信息存储介质、记录再现设备和记录再现方法

专利名称：信息存储介质、记录再现设备和记录再现方法
技术领域：
以下描述涉及信息存储介质，更具体地讲，涉及一种多层信息存储介质、记录/再现设备和记录/再现方法。
背景技术：
为了实现高容量信息存储介质或者经由有线网络或无线网络来发送信息，正在开发各种方法，诸如将数据记录在高密度或者多层结构的信息存储介质上。由于信息存储介质具有多层结构，因此，信息存储介质的每层一般包括用于盘记录/再现管理的区域。用于盘记录/再现管理的区域的示例是光功率控制(OPC)区域。OPC区域是用于校准功率的测试区域，并且用于找出用于将数据记录在信息存储介质上或者从信息记录介质再现数据的合适功率水平。由于执行测试以找出最佳功率水平，因此高于正常记录功率的功率可被应用，因而可能损坏在相同半径中的相邻层的区域。此外，与OPC区域相邻的层的区域(具体地讲，沿光束行进方向的下层)可能被损坏。这样，多层结构一般使用多个 OPC区域。例如，蓝光盘(BD)具有用于单层(SL)或双层(DL)的多个OPC区域以及用于三层(TL)或四层OiL)盘的多个附加OPC区域。然而，随着层的数量的增加，多层结构引起OPC区域的数量也增加。因此，需要OPC 区域的有效管理。此外，一般通过多层结构的每个层上的数据的高密度来实现高容量信息存储介质。由于高密度或多层结构造成需要附加数据，所以根据传统标准的信息格式可能不有效。作为示例，当前BD物理标准提供每层25GB的记录密度的SL和DL两种类型。如果使用每层具有30GB至40GB的记录密度的TL或QL BD以实现高容量，则由于其高密度/ 多层结构，需要将新的信息添加到传统BD标准的信息格式。此外，如果未来开发了用于将数据记录到SL/DL蓝光盘和TL/QL蓝光盘/从SL/DL蓝光盘和TL/QL蓝光盘再现数据的设备，则必须识别根据TL/QL BD标准的信息格式和根据当前BD标准的信息格式。例如，如果用于高密度/多层结构的信息格式与现有的信息格式不同，则需要识别这些信息格式的方法。

发明内容
技术问题本发明提供了一种能够在固定范围的容量内有效地将由于信息存储介质的多层结构而增加的区域分配到记录层的信息存储介质和使用该信息存储介质的设备和方法。本发明还提供了一种用于根据盘的高密度/多层结构有效管理信息格式的方法和设备。技术方案根据本发明的一方面，提供了一种具有多个记录层的信息存储介质，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域，其中，分配给上层的临时盘管理区域的大小大于分配给下层的临时盘管理区域的大小。有益效果根据本发明，通过在多层信息存储介质上有效地分配增加的区域，可维持与传统标准的兼容并可有效地分配区域。此外，可有效地管理高密度/多层盘的信息格式。最佳实施方案在一总体方面，提供了包括多个记录层的信息存储介质，其中，每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，其中，分配给上层的TDMA的大小大于分配给下层的TDMA的大小。TDMA的大小可被记录在临时盘定义结构(TDDS)中在另一方面，提供了一种用于将数据记录在包括多个记录层的信息存储介质上的设备，每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，所述设备包括拾取器，被配置为发送与所述信息存储介质相关的数据；控制单元，被配置为控制拾取器将关于在数据区中检测的缺陷的信息记录到所述至少一个记录层的TDMA上，其中，分配给上层的TDMA的大小大于分配给下层的TDMA的大小。在另一方面，提供了一种用于从包括多个记录层的信息存储介质再现数据的设备，每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，所述设备包括拾取器，被配置为发送与所述信息存储介质相关的数据；控制单元，被配置为控制拾取器从所述至少一个记录层的TDMA读取关于在数据区中检测的缺陷的信息，其中，分配给上层的TDMA的大小大于分配给下层的TDMA的大小。在另一方面，提供了一种用于将数据记录在包括多个记录层的信息存储介质上的方法，每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，所述方法包括如下步骤发送与所述信息存储介质相关的数据；将关于在数据区中检测的缺陷的信息记录到所述至少一个记录层的(TDMA)上，其中，分配给上层的TDMA的大小大于分配给下层的TDMA的大小。在另一方面，提供了一种用于从包括多个记录层的信息存储介质再现数据的方法，每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，所述方法包括如下步骤发送与所述信息存储介质相关的数据；从所述至少一个记录层的TDMA读取关于在数据区中检测的缺陷的信息，其中，分配给上层的TDMA的大小大于分配给下层的TDMA 的大小。通过以下的详细描述、附图和权利要求，其它特征和方面会是清楚的。


图1是示出考虑到偏心距将多个光功率控制(OPC)区域分配到三层或更多层信息存储介质的盘的布局的示例的示图。图2是示出可记录蓝光盘(BD-R)三层(TL)/四层^lL) (32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。图3是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。图4是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例的示图。图5是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例的示图。图6是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例的示图。图7是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。图8是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。图9是示出可重写蓝光盘(BD-RE) TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。图10是示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。图11是示出BD-R TL的内圆周区的布局的示例的示图。图12是示出分配给可记录/可重写蓝光盘(BD_R/RE)TL的数据区的备用区域的示例的示图。图13是示出分配给BD-R TL的备用区域的临时盘(或缺陷)管理区域(TDMA)的布局的示例的示图。图14是示出BD-R QL的内圆周区的布局的示例的示图。图15是示出分配给BD-R/RE QL的数据区的数据区域的示例的示图。图16是示出分配给BD-R QL的备用区域的TDMA的布局的示例的示图。图17是示出在图11至图13的布局中的TDMA访问信息区域(AIA)的示例的示图。图18是示出在图14至图16的布局中的TDMA AIA的示例的示图。图19是示出临时盘(或缺陷)管理结构(TDMS)更新单元的示例的示图。图20是示出防止由临时缺陷列表(TDFL)的大小引起的TDMA的早期损耗的示例的示图。图21是示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期损耗的示例的图。图22是示出可重写信息存储介质(例如，BD-RE盘)的盘定义结构(DDS)格式和一次写信息存储介质(例如，BD-R盘)的临时盘定义结构(TDDS)格式的示例的示图。图23是示出在图22的示例中示出的只读BD部分的示例的示图。图M是示出现有TDFL格式和提出的TDFL格式的示例的示图。图25是示出现有物理访问控制(PAC)格式和提出的PAC格式的示例的示图。图沈是示出记录/再现设备的示例的示图。图27是示出包括图沈中示出的记录/再现设备的驱动器的示例的示图。图28是示出记录方法的示例的流程图。图四是示出再现方法的示例的流程图。
具体实施例方式在诸如三层或更多层的信息存储介质的多层信息存储介质中，每层可具有朝向内
