专利名称：：使用电阻变化记录媒体的spm信息存储装置及其驱动方法
技术领域：
：本发明涉及使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法，尤其涉及通过电阻变化记录层，形成记录媒体，可以执行精密的记录及复制，记录信息时，探针不直接接触记录层，熔化保护膜，形成缺口后，通过缺口，探针接触记录层，能够减少探针磨损的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法。
背景技术：
：通常，原子显微镜(A:FM)是一种使用微小悬臂测定表面情况等的装置。在悬臂末端，形成数nm大小的接点，通过测定这种接点与试片之间的原子力，能够知道试片的表面情况、电的性质及磁的性质等。最近，正在对使用这种原子显微镜原理的毫微感光装置(Nano-lithography)和毫微信息存储装置(Nanodatastorage)进行研究。由于利用数个nm大小的探针，可以存储信息。所以，利用原子显微镜的原理，可以开发具有Tbit/m2以上存储密度的数据存储装置。IBM公司从数年前就开始对应用原子显微镜的原理，将PMMA等高分子物质用作记录媒体使用的信息存储装置进行研究(IBMJ.RES.DEVOLP.Vol.44No.32000，pp.323-340)。在IBM的SPM信息存储装置中，2度连接悬臂，构成了32X32个悬臂。这个悬臂由以下几个部分构成硅接点；在所述接点部位形成的电阻加热器(Resistiveheater)和悬臂。这种信息存储装置的记录(Writing)特点是，加热接点，在使聚合体记录媒体柔软的(减小黏度)状态下，如果在悬臂接点上局部施力，在记录媒体上形成缺口(Bitindentation),记录信息。而且，读取(Reading)动作的特点是，接点进入到凹陷的缺口中，如果记录媒体与悬臂加热器之间的距离变近，悬臂的加热器快速冷却，当接点经过平坦的面时，与记录媒体之间的距离变远，慢慢冷却。如果由于这种冷却速度的差异，加热器温度不同，会引起加热器的电阻出现差异，利用出现差异的电阻，复制信息。IBM公司开发的SPM信息存储装置用悬臂尽管具有制造工序简单的优点，但是其存在多种问题。艮口，制作悬臂阵列时，各个悬臂间的高度偏差引起的接点磨损问题；电阻加热器均衡度问题和检测加热器的电阻变化，复制数据时，由于加热器加热到大约35(TC的高温，发生的电力损耗等问题。
发明内容因此，本发明的目的在于旨在解决所述问题，提供一种通过电阻变化记录层形成记录媒体，使用能够进行精密记录及复制的电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法。本发明的另外一个目的在于旨在解决所述问题，提供一种使用记录信息时，探针不直接接触记录层，熔化保护膜，形成缺口后，通过缺口，探针与记录层接触，能够减少探针磨损的电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法。为了实现所述目的，本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的第一实施例(样态)的特点是，包括以下几个部分构成在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；为了能够形成使所述电阻变化记录层露出的缺口(Indentation)，在所述记录媒体的保护膜上加热的加热器；安装形成通过所述缺口，接触电阻变化记录层的探针的悬臂的头(Head)部。为了实现所述目的，本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的第二实施例(样态)的特点是，包括以下几个部分构成在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；为了形成使所述电阻变化记录层能够露出的缺口(Indentation)，在所述记录媒体的保护膜上加热的加热器；形成通过所述缺口，接触所述电阻变化记录层的探针的悬臂；与所述悬臂保持一定距离，形成将所述缺口恢复原状的接点和向所述接点提供热量的加热器的辅助悬臂。为了实现所述目的，本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的第3实施例(样态)的特点是，包括以下几个部分构成在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；在下部面上形成探针，在上部面上形成加热器，在下部面上形成缠裹所述探针的导电层，与在上部面上形成对所述加热器进行加热的电源连接的导电层的第一悬臂；与所述第一悬臂保持一定距离，在下部面上形成接点(TIP)，在与所述接点对应的上部面上形成加热器，在上部面上形成与对所述加热器进行加热的电源连接的导电层的第二悬臂。为了实现所述目的，本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的第4实施例(样态)的特点是，包括以下几个部分构成在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；在所述保护膜上形成缺口，在电阻变化记录层中通入电压，记录信息的记录部；填埋所述保护膜缺口的复原部。