专利名称：磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于硬盘装置等的磁记录介质的制造方法和具备采用这样的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置。本申请基于在2009年12月21日在日本申请的专利申请2009-289519号要求优先权，将上述申请的内容援引到本申请中。
背景技术：
近年，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大，磁记录装置重要性的增大，并且对用于这些装置的磁记录介质在谋求其记录密度的显著的提高。尤其是导入MR磁头和PRML技术以来，面记录密度的上升更加飞速地提高，近年又导入GMR磁头、TuMR磁头等，一年在以约1. 5倍的速度(pace)继续增加。对这些磁记录介质今后要求进一步实现高记录密度，为此要求实现磁记录层的高矫顽力化，高信噪比(SNR)、高分辨能力。另外，近年在提高线记录密度的同时通过磁道密度的增加来提高面记录密度的努力也在继续。在最新的磁记录装置中，磁道密度已达到250kTPI。然而，若将磁道密度提高下去的话，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源，容易产生损害SNR的问题。这直接导致比特误码率(Bit Error rate)的恶化，因此对于记录密度的提高成为障碍。为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更加微细化，对各记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若将记录比特微细化下去的话，则每一比特的磁化最小体积变小，由于由热摆导致的磁化反转而产生记录数据消失的问题。另外，由于磁道间距离接近，因此磁记录装置要求极高精度的磁道伺服技术，同时一般采用下述方法宽幅地实行记录，在再生时为了尽量排除来自相邻磁道的影响而比记录时窄地实行。在该方法中，能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。作为解决这样的热摆的问题，实现确保SNP和确保充分的输出的方法之一，曾进行了下述尝试通过在磁记录介质的表面形成沿着磁道的凹凸图案，物理性地分离记录磁道彼此，来提高磁道密度。将这样的技术称作分离磁道法，将采用该方法制造的磁记录介质称作分离磁道介质。作为分离磁道介质的一例，已知在表面形成有凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录层，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案从而构成的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。该磁记录介质，是在形成有多个凹凸图案的基板的表面介由软磁性层形成强磁性层，在该强磁性层上形成了保护层的磁记录介质。在该磁记录介质中，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁记录区域。根据该磁记录介质，能够抑制软磁性层中的磁畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，也没有相邻的信号间的干扰，所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。分离磁道法有在形成包含好几层的薄膜的磁记录介质后形成磁道的方法；和在基板表面直接形成凹凸图案、或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如，参照专利文献2和专利文献3)。其中，前者的方法往往称作磁性层加工型，在介质形成后实施对表面的物理加工，因此存在介质在制造过程中容易被污染的缺点，并且制造工序非常复杂。