专利名称：用于估计存储单元状态的分析开关电路和分析方法
技术领域：
在电可写和可擦除存储器中区分为易失性和非易失性存储单元。例如在图1中所示的所谓电荷捕获存储单元100也属于非易失性存储单元，所述电荷捕获存储单元例如可以用在虚地NOR结构中，并且在MOS场效应晶体管(MOS FET)的基础上如下修改其结构，即栅极绝缘层例如具有带有三个层141、142和143的层堆叠130。典型地，在电荷捕获存储单元中，所述三个层中的不导电的中间层142被设置用于捕获和存储载流子，而外面的边界层141和143阻止载流子从也被称为存储层142的中间层142流出。
背景技术：
在存储单元100的情况下，可以借助于适当的编程运行方式把载流子以定义的方式引入到所述存储层142中，以便改变读运行中存储单元100的电特性。借助于这种对存储单元100的编程来达到存储单元100的不同的电荷状态，这些不同的电荷状态可以等效地被分配给不同的逻辑状态，并且在存储器100的适当的读运行中还可以被重新读取。
当在存储单元100的读运行中在控制栅144与衬底101之间施加电压时，跟存储单元100的在存储层142中不存在电荷的状态相比，存储层142中电荷的存在改变沟道区150中的垂直电场。跟在未被充电的存储层142情况下的运行特性相比，在被充电的存储层142的情况下由所施加的电压和载流子的电场而得出的在沟道区中的垂直电场改变存储单元100的运行特性。例如，这由以下方式来表明，即在引入负的载流子时这种被修改的MOS FET装置的转移特性曲线的截止电压VT被推移到较高的值。在引入正的载流子时得出相应较低的截止电压。
以这样的方式所构造的存储单元100也被称为SONOS存储单元(半导体氧化物氮化物氧化物半导体(semiconductor-oxide-nitride-oxide-semiconductor))。
在这种存储单元100的情况下，边界层141、143通常被实施成氧化物，而存储层142通常被实施成半导体材料的氮化物，所述半导体材料通常是硅。
除了其它的方法以外，电荷捕获存储单元还借助于所谓的热电子(沟道热电子，CHE)通过以下方式被编程，即在编程时向存储层142中引入电子，并且可以例如利用所谓的热空穴(Hot-Hole)通过以下方式被擦除，即借助于带正电的空穴(Hole)补偿存储层中的带负电的电子。
为具有与编程过程反向地被施加的读电压的特定运行方式(反向读)所设置的、并且具有与这种运行方式相匹配的边界层厚度的SONOS存储单元通常被称为NROM存储单元100。所述NROM存储单元100在第一源/漏区110和第二源/漏区120方面典型地对称地被构成。所述NROM存储单元100可以以至少两种不同的运行方式运行，从中可以导出至少两个电变量。这些运行方式典型地在电压方向方面相区别，所述电压在读取和编程所述存储单元100时被施加在源/漏区110或者120上。
借助于这两种运行方式能够以四个不同的电荷状态对所述存储单元100进行编程，并且从而存储两个位，因为在编程运行时以从第一源/漏区110向第二源/漏区120的第一运行方向将存储层142中的电荷存储在位于第二源/漏区120附近的第二电荷存储区132中，并且在对称相反的运行时以第二运行方向、也即从第二源/漏区120向第二源/漏区110将存储层142中的电荷存储在位于第一源/漏区110附近的第一电荷存储区131中。在读取时，可以如此地运行存储单元100，使得所导出的电变量特别灵敏地对电荷存储层142的两个电荷存储区131或者132之一中存在的电荷反应，并且从而可以定义例如四个不同的逻辑状态用于存储两个位。
然而，当在以第二运行方向运行存储单元100中读取电变量以检测在位于存储单元100的第二源/漏区120附近的第二电荷存储区132中的电荷量时，将电荷引入例如位于这种存储单元100的第一源/漏区110附近的第一电荷存储区131中引起改变，并且相应地反之亦然。
在位于两个源/漏区110、120附近的存储层142中的电荷量的差别越大，这种所谓的串扰起的作用越强。借助于适当的运行参数(例如在源/漏区110、120之间较高的电压)来降低这种串扰。然而随着技术进一步发展，有效沟道长度越来越小并且从而在单元两侧的电荷之间的物理距离越来越小。这导致较强的串扰。因此应当考虑到将来这种串扰会以更强的程度在运行时(特别是在读取时)引起问题。
如在US 2005/195650 A1中所说明的那样，可以借助于改变存储单元的运行来防止这种串扰或者说强烈地降低这种串扰。
在这种差别存储方案中，通过不再把电荷状态直接分配给逻辑状态来避免在两个存储位置上大大不同的电荷量，因为在直接分配的情况下可能得出在两个存储位置之间电荷量的所述大的差别。
为了避免这点，在差别存储方案的情况下例如定义两个电荷量区，所述两个电荷量区小于为对存储单元进行编程所提供的总电荷量区。于是在两个电荷存储区131或者132中的电荷状态要么处于例如借助于两个上面的电荷状态214和213的差所得出的上面的电荷量区220中(参见图2a至图2d)，要么处于例如借助于两个下面的电荷状态212和211的差所得出的下面的电荷量区210中。
于是，借助于编程以以下方式得出两个其它的逻辑状态，即借助于所定义的两个电荷量区210、220之一内的值在数值上来区分两个电荷存储区131或132的电荷状态。于是在以两种不同的运行方式、即沿第一方向运行沟道区和沿第二方向运行沟道区来运行存储单元时借助于差的符号得出所述两个其它的逻辑状态。
在这种编程的情况下通过以下方式使所述串扰的作用最小化，即在以两种运行方式运行时决不会出现两个电荷存储区210、220的电荷量的大的差或者所得出的截止电压差。存储单元的截止电压用作从电荷状态得出的待确定的电变量的例子。
为了确定存储单元的电荷状态，顺序地确定和提供至少两个在存储单元的至少两种不同的运行方式中从电荷状态中所得出的电变量，因为在所述差别存储方案情况下由所述电变量的差得出所述状态中的至少一个。
发明内容
需要用于对所提供的从具有不同运行方式的存储器运行方案中所得出的电参量进行估计的分析开关电路装置和分析方法。
本发明说明一种具有存储单元的电子开关电路装置，所述存储单元被设置用于存储至少两个模拟电参量。该存储单元与第一分析开关电路耦合，所述第一分析开关电路如此被设置，使得所述第一分析开关电路估计至少两个模拟电参量并且提供第一估计结果。
第二分析开关电路与所述存储单元耦合，所述第二分析开关电路如此被设置，使得所述第二分析开关电路利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计并且提供第二估计结果。
本发明提供一种用于确定存储单元的状态的方法，其中在所述存储单元中存储至少两个模拟电参量。利用第一分析开关电路对所述存储单元的至少两个模拟电参量的差进行估计，并且提供至少一个第一估计结果。
本发明说明一种用于确定存储单元的状态的计算机程序产品，如果所述计算机程序产品由处理器执行，则所述计算机程序产品在存储单元中存储至少两个模拟电参量。利用第一分析开关电路对所述存储单元的至少两个模拟电参量的差进行固件，并且提供至少一个第一比较结果。利用第二分析开关电路利用阈值对所述存储单元的至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供至少一个第二比较结果。
本发明说明一种具有用于存储的装置的电子开关电路装置，所述用于存储的装置被设置用于存储至少两个模拟电参量。
利用与所述用于存储的装置相耦合的用于分析的第一装置估计至少两个模拟电参量，并且提供第一估计结果。
利用与所述用于存储的装置相耦合的用于分析的第二装置利用预先给定的阈值对至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供第二估计结果。
在附图中示出本发明的实施例并且在下文中详细地进行说明。
图1示出NROM存储单元结构的一个例子的图示；图2示出在非易失性存储单元的差别存储方案的情况下电荷状态和用于存储四个状态的电荷状态区的图示；图3示出开关电路装置的方框图；图4示出根据本发明的第一实施形式的具有漏极侧感测的电子测量开关电路装置；
图5示出根据本发明的第一实施形式的具有漏极侧感测的电子测量开关电路装置的控制序列；图6示出根据本发明的第二实施形式的具有漏极侧感测的电子测量开关电路装置；图7示出根据本发明的第二实施形式的具有漏极侧感测的电子测量开关电路装置的控制序列；图8示出根据本发明的第三实施形式的具有源极侧感测的电子测量开关电路装置；图9示出根据本发明的第三实施形式的具有漏极侧感测的电测量开关电路装置的控制序列；图10示出电子分析开关电路装置的方框图；图11示出根据本发明的一个实施例的电子分析开关电路装置；图12示出根据本发明的第四实施例的具有漏极侧感测的电开关电路装置；图13示出具有漏极侧感测的电开关电路装置的方框图的实施例。
具体实施例方式
电子分析开关电路装置具有存储单元，所述存储单元如此被设置，使得所述存储单元可以存储至少两个模拟电参量。
该存储单元可以通过以下方式来实现，即如此组合多个分存储单元(例如至少两个电容器)，使得存储单元作为整体可以存储足够多的电参量。存储所读取的电参量的其它可能性既可以利用易失性存储元件(例如DRAM)实现，也可以利用譬如触发器、寄存器和锁存器的电路装置来实现。
第一分析开关电路与该存储单元耦合，所述第一分析开关电路如此被设置，使得所述第一分析开关电路估计至少两个模拟电参量，并且提供第一估计结果。
所述存储单元与所述第一分析开关电路或者还与其它分析开关电路的耦合可以通过耦合单元进行，所述耦合单元把由耦合在分析开关电路上的存储单元所提供的电参量转换成其它电参量，或者以类似的方式如此地转换所述存储单元的至少两个电参量，使得提供其它的电参量(例如总电流)。
该第一分析开关电路可以以比较开关电路(例如差分放大器)的形式通过以下方式被实施，即所述至少两个电参量以这样一种方式作用在差分放大器的输入端上，使得所述差分放大器的输出信号表示估计结果。
作为替代方案，所述第一分析开关电路还可以通过至少一个触发器电路实现，所述至少两个电参量如此地作用在所述触发器电路的输入端上，使得所述触发器的开关状态根据至少两个电参量采取至少两个状态中的一个状态，并且从而在开关电路的适当节点上出现的与之相关联所得出的电参量代表估计结果。
所述触发器电路例如可以借助于两个交叉耦合的反相器电路来构造。
