氮化物类半导体激光元件和光拾取装置的制作方法

专利名称：氮化物类半导体激光元件和光拾取装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及氮化物类半导体激光元件和光拾取装置，尤其涉及在谐振器端面形成 有电介质多层膜的氮化物类半导体激光元件和光拾取装置。
背景技术：
近年来，作为高密度光盘系统的光源，期望实现激光的短波长化和高输出化，因此 开发有采用氮化物类半导体材料的振荡波长A为约405nm的蓝紫色半导体激光器。
在现有的氮化物类半导体激光元件中，在构成一对谐振器端面的光射出侧端面和 光反射侧端面上，以使得光反射侧端面的反射率比光射出侧端面的反射率更高的方式分别 形成有电介质多层膜(端面覆盖膜)。 尤其是，形成于光反射侧端面的端面覆盖膜大多利用将由Si02、Al203、Si3^和Zi^ 等其中的两种电介质形成的层以入/4的光学膜厚(=膜厚X折射率)交替层叠而成的反 射膜，以得到高的反射率。而且，在该反射膜和光反射侧端面之间，为了防止反射膜的剥离、 氮化物类半导体与反射膜的反应，形成有与反射膜不同的电介质层。这样的氮化物类半导 体激光元件，例如在(日本)特开2007-059897号公报、(日本)特开2007-109737号公报 及(日本)特开2007-243023号公报已公开。 在上述(日本)特开2007-059897号公报记载的氮化物类半导体激光元件中，例 如，在光反射侧端面形成具有20nm的膜厚的由AlxOy形成的电介质膜和具有40nm的膜厚 的由AlxOy形成的电介质膜后，形成有将具有67nm的膜厚的Si02和具有44nm的膜厚的Zr02 交替层叠六对而成的反射镜。 另外，在上述(日本)特开2007-109737号公报记载的氮化物类半导体激光装置 中，例如，在光反射侧端面形成具有51nm的膜厚的氮化硅层后，将具有69nm的膜厚的氧化 物层和具有51nm的膜厚的氮化硅层交替形成12层，最后形成有具有137nm的膜厚的氧化 物层。 另外，在上述(日本)特开2007-243023号公报记载的氮化物类半导体激光元件 中，例如，在光反射侧端面形成具有80nm的膜厚的非结晶的氧化铝后，交替形成有4层具有 71nm的膜厚的氧化硅膜和具有46nm的膜厚的氧化钛膜。 但是，在上述(日本)特开2007-059897号公报、(日本)特平2007-109737号公 报及(日本)特开2007-243023号公报所公开的现有技术的氮化物类半导体激光元件中， 在光输出大的情况下，容易发生光反射侧的端面覆盖膜的劣化、剥离，尤其是热能量和光能 量相对较大的接近光反射侧端面的一侧的端面覆盖膜容易发生劣化。另外，当端面覆盖膜 的一部分发生劣化时，存在如下问题发生了折射率的变动及光吸收的增加的劣化区域容易向周围扩展，容易对端面覆盖膜整体的光学特性产生影响。其结果是，存在激光元件的动 作特性的稳定性和可靠性下降的问题。

发明内容
本发明的发明者经过锐意的研究，发现通过令现有技术的端面覆盖膜中的形成 于反射膜和半导体元件之间的电介质多层膜为下述的结构，即使在进行高输出动作时，也 能够得到充分的可靠性。 S卩，本发明的第一方面的氮化物类半导体激光元件包括氮化物类半导体元件层， 其具有光射出侧端面和光反射侧端面；以及端面覆盖膜，其包括形成在光反射侧端面上的 变质防止层和形成在变质防止层上的反射率控制层，反射率控制层由交替层叠的高折射率 层和低折射率层构成，变质防止层层叠有两层以上的层，并且各层分别由利用氮化物、氧化 物或氮氧化物形成的电介质层构成，变质防止层具有与光反射侧端面相接的由利用氮化物 形成的电介质层构成的第一层，构成变质防止层的各层的厚度小于高折射率层的厚度，并 且小于低折射率层的厚度。 另外，在本发明中，"光射出侧端面"和"光反射侧端面"根据在形成于氮化物类半
导体激光元件的一对谐振器端面，从各个端面射出的激光的光强度的大小关系进行区别。
即，从端面射出的激光的光强度相对较大的一方为光射出侧端面，相对较小的一方为反射
侧端面。另外，在本发明中，所谓"反射率控制层"，实质上是指反射激光的层的广义的概念。
另外，在本发明中，关于"高折射率"及"低折射率"，构成反射率控制层的两种电介质层中，
折射率相对较大的一方为高折射率层，折射率相对较小的一方为低折射率层。 在本发明的第一方面的氮化物类半导体激光元件中，如上所述，通过在光反射侧
端面和反射率控制层之间形成变质防止层，能够分开反射率控制层和光反射侧端面的距
离，因此能够减少作用于反射率控制层的热能量及光能量。其结果是，构成反射率控制层的
各层不容易变质或劣化，故在进行高输出动作时，也能够抑制端面覆盖膜从光反射侧端面
的剥离、及端面覆盖膜的特性反射率的变化，能够提高氮化物类半导体激光元件的动作特
性的稳定性及可靠性。 此时，在变质防止层中，在光反射侧端面上层叠有多个比高折射率层的膜厚小并 且比低折射率的膜厚也小的层。由此，在容易劣化的谐振器端面侧，即使在变质防止层中的 一层发生变质或劣化的情况下，其劣化也容易在各层的界面停止，因此能够抑制周围的层 变质或劣化。另外，变质防止层由于构成变质防止层的层的膜厚如上所述那样设定得较小， 所以不易对端面覆盖膜整体的反射特性产生影响。而且，如上所述，即使在变质防止层中的 一层发生变质或劣化的情况下，由于其区域小，所以也能够抑制变质防止层整体的折射率 的变动。由此，能够使得难以对端面覆盖膜整体的反射特性产生影响。 另外，由于构成变质防止层的各层的膜厚如上所述较小，所以能够将各层的应力 抑制得较小。由此，不易引起各层间的剥离，而且，也能够充分缓和形成于其上的厚的反射 率控制层的应力。 另外，由于构成变质防止层的各层由氮化物、氧化物或氮氧化物构成，所以各层的 变质不易进一步向周围扩展。尤其在由氮化物或氮氧化物形成的层中，由于不容易发生在 氧化物的情况下可能发生的氧从层中的脱离，所以优选利用由氮化物或氮氧化物形成的
5层。 另外，通过利用由氮化物构成的电介质层构成变质防止层的与反射侧端面相接的
第一层，能够抑制外部的气氛、端面覆盖膜中所含的氧向氮化物类半导体元件层的扩散。由
此，因为氮化物类半导体元件层的光反射侧端面不易氧化，所以在光反射侧端面不容易产
生成为激光的吸收及发热的原因的非发光再结合能级。其结果是，能够抑制光反射侧端面
处的破坏性的光学损伤(COD -Catastrophic OpticalDamage)的发生。 在上述第一发明的氮化物类半导体激光元件中，优选变质防止层还具有和第一层
的与光反射侧端面相反的一侧相接的由利用氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成的第
二层。根据这样的结构，因为由比第一层的应力小的材料形成的第二层与第一层相接，所以
利用与第一层相接的第二层，能够容易地缓和由氮化物构成的第一层所具有的应力。 在此情况下，优选变质防止层还具有与第一层分别地形成的、并且和第二层的与
第一层相反的一侧相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第三层。根据这样的结构，
因为在变质防止层中包括多个(第一层和第三层这两层)由氮化物形成的电介质层，所以
