm-0.3nm/s，TbFeCo厚度为6-30nm。静置一小时后开腔，取出样品并测量。
本发明提出的制备光磁混合存储材料的方法，可提高存储材料的矫顽力，因此对存储性能有很大的改善与提高，因此本发明将在光磁混合存储记录技术领域具有重大的应用价值。
图1为实施例1中没有MgO层的样品实验曲线。
图2为实施例1中溅射MgO层的样品实验曲线。
图3为实施例2中没有MgO层的样品实验曲线。
图4为实施例2中溅射MgO层的样品实验曲线。
图5为实施例3中没有MgO层的样品实验曲线。
图6为实施例3中溅射MgO层的样品实验曲线。
具体实施例方式
实施例一组分一TbFeCo将玻璃衬底放入无水酒精中，用超声发声器清洗两至三遍。用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备衬底/TbFeCo(6nm)，易磁化方向很难垂直膜面。如图1所示给出室温时样品的实验曲线。
用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备衬底/MgO(0.8nm)/TbFeCo(6nm)，易磁化方向垂直膜面，矫顽力明显增大。如图2所示给出室温时样品的实验曲线。
实施例二组分二TbFeCo对玻璃衬底进行清洗处理(如实施例1)。用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备衬底/TbFeCo(9nm)易磁化方向很难垂直膜面。如图3所示给出室温时样品的实验曲线。
用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备衬底/MgO(2nm)/TbFeCo(9nm)易磁化方向垂直膜面，矫顽力增大很大。如图4所示给出室温时样品的实验曲线。
实施例三组分三TbFeCo对玻璃衬底进行清洗处理(如实施例1)。用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备了衬底/TbFeCo(30nm)易磁化方向垂直膜面，薄膜有矫顽力。如图5所示给出室温时样品的实验曲线。
用计算机控制的多功能磁控溅射设备制备衬底/MgO(1.2nm)/TbFeCo(30nm)易磁化方向垂直膜面，矫顽力增大。如图6所示给出室温时样品的实验曲线。
权利要求
1.一种光磁混合存储材料，其特征在于以玻璃为衬底，其上经射频磁控溅射有一层缓冲层MgO，厚度为0.4-2nm；在该缓冲层上还磁控溅射有一层光磁混合存储材料TbFeCo，厚度为630nm。
2.一种光磁混合存储材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下将经清洗处理的玻璃衬底放进溅射腔内，抽真空，腔的本底真空度降到6.0×10-5Pa以下时，通氩气，氩气压维持在0.8-1.0Pa；采用射频磁控溅射方式，在玻璃衬底上制备样品缓冲层MgO，其溅射速率为0.2-0.4/s，MgO厚度为0.4-2nm；然后直流磁控溅射光磁混合存储材料TbFeCo，其溅射速率为0.2nm-0.3nm/s，TbFeCo厚度为6-30nm。
全文摘要
本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。
文档编号G11B5/851GK1975892SQ200610147249
公开日2007年6月6日 申请日期2006年12月14日 优先权日2006年12月14日
发明者周仕明, 焦新兵, 徐振 申请人:复旦大学