所述第一分析单元的估计结果作为所定义的电平存在于所述第一分析单元的输出端上，其中不仅在例如用差分开关电路作为比较开关电路的实施形式中、而且在用触发器作为比较开关电路的实施形式中，所述电平通过电开关电路装置的参数来定义。
作为替代方案，在对所述存储单元的状态进行每次新估计之前，由作用于平衡FET上的控制单元所触发的触发器估计开关电路的两个端子借助于该平衡FET被强制在相同的电位上，以便保证可靠地切换所述触发器估计开关电路。
第二分析开关电路与所述存储单元耦合，如此地设置所述第二分析开关电路，使得所述第二分析开关电路利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供第二估计结果。
在此可以借助于耦合单元把所述存储单元的至少一个电参量转换成至少另一模拟电参量，所述耦合单元使至少两个分析单元中的至少一个和存储单元相耦合。
还可以如此地修改所述耦合单元，使得所述耦合单元从至少两个电参量中形成至少一个其它的电参量。例如可以借助于所述耦合单元从存储单元的电压形式的至少两个电参量中提供总电压。
为此把所述存储单元的至少两个电压转换成电流，使所述电流以电气的方式汇流在一个点中，并且利用电流电压转换提供总电压。由于所述转换的非线性，在此所述总电压也许可能与算术和相偏离。
对用于从所述存储单元的至少两个电参量中形成模拟电参量的耦合单元的修改和将所述电参量从所述存储单元向所述分析单元的输送取决于存储元件的有利的运行方式，并且可以相应轻易地相匹配。
借助于所述第二分析单元的估计可以借助于施密特触发器开关电路进行，其方式是在所述分析开关电路的输入端上的电压作用在所述施密特触发器开关电路上，并且根据该电压的高度，所述施密特触发器开关电路把施密特触发器开关电路的输出端置于高的或者低的电位上。
作为替代方案，所述第二分析单元的估计还可以借助于差分开关电路进行，其方式是耦合单元的待估计的电参量作用在差分开关电路的至少两个输入端之一上，并且基准电压作用在所述差分开关电路的第二输入端上。
于是通过对两个电压的比较和所述差分开关电路的由此所得出的输出电压来提供估计结果，所述输出电压于是被耦合到第二分析开关电路的输出端上。
所述第二分析开关电路的估计结果作为所定义的电平存在于第二分析单元的输出端上，所述电平通过电开关电路装置的第二分析开关电路的参数来定义。这尤其不仅适用于借助于差分开关电路的实施形式、而且适用于借助于施密特触发器的实施形式。
通过以以下形式修改开关电路装置的一部分(例如耦合单元)，即电参量只从分存储单元被输送给第二分析单元，所述第二分析单元可以估计所述至少两个电参量之一的比较结果，或者通过例如借助于所述耦合单元形成例如电参量的和来对所述开关电路装置进行第二修改，可以实现对从所述存储单元的至少两个电参量中所导出的电参量的估计。
如果施密特触发器被用于比较开关电路，则所述第二分析单元的阈值或者说触发点可以通过施密特触发器开关电路的电参数来调节。如果差分开关电路被用于比较开关电路，则所述阈值或者说所述触发点可以通过在所述差分开关电路的至少两个输入端之一上的基准电压或者比较电压来调节。
因为所述存储单元的电参量既耦合在第一分析单元上也耦合在所述第二分析单元上，所以既鉴于第一分析单元、也鉴于第二分析单元的估计标准的估计结果可以同时实现。因此，第一比较结果和第二比较结果以数字化的形式同时不仅位于第一分析开关电路的输出端上、而且位于第二分析开关电路的输出端上。
如此地构造所述电子开关电路装置的存储单元，使得能够借助于接口向所述存储单元输送至少两个模拟电参量，所述至少两个模拟电参量从例如沿两个不同的运行方向对至少一个存储元件的运行中得出。
由所述存储元件的至少两种运行方式所得出的所述模拟电参量可以被读入所述存储单元中。
借助于所述存储元件与存储单元的该耦合，可以用所述存储单元缓冲存储由所述存储元件的运行方式所得出的电参量。
此外，设置一种用于确定存储单元的状态的方法，在所述存储单元中存储至少两个模拟电参量，其中在该方法中利用第一分析开关电路对所述至少两个模拟电参量的差进行估计，并且提供至少一个第一估计结果。
此外在一种方法中，借助于第二分析开关电路利用阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供至少一个第二估计结果。
所述第一估计结果和所述第二估计结果代表所述存储单元的状态，并且以数字化的形式提供所述第一估计结果和所述第二估计结果。
对所述至少两个模拟电参量的估计借助于所述第一分析开关电路和所述第二分析开关电路同时进行。由此所述比较结果同时可用于进一步处理数据。通过根据该方法同时进行估计，所述估计结果相对于电源或者基准电压的变化更稳健。
借助于每分存储单元至少一个电容器的模拟电参量的电荷状态来用由至少两个分存储单元组成的存储单元对所述电参量进行存储。
对所述存储单元的至少两个电参量的和的估计借助于所述第二分析开关电路进行。借助于所述第二分析单元，使所述至少两个电参量的和与基准值进行比较。
作为替代方案，根据所述至少一个存储元件的优化的运行方式，所述方法也可以借助于所述第二分析开关电路利用阈值对所述至少两个模拟电参量的单个值进行估计。
如果这要求所述存储元件的优化的运行方式，则还可以由所述第二分析开关电路对从所述至少两个电参量中所形成的其它模拟电参量进行估计，其方式是使该所形成的模拟电参量与基准值进行比较。
用于借助于所述第二分析开关电路的估计的基准值可以借助于所述第二分析开关电路的接口预先给定。在此情况下，所述第二分析开关电路的所述电参量的估计借助于差形成开关电路来实现。
作为替代方案，所述基准值通过由电参数选择可改变的触发点(例如施密特触发器开关电路，其执行第二分析开关电路的电参量的估计)来调节。在此情况下，所述第二分析开关电路的估计借助于施密特触发器开关电路进行。
对由所述存储单元提供的至少两个电参量的差的确定借助于所述第一分析单元进行。对所述至少两个电参量的差的确定借助于两个反相器进行。可以由这两个反相器通过交叉耦合构成的所述触发器根据其端子上的电流大小而采取第一或者第二状态。估计结果通过在这些端子之一上的电压的高度来表示。
所述存储单元与所述分析单元中的至少一个的耦合借助于耦合单元来实现。在把所述所形成的电参量输送给所述分析单元之一之前，所述耦合单元从所述存储单元的至少两个电参量中形成至少一个所形成的电参量。因此尤其把电压转换成电流。
为了借助于所述第二分析单元对所述存储单元的至少两个电参量的和进行估计，所述耦合单元可以从所述存储单元的至少两个电参量中形成所述至少两个电参量的和，并且从而为第二分析开关电路提供总电压，然后由所述第二分析单元利用基准值对所述总电压进行估计。
存储元件可以是非易失性存储单元。在非易失性存储元件的情况下，即使切断用于运行、也即读和写所述存储元件的电压，也保留内容。这样的存储元件的例子是SONOS存储元件，其中氮化硅层可以存储载流子，并且从而影响修改过的场效应晶体管的控制特性。在此可以如此设置SONOS存储元件，使得能够沿两个方向运行所述SONOS存储元件。这样的存储元件也被称为NROM存储元件。除了平面形式的扩展方案以外，还有可以沿两个方向运行的SONOS存储元件的其它扩展方案，例如U字形和鳍形的存储元件。
在作为这样的非易失性存储元件的另一例子的浮动栅存储元件的情况下，在绝缘布置的导电层(例如多晶硅)中存储电荷，以便影响修改过的场效应晶体管的控制特性。如果把用于存储载流子的绝缘布置的导电层划分成两个相互电绝缘的区域，使得在沟道区上方的第一区域被布置在源极附近并且第二区域被布置在漏极附近，则对应于NROM单元，可以或者在第一区域或者在第二区域通过这样修改的浮动栅单元(分裂栅)的两种不同的运行方式存储和读取载流子。
还可以把传导桥接RAM(CBRAM)用作非易失性存储单元，其中通过存在由银束所组成的导电桥来存储信息。
在铁电RAM(FeRAM)的情况下可以使用影响电容容量的、对铁电层的剩余极化来非易失性地存储信息。
此外磁阻式RAM(MRAM)可以被列举非易失性存储器的例子，其中磁化向量的不同取向导致电阻改变，以便存储信息。
根据非易失性存储器的另一例子，在有机RAM(ORAM)的情况下，利用通过加以正的或者加以负的电压对适当材料的电阻改变来非易失性地存储信息。
在相变RAM(PCRAM)的情况下，在可逆的相变时通过热感应的电阻改变实现非易失性存储。
在本发明不同的扩展方案中出发点是，如此地设置或者如此地控制上述的非易失性存储元件，使得所述非易失性存储元件能够以两种不同的运行方式运行用于每单元存储一个以上的位，以便能够有利地利用下文所说明的电子开关电路装置运行。
通过根据NROM存储单元对称地构造SONOS存储单元，可以沿两个不同的方向运行这样的SONOS单元，并且因此两种不同的运行方式可供使用，这种SONOS单元允许每存储单元存储至少2个位。
根据本发明一个扩展方案如此地设置至少一个存储元件，使得在运行存储元件时可以提供的电参量能够表示不同的电荷状态。
根据本发明的一个扩展方案，所述电子开关电路装置具有带有至少一个选择元件的开关单元，所述选择元件可以根据所述选择元件的开关状态向至少一个分存储单元输送电参量，并且具有可以预先给定所述选择元件的开关状态的至少一个控制单元。
如果以两种不同的运行方式已经顺序地从这样的非易失性存储单元中以电参量的形式读取了信息，则为了进一步地处理这样的信息可以把所述信息存储在分存储单元的存储元件中，所述存储元件例如以至少一个电容器的形式被构造。存储所读取的电参量的其它可能性既可以利用易失性存储元件(例如DRAM)实现，也可以利用譬如触发器(FlipFlop)、寄存器和锁存器的电路装置来实现。
在所述的多位存储模式中，应当确定或者检测所述多位单元的每侧的两个存储单元电流的和与差。当在沿第一方向或者第二方向运动存储元件时检测之后分别存储信息。应当存储电流信息用于进一步处理。这对应于采样保持机制。在实施所述电路装置时，可以通过用电容作为存储元件来保持信息。于是可以利用在两个不同的电容上的电压用于进一步处理。
在电子开关电路装置中，至少一个选择元件可以具有至少一个传输门。
根据本发明的一个扩展方案，所述电子开关电路装置利用控制单元如此地被设置，使得所述至少一个选择元件首先能够把存储元件的至少两个电参量的第一电参量与所述至少两个分存储单元的第一分存储单元耦合，并且然后能够把所述至少两个电参量的第二电参量与所述至少两个分存储单元的第二分存储单元耦合。