6圆周且以不与处于相同半径的相邻层的光功率控制(OPC)区域重叠的方式分配的至少一个OPC区域。每层的OPC区域可在该层上具有至少一个相邻缓冲区，并且对应于层数的多个 OPC区域中的某两个OPC区域之间的一个OPC区域可在盘的相同半径上具有相邻缓冲区。根据盘标准，缓冲区可具有大于与层间偏心距对应的物理区域的大小。例如，如果限定了必须以小于0. 1毫米半径的层间偏心距的误差来制造盘，则缓冲区可具有等于或大于0.1毫米半径的大小。层间偏心距是指从标准点(例如，完成制造的盘的中心)到处于相同半径的多个区域之间的半径误差。例如，如果限定了每个记录层的数据区开始于M毫米半径，则由于制造特性，数据区可能并不总是在精确的位置开始。此外，由于粘合多个记录层来制造多层盘，因此在多层之间会存在误差。因此，如果每个记录层通常具有士0.05毫米的允许误差并因此必须开始于 24. 0 士0. 05毫米半径，则一个记录层可具有开始于距离完成制造的盘的标准点23. 95毫米半径的数据区，而另一记录层可具有开始于05毫米半径的数据区。在该示例中，记录层之间的最大层间偏心距可以是0. 1毫米。由于层间偏心距，当分配OPC区域时，必须考虑相邻层之间的层间偏心距来分配缓冲区。具体地讲，不能忽略光束沿光束的行进方向对下层的影响。图1示出考虑到偏心距将光功率控制(OPC)区域分配到三层或更多层信息存储介质的布局的示例的示图。参照图1，信息存储介质包括四个记录层，诸如LO 10, Ll 20、L2 30和L3 40。光束入射在L3 40上。通常，多个OPC区域可排列在导入区上并且还可排列在导出区中。然而，在图1中，多个OPC区域(诸如，OPCO 21、OPCl 22、0PC2 23和0PC3 24)排列在朝向内圆周的导入区50上。在该示例中，OPCO 21排列在LO 10上，OPCl 22排列在Ll 20上， 0PC2 23排列在L2 30上，并且0PC3 24排列在L3 40上。排列在两个相邻层上的OPC区域以在径向上彼此不重叠的方式被排列。例如，考虑到层间偏心距，作为两个相邻层的LO 10和Ll 20的OPCO 21和OPCl 22被排列为具有缓冲区0 11的间隙，使得它们在径向上不相互重叠。相似地，考虑到层间偏心距，Ll 20和L2 30的OPCl 22和0PC2 23被排列为具有缓冲区1 12的间隙，使得它们在径向上不相互重叠。此外，考虑到层间偏心距，L2 30和L3 40的0PC2 23和0PC3 24 被排列为具有缓冲区2 13的间隙，使得它们在径向上不相互重叠。相邻缓冲区排列在层(该层排列在具有OPC区域的两个层之间)的OPC区域的内侧和外侧上。例如，相邻的缓冲区1 12和缓冲区2 13排列在L2 30(该L2 30排列在具有 OPCl 22的Ll 20与具有0PC3 24的L3 40之间)的0PC2 23的内侧和外侧上。此外，相邻的缓冲区0 11和缓冲区1 12排列在Ll 20 (该Ll 20排列在具有OPCO 21的LO 10与具有0PC2 23的L2 30之间)的OPCl 22的内侧和外侧上。缓冲区可具有等于或大于与由盘标准限定的层间偏心距对应的的物理区域的大小的大小。例如，如果盘应被制造为使得相邻层之间的层间偏心距的误差在0.1毫米半径以内，则缓冲区可具有等于或大于0. 1毫米半径的大小。在图1中，数据区60开始于朝向内圆周的导入区50结束的点。在图1中，信息存储介质具有逆光道路径(OTP)。在图1的示例中，光道路径开始于LO 10的内圆周并朝LO 10的外圆周继续，以及开始于Ll 20的外圆周并朝Ll 20的内圆周继续。相似地，光道路径开始于L2 30的内圆周并朝L2 30的外圆周继续，以及开始于L3 40的外圆周并朝L3 40的内圆周继续。在该示例中，使用每层的OPC区域的方向(即，OPC区域中的数据记录方向) 与光道路径的方向相反。例如，在LO 10上的光道路径从内圆周朝向外圆周，而使用OPCO 21的方向从外圆周朝向内圆周。因此，在LO 10至L3 40上，可以以各种方式分配OPC区域。如果以与OPC区域在 LO 10和Ll 12上被分配的方式相同的方式在L2 30和L3 40上分配OPC区域，则可根据记
录管理更加方便地使用盘。图2至图10示出可记录蓝光盘(BD-R)/可重写蓝光盘(BD-RE) 32GB/L或33GB/L 三层(TL)或四层OiL)的布局的示例。接近盘表面的层(即，U)被称作上层，接近LO的层被称作下层。与分配给上层的OPC区域处于相同的半径的下层的区域都被保留。在图2至图10中，括号内的数字表示区域的大小并且仅标记在区域上作为描述。 区域的大小仅作为示例的目的并且不应解释为限制各种区域的大小。图2示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。参照图2，OPCO 201、OPCl 202、0PC2 203 和 0PC3 204 分别排列在 LO 至 L3 上，并且考虑到层间偏心距排列缓冲区0 211、缓冲区1 212和缓冲区2 213，从而防止相邻层的 OPC区域的重叠。与分配给上层的OPC区域处于相同的半径的下层的区域为保留区域221、 222和223。例如，与分配给L3的0PC3 204处于相同的半径的Ll和L2的区域223都被保留。在该示例中，在LO上的永久信息和控制数据(PIC)区域231是例外，这是因为与具有摆动凹槽的区域不同，PIC区域231具有高频调制(HFM)凹槽，并因此可忽略上层的OPC的影响。此外，为了管理信息存储介质的记录/再现，分配了临时盘(或缺陷)管理区域 (TDMA)(例如，TDMAO 241、TDMAl 242、TDMA2 243 和 TDMA3 244)、缺陷管理区域(DMA)、物理访问控制(PAC)区域、驱动区域和控制数据区。在图2中，TDMAO 241至TDMA3 244分别被排列在LO至L3上，并以不妨碍分配给 LO至L3的OPCO 201至0PC3 204或使分配给LO至L3的OPCO 201至0PC3 204不重叠的方式被分配。即，TDMAO 241至TDMA3 244在OPCO 201的外侧排列，其中，在OPCO 201至 0PC3 204中，所述OPCO 201被排列从内圆周朝外圆周的最外侧。在该示例中，由于TDMA被排列在单独空间中而不受OPC区域的影响，所以可实现更加简单的结构，并且当使用OPC区域时可保证安全性。然而，导入区会需要高容量以单独的排列TDMA。如果OPC区域、TDMA、DMA、PAC区域、驱动区域和控制数据区被分配给22. 512毫米半径，则可根据记录线的密度和OPC区域、缓冲区域、TDMA和信息区(诸如为盘管理而分配的INFOl和INF02)的大小，来确定数据区域的开始。因此，数据区开始的半径!·可被确定以满足下面的等式。Ji X (r"2-y"2) = “ RUB的信道比特#" X 〃 y和r之间的RUB的#〃 X “光道间距〃 X"信道比特长度〃。在该示例中，π = 3. 131592,y = PIC开始半径，‘‘y和r之间的RUB的#"=摆动凹槽的记录单元块(RUB)的数量。
可根据OPC区域、TDMA、缓冲区和信息区的大小来确定数据区的开始(RUB的数量也可被称作大小)。在图2中，相同层(即，L0)上OPCO 201的相邻区域是不同区域。例如，朝向内圆周的OPCO 201的相邻区域为缓冲区0 211，而朝向外圆周的相邻区域为INF02。如在此描述，如果使用OPC区域的相邻区域，例如，如果相邻区域被用于存储预定数据，则过多功率可被提供给OPC区域，因此，在测试过程中，在相同层上的OPC区域的相邻区域可能被损坏。为了防止损坏，至少两个光道(由于光道间距是0.32微米，因此所述至少两个光道位于距离光束的中心0. 64微米)可用作缓冲区，并且基于行的密度，通过使用合适数量的RUB，缓冲区可形成在OPC区域的开始部分和/或结束部分，或者形成在OPC区域的相邻区域。在32GB或33GB蓝光盘(BD)中，由于光道在22. 5毫米和24. 5毫米之间的半径中包括2. 6至2. 8RUB(1932X498信道比特)，因此至少六个RUB可用作缓冲区域。图3示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。在图3中，OPC区域的排列与图2的OPC区域的排列相同，TDMA的排列与图2的 TDMA的排列不同。在图3中，与图2的TDMA的排列不同的TDMA的排列被标记阴影。尽管在图2中TDMA被排列在与排列OPC区域的部分分离的部分中，但是在图3中，每层的TDMA 跨过缓冲区域与该层的OPC区域相邻排列。在该示例中，对应于0PC2 203，保留区域222排列在下层(即，L1)，TDMA32 44排列在上层(即，L3)。以上排列可被实现，这是因为入射在上层的光束会比影响上层更多地影响目标层的下层。例如，如果对L2的0PC2 203执行测试记录，则用于测试记录的光束会严重影响Li，而仅会轻微影响L3。因此，TDMA3 244可被排列在仅被轻微影响的L3上。这样，导入区所需的容量可被减少。图4示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例。