技术特征：
1.一种存储器控制器，包括：接口，与存储器装置通信，所述存储器装置包括多个存储器芯片，每个存储器芯片包括多个存储器位置；最佳读取电压重试控制器，生成与针对所述存储器装置的多个读取操作之中的读取操作已经失败的存储器位置的物理地址相对应的第一最佳读取电压；以及读取失败控制器，与所述最佳读取电压重试控制器和所述接口通信，并且控制所述存储器装置以使用来自所述最佳读取电压重试控制器的所述第一最佳读取电压对另一存储器位置执行最佳读取电压重试操作，其中响应于从主机提供的相同读取请求而执行所述多个读取操作。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中根据使用所述第一最佳读取电压的读取操作已经失败的存储器位置的物理地址与所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址是否相同，所述读取失败控制器确定将应用于所述最佳读取电压重试操作已经失败的存储器位置的读取操作的恢复算法。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述读取失败控制器控制所述存储器装置，对物理地址与所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址相同的读取操作执行软解码。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述读取失败控制器生成与至少一个存储器位置的物理地址相对应的第二最佳读取电压，所述至少一个存储器位置的物理地址不同于所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址。5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述读取失败控制器使用所述第二最佳读取电压对存储器位置的物理地址执行读取操作，所述存储器位置的物理地址不同于所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址。6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述最佳读取电压重试控制器包括最佳读取电压计算器，所述最佳读取电压计算器通过在与所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址相对应的存储器单元的阈值电压分布中，使用高斯建模来计算所述第一最佳读取电压。7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述最佳读取电压重试控制器包括最佳读取电压存储设备，所述最佳读取电压存储设备存储所述第一最佳读取电压以及所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址。8.根据权利要求1所述的存储器控制器，进一步包括：错误校正组件，对通过使用所述第一最佳读取电压的读取操作而获得的读取数据执行错误校正解码。9.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述存储器位置的物理地址包括映射到所述多个存储器芯片中的任意一个的芯片地址。10.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述存储器位置的物理地址包括映射到所述多个平面中的任意一个的平面地址。11.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述多个平面是由所述存储器控制器独立控制以同时执行不同操作的存储器位置。12.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述恢复算法包括读取重试操作、最佳
读取电压重试操作、软解码操作和芯片猎杀恢复操作。13.一种数据存储装置，包括：多个存储器芯片，每个存储器芯片包括多个平面；以及存储器控制器，执行恢复算法，所述恢复算法恢复与对所述多个存储器芯片执行的读取操作之中失败的读取操作相对应的数据，其中所述存储器控制器使用与所述失败的读取操作之中所选择的读取操作有关的地址来生成将在第一恢复算法中使用的读取电压，并且使用所述读取电压对与所述失败的读取操作相关联的存储器位置执行所述第一恢复算法。14.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中所述存储器控制器对存储器位置的地址执行第二恢复算法，所述存储器位置的地址和与通过所述第一恢复算法恢复数据失败的读取操作之中所选择的读取操作有关的地址相同。15.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中所述存储器控制器再次对存储器位置的地址执行所述第一恢复算法，所述存储器位置的地址不同于与通过所述第一恢复算法恢复数据失败的读取操作之中所选择的读取操作有关的地址。16.根据权利要求14所述的数据存储装置，其中执行所述第二恢复算法所花费的时间长于执行所述第一恢复算法所花费的时间。17.根据权利要求14所述的数据存储装置，其中所述第二恢复算法的计算量大于所述第一恢复算法的计算量。18.一种操作数据存储装置的方法，所述数据存储装置包括多个存储器芯片，所述方法包括：生成与读取所述多个存储器芯片中存储的数据的多个读取操作之中的读取操作已经失败的存储器位置的物理地址相对应的最佳读取电压；并且使用所述最佳读取电压来执行所述多个读取操作，其中所述多个读取操作是响应于从主机提供的相同读取请求而执行的读取操作。19.根据权利要求18所述的方法，其中生成所述最佳读取电压包括：在与所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址相对应的存储器单元的阈值电压分布中，使用高斯建模来计算所述最佳读取电压；并且存储所述最佳读取电压以及所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址。20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：根据使用所述最佳读取电压的读取操作已经失败的存储器位置的物理地址与所述读取操作已经失败的所述存储器位置的物理地址是否相同，确定将应用于使用所述最佳读取电压的读取操作已经失败的存储器位置的读取操作的恢复算法。
技术总结
本公开涉及一种具有减少的开销的数据存储装置，根据所公开技术的实施例的数据存储装置可以包括：多个存储器芯片，每个存储器芯片包括多个平面；以及存储器控制器，被配置为执行恢复算法，该恢复算法恢复对与多个存储器芯片执行的读取操作之中失败的读取操作相对应的数据，并且存储器控制器可以使用与失败的读取操作之中所选择的读取操作有关的地址来生成将在第一恢复算法中使用的读取电压，并且使用该读取电压来对与失败的读取操作相关联的存储器位置执行第一恢复算法。存储器位置执行第一恢复算法。存储器位置执行第一恢复算法。
技术研发人员：吴玉均
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2020.10.12
技术公布日：2021/9/16