从非易失性存储元件中所读取的电参量可以通过以下方式被导入不同的电路路径，即至少一个选择元件的开关状态通过所选取的电路路径把电参量输送到分存储单元。在此，所述选择元件的开关状态由控制单元控制，所述控制单元与存储元件的运行阶段同步地控制选择元件。作为选择元件可以采用传输门的适当的装置或者例如还可以采用相应的多路器电路。
可以如此地对电子开关电路装置进行电路连接，使得可以借助于至少一个电容器存储至少一个分存储单元中的至少一个电参量。
根据本发明的另一扩展方案，如此地设置所述控制单元，使得所述至少一个选择元件首先能够把存储元件的所述至少两个电参量的第一电参量与所述至少两个分存储单元的第一分存储单元耦合，并且然后能够把所述至少两个电参量的第二电参量与所述至少两个分存储单元的第二分存储单元耦合。在这种耦合的情况下，所述存储元件的电状态改变所述分存储单元的电状态，因为选择元件建立存储元件利用开关电路路径的至少之一分别与至少一个分存储单元的连接。
所述电子开关电路装置可以利用控制单元如此地被设置，使得首先能够借助于以第一方式运行存储元件来提供第一电参量，并且然后能够借助于以第二方式运行存储元件来提供第二电参量。
此外设置一种用于读取和存储至少一个存储元件的至少两个电参量的方法，其中在所述至少一个存储元件的至少两种运行方式的第一运行方式中通过选择元件把所述至少两个电参量的第一电参量输送到至少两个分开关电路路径的第一分开关电路路径，并且利用至少两个分存储单元的第一分存储单元加以存储。
在所述至少一个存储元件的第二运行方式中，通过选择元件把所述至少两个电参量的第二电参量输送到第二分开关电路路径，并且利用至少两个分存储单元的第二分存储单元加以存储。至少一个非易失性存储元件可以被用于这种存储元件。
特别地可以采用至少一个SONOS存储元件作为存储元件。
分存储单元的状态改变可以借助于对电容器充电来实现。可替代地，所述分存储单元的状态改变可以借助于对电容器放电来实现。
可以如此地实施所述SONOS的运行，使得在第一运行方式中电流从所述存储元件的第一端子流向所述存储元件的第二端子，并且在第二运行方式中电流从所述存储元件的第二端子流向所述存储元件的第一端子。
可以如此地运行所述SONOS存储元件，使得在第一运行方式中如此高地施加电压，以致尤其从电流方向上所看到的在所述存储元件的沟道区上方的第一电荷聚集对所定义的电参量有主要影响，并且在第二运行方式中如此高地施加第二电压，以致在所述存储元件的沟道区上方的两个电荷聚集都对所述电参量的定义有重要的影响。
在所述存储元件的每种运行模式中，可以刚好把一个开关电路分配给一条路径。
图1示出根据本发明一个实施例的NROM存储单元100的原理结构。在衬底101上以相互间隔的方式布置有第一源/漏区110和第二源/漏区120，在这两个源/漏区之间沟道区150在衬底101中延伸。在沟道区150的上方，在例如由硅制成的所述衬底101上构造栅极结构130。源/漏区110和120以及栅极结构130典型地借助于电接触与其它的开关电路元件连接。
栅极结构130具有三个层，在根据该实施例的层顺序中是第一氧化硅层141、氮化硅层142和第二氧化硅层143。典型地实现电字线接触，用于借助于平面栅极接触144在栅极结构130上施加栅极电压。
源/漏区110和120典型地与存储器阵列的位线电连接。栅极接触144借助于栅极结构130与衬底101中的沟道区150电绝缘。在栅极结构130的存储层142内部可以存储电荷。典型地，第一电荷存储区131在第一源/漏区110附近位于存储层142的内部，而第二电荷存储区132在第二源/漏区120附近位于存储层142的内部。
在此，根据存储单元100的运行条件来确定电荷存储区131或者132在第一源/漏区110附近或者在第二源/漏区120附近的相应位置。首先通过以下方式来确定电荷存储区131或132的位置，即在沟道区150中水平场中的电子必须已经借助于在两个源/漏区110或120之间的电压接收如此多的能量，使得所述电子能够借助于散射与其它电子在该位置处越过绝缘层的势垒并且能够进入存储层142中。
电荷捕获存储单元100的存储层142位于由具有比所述存储层的能带间隙更高的能带间隙的材料所制成的边界层141与143之间，使得在存储层142中所捕获的载流子局部化地保留在那里。
重要的是能带间隙中的差别，这可以借助于改变存储层142的材料达到，也可以借助于改变边界层141和143达到，其中为了良好地一电的方式包含载流子，所述能带间隙的差应当尽可能大。
存储单元100的存储层用的适当的材料典型地采用氮化物，并且作为边界层典型地采用氧化物。已经所述的NROM存储单元是硅材料系中的氧化物氮化物氧化物(ONO)存储层序列的一个例子。
在此，存储层氮化硅典型地有约为5eV的能带间隙，而周围的边界层是具有约为9eV的能带间隙的氧化硅。
与作为边界层的氧化硅相关联，可替代地例如可以使用氧化钛、硅酸铪(化学计量学成分TiO2)、氧化锆(化学计量学成分ZrO2)、氧化铝(化学计量学成分Al2O3)或者固有的导电(不掺杂的)硅作为存储层的材料。
对这种2位NROM存储单元100的第一位的编程以如下方式来进行，即借助于栅极电压产生垂直电场。在该第一运行方向上借助于在存储单元100的沟道区150中的第一源/漏区110与第二源/漏区120之间施加电压附加地沿第一运行方向产生横向电场，所述横向电场沿沟道长度加速所述电子。在此借助于散射如此地加速一些电子，使得所述电子在沟道区150中在所述横向电场最强的第二源/漏区120附近处越过势垒，抵达电荷存储层142并且限定第二电荷存储区132。
存储单元100的截止电压借助于电荷存储层142中的这种电荷聚集发生变化，这典型地可以借助于以与第一运行方向相反的方向施加读电压来确定。
该存储单元100中的第二位典型地通过如下方式被编程，使得一个与第一运行方向相反的电压被施加在第二源/漏区120与第一源/漏区110之间。在此，在第一源/漏区110附近的电子越过所述势垒抵达电荷存储层142的第一电荷存储区131。借助于在电荷存储区131或者132中负电荷的存在或者不存在，在非易失性存储单元100(例如NROM单元)中可以在几何上分开的电荷存储区中存储2位的信息。
在读取状态时，在该运行方式中分别利用与编程过程反向地被施加的、在相应的源/漏区110或120之间的读电压(反向读)检测所述电荷状态。
该存储单元100的主要的对称结构能够实现沿从第一源/漏区110向第二源/漏区120的第一运行方向的运行，以及实现从第二源/漏区120向第一源/漏区110的相应反向的运行。
所述运行方向既被用于编程也被用于读取。如果例如在编程的情况下进行沿第一方向的运行，则通过沿相反的方向运行存储单元100来读取该存储于第二电荷存储区132中的电荷状态，使得第二电荷存储区132尤其对于所得出的电参量是十分重要的。在电荷存储区131中处于第一源/漏区110附近的第一电荷状态在相应反向的运动方式的情况下被编程和读取。
借助于所述两种运行方式能够存储至少四个不同的电状态并且从而存储至少两个位，因为可以在两个电荷存储区131和132中存储有载流子，或者可以借助于带相应相反电荷的载流子来补偿。
例如借助于将所述存储单元晶体管的截止电压或者说阈值电压VT确定为定义存储元件的电荷状态的可能的电参量来对所存储的信息进行检测。
例如在第二电荷存储区132中的电荷在读取第一电荷存储区131时影响电参量的串扰可能如下起作用。
为了读NROM存储单元100，在控制栅144与第一源/漏区110之间施加确定的控制栅电压。此外在第一源/漏区110与第二源/漏区120之间施加一个正电压。于是在这种电压方向的情况下，检测存储层在第一源/漏区110附近的电荷量，因为在该运行方向的情况下在沟道区150中处于第一源/漏区110附近的反型层电荷大于在沟道区中处于第二源/漏区120附近的反型层电荷。
例如如果负电荷被存储在第一源/漏区110附近的第一电荷存储区131的氮化物层中，则所述负电荷对于正掺杂的沟道区150而言阻止在第一源/漏区110与第二源/漏区120之间形成能导电的沟道，并且在该栅极电压的情况下显著少的电流流通，好像在第一电荷存储区131中的氮化层142内未存储负电荷。
例如如果在第一源/漏区110附近的第一电荷存储区131中不存在负电荷，但是在NROM单元100的第二源/漏区120附近的第二电荷存储区132中存在负电荷，则这也可能导致在沿NROM单元100的第一运行方向运行时转移特性曲线的截止电压如此变化，使得例如在确定的栅极电压时没有漏极电流流通。
为了降低在两个电荷存储区131和132的存储层142中的电荷量的差别越大起的作用就越强的串扰的效应，已经引入了差别存储方案[1]，该公开文献为此通过参考完全被引入本说明书中。
在对存储单元100进行编程时，得到存储单元100的不同的电荷状态。在所说明的NROM存储单元100的情况下，针对两个电荷存储区131和132两者都定义的电荷状态可以被编程并且再次被读出。所述电荷状态可以借助于不同逻辑状态的适当组合等效地被确立，并且从而用作存储二进制信息。
在此可以适当地选择在电荷存储区131和132中所存储的电荷的量并且可以按类似的尺度自由地选择。典型地确定一定量的电荷的多个区域用于分配给电荷存储区131和132的电荷状态，以便由此进行编程的一定程度的数字化，并且从而达到在例如所述存储单元的改变了的运行条件下用于编程和读取的较大的抗误差性、或者达到存储单元的制造容差。
在编程和读取时以及在制造存储单元和存储单元老化时的精度确定电荷存储区131、132的宽度。
在图2a中示出了根据差别存储方案(也被称为多位存储模式)用于存储两个位的不同的逻辑状态。用实心圆251至258分别象征存储单元的截止电压值，所述截止电压值由第一电荷存储区131或者第二电荷存储区132的电荷状态得出。在此，奇数参考符号251、253、255和257分别代表第一电荷存储区131的电荷状态，而偶数参考符号252、254、256和258代表第二电荷存储区132的电荷状态。
四个电荷状态被分配在两个电荷量区210和220上。在此，两个电荷量区210和220之间的间隔典型地大于电荷量区内的电荷状态的间隔。
如此地选择两个电荷量区210和220的间隔，使得在实际的条件下在读存储单元时能够可靠地辨别是对对应于下面的第一电荷量区210的电荷状态进行了编程还是对对应于上面的第二电荷量区220的电荷状态进行了编程。
在图2a中所示的第一逻辑状态的情况下，第一电荷存储区131的电荷状态251位于第二电荷存储区132的电荷状态252之下，其中在读取时，所述逻辑状态不仅借助于相比于沿第一运行方向的读运行而比较沿第二运行方向的读运行时的截止电压差的符号得出，而且借助于对应于下面的第一电荷量区210沿两个读方向的截止电压的位置得出。