为了实现所述目的，本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法特点是包括如下步骤在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体上，在下部[fU形成探针，在上部面形成加热器，缠裹所述探针的导电层在下部面形成，使连接对所述加热器进行加热的电源的导电层位于在上部面形成的悬臂上的步骤；加热所述悬臂的探针后，加热的探针接触记录媒体的保护层上部，通过所述探针的热度，使探针接触的保护层区域熔化，形成使所述记录媒体的电阻变化记录层露出的缺口(Indentation)的步骤；探针接触所述露出的电阻变化记录层，通过所述探针，通入电压的步骤。综上所述，本发明由于采用了以上的技术方案，解决了现有技术存在多种问题，S卩，当制作悬臂阵列时，由各个悬臂间的高度偏差引起的接点磨损问题；电阻加热器均衡度问题和检测加热器的电阻变化，复制数据时，由于加热器加热到大约35(TC的高温，产生的电力损耗等问题。本发明达到如下效果当记录信息时，探针不直接接触记录层，熔化保护膜，形成缺口后，通过缺口，探针与记录层接触，能够减少探针磨损。而且，在电极上部形成电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体，通过在这个电阻变化记录层上通入电压，进行记录及复制，达到更加精密地完成记录及复制动作的效果。图l为本发明使用电阻变化记录媒体的SPM(ScanningProbeMicroscopy:扫描探针显微镜)信息存储装置的概略构成示意图。图2为本发明SPM信息存储装置的记录媒体的断面图。图3为本发明中记录媒体的电阻变化记录层使用的SrZr03的电压-电流特性图。图4为本发明SPM信息存储装置的扫描器的概略斜视图。图5为本发明SPM信息存储装置的头部的概略平面图。图6a和图6b为本发明SPM信息存储装置的动作方法的概略断面图。图7为本发明SPM信息存储装置中适用的悬臂的断面图。图8为详细说明图6a及图6b驱动方法的示意图。图9为根据本发明，对记录媒体的保护层上形成的缺口(Indentatkm)进行摄影的照片。图10为在本发明SPM信息存储装置上，原状恢复保护层缺口的方法的示意阁。图ll为根据本发明，形成原状恢复保护层缺口的辅助悬臂的状态的平面图。图12a和图12b是本发明中的信息记录及复制用探针和保护层缺口原状恢复用接点的部分断面图。附图主要部分符号说明如下:<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>具体实施方式下面将参照附图对具有以上特征的本发明的实施例进行详细说明。图1为本发明使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的概略构成示意阁。SPM(ScanningProbeMicroscopy:扫描探针显微镜)信息存储装置由以下儿个部分构成在电极上部110，电阻变化记录层120与保护膜]30依次积层的记录媒体100;在所述记录媒体100的保护膜130上加热，形成缺口(Indentation)的加热器210;安装形成通过所述缺口，接触所述电阻变化记录层120的探针220的悬臂230的头(Head)部200。本发明中的SPM信息存储装置的特点是，在复制及记录之前，对加热器210进行加热，加热探针22()，通过加热的探针220，在保护膜130上形成缺口(Indentation)。然后，通过所述缺口，所述探针220与电阻变化记录层120接触，进行记录及复制。如果，探针直接接触记录媒体，为了保持接触电阻，应该向探针施加一定的力，探针的磨损问题将变得更加严重。由此，本发明为了执行记录及复制动作，探针不直接接触记录媒体，而是熔化保护膜，形成缺口后，通过缺口，探针与记录媒体直接接触，这样，可以减少探针的磨损。图2为本发明SPM信息存储装置的记录媒体的断面图。在基板105上部，依次将电极IIO、电阻变化记录层120和保护膜130积层，形成记录媒体。阁3为本发明中记录媒体的电阻变化记录层使用的SrZr03的电压-电流特性阁。首先，在本发明中，由可以变化电传导度的物质构成记录媒体的电阻变化记录层。这种可以变化电传导度的物质物质可以是Nb20s，A1203，Ta2O^DNiO中任意一个。而且，BaTi03，BaTi03，SrZr03，SrZr03，SrTi03，Ca2Nb2O^0Ta2O5中任意一个物质掺杂Cr或V(Vanadhim钒)，用作电阻变化记录层。因此，图3是前面提到的SrZr03的电压-电流特性图，如果在这个SrZKB中通入-0.53V到+0.53V电压，像'A，那样，电阻不发生变化，通过原来状态的高电阻值，电流值存在于-8+8。但是，如果通入-0.53V以下的电压或者通入+0.53V以上的电压，SrZr03引起电阻变化，通过低的电阻值，像'B，及'C，那样，电流值是-45或者+45。即，当通入一定范围内的电压时，本发明的电阻变化记录层由具有'A'电阻伯:状态的物质构成；当通入所述一定范围以外的电压时，由具有低于所述'A'电阻的电阻值状态的物质构成。因此，如果在电阻变化记录层上通入所述一定范围以外的电压，可以记录信息。这里，所述'A'电阻值状态是'0，的信息时，所述'B，电阻值状态是M'的信息。因此，本发明通过这种电阻变化记录层，形成记录媒体，可以执行精密的记录及复制动作。