技术特征：
1.一种存储器设备偏置电路，包括：耦合以从电源接收具有适于在活跃模式中操作存储器设备的电源电压电平的电源电压的半导体器件对，并且该半导体器件对能操作用于向所述存储器设备提供可调节偏置电压，所述可调节偏置电压大于用于在数据保留模式中操作所述存储器设备的最小电压电平，所述半导体器件对包括：第一半导体器件；以及，第二半导体器件，其中所述第二半导体器件包括与所述第一半导体器件相反类型的半导体器件，从而所述半导体器件对包括N型半导体器件和P型半导体器件中的每一者；以及，偏置调节电路，耦合到所述第二半导体器件并且配置成基于所述电源电压调节所述第二半导体器件的操作。2.如权利要求1所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述偏置调节电路耦合到所述第二半导体器件的本体部分并且配置成向所述本体部分提供不同于所述第二半导体器件的漏极电压的偏置调节电压。3.如权利要求2所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述第一半导体器件包括PMOS器件，所述第二半导体包括NMOS器件，并且所述NMOS器件处，所述偏置调节电压低于所述漏极电压。4.如权利要求3所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述电源包括正电压轨和负电压轨，并且提供给所述NMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节电压包括范围从所述负电压轨到所述可调节偏置电压的调节电压。5.如权利要求2所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述第一半导体器件包括NMOS器件，所述第二半导体包括PMOS器件，并且所述PMOS器件处，所述偏置调节电压高于所述漏极电压。6.如权利要求5所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述PMOS器件遭受到井邻近效应，并且所述偏置调节电路配置成调节所述偏置调节电压以降低这些效应。7.如权利要求5所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述电源包括正电压轨和负电压轨，并且提供给所述PMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节电压包括范围从所述可调节偏置电压到所述正电压轨的调节电压。8.如权利要求2所述的存储器设备偏置电路，其特征在于，所述偏置调节电路配置成调节所述偏置调节电压以降低所述第二半导体器件的阈值电压。9.一种用于半导体器件中的电流漏泄降低的方法，包括：切换包括半导体器件对且耦合到存储器设备的电路，以用第一电压电平向所述存储器设备提供来自电源的电源电压，同时将该半导体器件对旁路；使用偏置调节信号调节所述半导体对中的所选半导体器件的操作参数；以及，基于所述偏置调节信号降低由所述电源通过所述半导体器件对向所述存储器设备提供的所述电源电压的电平，以达到第二电压电平，所述第二电压电平大于供所述存储器设备在数据保留模式中操作的最小电压电平，其中所述第二电压电平低于所述第一电压电平。10.如权利利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一电压电平包括供所述存储器设备在活跃模式中操作的第一电压净空，并且所述第二电压电平包括低于所述第一电压净空的第二电压净空，其中所述第二电压净空允许所述存储器设备维持存储在所述存储器设备中的信息。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述存储器设备包括存储器核心，并且所选半导体器件包括P型半导体器件或N型半导体器件中的一者，以及所述偏置调节信号配置成调节所选半导体器件的操作参数以匹配所述存储器核心中所有类似类型的半导体器件的平均操作参数。12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所选半导体器件的操作参数的所述调节包括向所选半导体器件的本体部分提供所述偏置调节信号以降低所选半导体器件的阈值电压。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述半导体对的所选半导体器件包括NMOS器件，所述电源包括正电压轨和负电压轨，以及提供给所述NMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节信号包括范围从所述负电压轨到所述可调节偏置电压的调节电压。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述半导体对的所选半导体器件包括PMOS器件，所述电源包括正电压轨和负电压轨，并且提供给所述PMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节信号包括范围从所述可调节偏置电压到所述正电压轨的调节电压。15.一种用于半导体器件中的电流漏泄降低的装备，包括：配置成耦合到存储器设备以用第一电压电平和第二电压电平向所述存储器设备提供来自电源的电源电压的电路，所述第一电压电平允许所述存储器设备在活跃模式中操作，所述第二电压电平允许所述存储器设备在非活跃模式中操作，所述电路包括半导体器件对，通过该半导体器件对，来自所述电源的所述电源电压被以所述第二电平提供给所述存储器设备；以及用于基于所述电源电压调节所述半导体对中的所选半导体器件的操作参数的装置，从而所述第二电压电平逼近供所述存储器设备在数据保留模式中操作的最小电压电平。16.如权利要求15所述的装备，其特征在于，所述第一电压电平包括供所述存储器设备在活跃模式中操作的第一电压净空，并且所述第二电压电平包括低于所述第一电压净空的、供所述存储器设备维持存储在所述存储器设备中的信息的第二电压净空。17.如权利要求15所述的装备，其特征在于，所述存储器设备包括存储器核心，并且所选半导体器件包括P型半导体器件或N型半导体器件中的一者，以及所述用于调节所选半导体器件的操作参数的装置包括用于提供偏置调节信号以调节所选半导体器件的操作参数以匹配所述存储器核心中的所有类似类型的半导体器件的平均操作参数的装置。18.如权利要求15所述的装备，其特征在于，所述用于调节所述操作参数的装置包括用于向所选半导体器件的主体部分提供偏置调节信号以降低所选半导体器件的阈值电压的装置。19.如权利要求18所述的装备，其特征在于，所述半导体对的所选半导体器件包括NMOS器件，所述电源包括正电压轨和负电压轨，以及提供给所述NMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节信号包括范围从所述负电压轨到所述第二电压电平的调节电压。20.如权利要求18所述的装备，其特征在于，所述半导体对的所选半导体器件包括PMOS器件，所述电源包括正电压轨和负电压轨，以及提供给所述PMOS器件的所述本体部分的所述偏置调节信号包括范围从所述第二电压电平到所述正电压轨的调节电压。