另一方面，后者的方法往往称作压花加工型，虽然制造过程中难以污染，但形成于基板上的凹凸形状也会被成膜出的膜继承，因此，存在一边在介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁头的浮起姿势、浮起高度不稳定的问题。另外，也公开了通过对预先形成的磁性层注入氮离子或氧离子、或者照射激光来形成分离磁道介质的磁道间区域的方法(参照专利文献4)。然而，该专利文献4中没有在离子注入等时设置抗蚀剂和掩模等的记载，若不设置抗蚀剂和掩模等，则难以将离子注入只控制在磁道间区域等。此外，还公开了 在每一比特具有一定的规则性地配置磁记录图案的所谓的图案介质的制造中，通过离子照射的蚀刻或者将磁性层非晶化来形成磁记录图案(参照非专利文献1和专利文献5)。其中，专利文献5中记载了 在磁性层上的磁道间区域以外的区域设置掩模，进行离子等的照射，以及，作为离子注入的掩模使用有机抗蚀剂、金属、SiO2等。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2004-164692号公报专利文献2 日本特开2004-178793号公报专利文献3 日本特开2004-178794号公报专利文献4 日本特开平5-205257号公报专利文献5 美国专利第6331364号公报非专利文献非专利文献1 信学技报，IEICE Technical Report MR2005-55 (2006-02)，21 页 26页(社团法人电子情报通信学会)
发明内容
可以认为，在分离磁道介质和比特图案介质的制造中，通过使用上述的专利文献5等所记载的离子照射，能够制造平滑性高的磁记录介质。即，该专利文献5所记载的方法，在将磁性层图案化时不需要磁性层的物理性的加工，并且不需要对基板本身实施凹凸加工。然而，在现实中对磁性层部分地进行离子照射时，其部位被蚀刻，在磁性层上形成凹部。这是因为离子照射和离子蚀刻是相互类似的处理的缘故。在此，虽然减少离子的加速量和/或照射量能够减少磁性层表面的蚀刻量，但由此磁性层的磁特性的改性效果降低，磁性层的图案化变得不充分，并且改性时间变长，生产率降低。
本发明是鉴于这样的以往状况而提出的，其目的在于，提供解决上述的问题，能够以高的生产率制造表面平滑性高、磁头浮起特性优异的有用的磁记录介质的磁记录介质制造方法、以及具备采用这样的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置。本发明提供以下手段。(1) 一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上形成磁性层后，通过对上述磁性层部分地注入离子，将该磁性层的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在对上述磁性层部分地注入离子时，在上述磁性层的表面形成碳膜，通过图案化将上述碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对上述磁性层部分地注入离子。(2)根据(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述磁特性的改性是通过上述磁性层的非磁性化或非晶化而进行的改性。(3)根据⑴或⑵所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，将上述碳膜部分地减薄了的部位的厚度为5 IOnm的范围内。(4)根据(1) (3)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在将上述碳膜图案化时，在上述碳膜的表面涂布抗蚀剂，使用表面具有凹凸形状的压印模，形成在表面转印了该凹凸形状的抗蚀剂后，将上述抗蚀剂的凹部及其下方的上述碳膜进行蚀刻。(5)根据(4)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，对上述磁性层部分地注入离子后，除去上述抗蚀剂和上述碳膜。(6)根据(1) (5)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述注入的离子是含有选自N、0、Ar、Ne中的任一种以上的原子的离子。