图4为本发明SPM信息存储装置的扫描器的概略斜视图。向X，Y方向移动记录媒体100的扫描器300，通过记录媒体100的基板与连接部150连接。因此，如果扫描器300向X方向或Y方向移动，记录媒体100也随着扫描器300…-起移动。此时，所述扫描器300是利用电磁力(Electromagneticforce)、静电力(Electrostacticforce)等通常的力，进行驱动的装置。图5为本发明SPM信息存储装置的头部的概略平面图。在SPM信息存储装赏的头部200上，多个悬臂230相互纵横交错排列，在头部200的边缘上，设有可以向Z轴调节位置的多个Z轴传感器(251，252，253，254)。所述Z轴传感器(251，252，253，254)分别由以下几个部分构成在前端形成接点的悬臂；在所述悬臂上形成的传感部；在所述悬臂上部上、下部电极-压电膜-上部电极依次积层，构成的传动器。这里，所述传感部最好由压阻传感器、压电式传感器和热力机械(Thermo-mechanic)传感器中的任意一个形成。即，如果头部与记录媒体的位置变近，接点盖在记录媒体的边缘，悬臂弯曲，产生压力。当所述传感部是压阻传感器时，通过这种压力，感应电阻变化量，压电传感器通过电荷量(Charge)显示压力的变化量，所述Z轴传感器(251，252，253，254)可以感应头部与存储媒体间的距离。而且，热力机械传感器将接点下部的加热器产生的热量传送到记录媒体的边缘，温度快速下降，此时，可以感应加热器的电阻变化。由于前面提到的压阻传感器、压电传感器和热力机械(Thermo-mechanic)传感器是众所周知的技术，这里省略对其的详细说明。因此，SPM信息存储装置为了执行记录及复制动作，当头部接近记录媒体时，所述Z轴传感器(251，252，253，254)通过所述传感部感应头部与记录媒体是否平行，是否位置适当，当感应到位置不适当时，驱动传动器，向Z轴移动，将其矫正成平行状态。图6a和图6b为本发明SPM信息存储装置的动作方法的概略断面图。首先，参照图6a，对SPM信息存储装置的记录动作进行说明。加热悬臂230的探针220后，将加热的探针220接触记录媒体100的保护层130上部，利用所述探针220的热，将探针220接触的保护层130区域熔化，形成使所述记录媒体100的电阻变化记录层120露出的缺口(Indentation),然后，探针220接触所述露出的电阻变化记录层120。接着，向所述探针220通入电压，在所述电阻变化记录层120上进行信息记录。这里，所述通入电压的区域记录'r的信息，没有通入电压的区域记录'0'的信息。而且，参照图6b，对SPM信息存储装置的复制动作进行说明。加热的探针220接触记录媒体100的保护膜130上部，向所述探针220通入电压，复制所述电阻变化记录层120的信息。因此，所述保护膜130应该是传导性物质，应该具有一定的电阻。此时，所述保护膜130的电阻条件是，记录信息时，最好大于通入电压，电阻变化的电阻变化记录层的电阻值，小于没有通入电压的电阻变化记录层的电阻值。正如前面提到的那样，当所述电阻变化记录层通入一定范围内的电压时，由具有'A'电阻值状态的物质构成，当通入所述一定范围外的电压时，由线有小于所述'A'电阻值的'B'电阻值状态的物质构成时，所述保护膜的电阻最好大于'B，电阻值，小于'A'电阻值。而且，为了保护探针，所述保护膜130最好使用传导性聚合体。图7为本发明SPM信息存储装置中适用的悬臂的断面图。在悬臂230下部面形成探针220，在所述悬臂230上部面形成加热器210，缠裹所述探针220的导电层225在所述悬臂230下部面形成，与加热所述加热器210的电源连接的导电层215在所述悬臂230上部面上形成。图8为详细说明图6a及图6b的驱动方法的示意图。首先，在记录媒体的保护层130上形成缺口135，如果想使电阻变化记录层120露出，应该加热悬臂230的探针220。这里，与探针220对应的悬臂230上部面上应该形成加热器210，对悬臂230的探针220进行加热的加热器210能够迅速地加热探针220。而且，加热所述探针220的温度应该高于所述保护层130的玻璃转移(Glasstransition)温度。所以，如图8所示，加热器210电连接在在悬臂230上部面上形成的导电层215上，这个导电层215与电源410连接。如果在所述电源410与加热器210之间设置开关420，通过这个开关420的切换作用，只有在形成所述缺口135时，才能够使加热器210动作。并且，在所述保护层130上形成缺口135后，为了在所述电阻变化记录层120记录信息，应该向所述探针220通入电压。为此，缠裹所述探针220的导电层225与电阻(R)连接，所述电阻(R)的两端分别通过第一和第二开关(521，522)，与驱动电源510进行电连接，所述驱动电源510与所述记录媒体的电极110进行电连接。记录及复制时，选择地切换这样构成的第一和第二开关(521，522)，当切换在所述导电层225和电阻(R)之间连接的第一开关521时，是记录模式；当切换所述第二开关522时，是复制模式。因此，在记录模式下，切换所述第一开关521，向缠裹所述探针220的导电层225通入电源510的设定电压，进行记录。而且，在复制模式下，切换所述第二幵关522，向缠裹探针220的导电层225通入通过所述电阻(R)变低的电源510的设定电压，进行复制。