除了 TDMA2 243和TDMA3 244的排列之夕卜，图4的布局与图3的布局相同。由于 LO具有散热槽(heat sink)并且热量沿一个方向传递，因此TDMAl 242排列在Ll的相应区域(即，Ll的与LO的OPCO 201相应的区域)上。然而，由于热量在Ll至L3上沿两个方向传递，因此TDMA2 243和TDMA3 M4不与OPCl 202和0PC2 203对应地排列。图5示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例。除了 TDMAO 241和TDMAl 242的排列之夕卜，图5的布局与图3的布局相同。也就是，为了与定义数据区域开始于盘的24. 0毫米半径的传统盘标准兼容，TDMAO 241的大小可被减小到IOM字节，TDMAl 242的大小可按照TDMAO 241所减小的大小而增加(例如， 增加到3072字节)。图5显示了 32GB/L的示例，在32GB/L中，值β被增加到缓冲区域0 211、缓冲区域1 212和缓冲区域2 213。值β表示增加的RUB的数量。图6示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例。除了由阴影区域指示的TDMA2 243和TDMA3 244的排列之外，图6的布局与图5 的布局相同。如在这里关于图4所描述的，由于LO具有散热槽并且热量沿一个方向传递， 因此TDMAl 242被排列在Ll的相应区域(S卩，Ll的与LO的OPCO 201相应的区域)上。然而，由于热量在Ll至L3上沿两个方向传递，因此TDMA2 243和TDMA3 244不与OPCl 202 和0PC2 203对应地排列。图7示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。
由于图7显示的是TL盘，因此除了没有排列L3之外，图7的布局与图3的布局相同。图8示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。除了 TDMA2 243的排列之外，图8的布局与图7的布局相同。如在这里关于图4 和图6所描述的，由于LO具有散热槽并且热量沿一个方向传递，因此TDMAl 242排列在Ll 的相应区域(即，Ll的与LO的OPCO 201相应的区域)上。然而，由于热量在Ll至L2上沿两个方向传递，因此TDMA2 243不与OPCl 202对应地排列。OPCl 202和0PC2 203的排列也与图7中的OPCl 202和0PC2 203的排列不同。图9示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。BD-R盘仅允许一次记录并且不允许重写，而BD-RE盘允许重写。由于TDMA被用于临时记录用于管理BD-R盘的记录和再现的信息，因此BD-RE盘不需要TDMA。因此，除了不排列TDMA区域以及PIC区域921排列在LO上并且还排列在Ll上之外，图9的布局与图2至图6的布局类似。BD-RE双层(DL)不具有缓冲区。尽管由于盘的特性，BD-RE盘不需要缓冲区，但是为了使用BD-R TL的结构，BD-RE TL可将BD-R TL的缓冲区用作保留区域。图 10 示出 BD-RE TL/QL(32GB/L 或 33GB/L)的布局的第二示例。除了 OPCO 90UOPCl 902、0PC2 903 和 0PC3 904 的排列之外，图 10 的布局与图 9
的布局相同。在图2至图10的以上布局中，每个区域的大小可改变。例如，在图2至图10中， OPC区域的大小是2048字节并且TDMA的大小通常也是2048字节，然而，区域的大小也可例
如基于盘的总容量而改变。如果一次写信息存储介质的记录层的数量增加，则需要大量的盘管理区域用于缺陷管理、逻辑覆写(LOW)管理和信息存储介质的记录管理。由于一次写和非重写信息存储介质的特性，考虑到例如使用信息存储介质的次数，应充分地分配盘管理区域。在此描述有效地利用多层信息存储介质的盘管理区域的方法的示例。首先，按如下定义术语。LOW(逻辑覆写)表示允许在写一次信息存储介质上逻辑重写的方法。例如，可使用线性替换方法(例如，缺陷管理方法)来启用LOW。例如，为了将记录在地址A处的数据 A更新为数据A’，数据A’可被记录在没有记录的区域的地址B。在该示例中，在地址A的数据A可以是缺陷。地址A与地址B之间的映射信息可被产生和管理，从而更新一次写信息存储介质的数据。记录管理表示将数据记录在用户区域上的方法，并且可包括不考虑使用顺序而将数据记录在期望的区域上的随机记录和将用户区域划分为一个或多个区域并顺序地使用划分的区域的顺序记录方法。TDMA (临时盘(或缺陷)管理区域)表示用于记录用于缺陷管理、LOW管理和记录管理中的至少一个的信息的区域。TDMS (临时盘(或缺陷)管理结构)包括用于缺陷管理的临时缺陷列表(TDFL)和临时盘定义结构(TDDS)。TDMS表示用于附加记录管理的信息，并且可根据记录方法包括顺序记录范围信息(SRRI)和空间位图(SBM)。
TDDS(临时盘定义结构)表示用于管理用于盘管理的基本信息的信息，并且可包括指示TDFL的位置的TDFL指针、指示SRRI位置的SRRI指针、指示SBM的位置的SBM指针寸。TDFL(临时缺陷列表)表示用于管理缺陷信息、缺陷引起的替换信息、LOff引起的替换信息等的信息。缺陷信息表示缺陷数据的位置，替换信息表示用于替换缺陷数据的替换数据的位置。SBM(空间位图)表示用于管理整个盘或用户区域的记录状态的信息，并且可以用于随机记录方法的记录管理。例如，SBM通过将比特分配给从用户区域划分的每个扇区来表示数据是否被记录在每个扇区上。例如，如果数据被记录在扇区上，则可将比特值1分配给该扇区，如果数据没有记录在扇区上，则可将比特值0分配给该扇区。SRRI (顺序记录范围信息)表示用于管理可记录性状态和从整个盘或用户区域划分的一个或多个区域中的每一个的记录状态的信息。SRRI可用于顺序记录方法的记录管理。TDMS表示记录在TDMA上的信息，并且可包括用于缺陷管理、LOff管理和记录管理的多个信息项。如果TDMS的特定信息项被更新，则仅记录更新的信息项可以比将TDMS的全部信息记录在TDMA上更有效。在该示例中，TDMS更新单元可表示例如考虑到记录更新信息的顺序或位置而记录全部或一部分TDMS的信息的单元。在图11至图13中示出盘布局的示例。图11示出BD-R TL的内圆周区的布局1100的示例。参照图11，TDMA0 1100,TDMAl 1120、TDMA2 1130 和 TDMA3 1140 被排列。在该示例中，排列在LO上的TDMAO 1100是2048字节，排列在Ll上的TDMAl 1120是4096字节， 排列在L2上的TDMA2 1130和TDMA3 1140分别为2048字节和4096字节并且它们的大小之和为6144字节。如在此描述的，例如，TDMA的大小可朝上层(即，L2)增加。如在此描述的，上层表示诸如接近L2(即，光束入射的层)的层的记录层，下层表示远离上层的记录层。图11 的布局仅是示例，并且描述不限于此。如果TDMA的大小朝上层增加，可不将TDMA分配给下层。即，不是所有记录层需要TDMA的分配。另外，虽然在图11的布局中，2048字节的TDMAO 1110被分配给L0，但是TDMAO 1110可具有更小的大小或更大的大小。基于在此描述的各种原因，TDMA的大小朝上层(即，L2)增加。如关于图2至图10的上述描述，信息存储介质包括多个记录层。每个记录层可包括OPC区域和考虑到层间偏心距而形成的缓冲区。此外，考虑到与根据传统标准的信息存储介质的兼容性，可不改变数据区的开始位置(即，在根据传统标准而分配的导入区的容量的范围内)而分配TDMA。同时，入射在上层的光束会比影响上层更多地影响目标层的下层。例如，如果对Ll的OPC执行测试记录，则用于测试记录的光束会严重影响L0，而仅会轻微影响L2。因此，TDMA2 1130可被排列在仅被轻微影响的L2上。换言之，由于在导入区的固定容量内分配TDMA，因此当对OPC区域执行测试记录时排列该OPC区域的预定记录层的下层会被光束严重影响。因此，TDMA可不被排列在下层的相同半径区域。此外，当对OPC区域执行测试记录时排列该OPC区域的预定记录层的上层可被轻微影响，所以TDMA可被排列在上层的相同半径区域上。因此，较大的TDMA可被分配给上层。这样，可减少用于分配TDMA的导入区的容量。此外，记录在TDMA上的TDFL的最大大小可在每个层上为4个簇，并且如果盘被使用，则TDFL的大小可逐渐增加。