(7) 一种磁记录再生装置，其特征在于，具备采用(1) (6)的任一项所述的制造方法制造的磁记录介质；沿着记录方向驱动上述磁记录介质的介质驱动部；进行对上述磁记录介质的记录动作和再生动作的磁头；使上述磁头相对于磁记录介质相对移动的磁头移动单元；和用于进行对上述磁头的信号输入和从上述磁头输出信号的再生的记录再生信号处理单元。如以上所述，本发明在对磁性层的部分性的离子照射时，在磁性层的表面设置部分地减薄了厚度的碳膜，通过减薄了该碳膜的部位对磁性层部分地注入离子，由此保护磁性层的表面，能够防止该磁性层的离子注入部位被蚀刻。因此，若在离子注入后除去碳膜，则可将磁性层的磁特性部分地改性，并且得到表面平滑性高的磁性层。此外，通过在该磁性层的表面形成保护膜，能够以高的生产率制造表面平滑性高的磁记录介质。另外，本发明通过使用由上述方法制造的磁记录介质，能够得到磁头的浮起特性优异、磁记录图案的分离性能优异、不受相邻的图案间的信号干扰的影响的高记录密度特性优异的磁记录再生装置。
图1是表示应用本发明制造的磁记录介质的一例的剖面图。图2是表示应用了本发明的磁记录再生装置的一例的立体图。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。本发明涉及在非磁性基板的至少一个表面具有磁性分离的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，通过对已经成膜了的磁性层注入离子来进行磁性分离磁记录图案的磁特性的改性(例如非磁性化等)。另外，在磁性分离磁记录图案时，与以往的制造方法不同，不是进行采用干蚀刻、压印加工等直接且物理性地分离磁性层，而是通过在磁性层的表面设置部分地减薄了厚度的碳膜，通过减薄了该碳膜的部位对磁性层部分地注入离子来进行。具体地讲，本发明中，所谓具有磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质，是指每一比特具有一定的规则性地配置了磁记录图案的所谓的图案介质、磁记录图案配置成磁道状的介质、其他的包含伺服信号图案等的介质。其中，将本发明应用于磁性分离的磁记录图案为磁记录磁道以及伺服信号图案的所谓的分离型磁记录介质，从其制造的简便性来看是优选的。以下，作为应用本发明制造的磁记录介质，举出图1所示的分离型磁记录介质30为例进行说明。该磁记录介质30，具有下述结构在非磁性基板1的表面形成软磁性层和中间层2，在其上形成了形成有磁性图案的磁性层3，在改性了该磁性层3的磁特性的部位(例如非磁性化区域)4之间形成磁记录图案3a，在其上形成保护膜层5，进而在最表面形成省略图示的润滑膜。该磁记录介质30，为了提高记录密度，优选使磁性层3的磁性部分(磁记录图案3a)的宽度W为200nm以下，使改性了的非磁性部分(非磁性化区域4)的宽度L为IOOnm以下。因此，磁道间距(W+L)在300nm以下的范围，为了提高记录密度要尽量地窄。作为本发明中使用的非磁性基板1，只要是以Al为主成分的例如Al-Mg合金等的Al合金基板、由通常的钠钙玻璃、铝硅酸盐系玻璃、结晶化玻璃类、硅、钛、陶瓷、各种树脂构成的基板等的由非磁性材料构成的基板，则可以使用任意的基板。其中，作为非磁性基板1，优选使用Al合金基板、结晶化玻璃等的玻璃制基板、硅基板。另外，这些非磁性基板1的平均表面粗糙度(Ra)优选为Inm以下。更优选为0. 5nm以下，最优选为0. Inm以下。本发明中，在该非磁性基板1的表面形成在垂直方式的磁记录介质中所需要的软磁性层和中间层2。例如，形成!^eCoB层作为软磁性层，形成Ru层作为中间层。磁性层3可以是面内磁记录层也可以是垂直磁记录层，但为了实现更高的记录密度，优选垂直磁记录层。这些磁性层3优选由主要以Co为主成分的合金形成。例如，作为面内磁记录介质用的磁性层3，可以利用包含非磁性的CrMo基底层和强磁性的CoCrPtTa记录磁性层的叠层结构。作为垂直磁记录介质用的磁性层3，可以利用例如70Co-15Cr_15Pt合金(Co为70原子％、Cr为15原子％、Pt为15原子％的合金，以下相同)、70Co-5Cr-15Pt-10SiA合金寸。