专利名称：制造光盘片模板的方法
技术领域：
本发明是有关于一种制造光盘片模板的方法。
背景技术：
随着3C产品及技术的快速发展，半导体以及数据储存媒体需要更细微的结构来增进运作的速度及/或提高储存的密度。以光盘储存为例，早期一般的可记录式和可复写式⑶(⑶-R/RW)的沟轨宽度(Groove width)为0. 7 μ m，轨距为1. 6 μ m，但随着记录密度需求的提升，具有沟轨宽度为0. 7 μ m，轨距为1. 6 μ m的记录式和可复写式DVD (DVD-R/RW)和具有沟轨宽度为0. 17 μ m,轨距为0. 32 μ m的记录式和复写式蓝光光盘(BD-R/RE)相继被开发出来。再者，可记录式和复写式蓝光光盘(BD-R/RE)不只轨距为0.32 μ m，而且沟轨的深度仅为20nm。虽然记录密度需求的提升可通过缩小记录点与记录轨距的方式来达成。但是在提升记录密度的过程中也同时增加制作光储存媒体的困难度。一般光储存媒体的制作流程包含了刻版流程、射出成形、记录材质的沉积和盘片胶和流程等。其中刻版流程主要在制作生产光储存媒体所需的基板模版(Stamper)。而后使用该基板模版于射出成形技术中产出光储存媒体用的基板。但由于光学绕射极限的关系使得现有生产CD-R/RW与DVD-R/RW刻版模版的制作技术不适用于制造BD-R/RE刻版模版。目前各种针对结构微细化的研究技术相继被提出来应用在制作BD-R/RE基板模版上。其中一种方式是使用波长为的短波长激光来达成。但不幸的是，短波长激光的曝光设备极度昂贵，因为其中所有的光学组件必须使用特殊的材料来制造，因此使上述方式变得不经济。为实现高度细致的图案，使用无机相变化材料(或称无机光阻，inorganicphotoresist)是另一种方式。然而，无机相变化材料存在一个问题，那就是无机相变化材料必须要有一定厚度才能具有光微影性能。有鉴于此，目前亟需一种可以改善上述问题的崭新方法。
发明内容
本发明提供一种制造光盘片模板的方法，其包括以下步骤。形成一无机光阻层于一基材上，此无机光阻层被激光照射时，能发生相变化。形成一有机光阻层于无机光阻层上，且有机光阻层接触无机光阻层。然后，以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，而形成无机光阻层的一第一曝光区以及有机光阻层的一第二曝光区，其中无机光阻层的第一曝光区发生相变化。移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层。接着，自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层。然后，保形地形成一剥离层覆盖于图案化无机光阻层之上，再形成一金属层于剥离层上，然后将金属层与该剥离层分离，而得到光盘片模板。根据本发明一实施方式，剥离层可为一高分子材料或诸如氧化硅的无机材料。在某些实施例中，剥离层包含一高分子材料是选自由酚醛树脂、丙烯酸树脂、硝酸纤维素、四氯乙烯树脂、胺基树脂、聚酯树脂、聚胺酯树脂以及环氧树脂所组成的群组。根据本发明一实施方式，剥离层是以下述方式形成涂布一高分子溶液层于具有图案化无机光阻层的基材上，然后再将高分子溶液层干燥。在一实施例中，高分子溶液的一固含量小于1%，且剥离层的厚度小于5nm。根据本发明一实施方式，无机光阻层的一厚度小于约75nm。根据本发明一实施方式，基材包含一光吸收层配置其上，无机光阻层形成在光吸收层上，且接触光吸收层。在一实施例中，光吸收层包含至少一材料，是选自由Si、Ge、GaAs、Bi、Ga、In、Sn、Sb、Te、BiTe、Biln、GaSb> GaP> InP、InSb、InTe> C、SiC、V2O5> Cr2O3> Mn3O4>Fe2O3> Co3O4, CuO, A1N、GaN, GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe 以及 AgInSbiTe 所组成的群组。在一实施例中，光吸收层的厚度为约IOnm至约50nm。根据本发明一实施方式，无机光阻层包含一无机相变化材料，当该无机相变化材料被激光照射时，由非晶相转变成结晶相。根据本发明一实施方式，该无机光阻层包含一相变化材料的不完全氧化物，此不完全氧化物的一般化学式为A(1_X)0X，其中A表示相变化材料，以及X为约0. 05至约0. 65的数值。在一实施例中，相变化材料为Ge-Sb-1Te合金、Ge-Sb-Sn合金或M-Gelb-I1e合金。例如，无机光阻层可包含化学式为GexSbySnz0a_x_y_z)的材料，其中χ为约0. 1至约0. 3的一数值，y为约0. 2至约0. 5的一数值，以及ζ为约0. 2至约0. 6的一数值，其中(Ι-χ-y-z)大于 0. 05。根据本发明一实施方式，该无机光阻层包含一过渡金属合金的不完全氧化物，其氧含量低于该过渡金属合金的完全氧化物的化学计量含氧量，其中该过渡金属是选自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、以及 Ag 所组成之群组。