磁记录介质和磁存储装置制造方法
【专利摘要】一种磁记录介质，具有：基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少一层为含TiO2底层。
【专利说明】磁记录介质和磁存储装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
【背景技术】
[0002] 近年，硬盘驱动器HDD的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提 出了采用安装了激光二极管的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助记录方式、 以及、通过施加 IOGHz以上的高频率以进行记录的高频率记录方式。
[0003] 在热辅助记录方式中，藉由对记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在 记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数Ku较高的材料。为此，可在维持热稳定性的同时进 行磁性粒径的微细化，并可实现lTbit/inch 2级别的面密度。
[0004] 另一方面，在高频率辅助记录的情况下，藉由安装在磁头（head)上的ST0(Spin Torque Oscillator)所发出的高频波的辅助，也能进行介质的保磁力以下的记录磁场的写 入。为此，与热辅助记录的情况同样地，可在记录介质的磁性层使用结晶磁气异方性常数Ku 较高的材料。
[0005] 作为高Ku磁性材料，提出了 Lltl型FePt合金、Lltl型CoPt合金、Ll1型CoPt合 金等的有序合金等。另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离 (isolate)，还添加了作为粒界相材料（grain boundary phase material)的 Si02、TiO2 等 的氧化物或者C、BN等。藉由构成为在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性 颗粒间的交换结合（稱合），并可实现较高的介质SN比（Signal-to-Noise ratio)。
[0006] 在磁性层使用上述Lltl型FePt合金的情况下，为了实现高垂直磁气异方性，最好 使c轴具有与膜面垂直的（001)密排方向（配向）。另外，Ll tl型FePt合金的密排方向可 由底层所控制之技术事项也是周知的。
[0007] 例如，专利文献1中提出了，通过在（100)面被控制为与基板平行的MgO或NiO等 的底层上形成Ll tl型FePt合金，该FePt合金可呈现（001)密排方向。
[0008] 另外，专利文献2和专利文献3中提出了，通过在具有ZrN、TaN、CrN等的NaCl结 构的底层上形成Ll tl型FePt磁性层，该磁性层可呈现良好的（001)密排方向。
[0009] 再有，非专利文献1、非专利文献2及非专利文献3中提出了，通过分别在具有 NaCl型结构的FeO底层、TiN底层、TiC底层上形成Lltl型FePt磁性层，该磁性层可呈现 (001)密排方向。
[0010][现有技术文献]
[0011] [专利文献1]特开平11-353648
[0012] [专利文献 2]特开 2009-146558
[0013] [专利文献 3] US7829208-B2
[0014] [非专利文献 1] IEEE Trans. Magn. Vol. 41，3211-3213 (2005)
[0015] [非专利文献 2] J. Vac. Sci. Technol. B25 (6)，1892-1895 (2007)
[0016] [非专利文献 3] IEEE Trans. Magn. Vol. 47,4O77-4O79( 2Oll)
【发明内容】
[0017] [发明要解决的课题]
[0018] 近年，存在着要对磁记录介质的介质SN比进行提高的需求。但是，通过将磁性层 所含的Ll tl型FePt合金设计为（001)密排方向，尽管可以提高垂直磁气异方性，然而，并不 能获得充分的介质SN比。
[0019] 本发明是鉴于上述现有技术所具有的问题而提出的，其目的在于提供一种具有较 高介质SN比的磁记录介质。
[0020] [用于解决课题的手段]
[0021] 根据本发明的一个方面，提供一种磁记录介质，其特征在于具有：
[0022] 基板；
[0023] 磁性层，包含具有Lltl结构的FePt合金；及
[0024] 多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间，
[0025] 其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。
[0026][发明的效果]
[0027] 根据本发明的实施方式，可提供一种具有较高介质SN比的磁记录介质。
[0028] 附图概述
[0029] [图1]本发明的第2实施方式的磁记录装置的结构图。
[0030] [图2]本发明的第2实施方式的磁头的结构图。
[0031] [图3]实验例1所制作的热辅助磁记录介质的层结构截面模式图。
[0032] [图4]实验例2所制作的热辅助磁记录介质的层结构截面模式图。
[0033] [符号说明]
[0034] 100 磁存储装置
[0035] 10U212 磁记录介质
[0036] 301、401 玻璃基板
[0037] 304,407 含 TiO2 底层（SP，含有 TiO2 的底层）
[0038] 305、408 磁性层
[0039] 本发明的实施方式
[0040] 以下对本发明的实施方式进行说明，然而，本发明并不限定于下述实施方式，只要 不脱离本发明的技术范围，可对下述实施方式进行各种各样的变形或置换。