在图2b中所示的第二逻辑状态从现在起以类似的形式得出，其中现在得出在相比于沿第一运行方向的读运行而比较沿第二运行方向的读运行时截止电压差的相反符号。在根据图2a的电荷状态与根据图2b的电荷状态之间的差在此典型地在数值上是可比较的，只有这两个截止电压差的数学符号对于分析所存储的逻辑状态起决定作用。因为区分根据图2a和图2b的逻辑状态只须检测所述差的符号，所以为了可靠地运行可以选择电荷量区210内的电荷状态的差。
在图2c中所示的第三逻辑状态和在图2d中所示的第四逻辑状态以与第一和第二逻辑状态可比较的方式得出，其中这里相应的截止电压分别在对应于上面的第二电荷量区220的较高的水平上得出。这里相应的截止电压的相应差的符号对于区分第三逻辑状态与第四逻辑状态是决定性的。
根据图2a至图2d，差别存储方案的优点在于，分别对所述存储单元的第一电荷存储区131和第二电荷存储区132之间的差进行编程和读取，其中两个截止电压都处于小的截止电压范围内。根据在两个电荷存储区131和132中的小的电荷状态差别决不会出现单元两侧之间的较大的截止电压差，由此降低串扰。
作为差别存储方案的一个例子，可以说明在对应于下面的第一电荷量区210的较低的截止电压范围与对应于上面的第二电荷量区220的较高的截止电压范围之间的约为1.5V的截止电压差、以及在电荷量区210或者220内部、也即例如在第一电荷状态251与第二电荷状态252之间或者例如在第三电荷状态255与第四电荷状态256之间的约为300mV的截止电压差。然而也可以实现其它的差。
在前述的例子中描述了四个电荷状态，该四个电荷状态被分配在两个电荷量区210和220上。因此这是2位存储单元。如果除了第一电荷量区210和第二电荷量区220之外还定义一个或者多个附加的电荷量区，则可以以类似的方式对存储单元中的附加位进行编程和读取。
从根据NROM存储单元100的运行方案的基本理解中还可以定义存储单元的其它运行方式以读取被编程的状态。
只要截止电压的测量精度允许，沿两个运行方向对截止电压水平的读取就也可以在运行时只沿一个方向确定。
在此，在第一源/漏区与第二源/漏区之间以以下方式施加不同的电压，使得借助于例如0.4V的小得多的电压充分利用所述的串扰，以便确定截止电压的平均水平并且从而确定电荷量区210或者220以及必要时其它的电荷量区。
通过保持相同的运行方向，但施加较高的电压以减少串扰，重要的电荷存储区(例如210或者例如220)或者当前运行方向的其它电荷量区的电荷状态的值被检测，并且与电荷量区的平均水平相比，可以被考虑用于确定水平差的符号。
从而不仅确定了截止电压的水平而且确定了截止电压差的符号。所述截止电压这里用作根据运行方案可以从存储单元的电荷状态中得出的电参量的例子。还可以从所述电荷状态中导出其它的电参量，例如在所定义的运行条件下的特定电流。
下面描述用于确定和提供存储元件的电参量的电子开关电路装置和方法，其中借助于控制单元以至少两种不同的运行方式控制和运行所述存储元件，并且在此按顺序读出的电参量同步地被输送给至少两个不同的分开关电路路径。与所述开关电路路径相连接的分存储单元存储所得到的电参量并且提供所述电参量用于进一步处理。
图3示出用于确定和提供上述存储单元的电参量的电子开关电路装置300的方框图。所述开关电路装置300的基本电路具有第一解码器305、存储器阵列310、第二解码器320、多个并联连接的分开关电路路径330、340、电流/电压转换器380的串联电路、以及并联连接的控制单元370，所述控制单元370通过其控制线371至必要时376既与第一解码器305、存储器阵列310、第二解码器320连接也与分开关电路路径330和340连接。所述分开关电路路径330和340分别与分存储单元335和345连接。
带有附加分开关电路路径的电路的可选的扩展借助于与另外的分开关电路路径330和340相应并联连接的可选的附加的分开关电路路径350是可能的，其中所述附加的分开关电路路径具有至其附加的分存储单元355的端子和至控制单元370的端子376。
第一解码器305具有第一端子311和第二端子301。与串联电路在电流/电压转换器380上的、与电位V2相连接的第二端子382相比，串联电路在第一解码器305上的第一端子311典型地与较低的电位V1连接。
存储器阵列310具有第一端子302和第二端子312。第一解码器305的第二端子301与存储器阵列310上的第一端子302连接。
存储器阵列310的第二端子312与第二解码器电路320的第一端子321连接，所述第二解码器电路的第二端子322与第一分开关电路路径330的第一端子331连接并且与第二分开关电路路径340的第一端子341连接；此外，第二解码器电路320的第二端子322还可以与可选的附加的分开关电路路径350的第一端子351连接。
每个分开关电路路径330、340和必要时每个所述附加的分开关电路路径350利用其相应的第三端子333或者343和必要时353、利用第一端子336、346和必要时356与具有所述分存储单元335、345和必要时355的端子336、346和356的每个分存储单元335、345和必要时355连接。
分存储单元335、345和必要时355的第二端子337、347和可选的357分别可以与比串联电路在电流/电压转换器380上的第二端子382的电位低或者高(例如在源极侧感测时)的电位连接。分开关电路路径330、340和可选的350的第二端子332、342和必要时352相互连接并且与电流/电压转换器380的第一端子381连接。
电流/电压转换器380的第二端子382(对应于所述串联电路的第二端子)可以与一个较高的电位V2连接。
从控制单元370，例如每次至少一条控制线371引向第一解码器305、一条控制线372引向存储器阵列310、一条控制线373引向第二解码器320、一条控制线374引向第一分开关电路路径330、一条控制线375引向第二分开关电路路径340、以及必要时控制线(如控制线376)引向可选的附加的分开关电路路径(如附加的分开关电路路径350)。
下面参照图3详细地说明电路装置300的运行如果借助于控制单元370对第一地址解码器电路305、存储器阵列310以及第二地址解码器电路320的控制以第一方式运行存储器阵列310中的存储元件，则借助于控制单元370如此地切换第一分开关电路330，使得所得出的电参量改变第一分存储单元335的状态。借助于控制单元370如此地切换其它的分开关电路路径340和必要时350，使得所属的分存储单元345和必要时350保持不变。
如果在另一步骤中借助于控制单元370对第一解码器电路305、存储器阵列310以及第二解码器电路320的控制以第二方式运行存储器阵列310中的存储元件，则借助于控制单元370如此地切换第二分开关电路路径340，使得所得出的电参量改变第二分存储单元345的状态。借助于控制单元370如此地切换其它的分开关电路路径330和必要时350，使得所属的分存储单元335和必要时355保持不变。
然后借助于分存储单元335和345和必要时附加的分存储单元(如355)的状态改变提供所述电参量用于进一步处理。
可以利用电流/电压转换器380，用于适当地针对分存储单元335、345和必要时335转换存储器阵列310的存储元件的电参量。
图4示出根据本发明的第一实施例的图3中的电子开关电路装置的单个元件的细节实现。在此出于简单描述本发明的原因，对第一地址解码器电路不加以详细说明。这里出于简单描述的原因，以单级的方式实施所述解码器电路。也可以以多级的方式来构造解码器。
如在图4中所示，漏极侧感测测量电路装置300的第一变型方案400在存储元件阵列310中具有以一行并排布置的存储元件(如410)，从中可以借助于第一解码器和第二解码器320的选择晶体管(例如402和403)以及与存储器阵列310和第二解码器320相连接的控制单元370选择存储元件401，并且可以向由控制单元370控制的分开关电路路径(例如330或者340)输送存储元件401的电参量。
根据图4，根据第一实施形式400的测量电路装置300具有以一行并排布置的存储元件401，所述存储元件分别具有第一端子(第一源/漏区)404、第二端子(第二源/漏区)405和控制端子(栅极)406，所述存储元件分别利用第一存储元件401的第二端子405与在其旁边布置的存储元件的第一端子电连接。
这些并排布置的存储元件401表示存储器阵列310的片段，其中在存储元件阵列310的“虚地”结构中可以以并联连接的形式存在多个这样并排布置的存储元件401。然而所述存储元件阵列310还可以存在于与该第一实施例中所述不同的存储元件结构中。
以一行并排布置的存储元件401的控制端子406分别相互电连接，并且可以与控制单元370连接。根据其它的电路布置，存储元件(例如401)的第一端子(如404)和第二端子405可以与接地电位或者其它的第一电位连接。在此，该第一电位V1可以低于在电流/电压转换器380的第二端子382上所提供的第二电位V2。
存储元件阵列310的存储元件(例如401)可以通过第二解码器320的选择晶体管402或者403与分开关电路路径(譬如330或340)连接。选择晶体管402或者403具有第一端子407或者408、第二端子409或者410和第三端子411或者412。选择晶体管402或者403的第三端子411或者412可以与控制单元370连接。
存储元件401的第一端子404分别与第一选择晶体管402的第一端子407连接。存储元件401的第二端子405分别与第二选择晶体管403的第一端子408连接。
第二解码器320的选择晶体管402和403的相应第二端子409或者410例如借助于连接线449分别相互连接，并且连接在第二解码器320的输出节点413上，并且此外与稳压器电路416的控制场效应晶体管(Regel-Feldeffekt-Transistor)415的第一端子(源极)414连接。所述稳压器电路416用于在电子电路300的不同运行条件下读取所述电参量时使存储元件401的电位尽可能保持恒定。
具有控制FET 415和运算放大器417的稳压器电路416的第一端子414与运算放大器417的反相输入端418连接。非反相输入端419可以连接在基准电位VR上。运算放大器417的输出端420与控制场效应晶体管415的控制端子421(栅极)连接。