根据本发明一实施方式，无机光阻层可包含化学式为TeOx的碲氧化物，其中χ为约0.3至约1.7的数值。根据本发明一实施方式，无机光阻层可包含一金属的不完全氧化物，其中金属为14族或15族的元素，且金属的不完全氧化物的含氧量为金属的完全氧化物的化学计量含氧量的75%至95%。根据本发明一实施方式，基材可包含一玻璃基材、硅基材、单晶三氧化二铝(Al2O3)基材或石英基材。根据本发明一实施方式，有机光阻层包含一酚醛树脂型光阻或化学增幅型光阻。在一实施例中，有机光阻层的厚度为约20nm至约60nm。根据本发明一实施方式，激光的波长为约250nm至约500nm。根据本发明一实施方式，移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区包含应用一碱溶液。
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图1为本发明一实施方式的制造光盘片模板的方法100的流程图；图2A至图2H绘示图1的各制程步骤的剖面示意图。
主要组件符号说明100 方法110、120、130、140、150、160、170、180 步骤210 基材212光吸收层220无机光阻层221第一曝光区224图案化无机光阻层230有机光阻层232第二曝光区234图案化有机光阻层240 激光250剥离层260金属层
具体实施例方式为了使本发明的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其它的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。本发明揭露一种制造光盘片模板的方法，此模板可用于形成一光盘片基材的纳米结构。上述制造光盘片模板的方法包含以下步骤(a)形成一无机光阻层于一基材，其中当该无机光阻层被一激光照射时，能发生一相变化；(b)形成一有机光阻层于该无机光阻层上，且该有机光阻层接触该无机光阻层；(c)以该激光照射该有机光阻层以及该无机光阻层，以形成该无机光阻层的一第一曝光区以及该有机光阻层的一第二曝光区，其中该无机光阻层的该第一曝光区发生该相变化，且该第一曝光区重叠该第二曝光区；(d)移除该无机光阻层的该第一曝光区以及该有机光阻层的该第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层，其中该图案化无机光阻层以及该图案化有机光阻层具有纳米特征结构；(e)自该图案化无机光阻层上移除该图案化有机光阻层；(f)保形地形成一剥离层覆盖该图案化无机光阻层；(g)形成一金属层于该剥离层上；以及(h)将该金属层与该剥离层分离，以得到该光盘片模板。图1为本发明一实施方式的制造光盘片模板的方法100的流程图。图2A至图2H绘示图1的各制程步骤的剖面示意图。在步骤110，形成无机光阻层220于基材210上，如图2A所示。当无机光阻层220被一激光照射或被加热时，无机光阻层会发生相变化。举例而言，无机光阻层220包含无机相变化材料，当无机光阻层被一激光照射时，无机光阻层将会从非晶相转变成结晶相。在一实施例中，无机光阻层220的厚度为约20nm至约150nm，具体而言，无机光阻层220的厚度可小于约75nm，更明确地为约20nm至约50nm。在一实施例中，无机光阻层220包含一相变化材料的不完全氧化物。此相变化材料的不完全氧化物的一般化学式为A(1_X)0X，其中A表示相变化材料，0表示氧，χ为约0. 05至约0. 65的数值。具体而言，相变化材料可为Ge-Sb-Te合金、Ge-Sb-Sn合金或h-Ge-Sb-Te合金。在一实施例中，无机光阻层包含化学式为GexSbySnz0(1_x_y_z)的材料，其中，其中χ为约0. 1至约0. 3的一数值，y为约0. 2至约0. 5的一数值，以及ζ为约0. 2至约0. 6的一数值，其中满足(l-x-y-ζ)大于0. 05的条件。在另一实施例中，无机光阻层220可包含一过渡金属合金的不完全氧化物，此不完全氧化物中氧含量低于该过渡金属合金的完全氧化物的化学计量含氧量。在本实施例中，过渡金属是选自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru以及Ag所组成的群组。在又一实施例中，无机光阻层220可包含化学式为TeOx的碲氧化物，其中χ为约0.3至约1.7的一数值。在其它实施例中，无机光阻层220可包含一金属的不完全氧化物，此金属不完全氧化物中的金属为14族或15族的元素。上述金属不完全氧化物中的含氧量为此金属的完全氧化物的化学计量含氧量的75%至95%。基材210的材料并无特殊限制，只要其具有足够的热阻抗性而能承受后续制程的制程条件即可。举例而言，基材210可为玻璃基材、硅基材、单晶三氧化二铝(Al2O3)基材、石英基材或金属基材。