能够进一步抑制外部的气氛、端面覆盖膜中所含的氧向氮化物类半导体层的扩散。另外，即
使在由这些氮化物形成的电介质层之间进一步形成有由氧化物或氮氧化物形成的电介质
层(第二层)，由于氧难以从由该氧化物或氮氧化物形成的电介质层扩散，所以能够抑制由
该氧化物或氮氧化物形成的电介质层的变质，并且，还能够抑制其它的电介质层的变质及
光反射侧端面的氧化。 在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选第一层为A1N。根据这样的结 构，利用由A1N构成的氮化膜，能够容易地抑制外部的气氛、端面覆盖膜中所含的氧向氮化 物类半导体元件层(光反射侧端面)的扩散。 在具有上述第三层的结构中，优选第二层为Al203或A10N。根据这样的结构，由于 利用作为氧化膜的A1203或作为氮氧化膜的A10N，能够缓和施加在由氮化物形成的第一层 和第三层之间的应力，所以能够抑制第一层和第三层的剥离。 在具有上述第三层的结构中，优选第三层为A1N。根据这样的结构，利用由A1N构 成的氮化膜，能够容易地抑制外部的气氛中含有的氧向第二层的扩散。由此，能够进一步抑 制外部的气氛、端面覆盖膜中所含的氧向氮化物类半导体元件层(光反射侧端面)的扩散， 因此能够容易抑制变质防止层从光反射侧端面的剥离。 在具有上述第三层的结构中，优选变质防止层还具有和第三层的与第二层相反的 一侧相接的由利用氧化物形成的电介质层构成的第四层。根据这样的结构，能够借助于由 氧化物形成的第四层，容易地在变质防止层的与光反射侧端面相反的一侧的表面上形成光 反射率控制层。 在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选端面覆盖膜还包括形成于变 质防止层和反射率控制层之间的、由氧化物或氮氧化物形成的界面层。根据这样的结构，能 够将反射率控制层和光反射侧端面的距离分开界面层的厚度的量，因此能够减少作用于反 射率控制层的热能量及光能量。其结果是，能够使构成反射率控制层的各层不易变质。另 外，因为利用界面层，能够缓和施加于变质防止层和反射率控制层之间的应力，所以能够抑 制变质防止层和反射率控制层的剥离。 在此情况下，优选界面层由与反射率控制层相接的层和与变质防止层相接的层形成。根据这样的结构，因为能够利用适于实现与反射率控制层和变质防止层的各自的层的 紧贴性的材料形成界面层，所以能够抑制反射率控制层、变质防止层的各自的层与界面层 的剥离。 在上述界面层由与反射率控制层、变质防止层的各自的层相接的层形成的结构 中，优选与反射率控制层相接的构成界面层的层含有与反射率控制层相同的元素。根据这 样的结构，能够容易地提高与反射率控制层相接的构成界面层的层和反射率控制层之间的 紧贴性。 在此情况下，优选与反射率控制层相接的构成界面层的层由Si02形成。根据这样 的结构，能够容易地形成能够提高与反射率控制层的紧贴性的层(构成界面层的层)，同时 能够抑制光学的、热的劣化，因此能够进一步提高氮化物类半导体激光元件的动作特性的
可靠性。 在上述界面层由与反射率控制层和变质防止层的各自的层相接的层形成的结构 中，优选与变质防止层相接的构成界面层的层含有与变质防止层相同的金属元素。根据这 样的结构，能够容易地提高与变质防止层相接的构成界面层的层和变质防止层之间的紧贴 性。 在此情况下，优选与变质防止层相接的构成界面层的层由八1203形成。根据这样的 结构，能够容易地形成能够提高与变质防止层的紧贴性的层(构成界面层的层)。
在上述端面覆盖膜包括界面层的结构中，优选氮化物类半导体元件层还具有发光 层，在发光层发出的激光的波长为A的情况下，构成界面层的层的光学膜厚设定为A/4以 上。根据这样的结构，能够进一步提高氮化物类半导体激光元件的动作特性的可靠性。
在上述端面覆盖膜包括界面层的结构中，优选构成界面层的层的厚度大于构成变 质防止层的各层的厚度。根据这样的结构，能够容易使反射率控制层和光反射侧端面的距 离较大。 在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选构成变质防止层的各层含有 相同的金属元素。根据这样的结构，能够提高构成变质防止层的各层间的紧贴性。
在上述第二层为A1203或A10N的结构中，优选第二层由A10N形成，并且，由A10N 形成的第二层的氮的组成比大于氧的组成比。根据这样的结构，由氮氧化物形成的电介质 层(第二层)与氧化物、氮化物相比，其膜密度高，且元素的结合状态也牢固，因此难以变 质。由此，能够进一步抑制外部的气氛、端面覆盖膜中所含的氧的扩散。另外，由于A10N的 氮的组成比大于氧的组成比，所以能够抑制第二层所含的氧向第一层、第三层扩散的量。
在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选氮化物类半导体元件层还具 有发光层，在发光层发出的激光的波长为A的情况下，构成变质防止层的由电介质层形成 的各层的光学膜厚分别设定为入/4以下。根据这样的结构，由于能够减小变质防止层中的 应力，所以能够抑制变质防止层中的各层相互剥离。另外，从光反射侧端面射出的激光不受 变质防止层的厚度影响地透过并到达反射率控制层。由此，能够容易地抑制被设定为具有 希望的反射率的反射率控制层的反射率控制功能受到变质防止层的影响。
在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选构成变质防止层的由电介质 层形成的各层分别具有约10nm以上且约30nm以下的范围的厚度。根据这样的结构，由于 能够将变质防止层中的各层的应力抑制得较小，所以能够抑制变质防止层中的各层相互剥离的情况。 在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选低折射率层由氧化物或氮氧 化物形成，并且，高折射率层由氮化物或氮氧化物形成。根据这样的结构，氧难以从由高折 射率层夹着的低折射率层扩散，其中，该高折射率层由氮化物或氮氧化物形成，该低折射率 层由氧化物形成。其结果是，能够抑制低折射率层的变质，并且还能够抑制光反射侧端面的 氧化。 另外，在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选构成反射率控制层的 高折射率层和低折射率层的光学膜厚分别为根据这样的结构，能够使反射率控制层 的反射率最大化。 另外，在上述第一方面的氮化物类半导体激光元件中，优选低折射率层和高折射 率层为多结晶。根据这样的结构，因为在多结晶状态下，元素的结合状态更牢固，所以各层 的散热性变得更高，并且相对于光能量及热能量更稳定，因此各层的膜质更不容易变化。