磁性层3的厚度，为3nm以上、20nm以下，优选为5nm以上、15nm以下。磁性层3，只要相应于使用的磁性合金的种类和叠层结构以能够得到充分的磁头输出输入的方式形成即可。为了在再生时得到一定以上的输出，磁性层3的厚度需要为某种程度以上的厚度，另一方面，表示记录再生特性的各种参数通常随着输出的上升而劣化，因此必须设定为最佳的厚度。通常，磁性层3采用溅射法作为薄膜形成。在本发明中，在该磁性层3中，作为磁性分离的磁记录图案3a形成磁道和伺服信号图案。作为保护膜层5，可以使用碳(C)、氢化碳(HXC)、氮化碳(CN)、无定形碳、碳化硅(SiC)等的碳质层、Si02、Zr203、TiN等通常使用的保护膜层材料。另外，保护膜层5也可以由2层以上的层构成。保护膜层5的厚度优选为IOnm以下。原因是当保护膜层5的厚度超过IOnm时，磁头与磁性层3的距离变大，不能够得到充分的输出输入信号的强度的缘故。通常，保护膜层5采用溅射法或CVD法形成。优选在保护膜层5上形成润滑膜。作为润滑膜中使用的润滑剂，可以举出氟系润滑剂，烃系润滑系和它们的混合物等，通常以1 4nm的厚度形成润滑膜。接着，对于在制造上述磁记录介质30时，作为本发明的特征部分，在磁性层3上形成磁性分离了的磁记录图案3a的工序具体地说明。本发明中，作为磁性层3，例如成膜出70Co-5Cr-15Pt_10SiA合金膜。然后，在磁性层3的表面形成成为磁记录图案3a的掩模的碳膜。碳膜，除了碳(C)以外，也可以使用氢化碳(HxC)、氮化碳(CN)、无定形碳。碳膜的厚度，需要设为足以在其后的离子注入工序中遮蔽注入离子的厚度，通常设为20nm以上的厚度。再者，过于增厚碳膜的厚度时，不仅在其后的碳膜的图案化工序中耗用时间、生产率降低，而且碳膜的加工量增大，图案的边缘部分变圆，凹凸图案的矩形性降低。因此，碳膜的厚度的上限优选为200nm左右。碳膜的成膜可以采用公知的方法，但优选采用例如溅射法或CVD法。然后，在碳膜的表面上涂布抗蚀剂，采用纳米压印技术或光刻技术，在抗蚀剂上形成与磁记录图案3a对应的凹凸形状。作为抗蚀剂，可以使用例如S0G。所谓S0G，是Spin · On .Glass (旋涂玻璃)的简称，是采用旋转涂布来形成玻璃膜的材料。本发明充分利用SOG具有的液体的涂布这种特征，将该SOG作为将碳膜图案化时的掩模材料利用。即，SOG将碳膜部分地进行氧蚀刻时的耐蚀刻性高，并且，能够通过加热等控制其软化度，此外，采用纳米压印的压印模将凹凸形状转印在表面上时的形状维持性优异，并且采用光刻技术的加工性也优异。SOG有硅酸盐系S0G、甲基硅氧烷系S0G、高甲基硅氧烷(ο彳^ f > * 口*寸 >)系SOG等，这些SOG都可以使用。本发明的特征是，将该抗蚀剂图案化，利用该图案来部分地减薄碳膜的厚度，通过对其表面照射离子，一边除去抗蚀剂一边通过减薄了碳膜厚度的部位对磁性层3部分地注入离子。离子注入在原理上与离子蚀刻、离子铣削相同，当进行离子注入时，该部分的表面或多或少地遭受损伤，其表面被削蚀。本发明利用碳膜保护磁性层3的离子注入部的表面，因此磁性层3的表面不会被注入离子削蚀。因此，若在磁性层3的部分性的改性工序之后除去作为掩模的碳膜，则可以得到部分地改性了磁特性的平滑性高的磁性层3的表面。本发明，优选将部分地减薄了碳膜的部位的厚度设为5 IOnm的范围。碳膜的厚度在该范围的场合，注入离子透过碳膜注入到磁性层3内，此外能够防止磁性层3的表面被注入离子蚀刻。另一方面，碳膜的厚度低于5nm时，由碳膜层带来的对磁性层3的表面保护效果降低。而碳膜的厚度超过IOnm时，注入离子向磁性层3的到达量降低，而磁性层3的改性时间变长。另外，注入离子被碳原子散射，形成于磁性层3上的图案的析像度降低。另外，只要碳膜厚度厚的部位的宽度与上述磁性层3的磁性部分(磁记录图案3a)的宽度W相等为200nm以下，碳膜厚度薄的部位的宽度与上述磁性层3的改性了的非磁性部分(非磁性化区域4)的宽度L相等为IOOnm以下即可。本发明中，在抗蚀剂上形成与磁记录图案对应的凹凸形状的方法，可以通过使用表面形成了凹凸形状的压印模，在涂布了抗蚀剂的表面上将该凹凸形状转印在抗蚀剂表面上来进行。例如可以通过在碳膜的表面涂布了液状的抗蚀剂后，在该抗蚀剂完全固化前，使用表面具有凹凸形状的压印模按压其表面，可以将该凹凸形状转印在抗蚀剂表面上。