一种用于电容耦合噪声调节的方法与流程

文档序号:16394946发布日期:2018-12-25 19:42阅读:282来源:国知局
一种用于电容耦合噪声调节的方法与流程

本发明涉及从非易失性存储器中读取、用于实现闪速存储器中的电容耦合参数估计的方法和/或设备,具体涉及一种用于电容耦合噪声调节的方法。



背景技术:

电容耦合噪声(即小区间干扰)导致闪存程序操作中的干扰,随着闪速存储器在几何尺寸上的缩小,电容耦合噪声变得更严重,用于读取闪存的检测器通常被设计成减轻电容耦合噪声,现有的检测器设计是基于合成电容耦合噪声模型,然而,来自不同制造商的各种闪存之间的实际电容耦合噪声的差异为基于合成的检测器设计创造了问题。

技术方案

本发明主要解决的技术问题是提供一种用于电容耦合噪声调节的方法,其特征在于,包括:在与小区间干扰相关的多个情况中的每一个中确定存储器的多个存储单元中的多个平均电压;响应于平均电压产生多个中间状态平均电压;以及基于中间状态平均电压调整用于从存储器读取的一个或多个阈值电压,以独立于存储器单元中的中间状态分布的知识而操作。

可选的,还包括:响应于所述平均电压估计多个耦合参数,其中所述阈值电压的调整还基于所述耦合参数,以及耦合参数包括多个被扰动的存储器单元和与存储器中的被扰动的存储器单元相邻的多个相邻的存储器单元之间的一个或多个耦合。

可选的,其中在一个或多个条件下确定耦合参数,存储器是离线的,并且估计耦合参数,并且存储器是在线的并且耦合参数被多次更新。

可选的,其中,存储器是被配置为在每个存储单元中存储至少两个位的闪速存储器,其中一个耦合参数表示扰动存储器单元和相邻存储单元之间的水平电容耦合,另一个耦合参数是垂直电容,扰动存储器单元与相邻存储单元之间的耦合。

本发明的有益效果是:

本发明的一种用于电容耦合噪声调节的方法,能够避免电容耦合噪声的干扰。

附图说明

图1是设备的框图。

实施例

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参照图1,示出了设备90的示例实现的框图,设备90包括一个块(或电路)92和一个块(或电路)100,电路100一般包括一个块(或电路)102和一个块(或电路)104,电路92到104可以表示模块和/或块,这些模块和/或块可以实现为硬件、软件、硬件和软件的组合或其他实现。在电路100和电路92之间交换一个或多个信号,非易失性存储器输入/输出信号通常包括但不限于用于访问电路92中的数据的物理地址组件、控制电路92的存储器命令组件(例如,读或写命令)、携带错误的写入码字组件,从电路100写入到电路92的编码和循环冗余校验写码字和携带从电路92读取到电路100的纠错编码码字的读码字分量。在电路102和电路104之间交换一个或多个信号cnt,信号cnt通常控制电路102以执行对电路92的读出和写入操作,信号cnt包括参考电压控制组件,其在读取期间调节电路92所使用的电压,还包括识别存储在电路92的存储单元中的实际电压的测量电压分量,电路92实现一个或多个非易失性存储器电路(或器件)。根据各种实施例,电路92包括一个或多个非易失性半导体器件,通常可操作以将数据存储在非易失性条件下,当从电路92读取数据时,电路92访问由信号中的地址(例如,物理地址)识别的一组数据(例如,多个比特),地址通常跨越电路92的物理地址范围。在一些实施例中,电路92被实现为多级单元类型电路,多级单元型电路能够存储每个存储单元,电路92被实现为单电平单元类型电路,单级单元类型电路通常存储每个存储器单元的单个位(例如逻辑0或1),在其他实施例中,电路92可以实现三电平单元型电路。所提供的示例基于每个单元类型设备的两个比特,并且可以应用于所有其他类型的非易失性存储器,电路92内的数据通常以单元的层次组织,块是最小的擦除量子位,码字(或读取单元或网页或ecc页)是最小的读取和纠错量子化,每个块包括整页的页数,每个页面包括整数码字。电路100示出了实现测试电路,电路100通常用于控制对电路92的读取和写入,在一些实施例中,数据是随机测试数据,电路100包括在从电路92接收的读取码字中测量每个比特的电压的能力。电路100还被配置为分析所测量的电压,以确定电路92的一个或多个电容耦合参数。电路100包括实现测试电路的一个或多个集成电路(或芯片或芯片)。在各种实施例中,电路100是在测试仪配置中实现的,测试仪配置用于表征电路92。在一些实施例中,电路100是在控制器配置中实现的,控制器配置用于正常操作以响应于从一个或多个主机计算机接收的命令来控制电路。在某些情况下,电路100可以在测试器配置和控制器配置中工作。电路102可操作以与电路92通信以读取和写入数据,电路102一般通过信号cnt由电路104控制,从电路92的存储单元读取的存储电压由电路102数字化,并通过信号cnt报告回电路104,电路104通常用于响应于对单元的多次写入来确定存储单元中的平均电压。电路104还可用于创建包含所有情况下的平均电压的方程组,并通过求解方程组来生成一个或多个参数,参数通常包括一个或多个在被害人(或扰动)单元和电路92中与被害人单元相邻的多个侵扰(或邻近)单元之间的耦合。

以上实施例的先后顺序仅为便于描述,不代表实施例的优劣。

最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种用于电容耦合噪声调节的方法,包括在与小区间干扰相关的多个情况中的每一个中确定存储器的多个存储器单元中的多个平均电压,响应于均值产生多个中间状态平均电压,基于中间状态平均电压调整用于从存储器读取的一个或多个阈值电压,以独立于存储器单元中的中间状态分布的知识而操作。本发明能够避免电容耦合噪声的干扰。

技术研发人员:胡罗君
受保护的技术使用者:江阴市高达输送机械科技有限公司
技术研发日:2018.08.16
技术公布日:2018.12.25
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