专利名称：一种MicroSD卡测试座的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体芯片测试领域，具体来说通过对某些半导体设备的改造来提高设备的测试性能，减少产品复测。
背景技术：
MicroSD卡是一种极细小的快闪存储器卡,其格式源自SanDisk创造,原本这种记忆卡称为T-Flash,及后改称为TransFlash ;而重新命名为MicroSD的原因是因为被SD协会(SDA)采立。另一些被SDA采立的记忆卡包括miniSD和SD卡。其主要应用于移动电话，但因它的体积微小和储存容量的不断提升，现在已经使用于GP设备、便携式音乐播放器、数码相机(如奥林巴斯)和一些快闪存储器盘中。它的体积为15mm X Ilmm xlmm ,差不多相等于手指甲的大小，是现时最细小的记忆卡。它也能通过SD转接卡来接驳于SD卡插槽中使用。现时 MicroSD 卡提供 128MB、256MB、512MB、1G、2G、4G、8G、16G 和 32G 的容量。MicroSD卡在封装完毕后要进行2种测试分别检测内部的FLASH芯片和控制芯片。从测试设备的可靠性和可重复使用性来看芯片分选设备和测试机都能保证芯片测试结果的一致性，能影响设备测试性能的最大变量就是测试座和芯片本身。除去考虑芯片本身的质量问题，能造成高重复测试率原因主要是测试座的接触电阻变大，接触电阻变大的原因主要由两个因数I)测试座探针的机械及电子特性2)探针的顶部(跟芯片被测试点接触的部位)被污染或Cu镀层剥离，在实际生产测试环节中芯片和测试座之间的连接是接触式的连接，接触电阻的阻值会随着接触次数增加或芯片测试连接点的表面的异物而影响，从而导致很多“开路”的测试失效现象。正是由于“开路”的存在，在MicroSD的性能测试中经常会因为初测良率低的问题而要求对那些初测不合格的产品进行第二次复测，从设备使用率来说这种复测就是浪费时间、人工和金钱。这种一批产品在测试站点重复测试的现象普遍存在于ODM和OEM厂里。
实用新型内容所要解决的技术问题针对MicroSD卡的实际情况，减少“开路”问题，提高其测试环节中提高测试的可靠性，让一次性测试代替多次重复测试从而达到设备实际利用率的最大化。技术方案为了解决以上问题，本实用新型提供了一种MiCToSD卡测试座，包括探针105，测试座103设有两排探针105。有益效果通过针对测试座105的专项改造，提高了产品的初测成品率O. 8%，复测成品率为
O.01%，这样一来，取消了对MICR0SD卡产品的复测，提高了 7. 5%的设备利用率。
图1为本实用新型的结构示意图。图2为工作示意图。图3为现有的测试座。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进行详细说明。芯片分选机通过设备的机械手或移动装置把被测芯片从载具里移动到测试工位I O I，并用其所带的压缩弹簧把芯片I Q 2压入测试座I O 3，芯片I O 2的测试连接点的方向朝下，可以和测试座I O 3所带的探针I O 5保持接触状态，测试机通过通讯电缆连接到测试座103下方的印刷电路板104.这样就构成了一条从测试机端到芯片的测试通道，编译好的测试程序中会自动测量芯片的相关电气性能.[0016]在实际生产测试环节中芯片102和测试座103之间的连接是接触式的连接，接触电阻的阻值会随着接触次数增加或芯片102测试连接点的表面的异物而影响，从而导致很多“开路”的测试失效现象。现有的测试座103是每个测试点只用一根探针。如果探针本身接触电阻过大，或探针与芯片接触部位有氧化物，碳化物等，一旦电阻值〉0.2Ω。就会产生“开路”测试失效现象。新的技术方案是在原有的测试座103上再打孔，再多放置I排探针，也就是设置两排探针，这样确保了在每次芯片测试中都有2根探针同时跟被测芯片的机器相连。这样的优势是不仅增加了测试座103在跟被测芯片102多一个测试接触通道，并且2根探针在一个测试节点上形成了一个等效并联电路。通过针对测试座103的专项改造，提高了产品的初测成品率0.8%，复测成品率为
0.01%，这样一来，取消了对MICR0SD卡产品的复测，提高了 7.5%的设备利用率。
权利要求1.一种MicroSD卡测试座，包括探针(105)，其特征在于:测试座(103)上设置有两排探 针(105)。
专利摘要本实用新型涉及半导体芯片测试领域,具体来说通过对某些半导体设备的改造来提高设备的测试性能,减少产品复测。本实用新型提供了一种MicroSD卡测试座，包括探针(105)，其特征在于测试座(103)上设置有两排探针(105)。这样确保了在每次芯片测试中都有2根探针同时跟被测芯片的机器相连。这样的优势是不仅增加了测试座105在跟被测芯片102多一个测试接触通道，并且2根探针在一个测试节点上形成了一个等效并联电路。通过针对测试座的专项改造，提高了产品的初测成品率0.8%，复测成品率为0.01%，这样一来，取消了对MICROSD卡产品的复测，提高了7.5%的设备利用率。
文档编号G11C29/56GK202917182SQ20122052527
公开日2013年5月1日 申请日期2012年10月15日 优先权日2012年10月15日
发明者李烨, 王刚 申请人:镇江艾科半导体有限公司