存储器装置的制作方法

本发明是有关于一种存储器装置，特别是有关于一种具有自我刷新能力的存储器装置。

背景技术：

1、在动态随机存取存储器中，每一存储胞(memory cells)包括一个晶体管以及一个电容器来储存一个位的数据。由于电容器的周围存在各种漏电电流的路径，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。为了维持电容器所储存的电荷数量，即使存储器进入待机模式，仍需定期对电容器进行刷新操作。因此，存储器的待机电流无法有效地降低。

技术实现思路

1、本发明的一实施例提供一种存储器装置，其耦接一存储器控制器，并包括一存储单元以及一存取电路。存储单元包括多个存储胞。每一存储胞耦接一字线。存取电路耦接于存储器控制器与存储单元之间。在一正常模式下，当存储器控制器发出一自动刷新指令时，存取电路对至少一字线所耦接的存储胞进行一刷新操作。在一待机模式下，存取电路每隔一特定时间，选择字线的一者，并根据所选择的字线的保持数据能力，决定是否对所选择的字线所耦接的存储胞进行刷新操作。

2、在本实施例中，在正常模式下，存储器装置120于一刷新期间内对内部的所有存储胞进行刷新操作的次数均相同，并且在待机模式下，存储器装置120于相同的刷新期间内，对内部不同的存储胞进行刷新操作的次数并不相同。存储器装置120对数据保存能力较好的存储胞进行较少次的刷新操作，故可减少存储器装置120于待机模式下的功耗。

技术特征：

1.一种存储器装置，其特征在于，耦接一存储器控制器，该存储器装置包括：

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，在该待机模式下，当该多个字线中的一第一字线的保持数据能力高于该多个字线中的一第二字线的保持数据能力时，该存取电路于一刷新周期中，对该第一字线所耦接的存储胞进行该刷新操作的次数低于对该第二字线所耦接的存储胞进行该刷新操作的次数。

3.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，在该正常模式下，该存取电路于该刷新周期内，对该第一字线所耦接的存储胞进行该刷新操作的次数等于对该第二字线所耦接的存储胞进行该刷新操作的次数。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，在一第一测试期间，该存取电路存取该存储单元，用以取得该多个存储胞的保持数据能力，并编码该多个存储胞的保持数据能力，用以产生多个能力信息，每一能力信息代表一相对应字线的保持数据能力。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，该存取电路包括：

6.如权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，更包括：

7.如权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该非易失性存储器是为一次性可编程存储器。

8.如权利要求5所述的存储器装置，其特征在于，该控制逻辑电路包括：

9.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，在一第二测试期间，该存取电路存取该多个存储胞，用以得知每一字线的保持数据能力是否发生变化，当该多个字线的一特定字线的保持数据能力由一第一维持区间变化至一第二维持区间时，该存取电路更新该多个能力信息中的一特定信息，该特定信息代表该特定字线的保持数据能力。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，在该待机模式下，当该特定字线的保持数据能力位于该第一维持区间时，该存取电路在一更新周期中，对该特定字线所耦接的存储胞进行的刷新操作的次数等于一第一数值。

11.如权利要求10所述的存储器装置，其特征在于，在该待机模式下，当该特定字线的保持数据能力位于该第二维持区间时，该存取电路在该更新周期中，对该特定字线所耦接的存储胞进行的刷新操作的次数等于一第二数值，该第二数值大于该第一数值。

技术总结
本发明提供了一种存储器装置，其耦接一存储器控制器，存储器装置包括一存储单元以及一存取电路。存储单元包括多个存储胞。每一存储胞耦接一字线。存取电路配置于存储器控制器与存储单元之间，并与存储器控制器及存储单元耦接。在一正常模式下，当存储器控制器发出一自动刷新指令时，存取电路对至少一字线所耦接的存储胞进行一刷新操作。在一待机模式下，存取电路每隔一特定时间，选择字线的一者，并根据所选择的字线的保持数据能力，决定是否对所选择的字线所耦接的存储胞进行刷新操作。在本发明中，存储器对数据保存能力较好的存储胞进行较少次的刷新操作，故可减少存储器于待机模式下的功耗。

技术研发人员：赖志强
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14