在一实施例中，基材210包含一光吸收层212。光吸收层212位于基材的上表面。无机光阻层220形成在光吸收层212上，且接触光吸收层212。光吸收层可将光能量转变为热量，并因此有益于无机光阻层220产生或发生相变化。举例而言，光吸收层的材料可为Si、Ge、GaAs> Bi、Ga、In、Sn、Sb、Te、BiTe、Biln、GaSb> GaP> InP、InSb、InTe、C、SiC、V2O5>Cr2O3, Mn3O4, Fe2O3, Co3O4, CuO, A1N、GaN, GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe, AghSb^Te、或上述的组合。在本实施例中，光吸收层的厚度为约lOnm至约50nm，例如可为约20nm。在某些实施例中，当光吸收层212的厚度大于一特定值时，例如约50nm，无机光阻层的分辨率会下降。反之，当光吸收层212的厚度小于一特定值时，例如约10nm，光吸收层212则不能发挥帮助或促进无机光阻层220发生相变化的功能。在步骤120，形成一有机光阻层230于无机光阻层220上，如图2B所示。有机光阻层230接触无机光阻层220。有机光阻层230可为正型光阻。在一实施例中，有机光阻层230可为酚醛树脂型光阻或化学增幅型光阻。在某些实施方式中，有机光阻层230的厚度为约IOnm至约60nm，例如为约20nm至约50nm。在某些实施例中，当有机光阻层230的厚度大于一特定值时，例如60nm约，有机光阻层230将会遮蔽或阻挡照射至无机光阻层220的激光，并因此而不利于后续制程。反之，当有机光阻层230的厚度小于一特定值时，例如约lOnm，则有机光阻层230不能产生其应有的功能。例如，有机光阻层230可能无法保护其下的无机光阻层220，或者有机光阻层230甚至不能形成精确的图案。在步骤130，以激光240照射有机光阻层230以及无机光阻层220，如图2C所示。激光240可穿透有机光阻层230以及无机光阻层220，并因此形成无机光阻层220中的第一曝光区221以及有机光阻层230中的第二曝光区232。因为第一及第二曝光区221、232被相同的激光照射，所以第一曝光区221与第二曝光区232重叠。在一实施例中，激光240的波长为约250nm至约500nm，例如为约380nm至约450nm。无机光阻层220的第一曝光区221因被激光240照射，而发生相变化。因此，无机光阻层220的第一曝光区221的相(phase)与无机光阻层220的未被曝光区域不同。更明确地说，第一曝光区221为结晶相，而无机光阻层220的未曝光区为非晶相。因此，无机光阻层220的第一曝光区221变成可溶解在诸如碱溶液之特定化学物质中。在有机光阻层230为一正型光阻的实施方式中，有机光阻层230的第二曝光区232因曝光而变成可溶解在诸如碱溶液的光阻显影液中，其为本技术领域所习知。在步骤140，移除无机光阻层220的第一曝光区221以及有机光阻层230的第二曝光区232，因此在基材210上形成一图案化的有机光阻层234以及一图案化的无机光阻层224，如图2D所示。在此步骤中，可通过使用诸如氢氧化钾或氢氧化钠溶液的碱溶液来移除第一及第二曝光区221、232的物质。在步骤150，自图案化的无机光阻层2M上移除图案化的有机光阻层234，如图2E所示。在此步骤中，可通过去光阻剂(stripper)来移除图案化有机光阻层234，其可将有机光阻层234由无机光阻层2M上剥离。或者，可使用能够将有机光阻层234溶解的溶剂，将其溶解，而移除图案化有机光阻层234。举例而言，诸如丙酮的溶剂可用来溶解有机光阻层234。在一实施例中，存留在基材210上的图案化无机光阻层224的宽度为约170nm，厚度为约20nm。在步骤160，保形地形成一剥离层250覆盖图案化无机光阻层224，如图2F所示。在一实施方式中，剥离层250包含一高分子材料，例如为酚醛树脂、丙烯酸树脂、硝酸纤维素、四氯乙烯树脂、胺基树脂、聚酯树脂、胺酯树脂或环氧树脂。可通过涂布一高分子溶液在具有图案化无机光阻层2M的基材210上，并形成一高分子溶液层于图案化无机光阻层2M上方。然后，将此高分子溶液层干燥，而形成高分子剥离层250。在一实施例中，上述高分子溶液的固含量小于约1%。剥离层250的厚度可小于约5nm，例如为约Inm至约3nm。在某些实施例中，当剥离层250的厚度可大于约5nm时，剥离层250很难保形地覆盖图案化无机光阻层2M。在另一实施方式中，剥离层250可包含诸如氧化硅、氧化铝、及类钻碳(DLC)的无机材料。可利用短时间的溅镀，例如5至30秒，而形成无机剥离层250。在步骤170，形成一金属层260于剥离层250上，如图2G所示。可利用任何已知的方式形成金属层260，例如电镀、物理气相沉积或其它方式。在一实施例中，金属层260是由镍制成，且是由电镀形成。金属层260具有与图案化无机光阻层2M互补的轮廓，且将成为光盘片的模板。在步骤180，将金属层260与剥离层250分离。分离出的金属层260成为光盘片的模板。此分离步骤可通过手工或机器来完成。实施例以下的实施例是用以详述本发明的特定态样，并使本发明所属技术领域中具有通常知识者得以实施本发明。以下的实施例不应被解释为本发明的限制。实施例1-使用高分子剥离层来制造模板