在说明所述电路时，以控制FET采用N型为出发点。如果采用P型控制FET，则调换运算放大器417上的端子。还可以使用这里为了图示简洁而没有详细说明的差分放大器取代运算放大器417。
与稳压器电路416的第二端子422相同的、控制场效应晶体管415的第二端子422与两个电路径330或者340连接。在所述电路径330或者340的每个中，两个开关423和424或者425和426相互串联。就是说在相应路径330或者340中第一开关424或者426的相应第一端子427或者428与控制场效应晶体管415的第二端子422连接。
在相应路径330或者340中第一开关424或者426的第二端子429或者430与第二开关423或者425的第一端子431或者432连接。在这两个路径330或者340中的开关423、424、425和426可以借助于控制单元370切换。
在两个路径330、340中的第二开关423和425的两个第二端子433或者434相互连接。该连接与被连接成二极管的场效应晶体管436的第一端子435连接，并且该二极管电路的第二端子382可以与电源或者与第二电位V2连接，所述第二电位V2典型地高于第一电位V1。
为了用作二极管，场效应晶体管436的第一端子435与场效应晶体管436的控制端子438连接。由这样连接的场效应晶体管436所实现的电流/电压转换还可以通过被连接成有源负载的晶体管实现。另一实施形式可以通过使用适当的电阻来实现。利用这样的电流/电压转换可以实现电流强度的微小变化导致尽可能大的电压变化。
在这两个路径330或者340中相应的第一开关424和426的第二端子429或者430与电容器441和442的第一端子439或者440连接，所述电容器的第二端子443或者444例如可以与基准电位或者另一第一电位V1连接。
开关元件423、424、425和426可以由控制单元370控制，并且例如被实施成传输门(Transmission Gate)器件或者例如被实施成转移栅(Transfer Gate)器件。在本发明的可替代的扩展方案中也可以使用该开关元件的其它实施形式。
根据本发明的第二实施例的电子漏极侧感测测量开关电路装置600在图6中被示出，并且基本上对应于在图4中所示的电子漏极侧感测测量开关电路装置300，其区别如下删去了图4所示的带有被连接成二极管的FET 436和端子435、437和438的电流/电压转换器380。在根据该实施例的电子漏极侧感测测量开关电路装置600中，第二电位V2或者电源电压Vcc可以与第二开关423和425的彼此相连的第二端子433和434直接连接。下面按照对根据电子开关电路装置300的第一实施例的电子漏极侧感测测量开关电路装置的控制的描述来阐述相对于在图4中所示的实施形式修改过的对该改动了的测量开关电路装置600的控制。
根据第三实施例的图8中的源极侧感测测量开关电路装置800对应于根据图6中所示的实施例的漏极侧感测测量开关电路装置600，其区别如下第二解码器320的输出节点413直接与两个分开关电路路径330和340连接。在该实施例中，串联电路的第二端子382处于低电位、典型地处于接地电位上。稳压器电路416利用第一端子414与第一解码器305的第一端子301连接，由此可以调节存储元件401的运行条件用于可靠地检测存储元件401的电荷状态。所述稳压器电路的第二端子422与较高的电位V2连接。
通过相应随后所说明的借助于控制单元370对该源极侧感测测量开关电路装置800的控制，在所述电路的该实施例中也可以读取、存储并且为进一步电处理提供例如所述存储元件401的电荷状态。
下面，举例说明在以至少两种运行方式运行存储元件401用于以一种被称为电压积分IV(Integration Voltage)的方式读取和提供电参量时对根据图4中所示的第一实施例的电子漏极侧感测测量开关电路装置300的控制。
在所述控制的第一运行方式501(参见图5中的线图500)中，借助于用控制单元370在存储元件选择端子445上施加适当的电压通过控制栅406和在第一源/漏端子404上的适当的电压针对存储元件401的第一运行方式如此地接通存储元件401，使得根据存储元件401的存储状态，相应的电流可以从施加有第一电位V1的第一端子446通过第一源/漏端子404流向第二源/漏端子405。
通过借助于控制单元370对第二解码器电路320的选择晶体管403的控制栅412的适当控制，待检测的存储元件401通过选择晶体管403与第二解码器电路320的输出节点413连接。
借助于稳压器电路416如此地控制第二解码器电路320的输出节点413，使得所述输出节点通过控制流过FET 415的电流使节点413保持在对应于基准电位VR的恒定的电位VR上。由此调节存储元件401的运行条件用于可靠地检测存储元件401的电荷状态。
第一路径330中的开关423和424两者都被切换成导通的“H”(参见图5中第一路径330的第一开关424的开关曲线502和第一路径330的第二开关423的开关曲线503)，并且第二路径340中的开关426和425两者都被切换成不导通的“L”(参见图5中第二路径340的第一开关426的开关曲线504和第二路径340的第二开关425的开关曲线505)。由此根据第一路径330中的电流借助于这里实施为被连接成二极管的FET 436的电流电压转换器380在节点447上出现电压VF1，其中在第一阶段(Phase)501内分存储单元441存储所述电压VF1，所述分存储单元这里被实施成电容器441。有利地如此分配所述RC电路，使得电阻和电容器的乘积小于阶段501的持续时间，以便存储瞬时的电压状态。
在存储元件401的第一运行方式之后，开关423和424在第二运行方式506中被切换成不导通的“L”，以便保持分存储单元441的电状态。
在所述控制的第二运行状态506中，在借助于控制单元370在存储元件选择端子445上施加适当的电压之后通过控制栅406和在第二端子448并且从而在第二源/漏端子405上的适当的电压针对存储元件401的第二运行方式如此地接通存储元件401，使得根据存储元件401的存储状态，相应的电流可以从施加有第一电位V1的第二端子448流向第二源/漏端子405流向第一源/漏端子404。通过借助于控制单元370对第二解码器电路320的选择晶体管402的控制栅411的适当控制，待检测的存储元件401通过选择晶体管402与第二解码器电路320的输出节点413连接。
重又借助于稳压器电路416如此地控制第二解码器电路320的输出节点413，使得所述输出节点通过控制流过FET 415的电流使该输出节点413保持在对应于基准电位VR的恒定的电位VR上。由此调节存储元件401的运行条件用于可靠地检测存储元件401的电荷状态。
第一路径330中的开关元件423和424两者都被切换成不导通的“L”，并且第二路径340中的开关425和426两者都被切换成导通的“H”。由此根据第二路径340中的电流借助于这里实施为被连接成二极管的FET 436的电流电压转换器380在节点449上出现电压VF2，所述电压VF2由分存储单元442存储，所述分存储单元这里被实施成电容器442。
在存储元件401的该第二运行方式506之后，通过控制单元370使开关425和426两者都切换成不导通的“L”，以便保持分存储单元442的电状态。两个分存储单元441和442现在都采用了与存储元件401的电荷状态有关并且提供电状态用于进一步处理数据的电状态。
图12中示出作为测量开关电路装置600的修改过的测量开关电路装置1200。
在测量开关电路装置1200的情况下，在对图3的测量开关电路装置300的修改中，测量开关电路装置1200的第一解码器305的第二端子301与测量开关电路装置1200的第二解码器320的第二端子322如此地连接，使得相对于测量开关电路300可以用较少的选择晶体管构造所述电路。
测量开关电路装置1200的第一解码器305具有至少两个多路器开关电路450和451。带有两个FET晶体管1301和1302的多路器开关电路450和451的一种实施形式在图13b中示出。图13a的多路器开关电路1300的方框图1305具有输入端c、第一输出端a1和第二输出端a2和第一控制端子b1和第二控制端子b2。
根据图13b的多路器开关电路1300的实施形式具有第一FET 1301和第二FET 1302。第一FET 1301的第一端子和第二FET 1302的第一端子与多路器开关电路的输入端c连接。第一FET 1301的第二端子与多路器开关电路的第一输出端a1连接。第二FET 1302的第二端子与第二输出端a2连接。第一FET 1301的第三端子与多路器开关电路的第一控制端子b1连接。第二FET 1302的第三端子与多路器开关电路的第二控制端子b2连接。
在测量开关电路装置1200的该实施例中，每个存储元件(例如401)的解码器电路320具有第一选择晶体管(例如402)和第二选择晶体管(例如403)。
在测量开关电路装置1200中，解码器开关电路320的相应第一选择晶体管(例如402)的第二端子(例如409)例如借助于连接线464分别互相连接。第二选择晶体管(例如403)的相应第二端子(例如410)例如借助于连接线463分别互相连接。
第一多路器开关电路(例如450)的输入端457例如借助于连接线464分别与第一选择晶体管(例如402)的第二端子(例如409)连接。第二多路器开关电路(例如451)的输入端458例如借助于连接线463分别与第二选择晶体管(例如403)的第二端子(例如410)连接。
第一多路器开关电路450的多路器开关电路的第一输出端(例如461)分别与例如第二多路器开关电路451的多路器开关电路的第一输出端(例如460)连接并且与节点465连接。第一多路器开关电路450的多路器开关电路的第二输出端(例如462)分别与例如第二多路器开关电路451的多路器开关电路的第二输出端(例如459)连接并且与节点466连接。
节点465与FET 415的第一端子414连接，并且从而处于基准电位上。
节点466可以借助于端子456与低电位连接。
相应的多路器开关电路(例如450和451)的第一和第二控制端子(例如452和453或者454和455)与控制单元370连接。
下面举例说明在以至少两种运行方式运行存储元件401用于以一种被称为电压积分IV(Intergration Voltage)的方式读取和提供所述电参量时对根据在图12中所示的实施例的修改了的测量开关电路装置1200的运行。
