提供日志信息的半导体存储器设备和方法与流程

本发明构思总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及提供日志信息的半导体存储器设备和方法。

背景技术：

1、通常，可以使用各种测试台来测试半导体存储器设备(例如，动态随机存取存储器(dram))的电路系统，以检测和识别晶圆级和封装级二者的故障。然而，实际上不可能对每个半导体存储器设备进行100％的测试，因此即使在成功通过所有测试之后，某些半导体存储器设备也可能会错误地操作。

2、对于附接到印刷电路板(pcb)的半导体存储器设备，可能会发生与连接半导体存储器设备和pcb的引脚上的信号的转储结果相关联的某些类型的错误。转储结果可以通过(例如)连接到引脚的逻辑分析仪的探针来获得。

3、dram的测试可以扩展，以便dram可以应用于各种设备和系统，例如服务器系统、个人计算机(pc)、移动设备、汽车驾驶系统等。然而，安装dram的各种环境可能导致不同的工作负载，而且这可能导致无法使用当前测试方法合理预测和筛选的dram故障。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供表现出改进的测试和操作性能的半导体存储器设备，以及高效地提供与半导体存储器设备有关的日志信息的方法。

2、根据一些实施例，一种半导体存储器设备包括：存储器半导体管芯，其被连接到主机设备并且包括易失性存储器设备和存储器输入/输出焊盘，其中，易失性存储器设备响应于通过存储器输入/输出焊盘中的存储器控制焊盘在正常模式下从主机设备接收的命令和地址中的至少一个来执行正常操作；以及测试芯片，其包括非易失性存储器设备和分别连接到存储器输入/输出焊盘的测试输入/输出焊盘。在正常模式下，测试芯片被配置为将日志信息存储在非易失性存储器设备中，而在调试模式下，测试芯片被配置为从非易失性存储器设备中读取日志信息并通过测试输入/输出焊盘中的测试数据焊盘输出日志信息，并且日志信息包括与由半导体存储器设备从主机设备接收的命令和地址中的至少一个相对应的信息。

3、根据一些实施例，一种半导体存储器设备包括：存储器半导体管芯，其包括被配置为响应于从主机设备接收的命令和地址中的至少一个来执行正常操作的易失性存储器设备；以及测试芯片，其与存储器半导体管芯垂直堆叠并且包括非易失性存储器设备。测试芯片在正常模式下被配置为存储与由半导体存储器设备从主机设备接收的命令和地址中的至少一个相对应的日志信息，并且在调试模式下进一步被配置为从非易失性存储器设备中读取该日志信息。

4、根据一些实施例，一种提供日志信息的方法包括：在正常模式下，响应于从主机设备接收的命令和地址中的至少一个，由包括在存储器半导体管芯中的易失性存储器设备执行正常操作，并且将日志信息存储在包括在测试芯片中的非易失性存储器设备中，其中，日志信息对应于从主机设备接收的命令和地址中的至少一个；以及，在调试模式下，停止易失性存储器设备的正常操作；并且从非易失性存储器设备中读取日志信息。

技术特征：

1.一种半导体存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述存储器半导体管芯和所述测试芯片垂直堆叠并封装为单个半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，在所述正常模式下，所述测试芯片进一步被配置为独立于所述易失性存储器设备执行所述正常操作而存储所述日志信息。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，在所述调试模式下，所述易失性存储器设备响应于命令和地址中的所述至少一个而停止所述正常操作，并且所述测试芯片进一步被配置为从所述非易失性存储器设备中读取所述日志信息并通过所述测试数据焊盘提供所述日志信息。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述易失性存储器设备包括模式寄存器，所述模式寄存器被配置为存储控制所述易失性存储器设备的操作的控制值，并且

6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步包括缓冲存储器，所述缓冲存储器被配置为临时存储所述日志信息。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器设备，其中，所述缓冲存储器进一步被配置为根据页单元将所述日志信息传送到所述非易失性存储器设备，并且

8.根据权利要求6所述的半导体存储器设备，其中，当在所述正常模式下所述半导体存储器设备断电时，所述缓冲存储器进一步被配置为将存储在所述缓冲存储器中的剩余日志信息传送到所述非易失性存储器设备，并且

9.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步包括纠错码(ecc)引擎，所述ecc引擎被配置为对所述日志信息进行编码，将编码的日志信息存储在所述非易失性存储器设备中，并对从所述非易失性存储器设备中读取的所述编码的日志信息进行解码。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步包括被配置为提供时间信息的定时器，并且

11.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为生成映射表，所述映射表包括所述主机设备的逻辑地址和所述非易失性存储器设备的物理地址之间的映射关系。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为响应于命令和地址中的所述至少一个中的每个读取命令和每个写入命令，根据所述映射表将对应的物理地址提供给所述非易失性存储器设备。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为在关于所述映射表确定所述非易失性存储器设备的存储空间不足以存储附加的日志信息时停止存储所述日志信息。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为在所述半导体存储器设备断电之前将所述映射表存储在所述非易失性存储器设备中，并在所述半导体存储器设备上电时从所述非易失性存储器设备中读取所述映射表。

15.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为响应于在所述调试模式下从所述主机设备传送的复位命令，通过对所述非易失性存储器设备执行擦除操作来初始化所述非易失性存储器设备。

16.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试数据焊盘分别连接到所述存储器输入/输出焊盘中的存储器数据焊盘，并且所述测试芯片进一步被配置为存储在所述正常模式下通过所述测试数据焊盘接收的数据中的至少一部分作为所述日志信息的一部分。

17.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述易失性存储器设备被配置为在所述正常模式下激活所述存储器输入/输出焊盘中的所述存储器控制焊盘和存储器数据焊盘，并且在所述调试模式下激活所述存储器控制焊盘并去激活所述存储器数据焊盘。

18.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述测试芯片进一步被配置为在所述正常模式下激活所述测试输入/输出焊盘中的测试控制焊盘并去激活所述测试数据焊盘，并且在所述调试模式下激活所述测试控制焊盘和所述测试数据焊盘。

19.一种半导体存储器设备，包括：

20.一种提供日志信息的方法，所述方法包括：

技术总结
一种半导体存储器设备，包括：存储器半导体管芯，其包括被配置为响应于从主机设备接收的命令和地址中的至少一个而执行正常操作的易失性存储器设备；以及与存储器半导体管芯垂直堆叠并且包括非易失性存储器设备的测试芯片。该测试芯片在正常模式下被配置为存储与由半导体存储器设备从主机设备接收到的命令和地址中的至少一个相对应的日志信息，并且在调试模式下进一步被配置为从非易失性存储器设备中读取该日志信息。

技术研发人员：吴宝瑛,金光贤
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13