另外，还有采用通常的光刻技术来光转印蚀刻图案，然后通过将光转印了的图案蚀刻而图案化的方法。在涂布了抗蚀剂后的图案形成中，使印模直接与涂布了的抗蚀剂的表面密合，在高压下进行压制，由此在抗蚀剂表面形成凹凸形状。或者，也可以利用热固型树脂、UV固化型树脂等通过蚀刻形成凹凸形状。上述工艺中使用的压印模，例如，可以使用采用电子束描绘等的方法在金属板上形成了微细的凹凸图案的压印模，作为其材料，要求可以耐受工艺的硬度和耐久性。为此，可以使用例如Ni等，但只要是符合上述的目的的材料，则不管是怎样的材料都可以。在压印模上，除了记录通常的数据的磁道以外，也形成脉冲串图案、格雷码图案、前同步码图案这样的伺服信号的凹凸图案。本发明中，采用离子束法等对碳膜的表面注入离子时，只对凹凸图案之中的包含磁记录磁道和伺服信号图案的凸部之间的部分(凹部)注入离子。本发明中，在向磁性层3注入离子时，为了加速原子而将原子离子化，但认为打入磁性层3内的离子已中性化。本发明中，通过采用这样的方法制造分离磁道型的磁记录介质30，能够使磁性层3的注入了离子的部位的矫顽力和/或剩余磁化降低到极限，因此没有磁记录时的洇写，可以提供高的面记录密度的磁记录介质30。这是因为通过将离子注入到磁性层3中，磁性层3变成非磁性的材料，或者磁性层3的结晶结构发生变化，由此磁性层3失去磁性，或者磁性层3非晶化而失去其磁性。S卩，本发明中，通过向已成膜了的磁性层3沿磁性层3的厚度方向均勻地注入离子，将该磁性层3部分地非晶化，由此形成将磁记录图案3a之间磁性分离了的非磁性化区域4。为了实现这样的离子注入，优选使用不进行离子能量的挑选的直线状的离子加速器并使用加速能量具有分布的离子。本发明中，所谓将磁性层3非晶化，是指使磁性层3的原子排列成为不具有长程有序的不规则的原子排列的形态。更具体地讲，是指形成为小于2nm的微晶粒无序地排列的状态。并且，采用分析手法确认该原子排列状态的场合，为采用X射线衍射或电子束衍射没有看到表示晶面的峰的状态，并且只看到晕圈的状态。本发明中，作为采用例如离子束法等注入的离子，优选N、0、Ar、Ne等的容易透过碳膜的原子半径小的原子的离子。另外，利用上述离子束进行的N等的离子的注入，使用市售的离子注入器注入到磁性层3中。本发明的目的在于向磁性层3注入离子，将其部分的结晶非晶化，并且，使注入到该非晶部分中的离子的原子均勻地分布，因此侵入深度需在磁性层3的厚度方向均勻。被注入的离子的深度，根据在其离子注入器中的加速电压，对侵入的深度适时决定。在磁性层3上形成磁记录图案3a后，除去残留在磁性层3的表面的抗蚀剂和碳膜时，可以采用干蚀刻、反应性离子蚀刻、离子铣削等的方法。这些处理的结果，被图案化了的平滑的磁性层3显现出。然后，在磁性层3的表面形成保护膜层5。保护膜5的形成，一般实行下述方法采用P-CVD等成膜出类金刚石碳(Diamond Like Carbon)的薄膜，但并不特别限定。接着，将具备应用本发明制造的磁记录介质30的磁记录再生装置的构成示于图2。该磁记录再生装置，具备上述本发明的磁记录介质30 ；沿记录方向驱动该磁记录介质30的介质驱动部11 ；包含记录部和再生部的磁头27 ；使磁头27相对于磁记录介质30相对运动的磁头驱动部观；和组合了用于进行对磁头27的信号输入和来自磁头27的输出信号再生的记录再生信号处理单元的记录再生信号系统四。通过将它们组合，能够构成记录密度高的磁记录装置。另外，通过对磁记录介质30的记录磁道进行磁性不连续加工，对于以往为了排除干蚀刻部的磁化迁移区域的影响而使再生磁头宽度比记录磁头宽度窄地对应的情形，可以使两者为大致相同的宽度而动作。由此，能够得到充分的再生输出和高的SNR。此外，通过由GMR磁头或TuMR磁头构成上述的磁头27的再生部，即使在高记录密度下也能够得到充分的信号强度，能够实现具有高记录密度的磁记录装置。另外，若使该磁头27的浮起量为0. 005 μ m 0. 020 μ m而以比以往低的高度浮起，则输出提高且能够得到高的装置SNR，能够提供大容量且高可靠性的磁记录装置。另外，当组合采用最大似然解码法的信号处理电路时，能够进一步提高记录密度，例如，即使以磁道密度IOOk道/英寸以上、线记录密度IOOOk比特/英寸以上、每一平方英寸为100G比特以上的记录密度进行记录和再生的场合也能够得到充分的SNR。