这样，在TL盘中，最大大小可以为12个簇，并因此上层可使用较大的TDMA。可以以从朝向内圆周分配的TDMA至分配给数据区的TDMA的顺序使用TDMA。可以以下层至上层以及沿光道方向的顺序使用朝内圆周分配的TDMA(或分配给数据区的 TDMA)。图12示出分配给BD-R/RE TL的数据区的备用区域的示例。在该示例中，可分配内备用区域(ISA)、中间备用区域(MSA)和外备用区域(OSA)。参照图12，ISA 1210 禾P MSAO 1220 排列在 LO 上，MSAl 1230 禾P MSA2 1240 排列在 Ll上，以及MSA3 1250和OSA 1260排列在L2上。在LO上的光道方向为从ISA 1210朝向 MSAO 1220，在Ll上的光道方向为从MSAl 1230朝向MSA2 1M0，在L2上的光道方向为从 MSA3 1250 朝向 OSA 1260o在该示例中，ISA 1210具有2048或4096个簇的固定大小，MSAl 1230至MSA3 1250可具有可变但相同的大小，OSA 1260被分配给最上层上的数据区的结束部分，并且可具有可变的大小。当信息存储介质被初始化时，所有备用区域被分配。在BD-R盘中，沿光道方向使用备用区域。然而，在BD-RE盘中，沿与光道方向相反的方向使用备用区域，并且 OSA是可扩展的。图13示出分配给BD-R TL的备用区域的TDMA的布局的示例。参照图13，TDMA4 1310 排列在 ISA 1210 上，TDMA5 1320 排列在 MSAO 1220 上， TDMA7 1340 排列在 MSA2 1240 上，TDMA6 1330 排列在 MSAl 1230 上，TDMA8 1350 排列在 MSA3 1250 上，TMDA9 1360 排列在 OSA 1260 上。在该示例中，当信息存储介质被初始化时，具有可变大小的TDMA被分配给每个备用区域。分配给MSAO 1220至MSA31 250的TDMA可具有相同大小并且可沿光道方向被使用。此外，在用完朝向盘的内圆周分配的TDMA之后，可沿光道方向顺序地使用分配给盘的数据区的TDMA。图14示出BD-R QL的内圆周区的布局的示例。参照图14，TDMA0 1410,TDMAl 1420、TDMA2 1430 和 TDMA3 1440 被排列。TDMA 的大小可朝向上层(即，L3)增加。TDFL的最大大小在每个层上为4个簇，并且如果盘被使用，则TDFL的大小逐渐增加。这样，在QL盘中，最大大小可以为16个簇，并因此上层可使用较大TDMA。可以沿从朝向内圆周分配的TDMA至分配各数据区的TDMA的顺序使用TDMA。从下层至上层的顺序并且沿光道方向使用朝向内圆周分配的TDMA。图15示出分配给BD-R/RE盘的数据区的备用区域的示例。参照图15，ISA 1510 禾口 MSAO 1520 排列在 LO 上，MSAl 1530 禾口 MSA2 1540 排列在 Ll 上，MSA3 1550 和 MSA4 1560 排列在 L2 上，MSA5 1570 和 0SA1580 排列在 L3 上。在该示例中，在LO上的光道方向为从ISA 1510朝向MSAO 1520，在Ll上的光道方向为从MSAl 1530朝向MSA2巧40，在L2上的光道方向为从MSA3 1550朝向MSA4 1560，L3上的光道方向为从 MSA5 1570 朝向 OSA 1580。
12
在该示例中，ISA 1510具有2048字节或4096字节的固定大小，MSAl 1530至MSA5 1570可具有可变大小但可具有相同的大小，OSA 1580被分配给最上层上的数据区的结束部分，并且可具有可变的大小。当信息存储介质被初始化时，所有备用区域被分配。在BD-R 盘中，沿光道方向使用备用区域。然而，在BD-RE盘中，沿与光道方向相反的方向使用备用区域，并且OSA是可扩展的。图16示出分配给BD-R QL的备用区域的TDMA的布局的示例。参照图16，TDMA7 1610 排列在 ISA 1510 上，TDMA8 1620 排列在 MSAO 1520 上， TDMAlO 1640 排列在 MSA2 巧40 上，TDMA9 1630 排列在 MSAl 1530 上，TDMAll 1650 排列在 MSA3 1550 上，TDMA12 1660 排列在 MSA4 1560 上，TDMA13 1670 排列在 MSA5 1570 上， TDMA14 1680 排列在 OSA 1580 上。在该示例中，当信息存储介质被初始化时，具有可变大小的TDMA被分配给每个备用区域。分配给MSAO 1520至MSA5 1570的TDMA可具有相同大小，并且沿光道方向被使用。 此外，在用完朝向盘的内圆周分配的TDMA之后，可沿光道方向顺序地使用分配给盘的数据区的TDMA。图17和图18示出分配给朝向多层信息存储介质的内圆周排列的TDMAO的TDMA 访问信息区域(AIA)的示例。图17示出图11至图13的布局中的TDMA AIA 1700，图18示出图14至图16的布局中的TDMA AIA 1800。朝向盘的LO的内圆周分配TDMAO的初始簇并且所述TDMAO的初始簇被用作TDMA ΑΙΑ。在该示例中，与分配给整个盘的TDMA的数量对应的数量的簇被分配给TDMA ΑΙΑ,每个簇与一个TDMA对应，当与簇对应的TDMA被使用时，TDDS被记录在TDMA AIA的簇上，并且记录被重复例如32次以增加稳定性。例如，如果TDMAO至TDMA9如图11至图13所示地被分配给盘，则如图17中所示， 与TDMAl至TDMA9对应的簇和与DMA对应的簇被分配给TDMA AIA 1700。作为另一示例，如果TDMAO至TDMA14如图14至图16所示地被分配给盘，则如图 18所示，与TDMAl至TDMA14对应的簇和与DMA对应的簇被分配给TDMA AIA 1800。在图18 中，TDMAO 1410 的初始 15 个簇被用作 TDMA AIA 1800，当 TDMAO 1410 正被使用时TDMA AIA 1800是非记录状态，并且当TDMAn被使用(η = 1,2,…，14)时，将在对应的时间点的TDDS在TDMA AIA 1800的第(15-n+l)簇上重复地记录例如32次。例如， 如果TDMAl被使用，则将在对应的时间点的TDDS在TDMA AIA 1800的第15簇1810上重复地记录32次。即，TDMA AIA 1800的非记录状态表示TDMAO 1410正被使用。因此，可基于 TDMA AIA 1800的簇的记录状态来确定当前使用的TDMA，并且可基于记录的TDDS信息来获得TDMA的位置或部分信息。如果TDMA AIA 1800的第一簇1820被记录，S卩，如果数据被记录在与DMA对应的簇上，则可确定盘被最终化。如果盘被最终化，则大部分最终TDMS信息被拷贝到DMA，但是，如有必要，TDDS中的TDFL的位置信息可被改变，其原因在于，表示分配给数据区的TDMA的位置信息的信息被存储在TDDS中。当信息存储介质被最终化时，TDMA的TDFL被记录在DMA 上，并因此可检查DMA而不是TDMA。数据区的开始位置信息和结束位置信息可被存储在盘上，如图13和图16中所示，分配给数据区的TDMA可被分配给数据区的开始部分和结束部分，并且TDDS包括分配给数据区的TDMA的大小信息。这样，当盘被载入驱动器时，可基于TDMA AIA确定记录了最近的TDDS的TDMA的位置在图17和图18中，TDMA被顺序地使用，TDMA AIA沿与TDMAO被使用的方向相反的方向被使用。即，TDMAO沿光道方向被记录，而TDMA AIA沿与光道方向相反的方向被使用。 例如，在图17中，在TDMAO 1110中，与TDMA AIA 1700对应的第10簇之后(即，与TDMAl 对应的簇1710之后)的簇沿光道方向被使用。TDMA AIA 1700沿与光道方向相反的方向被使用，并因此从与TDMAl对应的簇1710使用TDMA AIA 1700。将描述TDMS和TDMS更新的示例。如果RUB的大小为64KB，则TDMS和TDMS更新单元的大小的示例如下。-TDDS 大小=2KB = 1 个扇区-TDFL大小=最大4个簇/层(S卩，在TL结构中最大12个簇，并在QL结构中最大 16个簇)-SRRI大小=最大62KB =最大31扇区-SBMn大小=62KB = 31个扇区(n = 0，1，2，…，“记录层的数量” _1)。当盘正被使用时，TDFL和SRRI的大小可变化。然而，如果在最终化处理中记录在DMA，则SRRI的大小被固定为31个扇区，TDFL的大小被固定为与BD-RE盘的缺陷列表 (TDMA)的大小(例如，12个簇)相同的大小。如果大小被固定，则剩余部分可由数据例如 OOh填充。如在此描述的，TDMS更新单元可包括TDFL、SRRI、SBM等。