根据本发明，能够提高进行高输出动作时的氮化物类半导体激光元件的动作特性 的稳定性及可靠性。 本发明的第二方面的光拾取装置包括氮化物类半导体激光元件，其包括具有光 射出侧端面和光反射侧端面的氮化物类半导体元件层、以及端面覆盖膜，该端面覆盖膜包 括形成于光反射侧端面上的变质防止层和形成于变质防止层上的反射率控制层；光学系 统，其控制氮化物类半导体激光元件的射出光；和光检测部，其对射出光进行检测，反射率 控制层由交替地层叠的高折射率层和低折射率层形成，变质防止层层叠有两层以上的层， 并且，各层分别由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成，变质防止层具有与 光反射侧端面相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第一层，构成变质防止层的各层 的厚度小于高折射率层的厚度，并且小于低折射率层的厚度。 在该第二方面的光拾取装置中，因为具备如上所述构成的氮化物类半导体激光元 件，所以在氮化物类半导体激光元件进行高输出动作的情况下，也能够抑制端面覆盖膜从 光反射侧端面的剥离、以及端面覆盖膜的特性反射率的变化，因此能够实现氮化物类半导 体激光元件的动作特性的稳定性和可靠性得到提高的光拾取装置。


图1是用于说明本发明的第1实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构的示意 图。 图2是沿图1的A-A线的截面图。 图3是用于说明本发明的第3实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构的截面 图。 图4是用于说明本发明的第6实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构的截面 图。 图5是用于说明本发明的第7实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构的截面 图。 图6是用于说明本发明的第8实施方式的氮化物类半导体激光元件的结构的截面 图。
图7是表示安装有本发明的第9实施方式的氮化物类半导体激光元件的激光装置 的概略结构的外观立体图。 图8是安装有本发明的第9实施方式的氮化物类半导体激光元件的激光装置的卸 下壳封装的盖体后的状态下的俯视图。 图9是内置有安装有本发明的第9实施方式的氮化物类半导体激光元件的激光装 置的光拾取装置的结构图。
具体实施例方式以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。 [OOM](第1实施方式) 首先，参照图1及图2，对本发明的第1实施方式的氮化物类半导体激光元件100 的结构进行说明。其中，图1是氮化物类半导体激光元件100的截面图，表示与激光的射出 方向(L方向)平行的截面。另外，图1表示沿图2的B-B线的截面。 本发明的第1实施方式的氮化物类半导体激光元件100具有约405nm的振荡波长 入，如图l及图2所示，包括形成于由n型GaN构成的基板l的上表面((OOOl)Ga面)上 的由氮化物类半导体构成的半导体元件层2 ;形成于半导体元件层2上的p侧电极3 ;和形 成于基板l的下表面((OOOl)N面)上的n侧电极4。另外，相对于激光的射出方向(L方 向)分别垂直地形成的半导体元件层2的光射出侧端面2a和光反射侧端面2b构成一对谐 振器端面。 基板1具有约100 ii m的厚度，掺杂有具有约5X 1018cm—3的载流子浓度的氧。另 外，形成于基板1的上表面上的半导体元件层2由从基板1侧开始依次形成的n型缓冲层 20、n型包(clad)层21、n型载流子阻挡22、n侧导光层23、活性层24、p侧导光层25、盖层 26、p型包层27和p侧接触层28、以及形成于p型包层27上的电流狭窄层29构成。另外， 在第1实施方式中，由n型载流子阻碍层22、n侧导光层23、活性层24、p侧导光层25和盖 层26构成本发明的"发光层"。 n型缓冲层20、n型包层21、n型载流子阻碍层(carrier blockinglayer) 22和n 侧导光层23分别由具有约lOOnm的厚度的n型CaN、具有约2 y m的厚度的n型Al。.。7Ga。.93N、 具有约5nm的厚度的n型Al。. 16Ga。.84N和具有约lOOnm的厚度的非掺杂CaN构成。另外，在 上述n型的各层20 22中掺杂有约5X 1018cm—3的Ge，具有约5X 1018cm—3的载流子浓度。
活性层24具有MQW结构，该MQW结构交替叠层有具有约20nm的厚度的由非掺杂 In。.。2Ga。.98N形成的4层的障壁层和具有约3nm的厚度的由非掺杂InaiGa。.9N形成的3层的 阱层。 p侧导光层25、盖层26和p侧接触层28分别由具有约lOOnm厚度的非掺杂GaN、 具有约20nm厚度的非掺杂Al。.化Ga。.84N、和具有约lOnm厚度的非掺杂In。.。2Ga。.98N构成。
p型包层27掺杂有约4X 1019cm—3的Mg，由具有约5 X 1017cm—3的载流子浓度的p型 Al。.。7Ga。jN形成。另外，p型包层27包括具有约80nm厚度的平坦部27a、和具有约320nm 的高度及约1. 5 m的宽度且从平坦部27a突出的凸部27b。凸部27b形成为条状，在与光 射出侧端面2a和光反射侧端面2b垂直的L方向([1-100]方向)上延伸。另外，p侧接触 层28仅形成在凸部27b上，由p型包层27的凸部27b和p侧接触层28形成有脊部2c。另
9外，如图2所示，脊部2c形成于从元件中央偏向一方的侧面侧的位置，氮化物类半导体激光 元件100具有左右非对称的截面形状。另外，在p型包层27的平坦部27a的上表面上及脊 部2c的侧面上形成有具有约250nm的厚度、由Si02构成的电流狭窄层29。
在半导体元件层2上形成有由p侧欧姆电极31和p侧垫电极32构成的p侧电极 3，该p侧欧姆电极31形成于从电流狭窄层29露出的p侧接触层28上，该p侧垫电极32 形成于P侧欧姆电极31和电流狭窄层29上。p侧欧姆电极31由从p侧接触层28侧起依 次形成的具有约10nm厚度的Pt层和具有约100nm厚度的Pd层构成。另外，p侧垫电极32 由从P侧欧姆电极31和电流狭窄层29侧起依次形成的具有约100nm厚度的Ti层、具有约 100nm厚度的Pd层、以及具有约3 ii m厚度的Au层构成。另外，在p型包层27的平坦部27a 的上方形成有P侧垫电极32的引线接合部32a。 另外，n侧电极4由从基板1侧开始依次形成于基板1的下表面上的具有约10nm 厚度的Al层、具有约20nm厚度的Pd层、以及具有约300nm厚度的Au层形成。
在光射出侧端面2a上形成有层叠有多个电介质层的第一端面覆盖膜5。第一端面 覆盖膜5由从光射出侧端面2a侧起依次形成的具有约10nm厚度的由AlN构成的第一变质 防止层51、和具有约82nm厚度的由A1203形成的第一反射率控制层52构成。另外，第一端 面覆盖膜5的反射率通过上述结构被设定为约8%。 在此，在第l实施方式中，在光反射侧端面2b上形成有层叠有多个电介质层的第 二端面覆盖膜6。第二端面覆盖膜6由从光反射侧端面2b侧开始依次形成的第二变质防止 层61、具有约140nm厚度的由Si02形成的界面层62、和第二反射率控制层63构成。其中， 界面层62的光学膜厚设定为A /4 (在令界面层62的折射率为n的情况下，界面层62的物 理膜厚为入/(4Xn))以上。其中，第二端面覆盖膜6为本发明的"端面覆盖膜"的一例，第 二变质防止层61及第二发射率控制层63分别是本发明的"变质防止层"及"反射率控制 层"的一例。 另外，在第1实施方式中，第二变质防止层61由从光反射侧端面2b侧开始依次形 成的、具有约10nm厚度的由AlN构成的第一层61a、具有约10nm厚度的由A1203构成的第 二层61b、具有约10nm厚度的由AlN构成的第三层61c、和具有约10nm厚度的由A1203构成 的第四层61d构成。另外，第二反射率控制层63具有交替各叠层有6层从第二变质防止层 61侧开始依次形成的、具有约70nm厚度的由Si02构成的低折射率层63a、和具有约50nm厚 度的由Zr02构成的高折射率层63b的结构。在此，第一层61a 第四层61d的各层的光学 膜厚设定为入/4(在令各层的折射率为n的情况下，各层的物理膜厚为A/(4Xn))以下。 另外，低折射率层63a和高折射率层63b各自的光学膜厚设定为A /4(在令各层的折射率 为n的情况下，各层的物理膜厚为A/(4Xn))。其中，第一层61a、第二层61b、第三层61c 及第四层61d为本发明的"电介质层"及"构成变质防止层的各层"的一例。