实施例以下，通过实施例更清楚了解本发明的效果。再者，本发明不限定于以下的实施例，可以在不变更本发明要旨的范围进行适当变更来实施。本实施例中，首先，将安置了 HD用玻璃基板的真空室预先进行真空排气到1. OXlO-5Pa以下。在此，使用的玻璃基板，以结晶化玻璃为材质，该结晶化玻璃以Li2Si205、Al2O3-K2O, Al2O3-K2O, MgO-P2O5, Sb2O3-ZnO 为构成成分，外径为 65mm、内径为 20mm、平均表面粗糙度( )为2埃(A )。接着，在该玻璃基板上采用DC溅射法层叠作为软磁性层的i^eCoB、作为中间层Ni6W、Ru、作为磁性层的70Co-5Cr-15Pt-10SiA合金，采用P-CVD法层叠碳膜。各层的厚度是=FeCoB软磁性层为60nm、Ni6W第1中间层为5nm、Ru第2中间层为10nm、磁性层为15nm、碳膜为50nm。然后，在磁性层上形成磁记录图案。S卩，在磁性层上形成磁记录图案时，首先，采用旋转涂布在碳膜的上面涂布甲基硅氧烷系S0G。此时的SOG的厚度设为400nm。该S0G，相对于SOG的全体的键，按数(以下相同)计，含有10%的Si-O键。使该SOG加热固化，将SOG中所含有的Si-O键相对于SOG中所含有的全体的键提高到25%。接着，使用以深度200nm图案化了的Ni合金制压印模，将其图案转印在该SOG的表面。转印后的凸部的抗蚀剂的厚度为250nm，凹部的抗蚀剂的厚度为50nm。然后，使SOG进一步加热固化，将SOG中所含有的Si-O键相对于SOG中所含有的全体的键提高到80%。加热固化后的凸的抗蚀剂的厚度为150nm、凹部的抗蚀剂的厚度为30nm。接着，采用干蚀刻来除去层叠在抗蚀剂的凹部及其正下方的碳膜的一部分。此时的干蚀刻条件是氧气为40SCCm、压力为0. 3Pa、高频等离子体电力为300W、DC偏置为30W、蚀刻时间为30秒、碳膜的厚度为8nm。接着，进行对磁性层的部分性的离子注入。离子注入条件是氮气为lOsccm、压力为0. lPa、加速电压为300V、离子注入时间为30秒。通过该处理，在磁性层中进行离子注入的部位，矫顽力降低95%左右，大致已非磁性化。接着，采用干蚀刻来除去抗蚀剂和碳膜。干蚀刻条件是氧气为40sCCm、压力为0. 5Pa、高频等离子体电力为300W、DC偏置为50W、蚀刻时间为45秒。由此，在磁性层上形成磁性分离了的磁记录图案。接着，采用CVD法在磁性层上成膜出由碳构成的厚度5nm的保护膜层，最后以2nm的厚度涂布氟系的润滑膜，完成磁记录介质的制造。对于本实施例中制造的磁记录介质，使用旋转台实施电磁变换特性的评价。此时，评价用的磁头，记录侧使用垂直记录磁头、读取侧使用TuMR磁头。然后，测定记录了750kFCI 的信号时的 SNR 值和 3T_squash (tripletrack squash)。再者，所谓 3T_squash 是指两侧相邻磁道写入时的中心磁道的信号劣化，作为数值是由(残存信号强度Vp-p)/(原来的信号强度Vp-p) X100(%)表示的值，该值越接近于100%则评价为耐相邻磁道写入越强。其结果，本实施例中得到的磁记录介质，SNR为13. ldB,3T-squash为85%，RW特性优异。可以认为这是由于磁记录介质的表面平滑且浮起特性稳定，能够以规定的浮起高度读写，并且，磁道间区域的磁化状态完全消失的缘故。另外，通过确认SNR、3T-SquaSh等的RW特性，本实施例的样品能够确认出利用磁道间的非磁性化区域进行的分离。即，本实施例的样品，也确认出通过对磁性层进行采用离子束的离子注入，相应于形成为凹凸状的抗蚀剂的图案形状，形成了磁性分离了的磁记录图案。另外，电磁变换特性的测定结束后，对于本实施例的磁记录介质，使用AFM测定表面粗糙度。具体地讲，使用Digital Instrument公司制的AFM，以10 μ m视场测定本实施例的磁记录介质的表面粗糙度(Ra)。其他的设定，在析像度256X256轻敲(tapping)模式、扫描速度1 μ m/秒下进行。