非易失性存储器的制作方法

本发明涉及非易失性存储器。

背景技术：

1、利用热载流子注入到晶体管中的非易失性存储器是已知的。这种类型的非易失性存储器包括在其初始状态下具有配对特性第一和第二晶体管(m1和m2；未示出)作为存储器元件，并且热载流子仅注入到那些晶体管中的一个晶体管中以改变其特性。在此后的读取操作中，基于当向第一晶体管和第二晶体管供给公共栅极电压(读取电压)时观察到的第一晶体管和第二晶体管的漏极电流之间的大小关系，读出是对应于“0”的数据还是对应于“1”的数据存储在其中。例如，第一晶体管的漏极电流更低的状态(第一晶体管的特性已经改变的状态)对应于存储数据“0”的状态，并且第二晶体管的漏极电流更低的状态(第二晶体管的特性已经改变的状态)对应于存储数据“1”的状态。

2、注意，在上述非易失性存储器中，在初始状态下存储的数据(存储值)是不确定的。为了避免在初始状态下存储的数据中的不确定，一些已知的非易失性存储器被配置为使得更高的电流在初始状态下经过第二晶体管。在这种类型的非易失性存储器中，初始状态下存储的数据可以固定为“0”，并且可以通过热载流子注入到第二晶体管中而将它变为“1”。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开第2011-103158号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、顺便提及，非易失性存储器中的存储器元件(m1、m2)具有相对高的栅极阈值电压。为了在读取操作中生成可靠地高于栅极阈值电压的栅极电压(读取电压)，使用电荷泵被认为是有利的。在这种情况下，从电路尺寸减小等的角度来看，优选的是形成具有简单配置的电荷泵；然而，这样做使得难以将准确的读取电压供给到存储器元件(m1、m2)的栅极。

3、在存储器元件(m1、m2)中，栅极-源极电压与漏极电流的关系随着元件间变化和温度变化而极大地变化。因此，即使读取电压恒定，读取操作中的存储器元件(m1、m2)中的漏极电流也以不同的方式变化。如果读取电压变化，读取操作中的存储器元件(m1、m2)中的漏极电流变化甚至更大。

4、另一方面，读取操作中的存储器元件(m1、m2)中的过高漏极电流导致增加的功率消耗。从功率节省的角度来看，优选的是减小读取操作中的漏极电流。然而，其中的过低漏极电流使得难以在有限的时间内读取所存储的数据。因此，在读取操作中，优选的是使不依赖于元件间变化或温度变化(即，限制漏极电流的大小的变化范围)的足够大小的漏极电流经过存储器元件。如果满足该要求(如果可以优化读取操作中的存储器元件中的漏极电流)，则实现功率节省。此外，如果读取操作中的存储器元件(m1、m2)中的漏极电流极大地变化，则需要在考虑到所设计的漏极电流的最大值的情况下配置其外围的电路(例如，作为电流源的电路和电流路径上的开关)，并且这增加了外围电路的尺寸。这里，限制漏极电流的大小的变化范围允许外围电路的尺寸减小。此外，如果在读取操作中存储器元件(m1、m2)中的漏极电流极大地变化，则这不利地影响非易失性存储器的特性。这里，期望限制漏极电流的大小的变化范围(理想地使其恒定)以改善非易失性存储器的特性。

5、本发明的目的是提供一种有助于在读取操作中优化存储器元件(晶体管)中的漏极电流的非易失性存储器。

6、用于解决课题的手段

7、根据本文所公开的内容的一个方面，一种非易失性存储器包括：存储器单元，所述存储器单元具有第一晶体管和第二晶体管；驱动电路，所述驱动电路被配置为将读取电压供给到所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极；以及信号输出电路，所述信号输出电路被配置为在供给所述读取电压的读取操作中，基于所述第一晶体管和所述第二晶体管中的漏极电流，输出与第一值相关联的信号或与第二值相关联的信号。所述驱动电路包括：升压电路，所述升压电路被配置为通过对预定基准电压进行升压而在升压线上生成升压电压；以及调整电路，所述调整电路被配置为通过从所述升压线汲取与所述升压电压相对应的调整电流来调整所述升压电压。所述驱动电路被配置为在所述读取操作中将经调整的升压电压作为所述读取电压供给到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极。

8、发明的效果

9、根据本公开，可以提供一种有助于在读取操作中优化存储器元件(晶体管)中的漏极电流的非易失性存储器。

技术特征：

1.一种非易失性存储器，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其中

6.根据权利要求2至5中任一项所述的非易失性存储器，其中

7.根据权利要求1至6中任一项所述的非易失性存储器，其中

8.根据权利要求1至7中任一项所述的非易失性存储器，其中

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中

11.一种非易失性存储器，包括：

技术总结
一种存储器单元具有第一晶体管和第二晶体管。驱动电路包括升压电路和调整电路，所述升压电路被配置为通过对预定基准电压进行升压而在升压线上生成升压电压，所述调整电路被配置为通过从所述升压线汲取与所述升压电压相对应的调整电流来调整所述升压电压。所述驱动电路将经调整的升压电压作为读取电压供给到所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极。在供给所述读取电压的读取操作中，信号输出电路基于所述第一晶体管和所述第二晶体管中的漏极电流，输出与第一值相关联的信号或与第二值相关联的信号。

技术研发人员：竹中省治
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13