利用上述结构，第二端面覆盖膜6的反射率被设定为约98%。而且，第一端面覆盖 膜5的反射率设定为比第二端面覆盖膜6的反射率小，因此从第一端面覆盖膜5侧射出的 激光的强度大于从第二端面覆盖膜6侧射出的激光的强度。 接着，对本发明的第1实施方式的氮化物类半导体激光元件100的制造工艺进行 说明。 在氮化物类半导体激光元件100的制造工艺中，参照图1及图2，首先利用有机金
10属气相外延(M0VPE)法，在具有约400iim厚度的基板l上依次形成n型缓冲层20、n型包层 21、 n型载流子阻碍层22、 n侧导光层23、活性层24、 p侧导光层25、盖层26、具有约400nm 厚度的P型包层27及p侧接触层28后，进行p型化退火处理。 接着，在利用真空蒸镀法形成条状的p侧欧姆电极31后，将形成有p侧欧姆电极 31的区域之外的p侧接触层28和p型包层27蚀刻到约320nm的深度。由此，将p型包层 27的平坦部27a形成为约80nm的厚度，并且形成由p型包层27及p侧接触层28构成的条 状的脊部2c。另外，在p型包层27的平坦部27a的上表面上及脊部2c的侧面上形成电流 狭窄层29。 接着，利用真空蒸镀法，在p侧欧姆电极31及电流狭窄层29上形成p侧垫电极32。 另外，在通过对基板1的下面侧进行研磨等令基板1的厚度为约lOOym后，在基板1的下 表面上，通过真空蒸镀法形成n侧电极4。 接着，将形成有上述各层的基板l沿相对于条状脊部2c延伸的方向(L方向)垂直 的方向劈开分离，由此将基板1加工成杆(bar)状。利用通过该劈开工序得到的相互平行 的一对劈开面，形成构成各激光元件的谐振器端面的光射出侧端面2a及光反射侧端面2b。
接着，在上述劈开面形成第一端面覆盖膜5及第二端面覆盖膜6。首先，将上述杆 状的基板1导入电子回旋加速器共鸣(ECR)溅射成膜装置，将ECR等离子体向由劈开面形 成的光射出侧端面2a照射。由此，净化光射出侧端面2a。此时，ECR等离子体在N2气体氛 围中产生，不对溅射靶施加RF功率。 之后，利用ECR溅射法，在光射出侧端面2a上形成由AIN构成的第一变质防止层 51。此时，在Ar和N2的气体氛围中施加微波功率，由此产生ECR等离子体，同时对Al靶施 加RF功率而进行溅射。 接着，通过ECR溅射法，在第一变质防止层51上形成由A1^3构成的第一反射率控 制层52。此时，在Ar和02的气体氛围中施加微波功率，产生ECR等离子体，同时对Al靶施 加RF功率而进行溅射。 接着，与光射出侧端面2a的净化工艺一样，进行光反射侧端面2b的净化之后，通 过ECR溅射法，在光反射侧端面2b上依次形成由A1N构成的第一层61a、由A1203构成的第 二层61b、由A1N构成的第三层61c及由A1203构成的第四层61d。其中，由A1N构成的第一 层61a及第三层61c的形成条件与同样由AIN构成的第一变质防止层51的形成条件相同。 另外，由A1203构成的第二层61b及第四层61d的形成条件与同样由A1203构成的第一反射 率控制层52的形成条件相同。这样，在发射侧端面2b上形成由第一层61a 第四层61d 构成的第二变质防止层61。 接着，利用ECR溅射法，在第二变质防止层61上形成由Si02构成的界面层62。此 时，在Ar和02的气体氛围中通过施加微波功率而产生ECR等离子体，同时对Si靶施加RF 功率而进行溅射。 接着，通过ECR溅射法，在界面层62上交替地各形成6层由Si02构成的低折射率 层63a和由Zr02构成的高折射率层63b。其中，由Si02构成的低折射率层63a的形成条件 同样与由同SiOj勾成的界面层62的形成条件相同。另外，在高折射率层63b的形成时，在 Ar和02的气体氛围中通过施加微波功率而产生ECR等离子体，同时对Zr靶施加RF功率而 进行溅射。这样，在界面层62上形成由低折射率层63a和高折射率层63b构成的第二反射率控制层63。 最后，通过将杆状的基板1沿相对于条状脊部2c延伸的方向(L方向)平行的方 向分离，形成第1实施方式的氮化物类半导体激光元件100。 在第1实施方式中，如上所述，通过在光反射侧端面2b和第二反射率控制层63之 间形成第二变质防止层61 ，能够将第二反射率控制层63和光反射侧端面2b的距离分开，因 此能够降低作用于第二反射率控制层63的热能量及光能量。其结果是，构成第二反射率控 制层63的各层63a及63b不易变质或劣化，即使在进行高输出动作时，也能够控制第二端 面覆盖膜6从光反射侧端面2b的剥离，以及第二端面覆盖膜6的特性反射率的变化，能够 提高氮化物类半导体激光元件100的动作特性的稳定性及可靠性。 此时，在第二变质防止层61，层叠有各层的膜厚在光反射侧端面2b上小于高折射 率层63b的膜厚且小于低折射率层63a的膜厚的第一层61a 第四层61d。由此，在容易劣 化的光反射侧端面2b侧，即使在构成第二变质防止层61的第一层61a 第四层61d中的一 层发生了变质或劣化的情况下，其劣化也容易在第一层61a 第四层61d的各层的界面停 止，因此能够抑制周围的层发生变质或劣化。另外，第二变质防止层61由于第一层61a 第四层61d的各层的膜厚如上所述设定得较小，所以不易对第二端面覆盖膜6整体的反射 特性造成影响。而且，即使在如上所述构成第二变质防止层61的第一层61a 第四层61d 中的一层发生了变质或劣化的情况下，也由于其区域小，因此能够抑制第二变质防止层61 整体的折射率的变动。由此，还能够使得不易对第二端面覆盖膜6整体的反射特性施加影 响。 尤其是，令第一层61a和第三层61c为A1N，由此，利用由A1N构成的氮化膜，能够 容易地抑制外部的气氛、第二端面覆盖膜6中所含的氧向光反射侧端面2b的扩散。另外， 通过令夹在第一层61a和第三层61c之间的第二层61b为A1203，能够缓和施加于由A1N构 成的第一层61a及第三层61c之间的应力，因此能够抑制第一层61a及第三层61c的剥离。 进一步，通过令第四层61d为A1203，能够借助于第四层61d缓和施加于由A1N构成的第三 层61c和界面层62之间的应力。由此，能够容易地抑制第二变质防止层61从光反射侧端 面2b的剥离。 另外，因为构成第二变质防止层61的第一层61a 第四层61d的各层的膜厚如上 所述形成得较小，所以能够将第一层61a 第四层61d的各层的应力抑制得较小。由此，第 一层61a 第四层61d的各层间也不容易发生剥离，而且，还能够充分地缓和形成于其之上 的厚的第二反射率控制层63的应力。另外，因为第一层61a 第四层61d的各层的膜厚均 为10nm，构成第二变质防止层61的各层的光学膜厚分别为A /4以下，所以能够减小第二变 质防止层61的应力。由此，能够使得第二变质防止层61的剥离也不容易发生。而且，从光 反射侧端面2b射出的激光不受构成第二变质防止层61的第一层61a 第四层61d的各层 的厚度的影响地透过并到达第二反射率控制层63。由此，能够容易地抑制设定成具有所希 望的反射率的第二反射率控制层63的反射率控制功能被第二变质层61影响的情况。