在所述控制的第一运行方式501(参见图5中的线图500)中，借助于用控制单元370在存储元件选择端子445上施加适当的电压通过控制栅406和在第一源/漏端子404上的适当电压针对存储元件401的第一运行方式如此地接通存储元件410，使得根据存储元件401的存储状态，相应的电流可以流过存储元件401。
流过存储元件401的该电流通过处于低电位的端子456和处于较高的基准电位的节点465之间的电位差来驱动。在第一运行方式501中，电流从端子456流经第一多路器开关电路450的第二输出端462、流经第一多路器开关电路450的输入端457、流经第二解码器电路320的第一选择晶体管402、流经存储元件401、流经第二解码器电路的第二选择元件403、流经第二多路器开关电路451流向节点465。在此，控制单元370既控制第二解码器电路320的选择晶体管402和403的第三端子411和412，也控制第一和第二多路器开关电路450和451的第一控制端子452、454和第二控制端子453和455，用于同步地控制存储单元401。
在存储单元401的第二运行方式506中，电流相应地以相反的方向流经如在第一运行方式501中的前述元件。
图7以线图700的方式示出借助于根据图6的控制单元370的对按照第二实施方式的漏极侧感测装置600的修改过的控制。
如果在存储元件401的第一运行方式701中在第一阶段702中不仅开关元件424而且423都被切换成导通的“H”(参见图7中第一路径330的第一开关424的开关曲线703和第一路径330的第二开关423的开关曲线704)并且开关元件425和426被切换成不导通的“L”(参见图7中第二路径340的第一开关426的开关曲线705和第二路径340的第二开关425的开关曲线706)，则第一分开关电路路径330的分存储元件被充电至第二电位V2。
在存储元件401的第一运行方式701的第二阶段707中把第一开关元件424切换成不导通的“L”以后，所选取的存储元件401的电流流经分存储单元441。在此电流以两个运行状态702和707流通。
但是在第二阶段707中，电流由电容馈给并且导致该电容放电，并且从而在第二阶段707结束以后所述电容将采取对存储元件401的电荷状态进行表征的电状态。该电状态借助于开关元件423的不导通切换在第一运行方式701的第二阶段707结束时被存储。图7还示出在存储元件401的第二运行方式708的第一阶段709和第二阶段710中对开关元件425和426的相应的对称控制，以便把存储元件401的电荷状态的电参量引导到第二分开关电路路径340中，并且存储在分存储单元442中。
图9以线图900的方式示出对带有根据图8的源极侧感测的电子测量开关电路装置800的控制。在例如存储元件401的第一运行方式901中，在借助于控制单元370的控制的第一阶段902中调节存储元件401的电流流通，并且把第一分开关电路路径300的开关元件423和424切换成导通的(参见图9中第一路径330的第一开关424的开关曲线903和第一路径330的第二开关423的开关曲线904)并且把第二分开关电路路径340的开关元件425和426切换成不导通的(参见图9中第二路径340的第一开关426的开关曲线905和第二路径340的第二开关425的开关曲线906)。
在开关元件401的第一运行方式901的第二阶段907中，借助于开关元件424的不导通切换把例如存储元件401的源极侧电流通过第一分开关电路路径330输送给分存储单元441。借助于流经分存储单元441的电流流通和根据第二阶段907的长度在分存储单元441中调节对例如存储元件401的电状态进行表征的电参量。在例如存储元件401的第一运行方式901的第二阶段907结束时通过控制单元370把开关元件423切换成不导通以后，保持分存储单元441的电状态用于进一步电处理。
图9的控制示意图900还示出如何能够相应对称地在例如存储元件401的第二运行方式908的第一阶段909中和第二阶段910中进行控制，以便提供由例如存储元件401的电荷状态所得出的电参量用于进一步处理。
为了简化说明，在图5、7、9中如此地示出了控制示意图、即开关位置的曲线，使得不同开关的开关位置的改变瞬时地并且完美地以彼此同步的方式进行。但是，根据本发明的电路能够以与各个开关的导通性变化的斜坡状曲线完全一样的方式运行。
不同开关的开关位置的同步也不是必须如举例示出的那样瞬时地进行，而是所述同步可以处于可由对电路的要求中所得出的时间窗口内。
图10示出用于估计电参量并且提供比较结果的电子分析开关电路装置1000的方框图，其中所述电参量从至少一个存储元件的运行中得出。
所述分析开关电路装置1000的基本电路具有存储单元1002、与该存储单元1002连接的耦合单元1003、和第一分析单元1004以及第二分析单元1005，其中不仅第一分析单元1004、而且第二分析单元1005都与耦合单元1003连接。
存储单元1002可以由多个分存储单元组成，使得所述分存储单元的总和足以存储至少两个电参量。
如此地构造电子分析开关电路装置1000的存储单元1002，使得可以借助于接口1022向该存储单元1002输送至少两个模拟电参量，所述至少两个模拟电参量从例如以两种不同的运行方向对至少一个存储元件1001的运行中得出。从所述存储元件1001的至少两种运行方式得出的模拟电参量可以被读入存储单元1002中。
借助于存储元件1001与存储单元1002的该接口1022可以用存储单元1002缓冲存储从存储元件1001的运行方式中所得出的电参量。
第一分析单元1004具有分析开关电路装置1000的第一输出端Q1 1006，并且第二分析单元1005具有分析开关电路装置1000的第二输出端Q2 1007。可选择地，第二分析单元1005可以被扩展一个端子Vr 1008，在所述端子Vr上可以施加基准电压。
该第一分析单元1004可以以比较电路(例如差分放大器)的形式通过以下方式被实施，即所述至少两个电参量以这种方式作用在差形成开关电路的输入端上，使得所述差形成开关电路的输出信号表示估计结果。
作为替代方案，该第一分析单元1004也可以通过至少一个触发器电路实现，所述至少两个电参量如此地作用在其输入端上，使得所述触发器的开关状态根据所述至少两个电参量采取至少两个状态之一，并且从而与之相关联地得出的、出现在所述电路的适当节点上的电参量代表估计结果。
所述触发器电路例如可以借助于两个交叉耦合的反相器电路来构造。
第一分析单元1004的估计结果作为所定义的电平位于所述第一分析单元的输出端Q1 1006上，其中不仅在例如具有作为估计开关电路的差形成开关电路的实施形式中、而且例如在借助于作为估计开关电路的触发器的实施形式中，所述电平通过电分析开关电路装置1000的参数来定义。
作为另一选择，可以通过存储元件1001扩展所述分析开关电路装置1000，并且该存储元件1001与存储单元1002连接。
耦合单元1003的第一端子1009与存储单元1002的第二端子1010连接。耦合单元1003的第二端子1011与第一分析单元1004的第一端子1012连接。耦合单元1003的第三端子1013与第二分析单元1005的第一端子1014连接。
借助于第四端子1016，耦合单元1003可以连接在电源的较高的电位上，并且借助于第五端子1015，耦合单元1003可以连接在电源的较低的电位上。
第一分析单元1004的第二端子1006是所述分析开关电路装置1000的第一输出端Q1。第一分析单元1004的第三端子1017可以与电源的较高的电位连接，该分析单元1004的第四端子1018可以与电源的较低的电位连接。
第二分析单元1005的第二端子1007是所述分析开关电路装置1000的第二输出端Q2 1007。分析单元1005的第三端子1019可以与电源的较高的电位连接，而该分析单元1005的第四端子1020可以与电源的较低的电位连接。
可选择地，存储元件1001的第一端子1021可以与分析开关电路装置1000的存储单元1002的第一输入端子1022连接。该存储元件的第二端子1023可以与电源的较低的电位连接。
下面参照图10详细地说明所述分析开关电路装置的方框开关电路1000的运行借助于存储单元1002存储至少一个电参量，其中所述电参量例如从运行一个存储元件1001中得出。如果以第一方式和/或第二方式或者其它方式运行该存储元件1001，则可选择地把第二电参量或者其它的电参量也存储在存储单元1002中。
耦合单元1003把至少一个电参量转换成至少一个更适合于其它运行方式的转换了的电参量，并且把所述至少一个转换了的电参量输送给第一分析单元1004和/或第二分析单元1005。可选择地，在至少两个电参量或者至少两个转换了的电参量被输送给第一分析单元1004和/或第二分析单元1005之前，所述耦合单元1003以模拟的方式一起计算所述至少两个电参量或者至少两个转换了的电参量。作为替代方案，可以如此地设置耦合单元1003，使得所述耦合单元把未转换的参量和选择性地以模拟方式计算的电参量耦合到分析单元上。
第一分析单元1004与存储单元1002连接，并且如此地设置该第一分析单元，使得所述第一分析单元估计至少两个模拟电参量，并且在输出端子Q1 1006上提供第一估计结果。
第一分析单元1004估计至少两个转换了的或者可选地未转换的电参量，其方式是所述第一分析单元以绝对高度比较第一转换了的电参量和第二转换了的电参量，并且根据转换了的电参量中哪个比较大而把分析开关电路装置1000的第一输出端Q1 1006或者置于高电平上、或者置于低电平上。借助于该定义的电平的高度，第一分析单元1004在分析开关电路装置1000的输出端上提供第一估计结果。
第二分析单元1005估计转换了的或者可选地未转换的电参量中的至少一个和/或至少一个从转换了的或者可选地未转换的电参量中以模拟方式所计算的电参量，其方式是所述第二单元利用阈值对其进行估计。
该阈值可以通过第二分析开关电路1005的触发器电路装置预先给定或者通过在基准电位的端子1008上的电压预先给定。
根据所述至少一个转换了的电参量或者所述至少一个从转换了的电参量中以模拟方式计算的电参量是小于还是大于所述阈值，把分析开关电路装置1000的第二输出端Q2 1007或者置于高电平上、或者置于低电平上。借助于该定义的电平的高度，第二分析单元1005提供第二估计结果。
通过以以下形式修改开关电路装置的一部分(例如耦合单元1003)，即只从存储单元1002的分存储单元向第二分析单元1005输送所述电参量，所述第二分析单元1005可以估计所述至少两个电参量中的一个电参量的比较结果，或者通过例如借助于耦合单元1003形成例如所述电参量和对所述开关电路装置的第二修改可以对从存储单元1002的至少两个电参量中导出的电参量进行估计。
