专利名称：信息存储装置的制作方法
技术领域：
本公Jf^iS:涉及信息存《i^a，尤，及具有热电模块的信息剤i^ff。
背景技术：
糊犬记忆合叙SMA)已应用于各种用途，部分原因是因为它们會詢多承受可逆相变。已经表明，压印的SMA薄膜的热诱导马氏做目^^许雜纳米7K平上几乎
完全的压痕恢复。如果将这样的j細作信息存储介质，myf除和觀信肩通
常会涉及到SMA盼^t加热和y賴P，因此，压痕的、鹏将高于和低于SMA的马氏体相变驗。但是，被动7賴鹏不太可能获得期望的 鹏响应。财卜，这种冷却不会允许局鹏除存储的信息。
同样地，需要提供一种高密度信息剤^g，其具有较決的局部加热和y賴卩能力c
发明内容
本发明舰提供一种具有较高存储密度和较feM写能力的信息剤^B，而基本上解决了上:5^f述的问题和/或缺点。该信息剤^g包括衬底和置于该衬底上的糊犬记忆合金薄膜。i^l犬记忆合金薄膜可以接收、供应和存储数判言息。在该衬底和该皿记忆合佥薄膜之间纳米印刷有一个或多^电模块。该热电模±鴂于細犬记忆合金薄膜± 性鹏除至少部分的数滩息。
Mii参考以下详细描述和附图可以使本发明实施例的目的、特点以及优点更
加明显，其中
图i對言息剤ii^a的实施例的懒军半示意透视風
图2是漸呈亂描述了禾,信l、剤i^g的实施例的方法的实施例。
具体实船式
本发明的实施例将纳米压印、^R记忆合金薄膜和热电模士贿利鹏且合在信息剤線置中。所相信的是，纳米压印、SMA薄膜和热电模块的组合允许高密度存储以M^信息的个^f除和重写能力。现在参考图1，显示了信窗、剤it^g 10的实施例。驢10通常包括衬底12、设置于衬底12上的形状记忆合諷SMA)薄膜14以及衬底12与SMA薄膜14之间纳米印刷的一个或多个热电模块16。
可以理解的是，可以选择育,允许在其ii内米印刷有热电模i央的招可^i的衬底12。在一个实施例中，衬底12是硅。
如所示，在衬底12上可以纳米印刷一个或多个热电模块16。可以働军的是，粗可飽的纳米印刷工艺可以用来體模±央16。这样的工艺的一个非限制性例子包括电子束光刻。可以进一步Sf率的是，热电模±央16可以以任意希望的图案和/^Wt而纳米印刷在衬底12表面上。Itl^卜，热电模块16可以具有招可合适的厚度。
在一个实施例中，将热电模块16设置为薄麟块。通常地，在衬底12上设置薄膜热电模块16，通常，模块16通常可以具有范围为大约十^^^一 到约10 的厚度。
如下翻各进一步详细描述的，热电模±央16适于要么局部地要么M^地，而选择M除存储在SMA薄膜14中的数^^言息。同样地，热电模±央16可以使电引线18和20可操作连接到其上，使得电流可以供輕热电模块16。有利地，电流有助于擦除存储的信息。
在衬底12上设置糊犬记忆合金薄膜14，使其基本上f魏虫衬底12和纳米压印于衬底12上的倒可热电模±央16。可以l顿樹可魏的^t记忆合金。在一个实施例中，SMA薄膜14包含铝齡金、铁齢金、铜齡金、镍基合金中及其混，的至少一种。
招可魏的沉积技术可以用来體SMA薄膜14。这样的沉积技术的非限制
性例賴括物理气相沉积(物理气相沉积的非限制性例预括ai寸、脉沖激光沉积
等钩、化学气相沉积、电化^:积、无电镀沉积称或它们的组合。
SMA薄膜14會的娥收、供应和/^#{诸数^{言息22。在一个实施例中，舰纳米压印^g24将数對言息22供应给SMA薄膜14。可以働率的是，纳米压印装置24也可以例如以映像模OT于从SMA薄膜14上的不同皿取回存储的数据。在一个非限制性例子中，SMA薄膜14具有范围为大约700Gin/in2至伏约900Gin/in2的存储密度。
现在参考图2，描述了禾,，10的方法的实施例。通常地，该方 跑括将信营、22纳米压印SMA薄膜14中(如上:^f描述的)，如参考数字26所示的，并且使一些或全部信息22从SMA薄膜14中擦除，如参考数字28所示。该方法可进一步包括将新信息重写到SMA薄膜14中，如参考数字30戶标。
更具体地，M^择性她斜及性电流供应给纳米印刷在衬底12上的一个或多个热电模±央16来完j^人SMA薄膜14 J^f除部分或^P信息22。该极性电流可以Mil可操作连接的电弓践18和20而传憩鹏电模块16。可以働和勺是，在与接收预定极性的电流的热电模i央16相邻近的SMA薄膜14的区^Udf除1言息22。这样，信息22可以被局部:feK^:t鹏除，至少部分取决于明P个(哪些)热电模块16接收该极性电流。
可选^i也，该方法可包括将新信息重写到SMA薄膜14中。可以fflit首爐择性地将相反极性的电流供应给接收该极性电流的热电模决16来^jtS写。可以M31可操作连接的电弓践18和20将该相反极性的电流供应给热电模块16。这将基本上确保SMA薄膜14的局離，被^I冷却到马氏做目变M以下。然后可以使新的信息，米压印SMA薄膜14。