另外，由于构成第二变质防止层61的第一层61a 第四层61d的各层由氮化物或 氧化物形成，所以第一层61a 第四层61d的各层的变质不易进一步向周围扩展。尤其是， 在由氮化物构成的第一层61a和第三层61c中，也不会发生氧从层中脱离的现象。
进一步，通过利用由氮化物(A1N)形成的电介质层构成第二变质防止层61的与光反射侧端面2b相接的第一层61a，能够抑制包含在外部的气氛、第二端面覆盖膜6中的氧向 半导体元件层2扩散。由此，半导体元件层2的光反射侧端面2b变得不易氧化，因此在光 反射侧端面2b不易发生成为激光的吸收及发热的原因的非发光再结合能级。其结果是，能 够抑制光反射侧端面2b的C0D的发生。 另外，在第1实施方式中，在第二变质防止层61中，作为由氮化物(A1N)形成的电 介质层，除第一层61a之外，第三层61c也包含，因此能够进一步抑制包含在外部的气氛、第 二端面覆盖膜6中的氧向半导体元件层2的扩散。另外，因为由氧化物构成的第二层61b 形成在由氮化物构成的第一层61a和第三层61c之间，所以氧难以从第二层61b扩散，从而 能够抑制第二层61b的变质，并且也能够抑制其它的电介质层的变质和光反射侧端面2b的 氧化。 另外，在第1实施方式中，因为在第二变质防止层61和第二反射率控制层63之间 形成有由氧化物(Si02)构成的界面层62，所以能够将第二反射率控制层63和光反射侧端 面2b之间的距离分开界面层62的厚度的量。由此，能够减少作用于第二反射率控制层63 的热能量和光能量，因此构成第二反射率控制层63的低折射率层63a和高折射率层63b变 得不易变质。由此，界面层62能够抑制对第二端面覆盖膜6的光反射特性的影响。另外，因 为通过界面层62能够缓和施加于第二变质防止层61和第二反射率控制层63之间的应力， 所以能够抑制第二变质防止层61和第二反射率控制层63的剥离。另外，因为利用由Si02 构成的界面层62提高第二变质防止层61和第二反射率控制层63的紧贴性，同时能够抑制 光学上的、热的劣化，所以能够进一步提高氮化物类半导体激光元件100的动作特性的可 靠性。 另外，在第1实施方中，与第二反射率控制层63(低折射率层63a)相接的界面层 62含有与低折射率层63a相同的Si元素，由此能够提高界面层62和低折射率层63a之间 的紧贴性。 另外，在第1实施方中，将界面层62的厚度(约140nm)构成为比构成第二变质防 止层61的第一层61a 第四层61d的各层的厚度(约10nm)大，由此能够容易使第二反射 率控制层63和光反射侧端面2b的距离远。 另外，在第1实施方中，因为高折射率层63b使用容易成为多结晶的Zr02，所以散 热性变得更高，并且相对于光能量及热能量更稳定，高折射率层63b的膜质不易发生变化。
另外，在第1实施方中，由于构成第二反射率控制层63的高折射率层63b及低折 射率层63a的光学膜厚分别为A /4，所以能够使第二反射率控制层63的反射率最大化。
在此，对该氮化物类半导体激光元件100，在450mW的脉冲光输出(脉冲宽度 30nm、占空比50%、80°C )的条件下进行了寿命试验，结果是能够抑制动作电流的上升，且 能够实现3000小时以上的平均无故障时间(MTTF)。以上的结果是，能够确认，在本实施方 式的氮化物类半导体激光元件100中，即使在进行高输出动作时，也能够抑制第二端面覆 盖膜6从光反射侧端面2b的剥离、以及第二端面覆盖膜6的特性反射率的变化，能够提高 动作特性的稳定性和可靠性。
(第2实施方式) 在本发明的第2实施方式的氮化物类半导体激光元件200中，参照图l，第二变质 防止层61中的第二层61b由具有约30nm厚度的A10xNy(其中，x < y)形成，由A1N构成
13的第三层61c具有约30nm的厚度。 另外，通过以下方式进行由AlOxNy构成的第二层61b的形成，在Ar、 02及N2的气 体气氛中通过施加微波功率而产生ECR等离子体，同时对Zr靶施加RF功率而对Zr靶进行 除此之外的氮化物类半导体激光元件200的结构和制造工艺与氮化物类半导体 激光元件100结构和制造工艺相同。 如上所述，在第2实施方式中，第二变质防止层61中的第二层61b由膜浓度比氧 化物、氮化物高的氮氧化物(AlOxNy)构成。由此，元素的结合状态也更牢固，不易变质，而 且，能够进一步抑制包含于外部的气氛及第二端面覆盖膜6中的氧的扩散。
另外，在第2实施方式中，因为第二层61b的AlOxNy的氮的组成比(y)大于氧的 组成比(x)，所以能够抑制包含于第二层61b的氧向第一层61a、第三层61c扩散的量。
此外，第2实施方式的其它的效果与上述第1实施方式相同。另外，对该氮化物类 半导体激光元件200在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认 到，能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。 [OO"](第3实施方式) 参照图1和图3，对第3实施方式进行说明。其中，图3是用于说明本发明的3实 施方式的氮化物类半导体激光元件300的结构的截面图，表示与激光的射出方向平行的截 面。另外，对与图l(第1实施方式)相同的结构，在图3中也标注相同的符号。
在本发明的第3实施方式的氮化物类半导体激光元件300中，在第二变质防止层 61的结构中，不形成第三层61c，而是在第二层61b上直接形成有第四层61d。除此之外的 氮化物类半导体激光元件300的结构及制造工艺与氮化物类半导体激光元件200相同。
在第3实施方式中，如上所述，因为第二变质防止层61由第一层61a、第二层61b 及第四层61d这三层构成，所以与氮化物类半导体激光元件200(参照图1)中的由四层构 成的第二变质防止层61相比，能够容易地形成。 此外，第3实施方式的其它的效果与上述第二实施方式相同。另外，对该氮化物类 半导体激光元件300在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认 到能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。
(第4实施方式) 在本发明的第4实施方式的氮化物类半导体激光元件400中，参照图l，第二反射
率控制层63中的高折射率层63b由具有约53nm厚度的A10xNy(其中，x < y)形成。 另外，由A10xNy构成的高折射率层63b的形成条件与上述第2实施方式的同样由