[0041] [第1实施方式]
[0042] 以下对本实施方式的磁记录介质的结构例进行说明。
[0043] 本实施方式的磁记录介质具有基板；包含具有Lltl结构的FePt合金的磁性层；及 在基板和磁性层之间所配置的多个（这里需要说明的是，多个指2个以上）底层。另外，多 个底层中的至少1层为含TiO 2底层。
[0044] 这里，对各层进行说明。
[0045] 作为基板，对其并无特别的限定，但是，例如可使用玻璃基板，尤其优选为使用耐 热玻璃基板。
[0046] 然后，在基板上形成多个底层。
[0047] 多个底层中的至少1层为含TiO2底层。关于该点将在以下进行说明。
[0048] 首先，为了使磁性层所含的具有Lltl型结构的FePt合金具有尽可能良好的（001) 密排方向，底层和Ll tl型FePt合金的晶格错配最好较小。但是，经本发明的发明人的研究 可知，通过沿Lltl型FePt合金的膜的面内方向施加拉伸应力，可以提高有序度。为此，底层 的晶格常数最好为可沿Ll tl型FePt合金的膜的面内方向导入适当拉伸应力的值。
[0049] 另外，为了促进磁性层所含的Lltl型FePt合金的有序化，该FePt合金优选为在 600°C以上的高温下进行成膜。为此，至少在磁性层的正下面所形成的底层最好为融点比 FePt合金的成膜温度高并且化学性比较稳定的材料。如果磁性层的正下面所形成的底层的 融点比FePt合金的成膜温度低，则底层材料在FePt合金的成膜时等会向FePt合金内进行 扩散，并非较好者。
[0050] 这里，TiO2可为正方晶系（tetragonal system)的金红石（rutile)型结构、锐钛 矿（anatase)型结构、斜方晶系（orthorhombic system)的板钛矿（brookite)型结构之技 术事项是熟知的。表1中示出了 TiO2为上述各结构时的a轴长度、b轴长度以及c轴长度 的值。另外，TiO2的融点高于FePt合金的成膜温度。
[0051] [表 1]
[0052]
【权利要求】
1. 一种磁记录介质，具有： 基板； 磁性层，包含具有L L结构的F e P t合金；及 多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间， 其中，所述多个底层中的至少1层为含T i 0 2底层。
2. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中： 所述多个底层包含由C r或者以C r为主成分的BCC结构的合金所形成的底层， 所述含T i 02底层形成在由所述C r或者以C r为主成分的BCC结构的合金所形 成的底层之上。
3. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中： 所述含T i 0 2底层形成在由具有B 2结构的材料所形成的底层之上。
4. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中： 所述含T i 0 2底层形成在由具有第1 N a C 1型结构的材料所形成的底层之上。
5. 如权利要求4所述的磁记录介质，其中： 由具有所述第1N a C 1型结构的材料所形成的底层所含的具有N a C 1型结构的 材料为M g 0。
6. 如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中： 所述磁性层形成在所述含T i 0 2底层的正上面。
7. 如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中： 在所述含T i 0 2底层之上配置了由具有第2 N a C 1型结构的材料所形成的底层， 在由具有所述第2 N a C 1型结构的材料所形成的底层之上配置了所述磁性层。
8. 如权利要求7所述的磁记录介质，其中： 由具有所述第2 N a C 1型结构的材料所形成的底层所含的具有N a C 1型结构的 材料为M g 0。
9. 如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中： 所述含T i 0 2底层包含金红石型T i 0 2，并且，具有（100)面与基板面平行的密排 方向。
10. 如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中： 所述磁性层以具有L L结构的F e P t合金为主成分，并且，含有从S i 0 2、T i 0 2、C r2〇3、Al 2〇3、T a2〇5、Z r〇2、Y2〇3、Ce〇2、Mn〇、T i 〇、Zn〇、C、 B、B 2 〇 3、B N中所选择的1种以上的物质。
11. 如权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，所述磁性层具有： 第1磁性层，以具有L L结构的F e P t合金为主成分，并且，含有8 mo 1 %以上、 30 m ο 1 %以下的T i 0 2 ;及 第2磁性层，以具有L L结构的F e P t合金为主成分，并且，含有从S i 0 2、T i 0 2、C r2〇3、Al 2〇3、T a2〇5、Z r〇2、Y2〇3、Ce〇2、Mn〇、T i 〇、Zn〇、C、 B、B 2 〇 3、B N中所选择的1种以上的物质。
12. -种磁存储装置，具有权利要求1至11中的任1项所述的磁记录介质。
【文档编号】G11B5/66GK104240729SQ201410244285
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月4日 优先权日:2013年6月20日
【发明者】哲也 神边, 和也 丹羽, 雄二 村上, 磊 张 申请人:昭和电工株式会社