在图19A至图19D中示出TDMS更新单元的示例。图19的(a)、(b)、(c)示出顺序记录模式的示例，图19的(d)示出随机记录模式的示例。图19的(a)示出TDMA更新单元包括TDFL和TDDS的结构1910。在该示例中，TDMS 更新单元包括TDFL头1911、N个扇区的TDFL 1912、1个扇区的TDDS 1913和设置为OOh的剩余部分1914。图19的(b)示出TDMA更新单元包括SRRI和TDDS的结构1920。在该示例中，TDMS 更新单元包括SRRI头1921、M个扇区的SRRI 1922、1个扇区的TDDS 1923和设置为OOh的剩余部分1拟4。图19的(c)示出TDMA更新单元包括TDFL、SRRI和TDDS的结构1930。在该示例中，TDMS更新单元包括TDFL头1931、N个扇区的TDFL 1932、SRRI头1933、M个扇区的SRRI 1934、1个扇区的TDDS 1935和设置为OOh的剩余部分1936。图19的(d)示出TDMS更新单元包括SBM和TDDS的结构1940。在该示例中，TDMS 更新单元包括SBM头1941、31个扇区的SBM 1942和1个扇区的TDDS 1943。将描述防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期损耗(early exhaustion)的方法。图20示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期损耗的第一方法的示例。在第一方法中，如果包括TDFL的TDMS更新单元超过预定大小，则从TDMS更新单元排除TDFL，并且TDFL被记录在单独的空间中。例如，如果TDMS更新单元包括TDFL和 TDDS，则在TDMS更新单元超出预定大小(例如，一个簇)之前，如图20A所示，包括TDFL 2010和TDDS 2020的TDMS更新单元2000被记录。然而，如果TDFL的大小增加并且包括 TDFL的TDMS更新单元的大小超过预定大小，则如图20B中所示，TDFL从TDMS更新单元分离并且仅将TDFL 2030记录到单独的空间中。在顺序记录模式中，如在此关于图19所描述，可以以如下所示的三种格式记录 TDMS更新单元。(a) TDFL+TDDS(b) SRRI+TDDS(c)TDFL+SRRI+TDDS在情况(a)和(c)中，如果包括TDFL的TDMS更新单元的大小被限定为1个簇但是其大小超过了一个簇，则TDFL被排除出TDMS更新单元并被作为单独的簇记录在盘上。在情况(b)中，由于TDMS更新单元不包括TDFL，所以不应用以下描述。在随机记录模式中，TDMS更新单元在一个簇中以如下所示的形式包括记录层的 SBM和TDDS的组合，并且TDFL作为单独的簇被记录在盘上。SBMn+TDDS如果是第一方法，则最近的TDDS通常具有最近的SRRI指针，最近的TDFL指针(对于每个TDFL簇的指针)和最近的SBMn指针。在TL/QL盘中，TDFL的最大大小可以是12/16个簇，并且如果盘被使用，则TDFL的大小通常增加。因此，在一些情况中，包括TDFL的TDMS更新单元的大小可超过一个簇。在这种情况下，TDFL作为单独的簇被记录在数据区的用户数据区，包括具有记录的TDFL的位置信息的最终TDDS的TDMS更新单元被记录在TDMA上。例如，当更新时，TDMA可仅使用一个簇。如果TDFL的大小增加并且无法被包括在一个簇的TDMS更新单元中，则TDFL被记录在用户数据区并且包括最终TDDS (所述最终 TDDS具有记录的TDFL的位置信息)的TDMS更新单元的一个簇被记录在TDMA上。在该示例中，TDMS可被更新与TDMA中的簇的数量对应的次数，并因此可通过分配最少数量的TDMA来延长盘的使用时间。在上述示例中，为了便于解释，TDMS更新单元的大小是一个簇，然而不限于此。例如，TDMS更新单元的最大大小可被概括为η(例如2、4、8、12等)个数量的簇。在该示例中， 如果包括TDFL的TDMS更新单元的大小超过η个簇，则TDFL作为单独的簇被记录在数据区的用户数据区，并且包括TDDS (所述TDDS具有记录的TDFL的位置信息)的TDMS更新单元被记录在对应的TDMA上。图21示出防止由TDFL的大小引起的TDMA的早期损耗的第二方法的示例。在第二方法中，将包括具有等于或小于特定大小(例如，η个簇)的TDMS更新单元照常地记录在TDMA上。如果TDFL超过特定大小，则与特定大小对应的TDFL的部分可被保持在盘的预定区域(例如，数据区、TDMA、盘管理区域等)上，并且在TDFL超出特定大小之后产生的TDMA条目(entries)形成为当前TDFL，从而将包括当前TDFL的TDMS更新单元记录在TDMA上。在该示例中，在TDDS中存储和管理保持的TDFL的位置信息和当前TDFL的位置信息。参照图21的(a)，当包括在TDMS更新单元2100中的TDFL的大小没有超过η个簇时，TDFL 2110被包括在TDMS更新单元中并且与SRRI 2120和TDDS 2130—起被记录。 然而，如果TDFL的大小超过η个簇，则如图21Β中所示，与η个簇对应的TDFL的部分作为 TDFL 2110被保持在单独的空间中，除与η个簇对应的部分之外的TDFL的剩余部分作为当前TDFL 2140被包括在TDMS更新单元中。例如，在QL盘中，如果将被包括在TDMS更新单元中的TDFL的特定大小为8个簇， 则TDDS具有指示保持的TDFL的保持的TDFL指针(8个指针)和指示当前TDFL的当前TDFL 指针(8个指针)。在TDFL的大小超过8个簇之前，保持的TDFL指针可被设置为00h，当前TDFL指针管理实际记录在当前TDFL中的簇的位置信息。在该示例中，如果TDFL的大小超过8个簇，则TDFL的初始8个簇被记录并且保持在当前使用的TDMA或数据区，或者被记录并保持在单独的盘管理信息区域(DMA，TDFL保持区域等)，保持的簇的位置信息由TDDS的保持的 TDFL指针管理。其它TDMA条目作为单独的TDFL被包括在TDMS更新单元中，记录在TDMA 上并且由当前TDFL指针管理。如果当前使用的TDMAm被完全使用，并因此TDMAm+1被使用，则保持的TDFL和当前TDFL可被再配置。如果当前TDFL的大小超过8个簇，则可使用保持的TDFL指针来管理当前TDFL的初始8个簇，并可使用当前TDFL指针来管理其它簇。即，不会每次TDFL改变时都改变保持的TDFL，而是可在特定时间点一次性全部更新保持的TDFL。例如，在使用保持的TDFL和当前TDFL的结构中，当TDFL改变时，保持的TDFL被保持而不被改变，仅当前 TDFL被改变和被更新。仅在预定时间点，保持的TDFL被重新配置和改变。在以下情况中提供保持的TDFL被重新配置的情况的示例。作为示例，TDFL的TDMA条目包括状态信息+缺陷地址+替换地址，并且根据特定标准(例如，状态信息和缺陷地址)被分类和排列。在初始8个簇被保持之后产生的TDMA 条目(由于缺陷或LOW而附加地产生的条目)作为当前TDFL而被管理，然后，如果将被使用的TDMA被改变并且保持的TDFL和当前TDFL被组合，则可减少TDFL的大小。这是因为， 如果当TDMA条目存在时LOW发生，则由于保持的TDFL的TDMA条目是旧的，并且当前TDFL 的TDMA条目是新的，所以旧的条目被新的条目或代替。例如，当在保持的TDFL中存在表示数据A将被数据B代替的条目时，如果数据B 被数据C代替，则表示数据B被数据C代替的条目被存储在当前TDFL中。在该示例中，由于仅需要表示数据A被数据C代替的条目，所以如果保持的TDFL和当前TDFL被重新配置， 则可节省TDFL的容量。因此，当当前使用的TDMA被完全使用，并因此下一 TDMA被使用时， 如果如上所述对保持的TDFL和当前TDFL全部进行一次性分类和重新配置，则可节省TDFL 的空间。因此，可通过分配最少数量的TDMA来有效地使用盘。如果每当更新新的条目时立即更新保持的TDFL中的旧的条目，则由于保持的 TDFL的更新而无法有效使用TDMA。例如，如果TDFL的大小等于或大于9个簇且小于10个簇，LOW在与第一 TDMA条目的缺陷地址对应的区域之前的区域中发生，则将产生TDMA条目。 在该示例中，由于TDMA条目的缺陷地址小于TDFL的现有第一 TDMA的缺陷地址，则TDMA条目将被分类为TDMA条目，现有第一 TDMA条目将被移位。在该示例中，TDFL的簇与现有TDFL 的簇不同，并且当TDFL被更新时，所有簇(即，10个簇)应被记录在TDMA上。当使用第二方法时，如下所述地再现数据。如果从主机接收到数据再现命令，则初始地进行检查以确定在当前TDFL的TDMA 条目中是否存在将被再现的数据的物理扇区号(PSN)。如果在当前TDFL中没有这种TDMA 条目，则从保持的TDFL的TDMA条目中检查替换。如果在保持的TDFL中存在这种TDMA条