A10xNy构成的第二层61b的形成条件相同。除此之外的氮化物类半导体激光元件400的结
构及制造工艺与氮化物类半导体激光元件100的结构及制造工艺相同。 在第4实施方式中，如上所述，高折射率层63b由与由氧化物、氮化物构成的电介
质层相比膜密度更高的氮氧化物构成。由此，元素的结合状态也更牢固，不易变质，而且，能
够更进一步抑制包含于外部的气氛及第二端面覆盖膜6中的氧的扩散。 此外，第4实施方式的其它的效果与上述第1实施方式相同。另外，对该氮化物类
半导体激光元件400在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认
到，能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。[O109](第5实施方式) 在本发明的第5实施方式的氮化物类半导体激光元件500中，参照图1 ，第二反射 率控制层63中的高折射率层63b由具有约47nm厚度的AlN形成。另外，由A1N构成的高 折射率层63b的形成条件与第1实施方式的同样由A1N构成的第一层61a的形成条件相 同。除此之外的氮化物类半导体激光元件500的结构及制造工艺与氮化物类半导体激光元 件100的结构及制造工艺相同。 在第5实施方式中，如上所述，高折射率层63b由膜密度比氧化物高的氮氧化物构 成。由此，元素的结合状态也变得更牢固，因此不易变质，而且，能够更进一步抑制包含于外 部的气氛及第二端面覆盖膜6中的氧的扩散。 而且，第5实施方式的其它的效果与上述第1实施方式相同。另外，对该氮化物类 半导体激光元件500在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认 到能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。
(第6实施方式) 参照图4，对第6实施方式进行说明。其中，图4是用于说明本发明的6实施方式 的氮化物类半导体激光元件600的结构的截面图，表示与激光的射出方向平行的截面。另 外，对与图l(第1实施方式)相同的结构，在图4中也标注相同的符号。
在本发明的第6实施方式的氮化物类半导体激光元件600中，第二变质防止层61 由第一层61a、具有约30nm厚度的由A1203构成的第二层61b、和第三层61c这三层构成。而 且，在第二变质防止层61和第二反射率控制层63之间形成有层叠有多层(两层)氧化膜 的界面层65。 S卩，界面层65在第二变质防止层61(由AlN构成的第三层61c)的表面，从光 反射层端面2b侧开始依次层叠有具有约60nm厚度的由A1203构成的第一界面层65a、和 具有约140nm厚度的由Si02构成的第二界面层65b。另外，第二反射率控制层63的由Si02 构成的低折射率层63a与第二界面层65b的与光反射侧端面2b为相反侧的表面相接。另 外，第一界面层65a及第二界面层65b的各层的光学膜厚设定为A/4以上。其中，第一界 面层65a为本发明的"与变质防止层相接的层"的一例，第二界面层65b为本发明的"与反 射率控制层相接的层"的一例。 此外，氮化物类半导体激光元件600的其它的结构与氮化物类半导体激光元件 100的结构相同。另外，氮化物类半导体激光元件600的制造工艺，除利用ECR溅射法在第 二变质防止层61上依次层叠由A1203构成的第一界面层65a和由Si02构成的第二界面层 65b而形成界面层65这点之外，与氮化物类半导体激光元件100的制造工艺相同。
在第6实施方式中，如上所述，在第二变质防止层61和第二反射率控制层63之间 形成有界面层65，因此，与第二反射率控制层63和光反射侧端面2b的距离增加的量相应地 使作用于第二反射率控制层63的热能量及光能量降低，因此，能够使得构成第二反射率控 制层63的低折射率层63a及高折射率层63b不易变质。 另外，在第6实施方式中，因为界面层65由第一界面层65a和第二界面层65b构 成，其中，第一界面层65a由A1203构成，第二界面层65b由Si02构成，所有能够充分缓和施 加在第二变质防止层61和第二反射率控制层63之间的应力。由此，能够抑制第二变质防 止层61和第二反射率控制层63相互引起膜脱落的情况。 另外，在第6实施方式中，第二变质防止层61的由A1N构成的第三层61c和第一
15界面层65a相接，并且第二界面层65b和第二反射率控制层63的由Si02构成的低折射率层 63a相接，由此，第三层61c和第一界面层65a利用相同的Al元素而紧贴性良好，并且第二 界面层65b和低折射率层63a通过具有相同Si元素的Si02膜而提高紧贴性，因此，能够通 过界面层65可靠地抑制第二变质防止层61和第二反射率控制层63相互引起膜脱落的情 况。 此外，第6实施方式的其它的效果与上述第l实施方式相同。另外，对该氮化物类 半导体激光元件600在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认 到能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。
(第7实施方式) 参照图5，对第7实施方式进行说明。其中，图5是用于说明本发明的第7实施方
式的氮化物类半导体激光元件700的结构的截面图，表示与激光的射出方向平行的截面。
另外，对与图4 (第6实施方式)相同的结构，在图5中标注相同的符号。 在本发明的第7实施方式的氮化物类半导体激光元件700中，第二反射控制层66
具有将具有约63nm厚度的由SiOxNy (其中，x < y)构成的低折射率层66a和具有约50nm
厚度的由Zr02构成的高折射率层63b交替地各层叠七层而成的结构。另外，低折射率层66a
及高折射率层63b各自的光学膜厚设定为由此，第二端面覆盖膜6的反射率设定为
约94%。其中，第二反射率控制层66为本发明的"反射率控制层"的一例。 另外，氮化物类半导体激光元件700的其它的结构及制造工艺与氮化物类半导体
激光元件600的结构相同。 在第7实施方式中，如上所述，因为第二反射率控制层66的低折射率层66a利用 膜密度比由氧化物构成的电介质层高的由氮氧化物形成的电介质层(SiOxNy)构成，所以 能够抑制低折射率层66a自身的劣化，而且还能够抑制从外部的气氛取入的氧及来自构成 高折射率层63b的氧化膜即Zr02的氧从光反射侧端面2b向半导体元件层2的扩散。
此外，第7实施方式的其它的效果与上述第6实施方式相同。另外，对该氮化物类 半导体激光元件700在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认 到能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。
(第8实施方式) 参照图6，对第8实施方式进行说明。其中，图6是用于说明本发明的8实施方式 的氮化物类半导体激光元件800的结构的截面图，表示与激光的射出方向平行的截面。另 外，对与图4 (第6实施方式)相同的结构，在图6中标注相同的符号。