图9为根据本发明，对记录媒体的保护层上形成的缺口(Indentation)进行摄影的照片。正如前面记述的那样，记录信息时，在保护层130上形成的缺U135处于凹陷状态。图10为在本发明SPM信息存储装置上，原状恢复保护层缺口的方法的示意阁。在对信息记录及复制的悬臂旁边，形成原状恢复在记录媒体的保护层上形成的缺口的辅助悬臂，利用这个辅助悬臂，填埋缺口。因此，如图10所示，在所述辅助悬臂270的下部面上形成接点(TIP)271，在与所述接点271对应的所述辅助悬臂270的上部面上形成加热器275，与加热所述加热器275的电源连接的导电层276在所述辅助悬臂270上部面上形成。而且，所述加热器275与在悬臂270上部面上形成的导电层276电连接，这个导电层276连接电源610。这种辅助悬臂270通过从所述电源610通入的电压，驱动加热器275，加热器275加热所述接点271，在熔化所述缺口周围的保护层的同时，如果移动所述辅助悬臂270，填埋缺口，将其恢复原状。另外，在所述电源610与加热器275之间设置开关620，只有在通过开关620的切换作用，将缺口135恢复原状的时候，才能够使加热器210动作。这里，执行将所述缺口135恢复原状的工序的特点是，在记录媒体上形成进行记录的缺口，通过这个缺口，在电阻变化记录层记录后，移动形成探针的悬臂，使所述辅助悬臂位于缺口周围，完成工序。图ll为根据本发明，形成原状恢复保护层缺口的辅助悬臂的状态的平面图。在与形成信息记录及复制用探针220的悬臂保持一定距离的辅助悬臂的下部面上形成接点271。这种进行信息记录及复制的悬臂和原状恢复保护层缺口的辅助悬臂形成对(Pair)，最好在头部设置多个。图12a和图12b是本发明中的信息记录及复制用探针和保护层缺口原状恢复用接点的部分断面图。信息记录及复制用探针220从悬臂230下部面突出，末端最好加工成锋利的形状，保护层缺口原状恢复用接点271从辅助悬臂270下部面突出，末端最好是平平的形状。艮[J，所述信息记录及复制用探针220通过锋利的末端，可以精密地进行信息的复制及记录，所述保护层缺口原状恢复用接点271通过平平的末端，可以顺利地填埋保护层的缺口。而且，所述信息记录及复制用探针220的宽度(W1)应该小于所述保护层缺口原状恢复用接点271的宽度(W2)，所述保护层缺口原状恢复用接点271可以很容易地填埋通过所述信息的记录及复制用探针220生成的缺口。从另外侧面来看，所述信息记录及复制用探针220的断面面积应该小于所述保护层缺口原状恢复用接点271的断面面积，所述保护层缺口原状恢复用接点271能够很容易地填埋通过所述信息记录及复制用探针220生成的缺口。本发明的权利并不局限在上述说明的实施例，而是要根据权利要求范围所定义，本领域熟练技术人员完全可以在不偏离本发明的权利要求范围内，进行多样的变更以及修改。权利要求1.一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于，包括在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；为了形成使所述电阻变化记录层露出的缺口，在所述记录媒体的保护膜上加热的加热器；通过所述缺口，形成安装在悬臂头部的接触所述电阻变化记录层的探针。2、如权利要求l所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于在所述头部还包括对所述缺口进行填埋的装置。3、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述悬臂有多个，所述多个悬臂纵横交错，排列在所述头部上。4、如权利要求3所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于在所述头部的边缘上设有能够将所述头部向z轴进行位置调节的多个z轴传感器。5、如权利要求4所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述Z轴传感器分别由以下几个部分构成在前端形成接点的悬臂；在所述悬臂上形成的传感部；在所述悬臂上部上、下部电极-压电膜-上部电极依次积层，构成的传动器。6、如权利要求5所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述传感部包括压阻传感器、压电传感器和热力机械传感器中任意一个。7、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述记录媒体是设在基板上部上，由电极、电阻变化记录层和保护膜依次积层，形成。8、如权利要求7所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于还包括如下结构在所述记录媒体的基板上，通过连接部连接，将所述记录媒体向X、Y方向移动的扫描器。9、如权利要求8所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述扫描器通过电磁力或者静电力进行驱动。10、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述电阻变化记录层由Nb205、A1203、1、05和NiO中任意一个形成。