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在压力为0. 5Pa的氩气环境中，以溅镀方式在玻璃基材上沉积厚度为20nm的硅层，以作为光吸收层。在溅镀硅的制程中，使用直流功率350W以及氩气的流量为30sCCm。接着，使用Ge13.5Sb4(1Sb46.5为靶材，在压力为0. SPa的氩气-氧气混合气体(ArA)2 = 5/1)环境中进行溅镀，沉积厚度为约20nm的无机光阻层于硅层上。接着，以旋转涂布法将酚醛树脂型光阻涂布在无机光阻层上，随后在130°C的环境中烘烤900秒。因此，在无机光阻层上形成一有机光阻层，有机光阻层的厚度为约25nm。以波长为405nm的激光，对已涂布有机光阻层的基材进行曝光程序。曝光程序所使用的功率为3. 2mW。激光穿透有机光阻层以及无机光阻层。曝光后，以浓度为0. 05M的氢氧化钾水溶液进行显影，显影时间为40秒。曝光部分的有机光阻层以及曝光部分的无机光阻层两者都溶解在氢氧化钾水溶液中，但是未曝光的部分则留在基材上。因此，有机光阻层与无机光阻层同时被图案化。随后，以丙酮将未曝光而留在基板上的有机光阻层移除，从而得到图案化的无机光阻层。利用旋转涂布法，将重量百分浓度0. 8%的酚醛树脂溶液涂布在具有图案化无机光阻层的基材上，然后在温度130°C的环境中干燥900秒。在干燥后，基材上形成一酚醛树脂的剥离层于，且酚醛树脂剥离层保形地覆盖图案化无机光阻层。利用电镀法，在高分子剥离层上形成厚度300 μ m的镍板。接着，将镍板与基材上的高分子剥离层分离。随后，以丙酮充分清洗分离出的镍板，再将镍板干燥而得到模板，此模板能够成为轨域深度20nm的光盘片模板。实施例2-使用氧化硅剥离层来制造模板在本实施例中，以相同于实施例1所述的方法制造光盘片模板，除了以氧化硅取代酚醛树脂作为剥离层之外。以溅镀方式进行镀膜2秒而形成氧化硅层，氧化硅层的厚度仅约lnm。比较例-不使用剥离层来制造模板在本比较例中，以相同于实施例1所述的方法制造光盘片模板，除了不使用剥离层之外。在本比较例中，在将镍板与基材上的图案化无机光阻层分开时，有部分的图案化无机光阻层由基材上被剥离，而埋在镍板中。因图案化无机光阻层的厚度只有20nm，所以无机光阻层与基材之间的附着力是很微弱的。因此，本比较例所制造的镍板无法成功的作为光盘片模板。虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
权利要求
1.一种制造一光盘片模板的方法，其特征在于，包含(a)形成一无机光阻层于一基材，其中当该无机光阻层被一激光照射时，能发生一相变化；(b)形成一有机光阻层于该无机光阻层上，且该有机光阻层接触该无机光阻层；(c)以该激光照射该有机光阻层以及该无机光阻层，以形成该无机光阻层的一第一曝光区以及该有机光阻层的一第二曝光区，其中该无机光阻层的该第一曝光区发生该相变化，且该第一曝光区重叠该第二曝光区；(d)移除该无机光阻层的该第一曝光区以及该有机光阻层的该第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层，其中该图案化无机光阻层以及该图案化有机光阻层具有纳米特征结构；(e)自该图案化无机光阻层上移除该图案化有机光阻层；(f)保形地形成一剥离层覆盖该图案化无机光阻层上；(g)形成一金属层于该剥离层上；以及(h)将该金属层与该剥离层分离，以得到该光盘片模板。
2.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层的一厚度小于75nm。
3.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该基材包含一光吸收层配置其上，该无机光阻层形成在该光吸收层上，且接触该光吸收层，其中该光吸收层包含至少一材料，是选自由 Si、Ge、GaAs、Bi、GaJn、Sn、Sb、Te、BiTe、BiIn、feiSb、GaP、InP、InSb, InTe、C、SiC、V2O5, Cr2O3> Mn3O4, Fe2O3> Co3O4、CuO, A1N、GaN、GeSbTe, InSbTe,BiSbTe, GaSbTe以及AghSbTe所组成的群组。
4.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含一无机相变化材料，当该无机相变化材料被激光照射时，由非晶相转变成结晶相。