其结果，本实施例的磁记录介质，表面粗糙度Ra为0. 28nm,显示出明显低的值。由此可以认为磁头浮起特性稳定。另外，对于本实施例的磁记录介质，评价了滑翔雪崩(Glide avalanche ； ^ 7 ^κ 7 y^-)特性。评价使用，4 K，4卜公司制的50%滑块磁头，使用y 二一〒”卜口公司制的DS4100装置进行测定。其结果可知本实施例的磁记录介质滑翔雪崩低为4. 9nm，磁头浮起特性良好。产业上的利用可能性根据本发明，可以提供能够确保磁头浮起的稳定性、具有优异的磁记录图案的分离性能、不受相邻图案间的信号干扰的影响、高记录密度特性优异的磁记录介质。并且，能够简化生产工艺，因此能够大大地有助于生产率提高。附图标记说明
1-非磁性基板；
2-软磁性层和中间层；
3-磁性层；
4-非磁性化区域；
5-保护层；
11-介质驱动部；
27-磁头；
28-磁头驱动部；
29-记录再生信号系统
30-磁记录介质。
权利要求
1.一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板上形成磁性层后，通过对所述磁性层部分地注入离子，将该磁性层的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在对所述磁性层部分地注入离子时，在所述磁性层的表面形成碳膜，通过图案化将所述碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对所述磁性层部分地注入离子。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述磁特性的改性是通过所述磁性层的非磁性化或非晶化而进行的改性。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，将所述碳膜部分地减薄了的部位的厚度为5 IOnm的范围内。
4.根据权利要求1 3的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在将所述碳膜图案化时，在所述碳膜的表面涂布抗蚀剂，使用表面具有凹凸形状的压印模，形成在表面转印了该凹凸形状的抗蚀剂后，将所述抗蚀剂的凹部及其下方的所述碳膜进行蚀刻。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，对所述磁性层部分地注入离子后，除去所述抗蚀剂和所述碳膜。
6.根据权利要求1 5的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述注入的离子是含有选自N、0、Ar、Ne中的任一种以上的原子的离子。
7.—种磁记录再生装置，其特征在于，具备由权利要求1 6的任一项所述的制造方法制造的磁记录介质；沿着记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部；进行对所述磁记录介质的记录动作和再生动作的磁头；使所述磁头相对于磁记录介质相对移动的磁头移动单元；和用于进行对所述磁头的信号输入和从所述磁头输出信号的再生的记录再生信号处理单元。
全文摘要
本发明提供一种磁记录介质的制造方法，该方法能够以高的生产率制造表面平滑度高、磁头浮起特性优异的有用的磁记录介质。这样的磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板(1)上形成磁性层(3)后，通过对磁性层(3)部分地注入离子，将该磁性层(3)的注入了离子的部位的磁特性改性，从而形成磁性分离了的磁记录图案(3a)的磁记录介质(30)的制造方法，其特征在于，在对磁性层(3)部分地注入离子时，在磁性层(3)的表面形成碳膜，通过图案化将碳膜的厚度部分地减薄后，通过减薄了该碳膜的部位对磁性层(3)部分地注入离子。
文档编号G11B5/84GK102576547SQ20108004593
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月7日 优先权日2009年12月21日
发明者福岛正人 申请人:昭和电工株式会社