对用于从所述存储单元的至少两个电参量中形成模拟电参量的耦合单元的修改和将所述电参量从所述存储单元向所述分析单元的输送取决于所述存储单元的有利的运行方式，并且可以相应轻易地相匹配。
如果例如施密特触发器被用于估计开关电路，则第二分析单元1005的阈值或者触发点可以通过触发电路的电参数调节。如果差分电路被用于估计开关电路，则所述阈值或者说触发点可以通过第二分析开关电路1005的端子1008上的基准电压或者比较电压被输送，并且借助于差分电路的至少两个输入端之一来调节。
由第二分析开关电路1005借助于差分电路所估计的至少一个转换了的电参量被输送给所述差分电路的至少两个输入端的第一输入端，并且基准电压被输送给所述差分电路的第二输入端。于是通过比较这两个电压，在所述差分电路的输出端上的电压电平定义估计结果，所述估计结果一起被提供，并且与第二分析开关电路的输出端Q2 1007耦合。
因为在存储单元1002中所存储的电参量既耦合在第一分析单元1004上也耦合在所述第二分析单元1005上，所以既鉴于第一分析单元1004的估计标准、也鉴于第二分析单元1005的估计标准的所述估计结果可以同时实现。通过根据该方法同时估计，所述估计结果相对于电源或者基准电压的变化更稳健。
图11示出根据图10的示意性分析开关电路1000的分析开关电路装置的实施例1100。
如在图11中所示，示意性分析开关电路装置1000的实施例1100具有四个开关电路单元存储单元1101、耦合单元1102、第一分析单元1103和第二分析单元1104。
存储单元1101具有第一端子1105和第二端子1106，所述端子可以分别与存储元件连接。存储单元1101的第三端子1107与耦合单元1102的第一端子1109连接。存储单元1101的第四端子1108与耦合单元1102的第二端子1110连接。
在作为分析开关电路装置1000的实施形式的分析开关电路装置1100中，第一电容器1111的第一端子1113与存储单元1101的第一端子1105连接。第一电容器1111的第二端子1114与存储单元1101的第三端子1107连接。
第二电容器1112的第一端子1115与存储单元1101的第二端子1106连接。电容器1112的第二端子2116与存储单元1101的第四端子1108连接。
分析开关电路装置1000的实施例1100的耦合单元1102具有至少四个分别带有三个端子的场效应晶体管1116、1117、1128、1130和一个被连接成二极管的FET 1136。
第一场效应晶体管1116的第一端子1118和第二场效应晶体管1117的第一端子1119与第一节点1124连接。第一场效应晶体管1116的第二端子1120和第二场效应晶体管1117的第二端子1121与第二节点1125连接。
第一场效应晶体管1116的第三端子1122既与第三节点1126连接，也与耦合单元1102的第一端子1109连接。第二场效应晶体管1117的第三端子1123既与第四节点1127连接，也与耦合单元1102的第二端子1110连接。
第三场效应晶体管1128的第一端子1129和第四场效应晶体管1130的第一端子1131与第一节点1124连接。
第三场效应晶体管1128的第二端子1132与第一分析单元1103的第一端子1134连接。第四场效应晶体管1130的第二端子1133与第一分析单元1103的第二端子1135连接。第三场效应晶体管1128的第三端子1192与第三节点1126连接，并且第四场效应晶体管1130的第三端子1191与第四节点1127连接。
第五场效应晶体管1136的第三端子1139和第五场效应晶体管1136的第一端子1137与第二节点1125连接。第五场效应晶体管1136的第二端子1138与耦合单元1102的第四端子1193连接，并且在耦合单元1102的第四端子1193上可以施加运行电压的高电位。耦合单元1102的第三端子1140与第二分析单元1104的第一端子1141连接。
所述分析开关电路装置的第一分析单元1103具有至少四个其它的场效应晶体管1142、1144、1151、1159。可选地，还可以对第一分析单元1103扩展第五场效应晶体管1162。
第一分析单元1103的第一场效应晶体管1142的第一端子1143和第一分析单元1103的第二场效应晶体管1144的第一端子1145与第一分析单元1103的第一节点1150连接。第一分析单元1103的第一场效应晶体管1142的第二端子1146和第三场效应晶体管1151的第一端子1152与第一分析单元1103的第二节点1147连接。
第一分析单元1103的第一场效应晶体管1142的第三端子1153和第一分析单元1103的第三场效应晶体管1151的第三端子1154与第一分析单元1103的第三节点1149连接。第一分析单元1103的第三场效应晶体管1151的第二端子1155和第一分析单元1103的第四场效应晶体管1159的第二端子1156与第一分析单元1103的第四节点1158连接。
第一分析单元1103的第二场效应晶体管1144的第二端子1148和第四场效应晶体管1159的第一端子1160与第一分析单元1103的第三节点1149连接。
第一分析单元1103的第二场效应晶体管1144的第三端子1161和第一分析单元1103的第四场效应晶体管1159的第三端子1157与第一分析单元1103的第二节点1147连接。
第一分析单元1103的第一输出端Q1 1135与第一分析单元1103的第三节点1149连接。
第四节点1158可以在端子1194上与电源的较高的电位连接。第一分析单元1103的第一节点1150可以在端子1195上与电源的较低的电位连接。
可选地，第一分析单元1103的可选的第五场效应晶体管1162的第一端子1163与第一分析单元1103的第三节点1149连接，并且可选的第五场效应晶体管1162的第二端子1164与第一分析单元1103的第二节点1147连接。该可选的第五场效应晶体管1162的第三端子1165可以在端子1196上与控制单元连接。
电子分析开关电路装置1100的第二分析单元1104具有至少六个场效应晶体管2164、1166、1168、1170、1183和1186。第二分析单元1104的第一场效应晶体管1164的第三端子2163和第二分析单元1104的第二场效应晶体管1166的第三端子2165和第二分析单元1104的第三场效应晶体管1168的第三端子1167和第二分析单元1104的第四场效应晶体管1170的第三端子1169相互连接，并且与第二分析单元1104的第一端子1141连接。第二分析单元1104的该第一端子1141与耦合单元1102的第三端子1140和耦合单元1102的第二节点1125连接。
第二分析单元1104的第一场效应晶体管2164的第二端子1172和第二分析单元1104的第二场效应晶体管1166的第一端子1173与第二分析单元1104的节点1178连接。
第二分析单元1104的第二场效应晶体管1166的第二端子1174和第二分析单元1104的第三场效应晶体管1168的第一端子1175与第二分析单元1104的第二节点1179连接。
第二分析单元1104的第三场效应晶体管1168的第二端子1176和第二分析单元1104的第四场效应晶体管1170的第一端子1177与第二分析单元1104的第三节点1180连接。
第二分析单元1104的第四场效应晶体管1170的第二端子1181可以在端子1198上与电源的较高的电位连接。
第二分析单元1104的第五场效应晶体管1183的第一端子1182与第二分析单元1104的第一节点1178连接。第二分析单元1104的第五场效应晶体管1183的第二端子1189可以在端子1199上与电源的较高的电位连接。
第二分析单元1104的第五场效应晶体管1183的第三端子1184和第六场效应晶体管1186的第三端子1188与第二分析单元1104的第三节点1179连接。第二分析单元1104的第六场效应晶体管1186的第一端子1185可以在端子1200上与电源的较低的电位连接。
第二分析单元1104的第六场效应晶体管1186的第二端子1187与第二分析单元1104的第二节点1180连接。
开关电路装置1100的输出端Q2 1190与第二分析单元1104的第三节点1179连接。
下面举例说明根据图11中所示的示意性分析开关电路装置1000的实施例的电子分析开关电路装置1100的运行和可供的控制在存储单元1101的第一电容器1111的第一端子1113与第二端子1114之间有第一存储电压形式的第一电参量。
该第一存储电压作用在耦合单元1102的、与耦合单元1102的第一输入FET(场效应晶体管)1116的栅极端子1122相连接的第一输入端1109上。耦合单元1102的该第一输入FET 1116起电压电流转换器的作用。
在存储单元1101的第二电容器1112的第一端子1115与第二端子2116之间有第二存储电压形式的第二电参量。
该第二存储电压作用在耦合单元1102的、与第二输入FET 1117的栅极端子1123相连接的第二输入端1110上。该第二输入FET 1117起电压电流转换器的作用。
流过第一输入FET 1116的电流和流过耦合单元1102的第二输入FET 1117的电流在节点1125中被相加成一个总电流，并且通过起电流电压转换器作用的被连接成二极管的FET 1136，节点1125处于与该总电流有关的总电位上。由于转换的非线性，这里总电压也许可能偏离算术和。
该总电压作用在第二分析开关电路1104的输入端子1141上。
因此，该总电压作用在第二分析开关电路1104的输入FET2164、1166、1168和1170的第三端子2163、2165、1167和1169上。这些输入晶体管2164、1166、1168和1170与场效应晶体管1183和1186一起构成施密特触发器，所述施密特触发器在该实施例中起比较电路的作用。
根据该施密特触发器的电路结构的参数，依赖于总输入电压是高于还是低于所述施密特触发器的触发电压，把第二分析开关电路1104的节点1179置于高的或者低的电位上。基于所述施密特触发器的特性，该结果被存储至由节点1179上的相应电位代表的下一个测量周期。
因为节点1179与输出端子Q2 1190连接，于是该节点根据第二分析开关电路1104的总输入电压的高度被置于高的或者低的电位上。