在本发明的第8实施方式的氮化物类半导体激光元件800中，在第二变质防止层 61和第二反射率控制层63之间形成有叠层有氮氧化膜及氧化膜的界面层67。 S卩，界面层 67在第二变质防止层61的表面，从光反射侧端面2b侧开始依次层叠有具有约53nm厚度的 由A10xNy(其中，x<y)构成的第一界面层67a、和具有约140nm厚度的由Si02构成的第 二界面层65b。另外，第一界面层67a的光学膜厚设定为A/4以上。 另外，氮化物类半导体激光元件800其它的结构及制造工艺与氮化物类半导体激 光元件600的结构相同。 在第8实施方式中，如上所述，因为界面层67的第一界面层67a利用膜密度比由 氧化物构成的电介质层高的由氮氧化物构成的电介质层(A10xNy)构成，所以不仅能够抑
16制低折射率层66a自身的劣化，而且能够抑制从外部的气氛取入的氧及来自构成第二界面
层65b的氧化膜即Si02的氧从光反射侧端面2b向半导体元件层2的扩散。 此外，第8实施方式的其它的效果与上述第6实施方式相同。另外，对该氮化物类
半导体激光元件800在与上述第1实施方式相同的条件下进行了寿命试验，结果能够确认
到能够抑制动作电流的上升，并且能够得到3000小时以上的MTTF。(第9实施方式) 参照图2及图7 图9，对具备本发明的第9实施方式的激光装置950的光拾取装 置900进行说明。 本发明的第9实施方式的激光装置950由导电性材料构成，且包括大致圆型的壳 封装主体953、供电销951a、951b、951c和952、以及盖体954。另外，在壳封装主体953上设 有上述第1实施方式的氮化物类半导体激光元件IOO，利用盖体954密封。在盖体954上 设有由透过激光的材料形成的取出口 954a。另外，供电销952与壳封装主体953机械连接 并电连接。供电销952作为接地端子使用。向壳封装主体953的外部延伸的供电销951a、 95lb、951 c、952的一端分别与未图示的驱动电路连接。 在与壳封装主体953 —体化而成的导电性的支承部件955上设有导电性的基座 (submount)955a。支承部件955和基座955a由导电性和导热性优良的材料构成，氮化物类 半导体激光元件100被接合为激光的射出方向X朝向激光装置950的外侧(取出口 954a 一侧)，并且氮化物类半导体激光元件100的发光点(图2所示的形成于脊部2c的下方的 波导)位于激光装置950的中心线。 供电销951a、951b和951c分别通过绝缘环951z与壳封装主体953电绝缘。供电 销951a经金属线971与氮化物类半导体激光元件100的p侧垫电极32 (p侧电极3)的引 线接合部32a的上表面连接。另外，供电销951c经金属线972与基座955a的上表面连接。
另外，如图9所示，光拾取装置900具备安装有氮化物类半导体激光元件100的 激光装置950、光学系统960、和光检测部970，其中，该光学系统960具有偏光分离器(偏 光BS)961、准直透镜962、光束扩展器963、 A /4板964、物镜965、和圆柱透镜966。
在光学系统960中，偏光BS 961使从氮化物类半导体激光元件IOO射出的激光全 透过，并且全反射从光盘980返回的激光。准直透镜962将透过偏光BS 961后的来自氮化 物类半导体激光元件100的激光变换成平行光。光束扩展器963由凹透镜、凸透镜和调节 器(actuator)(未图示)构成。调节器根据来自未图示的伺服电路的伺服信号使凹透镜和 凸透镜的距离变化。由此，校正从氮化物类半导体激光元件IOO射出的激光的波面状态。
A /4板964将通过准直透镜962变换成大致平行光后的直线偏光的激光变换成 圆偏光。另外，A/4板964将从光盘980返回的圆偏光的激光变换成直线偏光。此情况下 的直线偏光的偏光方向与从氮化物类半导体激光元件100射出的激光的直线偏光的方向 正交。由此，从光盘980返回的激光通过偏光BS 961被大致全反射。物镜965使透过入/4 板964后的激光集中于光盘980的表面(记录层)上。另外，物镜965根据来自伺服电路 的伺服信号(跟踪(tracking)伺服信号、聚焦伺服信号及倾斜伺服信号)，利用未图示的物 镜调节器，能够在聚焦方向、跟踪方向及倾斜方向上移动。 以沿着被偏光BS 961全反射的激光的光轴的方式配置有圆柱透镜966和光检测 部970。圆柱透镜966对射入的激光施加像散(astigmatism)作用。光检测部970基于接收到的激光的强度分布输出再现信号。在此，光检测部970具有规定的图形的检测区域，以 得到再现信号、以及聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号。利用聚焦误差信号、跟 踪误差信号和倾斜误差信号反馈控制光束扩展器963的调节器和物镜调节器。这样，构成 本发明的第9实施方式的光拾取装置900。 在第9实施方式中，如上所述，因为光拾取装置900使用上述第1实施方式的氮化
物类半导体激光元件100，所以在进行高输出动作时，能够抑制第二端面覆盖膜6从光反射
侧端面2b的剥离、以及第二端面覆盖膜6的特性反射率的变化，因此能够获得氮化物类半
导体激光元件100的动作特性的稳定性和可靠性得到提高的光拾取装置900。 另外，应认为本次公开的实施方式在所有方面均是例示，并不是限制。本发明的范
围并不由上述的实施方式的说明表现，而是由发明内容的范围表示，本发明的范围还包括
与发明内容的范围等同的意思和范围内的所有的变更。 例如，在上述第1 第8实施方式中，第二变质防止层61中的第一层61a 第四层 61d的各层均由相同的元素(Al)的氧化物、氮化物或氮氧化物构成，但本发明并不仅限于 此，也可以由不同元素的氧化物、氮化物或氮氧化物构成各层。另外，也可以利用不包括由 氧化物构成的层的结构、即只利用由氮化物或氮氧化物形成的层构成第二变质防止层61。
另外，在上述第1 第9实施方式中，第二变质防止层61由三层或四层构成，虽然 利用由氧化物、氮化物或氮氧化物形成的层的层叠膜构成，但本发明并不仅限于此，也可以 采用两层或五层以上的层叠膜。 另外，在上述第1 第6、第8及第9实施方式中，第二反射率控制层63具有将低 折射率层63a和高折射率层63b交替地各层叠六层而成的结构，但本发明并不仅限于此，也 可以采用六层以外的层叠数。 另外，在上述第1 第9实施方式中，作为构成第二端面覆盖膜6的各层的电介质 材料，作为氮化物利用了 A1N，作为氧化物利用了 A1203、 Si02或Zr02，作为氮氧化物利用了 A10xNy及SiOxNy，但本发明并不仅限于此，也可以利用另外的金属元素的氮化物、氧化物 或氮氧化物。例如，作为各电介质材料，氮化物可以利用Si等的氮化物，另外，氧化物、氮氧 化物能够利用Zr、 Ta、 Hf和Nb等的氧化物、氮氧化物。 另外，在上述第1 第5实施方式中，利用由Si(^构成的氧化膜形成了界面层62， 但本发明并不见限于此，也可以利用含有Zr、 Ta及Nb等的氧化膜。 另外，在上述第8实施方式中，构成界面层67的第一界面层67a利用了 A10xNy，但 本发明并不仅限于此，也可以利用含有Si、 Zr、 Ta、 Hf及Nb等的氮氧化膜构成第一界面膜 67a。 另外，在上述第1 第9实施方式中，形成了由一层或两层构成的界面层，但是本 发明并不仅限于此，也可以利用三层以上的电介质层形成界面层。例如，在利用三层构成界 面层的情况下，优选从变质防止层朝向反射率控制层，按氧化膜、氮氧化膜和氧化膜的顺序 进行层叠而构成界面层。 另外，在上述第1 第9实施方式中，利用ECR喷溅法形成了第一端面覆盖膜5和 第二端面覆盖膜6的各层，但本发明并不仅限于此，也可以利用其它的成膜方法形成。