16目，则存储在保持的TDFL的TDMA条目中的替换地址的数据被再现。或者，如果在保持的 TDFL中没有这种TDMA条目，则再现PSN的数据。如果在当前TDFL中存在这种TDMA条目， 则再现存储在当前的TDFL的TDMA条目中的替换地址的数据。在此描述对应于信息存储介质的高密度/多层结构而处理信息格式的方法的示例。在各种示例中，由于信息存储介质的高密度/多层结构而将被添加/改变的信息字段被添加/改变，并且可以与现有的信息格式的格式版本号不同地设置信息格式的格式版本号。此外，如果信息存储介质的高密度/多层结构而添加/改变现有的信息格式的信息字段，则可以以可解释信息字段的含义的方式重新定义信息字段。一般来讲，用于盘(或缺陷)管理的可重写信息存储介质具有盘定义结构(DDS)、 缺陷列表(DFL)和PAC格式。在DDS格式中，由于高密度/多层信息结构，备用区域分配信息、备用区域满标志、 PAC位置的状态比特被包括，所以应添加/修改或重新定义需要的信息字段。在DFL格式中，由于多层结构，DFL格式的大小增加，因此应使用例如改变格式版本的方法来识别具有改变的大小的DFL格式。在PAC格式中，由于高密度/多层结构，表示分配给盘的每个区域(包括保留区域)是否可记录/可再现的信息被包括，所以如果分配给盘的区域的大小、位置和使用被添加/改变，则信息字段必须被添加/修改或重新定义。图22示出可重写信息存储介质(例如，BD-RE盘)的DDS格式和一次写信息存储介质(例如，BD-R盘)的TDDS格式的示例。参照图22，用于SL/DL的现有(T)DDS格式包括BD-RE/R共同部分2200和只读BD 部分2300。BD-RE/R共同部分2200可共同应用于BD-RE盘和BD-R盘，只读BD部分2300 仅应用于BD-R盘。在BD-RE盘中，只读BD部分2300的所有字节被填充有OOh。参照图22的(a)，在该示例中，用于SL/DL的现有(T)DDS格式2210的BD-RE/R共同部分2200包括用于识别(T) DDS格式的(T) DDS标识符字段2211、设置为00的(T) DDS格式号字段2212、ISAO大小字段2213、OSA大小字段2214、ISAl大小字段2215、备用区域满标志字段2216、保留的比特字段、预写区域标志字段2217、保留的比特字段、在LO上的PAC 位置的状态比特字段2218、在Ll上的PAC位置的状态比特字段2219和保留的比特字段。在该示例中，备用区域满标志2216表示包括在信息存储介质中的备用区域是否填满了数据。预写区域标志字段2217表示驱动器是否将数据记录在信息存储介质的每个层的预写区域上。在LO上的PAC位置的状态比特字段2218和在Ll上的PAC位置的状态比特字段 2219表示包括在PAC区域中的每个块或簇上所记录的数据的状态。例如，在LO上的PAC位置的状态比特字段2218和在Ll上的PAC位置的状态比特字段2219可表示包括在PAC区域中的每个块或簇上所记录的数据是有效还是无效。参照图22的(b)来描述用于TL/QL的(T)DDS格式的第一示例。用于TL/QL的(T) DDS格式2220的BD-RE/R共同部分2200包括用于识别(T) DDS格式的(T)DDS标识符字段2221、设置为Olh的(T) DDS格式号字段2222、ISA大小字段2223、MSA大小字段2224、OSA大小字段2225、备用区域满标志字段22 、保留的比特字段、预写区域标志字段2227、保留的比特字段、在LO上的PAC位置的状态比特字段22 、在Ll上的 PAC位置的状态比特字段22 、在L2上的PAC位置的状态比特字段2230和在L3上的PAC 位置的状态比特字段2231。ISA是沿光道方向分配在最内侧的备用区域，并可以是例如图12中示出的ISA 1210或图15中示出的ISA 1510。OSA是沿光道方向分配在最外侧的备用区域，并可以是例如图12中示出的OSA 1260或图15中示出的OSA 1580。MSA是分配在ISA与OSA之间的备用区域。在图22的(b)中，为了从TL/QL(T)DDS识别现有的SL/DL(T)DDS，改变(T)DDS格式代码。例如，(T)DDS格式代码号可在SL/DL盘上被设置为00h(参见图22的(a)中示出的(T)DDS格式号字段2212)，并且可在TL/QL盘上被设置为01h(参见图22B中示出的(T) DDS格式号字段2222)。此外，现有的备用区域大小字段被重新定义，并且通过将MSA分配为具有相同大小来将MSA大小字段被表示为一个字段，即，MSA大小字段22M。在该示例中，MSA的数量在TL盘上是4个，在QL盘上是6个。在该示例中，由于备用区域的最大数量从4增加到8，所以备用区域满标志字段 2226被分配为8比特，由于预写区域标志的数量根据层数从2增加到4，所以预写区域标志字段2227被分配为4比特，对于在L2和L3上的PAC区域，重新分配在L2上的PAC位置的状态比特字段2230和在L3上的PAC位置的状态比特字段2231。如果使用如上所述的保留的比特来分配附加信息字段，则可以以新的格式保持现有格式的信息字段的字节(比特) 位置，格式的变化可被最小化，并因此记录/再现设备的控制器可容易地管理盘。参照图22的(c)来描述用于TL/QL的(T)DDS格式的第二示例。用于TL/QL的(T)DDS格式的BD-RE/R共同部分2200包括用于识别(T)DDS格式的(T)DDS标识符字段2241、设置为Olh的(T)DDS格式号字段2242、ISA大小字段2243、右 MSA(RMSA)大小字段2244、0SA大小字段2245、备用区域满标志字段2246、保留的比特字段、 预写区域标志字段2247、保留的比特字段、左MSA(LMSA)大小字段2248、在LO上的PAC位置的状态比特字段2249、在Ll上的PAC位置的状态比特字段2250、在L2上的PAC位置的状态比特字段2251和在L3上的PAC位置的状态比特字段2252。 除了通过将朝向盘的外圆周分配RMSA和朝向盘的内圆周分配LMSA分配为具有不同大小(而不是将所有MSA分配为具有相同大小)来在分配备用区域时提供灵活性之外， 图22的(c)与图22的(b)相似。在图22C中，使用保留的比特来添加LMSA大小字段2248。 在图22的(a)和图22的(b)中，使用三个字段表示备用区域的大小。然而，在图22的(c) 中，使用四个字段表示备用区域的大小。即，一个备用区域大小字段被添加到现有的信息格式。这样，可通过将朝向盘的外圆周的备用区域和朝向盘的内圆周的备用区域分配为具有不同大小来将灵活性提供给分配备用区域。 虽然在图22的(c)中未示出，但是LMSA大小字段2248可排列在OSA大小字段 2245之下，LMSA大小字段2248之后的其它字段可顺序地排列在剩余字段上。在该示例中， 备用区域大小字段之后的字节位置被改变。
在此描述一次写信息存储介质的TDDS格式的示例。用于盘管理和缺陷管理的一次写信息存储介质包括用于缺陷管理的DDS和TDMA 格式、用于临时盘(或缺陷)管理的TDDS、TDFL、SRRI (或SBM)格式以及用于控制对于盘的物理区域的访问的PAC格式。在TDDS格式中，由于高密度/多层结构，备用区域分配信息、备用区域满标志、PAC 位置的状态比特、数据区的TDMA分配信息、指示OPC区域的OPC指针、不一致标志、预写区域标志、指示TDFL的TDFL指针、指示SBM的SBM指针、指示备用区域的SA指针被包括，所
