技术特征：
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关器件以及连接到所述开关器件并具有相变材料的信息存储器件，所述多个存储器单元连接到多条字线和多条位线；解码器电路，被配置为响应于地址将所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为将编程电流施加到所述被选存储器单元以执行编程操作，并且检测所述被选存储器单元的电阻以调整所述编程电流的幅值。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程电路将偏置电流施加到连接到所述被选存储器单元的被选字线，并且产生与所述偏置电流对应的初始编程电流。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程电路产生根据检测的所述电阻缩放的附加编程电流，其中，所述编程电流是所述初始编程电流与所述附加编程电流之和。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程电路包括：调压器，被配置为将用于补偿所述被选存储器单元的位置的采样电压供应到连接于所述被选存储器单元的被选位线；采样电路，被配置为检测通过所述采样电压流过所述被选存储器单元的采样电流并且产生与所述采样电流对应的附加编程电流；以及偏置电流电路，被配置为将偏置电流施加到连接于所述被选存储器单元的被选字线并且产生与所述偏置电流对应的初始编程电流。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在针对所述被选存储器单元的所述编程操作中，所述编程电流是所述初始编程电流与所述附加编程电流之和。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述采样电压是基于所述被选存储器单元与所述解码器电路之间的距离确定的。7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述采样电压的幅值是根据所述被选存储器单元的所述位置确定的。8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述附加编程电流是根据检测的所述电阻缩放的电流。9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述附加编程电流的幅值比用于维持所述被选存储器单元的导通状态的最小电流高。10.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述采样电路包括：电容器，利用所述采样电流进行充电；以及以二极管形式连接的nmos晶体管，被配置为将所述电容器与所述采样电流流过的所述被选字线连接。11.一种存储器装置，所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括设置在多条字线与多条位线彼此相交的位置处的多个存储器单元；解码器电路，被配置为响应于地址将所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为在针对所述被选存储器单元的编程操作中，在采样时段期间产生
幅值随着所述被选存储器单元的电阻增大而减小的采样电流，并且在编程时段期间基于所述采样电流产生编程电流。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述编程电路在所述采样时段的第一时段期间将用于补偿所述被选存储器单元的位置的采样电压供应到连接于所述被选存储器单元的被选字线。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述编程电路在所述采样时段的第二时段期间在所述被选存储器单元的相对端供应比所述被选存储器单元的阈值电压高的第一电压。14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述采样电压比所述第一电压低。15.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，在所述编程时段期间，在所述被选存储器单元两端供应第二电压。16.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：使连接到被选字线和被选位线的被选存储器单元导通；检测所述被选存储器单元的电阻；将偏置电流输入到连接于所述被选存储器单元的所述被选字线，并且产生与所述偏置电流对应的初始编程电流；产生附加编程电流，所述附加编程电流的幅值随着检测的所述电阻增大而减小；以及使用所述初始编程电流和所述附加编程电流对所述被选存储器单元进行编程。17.根据权利要求16所述的方法，其中，检测所述被选存储器单元的所述电阻的步骤包括：将用于补偿所述被选存储器单元的位置的采样电压供应到连接于所述被选存储器单元的所述被选字线；以及当所述采样电压被供应到所述被选存储器单元时，利用流过所述被选存储器单元的采样电流对电容器充电。18.根据权利要求17所述的方法，其中，产生所述附加编程电流的步骤包括对充电的所述电容器进行放电。19.根据权利要求16所述的方法，其中，对所述被选存储器单元进行编程的步骤包括：将最终编程电流供应到所述被选存储器单元，所述最终编程电流是所述初始编程电流与所述附加编程电流之和。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述最终编程电流的幅值随着所述被选存储器单元的所述电阻增大而减小。