权利要求
一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括氮化物类半导体元件层，其具有光射出侧端面和光反射侧端面；以及端面覆盖膜，其包括形成在所述光反射侧端面上的变质防止层和形成在所述变质防止层上的反射率控制层，所述反射率控制层由交替地叠层的高折射率层和低折射率层构成，所述变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成，所述变质防止层具有与所述光反射侧端面相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第一层，构成所述变质防止层的各层的厚度小于所述高折射率层的厚度，并且小于所述低折射率层的厚度。
2. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述变质防止层还具有和所述第一层的与所述光反射侧端面相反的一侧相接的由利 用氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成的第二层。
3. 如权利要求2所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述变质防止层还具有与所述第一层独立地形成的、并且和所述第二层的与所述第一 层相反的一侧相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第三层。
4. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于 所述第一层为A1N。
5. 如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述第二层为A1A或A10N。
6. 如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于 所述第三层为A1N。
7. 如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述变质防止层还具有和所述第三层的与所述第二层相反的一侧相接的由利用氧化 物形成的电介质层构成的第四层。
8. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述端面覆盖膜还包括形成于所述变质防止层和所述反射率控制层之间的、由氧化物 或氮氧化物形成的界面层。
9. 如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述界面层由与所述反射率控制层相接的层和与所述变质防止层相接的层构成。
10. 如权利要求9所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于与所述反射率控制层相接的构成所述界面层的层含有与所述反射率控制层相同的元素。
11. 如权利要求10所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于与所述反射率控制层相接的构成所述界面层的层由Si02构成。
12. 如权利要求9所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于与所述变质防止层相接的构成所述界面层的层含有与所述变质防止层相同的金属元素。
13. 如权利要求12所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于与所述变质防止层相接的构成所述界面层的层由A1203形成。
14. 如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述氮化物类半导体元件层还具有发光层，在所述发光层发出的激光的波长为A的情况下，构成所述界面层的层的光学膜厚设定为A/4以上。
15. 如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于构成所述界面层的层的厚度大于构成所述变质防止层的各层的厚度。
16. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于构成所述变质防止层的各层含有相同的金属元素。
17. 如权利要求5所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述第二层由A10N构成，并且，由所述A10N构成的第二层中的氮的组成比大于氧的组 成比。
18. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述氮化物类半导体元件层还具有发光层，在所述发光层发出的激光的波长为A的情况下，构成所述变质防止层的由所述电介质层形成的各层的光学膜厚分别设定为A/4以下。
19. 如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于所述低折射率层由氧化物或氮氧化物构成，并且，所述高折射率层由氮化物或氮氧化 物构成。
20. —种光拾取装置，其特征在于，包括氮化物类半导体激光元件，其包括具有光射出侧端面和光反射侧端面的氮化物类半导体元件层、以及端面覆盖膜，该端面覆盖膜包括形成于所述光反射侧端面上的变质防止层和形成于所述变质防止层上的反射率控制层；光学系统，其控制所述氮化物类半导体激光元件的射出光；禾口光检测部，其对所述射出光进行检测，其中所述反射率控制层由交替地叠层的高折射率层和低折射率层构成，所述变质防止层叠层有两层以上的层，并且，各层分别由利用氮化物、氧化物或氮氧化 物形成的电介质层构成，所述变质防止层具有与所述光反射侧端面相接的由利用氮化物形成的电介质层构成 的第一层，构成所述变质防止层的各层的厚度小于所述高折射率层的厚度，并且小于所述低折射 率层的厚度。
全文摘要
本发明提供氮化物类半导体激光元件和光拾取装置。氮化物类半导体激光元件具备端面覆盖膜，该端面覆盖膜包括形成于氮化物类半导体层的光反射侧端面上的变质防止层、和形成于变质防止层上的反射率控制层。而且，反射率控制层由交替地层叠的高折射率层和低折射率层构成，变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别利用由氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成。另外，变质防止层具有与光反射侧端面相接的由氮化物构成的第一层，构成变质防止层的各层的厚度小于高折射率层的厚度，并且小于低折射率层的厚度。
文档编号G11B7/13GK101741013SQ20091022288
公开日2010年6月16日 申请日期2009年11月20日 优先权日2008年11月21日
发明者龟山真吾 申请人:三洋电机株式会社