以应添加/改变或重新定义信息字段。图23示出TDDS格式的一次写信息存储介质的只读BD部分的示例。图23示出图 22所示的只读BD部分2300的结构。参照图23的(a)，在该示例中，用于SL/DL的现有(T)DDS格式2210的只读BD部分2300包括用于SBM字段的不一致标志2301、ISAO中的TDMA的大小字段2302、OSA中的 TDMA的大小字段2303、ISAl中的TDMA的大小字段2304、保留的比特字段、P_TZ0、P_TZ1字段2305、保留的比特字段、P_lstDFL-P_8thDFL字段2306、保留的比特字段、P_SRRI/P_SBM0 字段 2307、PSBMl 字段 2308、保留的字段、P_ISA0、P_0SA0、P_0SA1、P_ISA1 字段 2309 和保留的比特字段。参照图23的(b)，在该示例中，用于TL/QL的⑴DDS格式2220的只读BD部分 2300包括用于SBM不一致标志2311 比特)、ISA中的TDMA的大小字段2312、MSA中的TDMA的大小字段2313、OSA中的TDMA的大小字段2314、保留的比特字段、Ρ_ΤΖ0、Ρ_ TZl 字段 2315、Ρ_ΤΖ2、Ρ_ΤΖ3 字段 2316、保留的比特字段、P_lstDFL_P_8thDFL 字段 2317、 P_9stDFL-P_16thDFL 字段 2318、P_SRRI/P_SBM0 字段 2319、PSBMl 字段 2320、P_SBM2、P_ SBM3 字段 2321、P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA1、0PC2 字段 2322 和 P_MSA3、P_MSA4、P_MSA5、 P_0SA 字段 2323。在图23的(b)中，以新的格式维持现有格式的信息字段的字节(比特)位置，使用现有的保留的比特来形成由于层的数量的增加而另外需要的字段。由于增加了 SBM2和SBM3，用于SBM的不一致标记字段2311从2比特扩展到4比特。用于SBM的不一致标记表示实际记录在盘上的数据的记录状态是否与SBM信息一致。 由于在每次将数据记录到盘上时更新SBM效率低，所以可基于盘的记录状态在特定时间点更新SBM。如果实际记录状态与SBM信息一致，则可设置一致标记。如果没有执行更新，并因此实际记录状态与SBM信息不一致，则可设置不一致标记。在图23B中，将4个(用于TL)TDMA或6个(用于QL) TDMA分配给4个MSA或6 个MSA，以具有相同的大小。使用一个字段(即，MSA中的TDMA的大小字段2313)来定义 TDMA。P_TZn表示在Ln (n = 0,1,2,3)上排列的下一可用的测试区域(0PC区域)的物理扇区号。在图2 中，使用保留的比特来添加用于TL/QL OPC区域的P_TZ2、Ρ_ΤΖ3字段 2316。P_nthDFL表示TDMA的第n(n = 1，2，…，16)簇的第一 PSN。在图2Β中，使用保留的比特来添加由于TDFL的最大大小的增加而产生的P_9st-P_16thDFL字段2318。P_SBMn表示用于Ln(n = 0，1，2，3)的SBM的第一 PSN。每个层上存在一个SBM。在图2!3B中，使用保留的比特来添加用于TL/QL SBM的P_SBM2、PSBM3字段2321。P_SRRI 表示SRRI的第一 PSN。P_ISA (0SA 或 MSAn)表示 ISA (0SA 或 MSAn (n = 0，1，2，3，4，5))的下一可用 PSN。 在图2 中，由于备用区域的最大数量从4增加到8，所以重新定义用于分配给第一层(LO) 和第二层(Li)的4个备用区域的下一可用PSN的P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA0PC2字段 2322，并添加用于分配给第三层(L2)和第四层(L3)的4个备用区域的下一可用PSN的P_ MSA3、P_MSA4、P_MSA5、P_0SA 字段 2323。对于 TL 盘，P_MSA4 和 P_MSA5 的所有字节可被设置为00h。参照图23的(c)，在该示例中，用于TL/QL的⑴DDS格式2240的只读BD部分 2300包括用于SBM字段的不一致标志2331 (4比特)、ISA中的TDMA的大小字段2332、RMSA 中的TDMA的大小字段2333、LMSA中的TDMA的大小字段2334、OSA中的TDMA的大小字段 2335、保留的比特字段、P_TZ0、P_TZ1字段2336、Ρ_ΤΖ2、Ρ_ 73字段2337、保留的比特字段、 P_lsDFL-P_8thDFL 字段 2338、P_9stDFL_P_16thDFL 字段 2339、P_SRRI/P_SBM0 字段 2340、 PSBMl 字段 2341、P_SBM2、P_SBM3 字段 2342、P_ISA、P_MSA0、P_MSA1、P_MSA0PC2 字段 2343 和 P_MSA3、P_MSA4、P_MSA5、P_0SA 字段 2344。除了添加字段以单独定义RMSA中的TDMA的大小的字段2333和LMSA中的TDMA 的大小的字段2334之外，图23的(c)与图23的(b)相似。S卩，虽然在图23的(b)中，所有MSA中的TDMA具有相同大小并因此使用一个字段来表示，但是在图23的(c)中，通过将朝向盘的外圆周的RMSA中的TDMA和朝向盘的内圆周的LMSA中的TDMA分配为具有不同大小(而不是将在所有MSA中的TDMA分配为具有相同的大小)来在分配TDMA中提供灵活。没有应用于TL盘的与QL盘相关的信息字段的所有字节在TL盘中被设置为00h。在此描述TDFL格式的示例。在TDFL格式中，由于高密度/多层结构，TDFL格式的最大大小增加，所以可使用例如改变格式版本的方法来识别具有改变的大小的TDFL格式。参照图M的(a)，在该示例中，用于SL/DL的现有的(T)DFL格式MlO包括用于识别(T)DFL的(T)DFL标识符字段Mil、设置为00的(T)DFL格式号字段M12和表示对于 SL盘为4个簇以及对于DL盘为8个簇的(T)DFL格式大小字段M13。参照图M的(b)，在该示例中，提出的用于TL/QL的⑴DFL格式M20包括用于识别(T)DFL的(T)DFL标识符字段M21以及设置为01的(T) DFL格式号字段M22。(T)DFL 格式号字段2422被设置为Olh以区分SL/DL(T)DFL格式和TL/QL(T)DFL格式。(T) DFL格式大小字段M23表示对于TL盘为12个簇以及对于QL盘为16个簇。在此描述SBM格式的示例。在SBM格式中，由于对每个层形成SBM，所以SBM格式包括表示与SBM对应的层的层号。由于层的数量的增加，扩展上述信息。此外，当使用地址(PSN)来表示代表位图的区域的物理扇区时，由于高密度结构，地址的开始和结束可能改变，所以应重新定义对应的字段。这样，应使用例如改变格式版本(即，格式号)的方法来重新定义SBM。在此描述PAC格式的示例。在PAC格式中，由于表示分配给盘的每个区域(包括导入区的保留区域)是否是可记录/可再现的信息被包括，所以由于高密度/多层结构，如果添加/改变分配给盘的区域的大小、位置和使用，则应添加/改变或重新定义信息字段。参照图25的(a)，在该示例中，用于SL/DL的现有的PAC格式2510包括用于识别 PAC区域的PAC标识符字段2511和设置为00的PAC格式号字段2512。参照图25的(b)，在该示例中，提出的用于TL/QL的PAC格式2520包括用于识别 PAC区域的PAC标识符字段2521以及设置为01的PAC格式号字段2522。由于记录层的增加，在提出的用于TL/QL的PAC格式2520中，PAC格式号字段2522被设置为01以区别SL/ DL PAC格式和TL/QL PAC格式。在现有PAC格式中，由于表示在导入区上排列的每个保留的区域是否可读和可写的信息(对于保留的区域5至8为位置PAC规则)被包括，并且由于记录层的增加，所以如果保留的区域5到8中的至少一个没有被分配给TL/QL盘，或者如果保留的区域5到8被分配但是在盘上的它们的大小、位置和使用改变，则可改变表示可读性和可写性的信息。因此，为了定义TL/QLPAC格式的字段信息与现有PAC格式的字段信息不同，TL/QL PAC格式号可被定义为与现有SL/DL PAC格式号不同的新的号。在DDS和DFL格式中，由于当盘被最终化时TDDS和TDFL分别被转换为DDS和DFL， 所以由于高密度/多层结构，DDS和DFL格式取决于版本号的改变和在TDDS和TDFL格式中的信息字段的添加/改变和重新定义。图沈示出记录/再现设备的示例。参照图沈，记录/再现设备包括记录/读取单元沈10和控制单元沈20。记录/读取单元沈10可根据控制单元沈20的控制，将数据记录在信息存储介质 (诸如记录介质100)上并且可从信息存储介质(诸如记录介质100)读取数据。控制单元沈20可控制记录/读取单元沈10将数据记录在记录介质100上或者从记录介质100读取数据。在记录过程中，数据可被记录在记录介质100上或者可对OPC区域执行测试记录。在再现处理中，从记录介质100读取数据。此外，如果在将数据记录到记录介质100的数据区上时检测到缺陷，则关于缺陷的信息可被记录到记录介质100的TDMA 上。如图沈所示，记录设备和再现设备可以是单独的设备或者可被包括在一个系统中。图27示出包括图沈中示出的记录/再现单元沈10的驱动器的示例。参照图27，驱动器包括作为记录/读取单元沈10的拾取器和控制单元沈20。在该示例中，记录介质100被安装在拾取器沈10上。驱动器作为控制单元沈20，包括主机接口(I/F)l、数字信号处理器(DSP) 2、射频(RF)放大器(AMP) 3、伺服器4和系统控制器5。