存储单元1101的第一电容器1111的第一存储电压还作用在耦合单元1102的、起电流电压转换器作用的第三FET 1128上。
由第三FET 1128的第三端子1132上的电压得出的电流作用在第一分析开关电路1103的第一端子1134上。
第一分析开关电路1103具有两个交叉耦合成触发器的反相器。该第一反相器由第一分析开关电路1103的第一FET 1142和第一分析开关电路1103的第三FET 1151构成。
第二反相器由第一分析开关电路1103的第二FET 1144和第一分析开关电路1103的第四FET 1159构成。
第二电容器1112的第二存储电压作用在耦合单元1102的起电流电压转换器作用的第四FET 1130的第三端子1191上。第四FET 1130的电流作用在第一分析单元1103的第二端子1135上，并且从而作用在第一分析单元1103的第三节点1149上。
可选地，为了通过与第一分析单元1103的端子1196相连接并且作用在第五FET 1162的第三端子1165上的控制单元借助于第五FET 1162激活第一分析单元1103，可以把第二节点1147和第三节点1149的电位置于一个共同的值一段预定的时间。从而可以实现触发器可靠地切换。
在该选择地激活第一分析单元1103以后，根据第一分析单元1103的第一输入端子1134上的电流的值相比于第一分析单元1103的第二输入端子1135上的电流的值，所述触发器采取其第一状态或者其第二状态，并且从而或者把第二节点1147、或者把第三节点1149置于较高的电位上。
因此，在也表示第一分析开关电路1103的输出端Q1的第二端子1135上的电位的高度表明第一分析开关电路1103的估计结果。可替代地，由于触发器电路的固有特性，第一分析单元1103的第一端子1134的电位表示相反的估计结果。基于所述触发器的特性，所述结果被存储至下一个测量周期。
权利要求
1.电子开关电路装置，具有存储单元，所述存储单元被设置用于存储至少两个模拟电参量；具有与所述存储单元耦合的第一分析开关电路，如此设置所述第一分析开关电路，使得所述第一分析开关电路估计所述至少两个模拟电参量并且提供第一估计结果；具有与所述存储单元耦合的第二分析开关电路，如此设置所述第二分析开关电路，使得所述第二分析开关电路利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计并且提供第二估计结果。
2.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中所述第一估计结果和/或所述第二估计结果以数字化的形式被提供。
3.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中所述第一分析开关电路的比较结果和所述第二分析开关电路的比较结果在一时刻同时被提供。
4.如权利要求1所述的电子开关电路装置，如此地被设置，使得所述存储单元具有至少两个电容器。
5.如权利要求1或2所述的电子开关电路装置，其中如此地设置所述第二分析开关电路，使得所述第二分析开关电路利用所述阈值对所述至少两个模拟量的和、或者所述至少两个模拟量的单个值中的至少一个进行估计。
6.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中如此地设置所述第二分析开关电路，使得所述阈值是可调节的。
7.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中所述第二分析开关电路具有带有可调节的触发点的比较开关电路，如此地设置所述比较开关电路，使得利用触发点确定所述至少两个模拟量中的至少一个的估计结果。
8.如权利要求7所述的电子开关电路装置，其中所述第二分析开关电路的比较开关电路具有至少一个施密特触发器。
9.如权利要求7所述的电子开关电路装置，其中所述第二分析开关电路的比较开关电路具有至少一个差形成开关电路。
10.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中如此地设置所述第一分析开关电路，使得所述第一分析开关电路根据所述至少两个模拟电参量的差的结果在输出端上调定所定义的电平。
11.如权利要求10所述的电子开关电路装置，其中第一估计开关电路具有至少两个反相器电路。
12.如权利要求10所述的电子开关电路装置，其中所述第一分析开关电路具有至少一个差形成开关电路。
13.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中所述至少一个存储单元具有用于输送至少两个模拟量的接口，所述两个模拟量从对至少一个存储元件的运行中得出。
14.如权利要求1所述的电子开关电路装置，其中所述存储单元借助于耦合单元与至少一个分析开关电路耦合，并且如此地设置所述耦合单元，使得可以借助于所述至少两个模拟电参量形成其它的电参量。
15.如权利要求14所述的电子开关电路装置，其中如此地设置所述耦合单元，使得不仅可以形成所述存储单元的至少两个模拟量的和、而且也可以形成至少两个模拟量的单个值，并且可以与至少一个分析开关电路耦合。
16.如权利要求1所述的电子开关电路装置，具有至少一个与所述存储单元耦合的存储元件，如此地设置所述存储元件，使得从对所述存储元件的运行中得出所述至少两个模拟量。
17.用于确定存储单元的状态的方法，在所述存储单元中存储至少两个模拟电参量，其中利用第一分析开关电路估计所述至少两个模拟电参量的差，并且提供至少一个第一估计结果；并且利用第二分析开关电路利用阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供至少一个第二估计结果。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述第一估计结果和所述第二估计结果代表所述存储单元的状态，并且以数字化的形式提供所述第一估计结果和所述第二估计结果。
19.如权利要求117所述的方法，其中借助于所述第一分析开关电路和第二分析开关电路同时对所述至少两个模拟电参量进行估计。
20.如权利要求17所述的方法，其中由第一分析单元和/或由第二分析单元对至少一个借助于电容器所存储的电参量进行估计，用于确定所述存储单元的状态。
21.如权利要求17所述的方法，其中借助于第二估计开关电路利用阈值对所述至少两个模拟电参量的和、或者所述至少两个模拟电参量的单个值中的至少一个进行估计。
22.如权利要求17所述的方法，其中借助于估计开关电路接口预先给定用于利用第二估计开关电路进行估计的阈值。
23.如权利要求17所述的方法，其中借助于所述第二分析开关电路通过所述分析开关电路的可调节的触发点对所述至少两个模拟电参量进行估计。
24.如权利要求17所述的方法，其中至少一个施密特触发器被用于所述第二分析开关电路。
25.如权利要求17所述的方法，其中至少一个差形成开关电路被用于借助于所述第二估计开关电路进行估计。
26.如权利要求17所述的方法，其中至少两个反相器电路被用于借助于所述第一分析开关电路进行估计。
27.如权利要求17所述的方法，其中从对至少一个存储元件的运行中得出的至少两个模拟电参量被读入所述存储单元中。
28.如权利要求17所述的方法，其中至少一个差形成开关电路被用于借助于所述第一分析开关电路进行估计。
29.如权利要求17所述的电子开关电路装置，其中在把其它的电参量输送给所述第一分析开关电路或者所述第二分析开关电路用于估计之前，利用既与所述存储单元、也与至少一个分析开关电路耦合的耦合电路从所述存储单元的至少两个模拟电参量中形成所述其它的电参量。
30.如权利要求29所述的方法，其中借助于所述耦合单元从所述存储单元的至少两个模拟电参量中形成电参量的和。
31.电子开关电路装置，具有非易失性存储元件，其中借助于至少两个电参量来代表所述存储元件的状态，具有存储单元，所述存储单元被设置用于存储两个模拟电参量，并且与至少一个非易失性存储元件耦合，从对所述非易失性存储元件的运行中得出至少两个被存储在所述存储单元中的模拟电参量，具有与所述存储单元耦合的第一分析开关电路，如此地设置所述第一分析开关电路，使得所述第一分析开关电路互相比较所述至少两个模拟电参量，并且以数字化的形式提供第一比较结果，具有与所述存储单元耦合的第二分析开关电路，如此地设置所述第二分析开关电路，使得所述第二分析开关电路利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且以数字化的形式与所述第一比较结果同时地提供第二比较结果，
32.用于确定存储单元的状态的计算机程序产品，如果所述计算机程序产品由处理器执行，则所述计算机程序产品在存储单元中存储至少两个模拟电参量，其中利用第一分析开关电路对所述至少两个模拟电参量的差进行估计，并且提供至少一个第一比较结果，并且利用第二分析开关电路利用阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供至少一个第二比较结果。
33.电子开关电路装置，具有用于存储的装置，其被设置用于存储至少两个模拟电参量；具有与所述用于存储的装置耦合的用于分析的第一装置，如此设置所述用于分析的第一装置，使得所述用于分析的第一装置估计所述至少两个模拟电参量，并且提供第一估计结果；具有与所述用于存储的装置耦合的用于分析的第二装置，如此设置所述用于分析的第二装置，使得所述用于分析的第二装置利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供第二估计结果。
全文摘要
电子开关电路装置，具有存储单元，所述存储单元被设置用于存储至少两个模拟电参量；具有与所述存储单元耦合的第一分析开关电路，如此设置所述第一分析开关电路，使得所述第一分析开关电路估计所述至少两个模拟电参量，并且提供第一估计结果；具有与所述存储单元耦合的第二分析开关电路，如此设置所述第二分析开关电路，使得所述第二分析开关电路利用预先给定的阈值对所述至少两个模拟电参量中的至少一个进行估计，并且提供第二估计结果。
文档编号G11C16/26GK1967721SQ20061016391
公开日2007年5月23日 申请日期2006年9月30日 优先权日2005年10月4日
发明者T·科恩, J·-M·施利, T·米科拉杰克 申请人:奇梦达闪存有限责任两合公司, 奇梦达股份公司