5.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含一相变化材料的不完全氧化物，其中该不完全氧化物的一般化学式为A(1_x)Ox，其中A表示该相变化材料，以及χ为0. 05至0. 65的一数值。
6.根据权利要求5所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，该相变化材料为一Ge-Sb-Te 合金、Ge-Sb-Sn 合金或 In-Ge-Sb-Te 合金。
7.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含化学式为Ge5xSbySnzOdm)的一材料，其中x为0. 1至0. 3的一数值，y为0. 2至0. 5的一数值，以及ζ为0. 2至0. 6的一数值，其中(l-x-y-ζ)大于0. 05。
8.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含一过渡金属合金的不完全氧化物，其氧含量低于该过渡金属合金的完全氧化物的化学计量含氧量，其中该过渡金属是选自由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、以及Ag所组成的群组。
9.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含化学式为TeOx的碲氧化物，其中χ为0. 3至1. 7的一数值。
10.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该无机光阻层包含一金属的不完全氧化物，其中该金属为14族或15族的一元素，且该金属的不完全氧化物的含氧量为该金属的完全氧化物的化学计量含氧量的75%至95%。
11.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(a)的该基材包含一玻璃基材、硅基材、单晶三氧化二铝基材或石英基材。
12.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(b)的该有机光阻层包含一酚醛树脂型光阻或化学增幅型光阻。
13.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(b)的该有机光阻层的一厚度为20nm至60nm。
14.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(c)的该激光的一波长为250nm至500nm。
15.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(d)包含应用一碱溶液来移除该无机光阻层的该第一曝光区。
16.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(f)的该剥离层包含氧化硅。
17.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(f)的该剥离层包含一高分子材料。
18.根据权利要求17所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，该高分子材料包含至少一高分子，是选自由酚醛树脂、丙烯酸树脂、硝酸纤维素、四氯乙烯树脂、胺基树脂、聚酯树脂、聚胺酯树脂以及环氧树脂所组成的群组。
19.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，步骤(f)包含涂布一高分子溶液层于具有该图案化无机光阻层的基材上，其中该高分子溶液的一固含量小于；以及将该高分子溶液层干燥，以形成该剥离层。
20.根据权利要求1所述的制造一光盘片模板的方法，其特征在于，该剥离层的一厚度小于5nm。
全文摘要
本发明在此揭露一种制造光盘片模板的方法，其包含以下步骤(a)形成无机光阻层于基材上；(b)形成有机光阻层于无机光阻层上；(c)以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，以形成无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区；(d)移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成图案化无机光阻层以及图案化有机光阻层；(e)自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层；(f)保形地形成一剥离层覆盖于图案化无机光阻层之上；(g)形成一金属层于剥离层上；以及(h)将金属层与剥离层分离。
文档编号G11B7/26GK102592620SQ201110119660
公开日2012年7月18日 申请日期2011年5月4日 优先权日2011年1月14日
发明者张俊诚 申请人:铼德科技股份有限公司