在记录过程中，主机I/F 1可从主机(未示出)接收将被记录的数据和记录命令。 系统控制器5可执行记录数据的初始化过程。DSP 2可通过添加辅助数据(诸如奇偶校验比特)来对从主机I/F 1接收的数据执行纠错(ECC)编码。DPS2可通过使用预定方法来调制ECC编码的数据。RF AMP 3可将从DSP 2输出的数据变换为RF信号。拾取器沈10可将从RF AMP 3输出的RF信号记录在记录介质100上。伺服器4可从系统控制器5接收用于伺服控制的命令，并且伺服器4可控制拾取器沈10。作为示例，系统控制器5可发送与排列有OPC区域和TDMA区域的记录介质(即， 多个记录层中的至少一个在内圆周中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的TDMA的信息存储介质)相关的数据。在该示例中，排列在上层的TDMA的大小可大于排列在下层的TDMA的大小。系统控制器5可控制拾取器沈10将关于缺陷的信息记录在TDMA上。在再现过程中，主机I/F 1可从主机(未示出)接收再现命令。系统控制器5可执行再现数据的初始化过程。拾取器2610可输出光信号，其中，通过将激光束辐射到记录介质100并且接收在记录介质100上反射的激光束来获得所述光信号。RF AMP3可将从拾取器沈10输出的光信号变换为RF信号，将从RF信号获得的调制数据提供给DSP 2，并且将从RF信号获得的用于控制的伺服信号提供给伺服器4。DSP 2可对调制数据进行解调，对解调的数据执行ECC编码，并且输出ECC编码的数据。同时，伺服器4可从RF AMP3接收伺服信号，从系统控制器5接收伺服控制所需的命令，并且控制拾取器沈10。主机I/F 1可将从DSP2接收的数据发送给主机。作为示例，系统控制器5可发送与排列有OPC区域和TDMA区域的记录介质(即， 多个记录层中的至少一个在内圆周中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的 TDMA的信息存储介质)相关的数据。在该示例中，排列在上层的TDMA的大小可大于排列在下层的TDMA的大小。系统控制器5可控制拾取器沈10从TDMA读取关于缺陷的信息。此外，系统控制器5可根据新定义的信息格式将信息记录到盘或从盘再现数据， 其中，使用上述方法新定义所述盘的信息格式。根据实施例，由于信息存储介质的高密度/ 多层结构而将被添加/改变的信息字段可被添加/改变，可与现有信息格式的格式版本号不同地设置信息格式的格式版本号。此外，根据实施例，如果由于信息存储介质的高密度/ 多层结构而添加/改变现有信息格式的信息字段，则以可解释信息字段的含义的方式可重新定义信息字段。图观示出记录方法的示例。参照图28，发送与信息存储介质相关的数据(观10)，其中，在所述信息存储介质中，每个记录层包括内圆周区和数据区，多个记录层中的至少一个层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的TDMA，并且排列在上层的TDMA的大小大于排列在下层的TDMA的大小，此外，将关于缺陷的信息记录在TDMA上Q820)。图四示出再现方法的示例。参照图29，发送与信息存储介质相关的数据(四10)，其中，在所述信息存储介质中，每个记录层包括内圆周区和数据区，多个记录层中的至少一个层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的TDMA，并且排列在上层的TDMA的大小大于排列在下层的TDMA的大小，此外，从TDMA再现关于缺陷的信息O920)。本发明还可被实现为计算机可读记录介质上的计算机可读代码。计算机可读记录介质是可存储其后可由计算机系统读取的数据的任何数据存储装置。计算机可读记录介质的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘、光学数据存储装置等。计算机可读记录介质还可以分布在联网的计算机系统上，从而以分布式方式来存储和执行计算机可读代码。此外，本技术领域的普通编程人员可容易地解释用于实现本发明的功能程序、代码和代码段。尽管已经参照本发明的示例性实施例具体显示和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。示例性实施例应该仅被认为是描述性的并且不是用于限制的目的。因此，本发明的范围不是由本发明的详细描述来限定，而是由权利要求来限定，并且该范围内的所有差别将被解释为包括在本发明中。
权利要求
1.一种信息存储介质，包括多个记录层，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区；所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域TDMA，其中，分配给上层的临时盘管理区域TDMA的大小大于分配给下层的临时盘管理区域 TDMA的大小。
2.根据权利要求1所述的信息存储介质，其中，关于临时缺陷管理区域的大小的信息记录在临时盘定义结构TDDS中。
3.一种用于将数据记录在包括多个记录层的信息存储介质上的设备，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域TDMA，所述设备包括拾取器，用于发送与所述信息存储介质相关的数据；控制单元，用于控制拾取器将关于在数据区中检测的缺陷的信息记录到所述至少一个记录层的临时盘管理区域TDMA上，其中，分配给上层的临时盘管理区域TDMA的大小大于分配给下层的临时盘管理区域 TDMA的大小。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，关于临时盘管理区域TDMA的大小的信息被记录在临时盘定义结构TDDS上。
5.一种用于从包括多个记录层的信息存储介质再现数据的设备，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域TDMA，所述设备包括拾取器，用于发送与所述信息存储介质相关的数据；控制单元，用于控制拾取器从所述至少一个记录层的临时盘管理区域TDMA读取关于在数据区中检测的缺陷的信息，其中，分配给上层的临时盘管理区域TDMA的大小大于分配给下层的临时盘管理区域 TDMA的大小。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，关于临时盘管理区域TDMA的大小的信息被记录在临时盘定义结构TDDS上。
7.一种用于将数据记录在包括多个记录层的信息存储介质上的方法，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域TDMA，所述方法包括如下步骤发送与所述信息存储介质相关的数据；将关于在数据区中检测的缺陷的信息记录到所述至少一个记录层的临时盘管理区域 TDMA 上，其中，分配给上层的临时盘管理区域TDMA的大小大于分配给下层的临时盘管理区域TDMA的大小。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，关于临时盘管理区域TDMA的大小的信息被记录在临时盘定义结构TDDS上。
9.一种用于从包括多个记录层的信息存储介质再现数据的方法，其中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括用于记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域TDMA，所述设备包括发送与所述信息存储介质相关的数据；从所述至少一个记录层的临时盘管理区域TDMA读取关于在数据区中检测的缺陷的信息？其中，分配给上层的临时盘管理区域TDMA的大小大于分配给下层的临时盘管理区域 TDMA的大小。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，关于临时盘管理区域TDMA的大小的信息被记录在临时盘定义结构TDDS上。
全文摘要
提供了一种具有多个记录层的信息存储介质、记录/再现方法和记录/再现设备。在所述信息存储介质中，所述多个记录层中的每个记录层包括内圆周区和数据区，所述多个记录层中的至少一个记录层在内圆周区中包括记录关于在数据区中检测的缺陷的信息的临时盘管理区域(TDMA)，其中，分配给上层的临时盘管理区域的大小大于分配给下层的临时盘管理区域的大小。
文档编号G11B7/24GK102334163SQ201080009399
公开日2012年1月25日 申请日期2010年2月25日 优先权日2009年2月25日
发明者李坰根, 高祯完, 黄仁吾, 黄盛熙 申请人:三星电子株式会社