11、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于在BaTi03、BaTi03、SrZr03、SrZr03、SrTi03、Ca2Nb207和丁&205中任意一个物质中，掺杂Cr或者钒，形成所述电阻变化记录层。12、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于当通入一定范围内的电压时，所述电阻变化记录层由具有'A'电阻值状态的物质构成；当通入所述一定范围外的电压时，由具有低于所述'A'电阻的'B'电阻值状态的物质构成。13、如权利要求1或2所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于-所述保护层由传导性聚合体形成。14、一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于，包括在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；为了形成使所述电阻变化记录层露出的缺口，在所述记录媒体的保护膜上加热的加热器；通过所述缺口，形成接触所述电阻变化记录层的探针的悬臂；形成与所述悬臂保持一定距离，将所述缺口恢复原状的接点和向所述接点提供热量的加热器的辅助悬臂。15、如权利要求14所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述接点在辅助悬臂的下部面形成，所述辅助悬臂的加热器在与所述接点对应的所述辅助悬臂的上部面上形成。16、如权利要求14所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述探针从悬臂下部面突出，末端成锋利的形状，所述接点从辅助悬臂下部面突出，末端是平平的形状。17、如权利要求16所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述探针的宽度小于所述接点的宽度。18、如权利要求14所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述保护层是传导性物质，具有一定的电阻。19、一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于，包括如下结构在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；在下部面上形成探针，在上部面上形成加热器，在下部面上形成缠裹所述探针的导电层，与在上部面上形成对所述加热器进行加热的电源连接的导电层的第一悬臂；与所述第一悬臂保持一定距离，在下部面上形成接点，在与所述接点对应的上部面上形成加热器，在上部面上形成与对所述加热器进行加热的电源连接的导电层的第二悬臂。20、如权利要求19所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于缠裹所述第一悬臂的探针的导电层与电阻(R)连接，所述电阻(R)的两端分别通过第一和第二开关，与驱动电源进行电连接，所述驱动电源与所述记录媒体的电极进行电连接。21、如权利要求19所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于记录及复制时，选择地切换第一和第二开关。当切换在所述导电层和电阻之间连接的第一开关时，是记录模式，当切换所述第二开关时，是复制模式。22、如权利要求21所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于在记录模式下，切换所述第一开关，向缠裹所述探针的导电层通入电源的设定电压，进行记录。在复制模式下，切换所述第二开关，向缠裹探针的导电层通入通过所述电阻变低的电源的设定电压，进行复制。23、如权利要求19到22中的任意一项所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于当通入一定范围内的电压时，所述电阻变化记录层由具有'A，电阻值状态的物质构成；当通入所述一定范围外的电压时，由具有低于所述'A'电阻的'B'电阻值状态的物质构成。24、如权利要求23所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述保护层由具有传导性，具有一定的电阻的物质构成，大于'B，电阻值，小于'A'电阻值。25、如权利要求19所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述第一和第二悬臂构成对，在头部设置多个。26、如权利要求19所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述第一悬臂探针的断面面积小于所述第二悬臂接点的断面面积。27、一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于，包括在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；在所述保护膜上形成缺口，在电阻变化记录层中通入电压，记录信息的记录部；填埋所述保护膜的缺口的复原部。