可以働和勺是，热电模块16育的多经受珀耳帖 鹏。在一个珀耳帖电路中，可在一个方向上应用极性电流，结果，电路的一面产生热而另一面吸收热。可以理解的是，切换电流的极I4^生相反 M。热电模决16的加热和7賴卩较M:也发生。可以理解的是，当热电模块16接收M^极性的电流时，结果，与热电模块16相令P近的SMA薄膜14被ayii也加热或y賴口。同样地，可以以较快的皿在SMA薄膜14中完臓除存储的信息22和窮新信息。在一个非限制性例子中，可在大约1微妙至伏约900微妙范围的时间帧内来完 除和重写。通常，写时，在将SMA的、鹏y賴卩到马氏做目变鹏以下之前，在周围环境中的被动y賴嚅要大约3併中到5併中。
该，和方法的实施例包括下述优点，但不限于下述优点。纳米压印、SMA薄膜14和热电模i央16的组合允许高密度存储以，對言息22的'l^^除和重写能力。
尽管己经详细描述了几个具体实施例，但是，对战实施例进行修舰本领域技术人员来说是很显然的。因此，前述描鹏当被认为歸范性的而非限制性的。
权利要求
1、一种信息存储装置，包括衬底；设置于衬底上的形状记忆合金薄膜，其中形状记忆合金薄膜适于以下三种操作中的至少一种操作接收、供应和存储数字信息；纳米印刷在衬底和形状记忆合金薄膜之间的至少一个热电模块，该至少一个热电模块适于从形状记忆合金薄膜上选择性地擦除至少部分的数字信息。
2、 如权利要求l戶/M的體，其中糊犬记忆合金薄膜iM内米压印驢来接 收数雜息。
3、 如权利要求l戶腿的體，其中i經少一个热电模土央是薄膜热电模块。
4、 如权利要求1所述的 ，其中该至^"个热电模i媳于实质JJl(W地并皿#*接收一个极性的电流然后接收相反极性的电流。
5、 如禾又利要求1所述的驢，其中i^tit记忆合金薄膜包含铝齡金、铁基 合金、铜齡金、纟!S合金和它们的混^t/中的至少一种。
6、 如权利要求1所述的装置，其中形状记忆合金薄膜具有范围为大约 700Gin/in2到大约900Gin/in2的存储密度。
7、 一种从信息剤it^g中擦除信息的方法，该信息存^^a具有在^^记忆合金薄膜中纳米压印的信息，駄飽括将极性电流供应给至少一个热电模块，该至少一个热电模块纳米印刷在衬底上并體于衬底和^:记忆合金薄膜之间，其中该电流引起在与接收该电流的至A一个热电模i央相邻近的^^记忆合全薄膜 的区feXW言息的擦除。
8、 如权利要求7戶腐的方法，其中i維息剤^S包括多个热电模块，并且 其中将该电涼选樹生地供应给多个热电模块中的至^"些。
9、 如权利要求8所述的方法，其中将该电流供应给多个热电模块中的每一个， 由it谨本J^f除存储在糊犬记忆合金薄膜中的所有信息。
10、 如权利要求7所述的方法，其中当至^^个热电模i娥收预定极性的电 流时，i^l犬记忆合金薄M^加热和^4卩的至A一种。
11、 如权利要求7所述的方法，其中 除后，该方法进一步包^131将相 反极性的电流供应给该至少一个热电模:t^lel維息S^至'J^^记忆合金薄膜中，然后用新信息，米压印糊犬记忆合金薄膜。
12、 如权利要求7鹏勺方法，其中am可操作连接到至少一个热电模块 的至少一个电弓|线将电流传邀射亥至少一个热电模±^|^^供应该电流。
13、 一种利用具有至少一个热电模i央的信息剤f^置的方法，该电辦對央纳米印刷在衬底和糊犬记忆合金薄膜之间，该方' 飽括.-榭言肩i内米压印到^R记忆合金薄膜中；并且M:将极性电流供应给至A一个热电模i姊引起与该至少一个热电模块相邻近的形状记忆合金薄膜的区ilth至少部^息的擦除。
14、 如禾又利要求13所述的方法，进一步包 1将相反极性电流供应纟射@ 少一个热电模块来将新信息S^到开^t记忆合金薄膜中，然后用新信息 米压 印微记忆合金薄膜。
15、 如权利要求14所述的方法，其中ffl3^人可操作雜到至少一个热电模土央 的至少一个电弓践将电流传邀^M少一个热电模±^^^;供应该极性电流和供应该相反极性的电流。
16、 如权利要求14所述的方法，其中当该至少一个热电模±娥收预定极性的 电流时，加热或y賴屿i絰少一个热电模块相邻近的糊犬记忆合金薄膜的区域。
17、 如权利要求14所述的方法，其中信息剤il^g包括多个热电模块，并且其中选择性地将该极性电流和该相反极性的电流中的至少一^M共应给热电模块中 的至^一些。
18、 如权利要求13所述的方法，其中在引皿除前，i亥方法进一步包括将电 弓践可操作连接到至少一个热电模块。
19、 如权利要求14所述的方法，其中擦除和重写在大约1微秒到大约900微 秒范围的时间帧内发生。
全文摘要
一种信息存储装置，包含衬底和置于该衬底上的形状记忆合金薄膜。该形状记忆合金薄膜可以接收、供应和存储数字信息。该衬底和该形状记忆合金薄膜之间纳米印刷有一个或多个热电膜块。该热电模块适于从形状记忆合金薄膜上选择性地擦除至少部分的数字信息。
文档编号G11B3/00GK101484940SQ200680037796
公开日2009年7月15日 申请日期2006年9月25日 优先权日2005年10月12日
发明者D·D·斯奈德, 杨继辉, 郑仰泽 申请人:通用汽车环球科技运作公司