存储器装置及其操作方法与流程

文档序号:35376301发布日期:2023-09-08 17:52阅读:40来源:国知局
存储器装置及其操作方法与流程

本发明有关于一种存储器装置及其操作方法。


背景技术:

1、于二维存储器装置中,通道与p阱之间有电性接触。所以,当施加负字线电压而p阱保持于0v时,通道电压也不会降至负电压。这是因为p阱可以持续地提供空穴以保持通道电压。

2、然而,三维存储器装置中,通道与p阱之间则没有电性接触。所以,于编程操作或读取操作时,随着字线电压降低,导致该通道处于浮接状态(没有导电路径至源极与位线),则通道电压可能有电容性耦合并下降至负电压。这将会导致编程状态字线与相邻字线(处于擦除状态)之间出现大电场,导致热电子模式干扰。

3、例如,以字线wl1与wl(n-1)(n为正整数且n>2)被编程至高阈值状态,而其余字线则处于擦除状态。随着高阈值状态字线wl1与wl(n-1)的电压下降,位于字线wl1与wl(n-1)之间的字线wl2~wl(n-2)将成为浮接状态。而且,在字线wl0与wl1之间出现大电场,在字线wln与wl(n-1)之间出现大电场。故而,对于字线wl0与wln将会受到热电子模式干扰(hot-electron mode disturbance),当读取周期越来越多时,受到热电子模式干扰的字线的阈值电压将越来越高,不利于存储器装置的操作与性能。

4、故而,如何避免三维存储器装置内的热电子模式干扰乃是努力方向之一。


技术实现思路

1、根据本发明一实例,提出一种存储器装置的操作方法,该存储器装置包括多个接地选择线、多个串选择线、多个冗余接地选择线与多个冗余串选择线,该存储器装置的操作方法包括:于一读取操作或一写入验证操作结束时,在一字线电压下降阶段,同步施加多个不同逐渐下降信号线参考电压至这些接地选择线与这些串选择线,其中,这些不同逐渐下降信号线参考电压的值有关于这些接地选择线与这些串选择线的多个信号线位置。

2、根据本发明又一实例,提出一种存储器装置,包括:多个存储器单元;多个接地选择线;多个冗余接地选择线;多个位线;多个串选择线;多个冗余串选择线;多个字线,耦接至这些存储器单元,这些存储器单元更耦接至这些位线;以及多个开关,耦接至这些接地选择线、这些冗余接地选择线、这些位线、这些串选择线与这些冗余串选择线;其中,于一读取操作或一写入验证操作结束时,在一字线电压下降阶段,同步施加多个不同逐渐下降信号线参考电压至这些接地选择线与这些串选择线,其中,这些不同逐渐下降信号线参考电压的值有关于这些接地选择线与这些串选择线的多个信号线位置。

3、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举实施例,并配合所附图式详细说明如下。



技术特征:

1.一种存储器装置的操作方法,该存储器装置包括多个接地选择线、多个串选择线、多个冗余接地选择线与多个冗余串选择线,其特征在于,该存储器装置的操作方法包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,还包括:

3.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,施加至这些接地选择线与这些串选择线的一外侧接地选择线与一外侧串选择线的一第一信号线参考电压高于施加至这些接地选择线与这些串选择线的一内侧接地选择线与一内侧串选择线的一第二信号线参考电压。

4.根据权利要求2所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,施加至这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线的一外侧冗余接地选择线与一外侧冗余串选择线的一第一冗余信号线参考电压高于施加至这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线的一冗余内侧接地选择线与一冗余内侧串选择线的一第二冗余信号线参考电压。

5.根据权利要求2所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,

6.一种存储器装置,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,于该读取操作或该写入验证操作结束时,在该字线电压下降阶段,同步施加多个不同逐渐下降冗余信号线参考电压至这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线,其中,这些不同逐渐下降冗余信号线参考电压的值有关于这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线的多个冗余信号线位置。

8.根据权利要求6所述的存储器装置,其特征在于,施加至这些接地选择线与这些串选择线的一外侧接地选择线与一外侧串选择线的一第一信号线参考电压高于施加至这些接地选择线与这些串选择线的一内侧接地选择线与一内侧串选择线的一第二信号线参考电压。

9.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,施加至这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线的一外侧冗余接地选择线与一外侧冗余串选择线的一第一冗余信号线参考电压高于施加至这些冗余接地选择线与这些冗余串选择线的一冗余内侧接地选择线与一冗余内侧串选择线的一第二冗余信号线参考电压。

10.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,


技术总结
本发明提供存储器装置与其操作方法。该存储器装置的操作方法包括:于一读取操作或一写入验证操作结束时,在一字线电压下降阶段,同步施加多个不同逐渐下降信号线参考电压至多个接地选择线与多个串选择线,其中,这些不同逐渐下降信号线参考电压的值有关于这些接地选择线与这些串选择线的多个信号线位置。

技术研发人员:吴冠纬,张耀文,杨怡箴
受保护的技术使用者:旺宏电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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