28、如权利要求27所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于在所述电阻变化记录层中通入电压，记录的信息是M'，在所述电阻变化记录层上不通入电压，记录的信息是'0'。29、一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于包括以下步骤在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体上，在下部面形成探针，在上部面形成加热器，缠裹所述探针的导电层在下部面形成，使连接对所述加热器进行加热的电源的导电层位于在上部面形成的悬臂的步骤；加热所述悬臂的探针后，加热的探针接触记录媒体的保护层上部，通过所述探针的热度，使探针接触的保护层区域熔化，形成使所述记录媒体的电阻变化记录层露出的缺口的步骤；探针接触所述露出的电阻变化记录层，通过所述探针，通入电压的步骤。30、如权利要求29所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于通过所述探针通入电压的步骤是在所述电阻变化记录层上记录信息的过程，所述通入电压的区域记录'l'的信息，没有通入电压的区域记录'0'的信息。31、如权利要求30所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于通过所述探针通入电压，在电阻变化记录层中记录信息后，执行填埋所述保护层的缺口的工序。32、如权利要求31所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于填埋所述保护层发缺口工序后，加热的探针接触所述记录媒体的保护膜上部，通过所述探针通入电压，复制所述电阻变化记录层的信息。33、如权利要求29到32项中任意一项所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于当通入一定范围内的电压时，所述电阻变化记录层由具有'A'电阻值状态的物质构成；当通入所述一定范围外的电压时，由具有低于所述'A'电阻的'B'电阻值状态的物质构成。34、如权利要求33所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置，其特征在于所述保护层由具有传导性，具有一定电阻的物质构成，所述保护层的电阻条件是大于'B'电阻值，小于'A'电阻值。35、如权利要求31所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于填埋所述保护膜的缺口的工序包括以下几个工序与所述悬臂保持一定距离，在下部面形成接点，在与所述接点对应的上部面形成加热器，与对所述加热器进行加热的电源连接的导电层使在上部面形成的辅助悬臂的接点接触所述保护膜的缺口的工序；用所述加热器加热所述接点的工序；通过所述加热的接点，熔化缺口周围的保护层，移动所述辅助悬臂，填埋缺口的工序。36、如权利要求35所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于所述探针从悬臂下部面突出，末端最好加工成锋利的形状，所述接点从辅助悬臂下部面突出，末端最好是平平的形状。37、如权利要求36所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于所述探针的宽度小于所述接点的宽度。38、如权利要求29所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于在所述保护层上形成缺口的步骤中，加热所述探针的温度是高于所述保护层的玻璃转移温度的温度。39、如权利要求29所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于所述电阻变化记录层由Nb205、A1203、丁&205和NiO中任意一个形成。40、如权利要求29所述的使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置的驱动方法，其特征在于所述电阻变化记录层通过在BaTi03、BaTi03、SrZr03、SrZr03、SrTi03、Ca2Nb20^n1^205的任意一个物质掺杂0"或钒形成。全文摘要本发明公开了一种使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法。其特点是，包括在电极上部，电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体；为了能够形成使所述电阻变化记录层露出的缺口，在所述记录媒体的保护膜上加热的加热器；通过所述缺口，形成安装在悬臂头部的接触所述电阻变化记录层的探针。当记录信息时，探针不直接接触记录层，熔化保护膜，形成缺口后，通过缺口，探针与记录层接触，能够减少探针磨损。而且，由于在电极上部形成电阻变化记录层与保护膜依次积层的记录媒体，通过在这个电阻变化记录层上通入电压，进行记录及复制，达到更加精密地完成记录及复制动作的效果。文档编号G11B11/00GK101211607SQ20061014877公开日2008年7月2日申请日期2006年12月30日优先权日2006年12月30日发明者金永植申请人:上海乐金广电电子有限公司