电压生成电路以及半导体存储装置的制作方法

实施方式涉及电压生成电路以及半导体存储装置。

背景技术：

1、作为包括非易失性地存储数据的存储单元的半导体存储装置，已知有nand闪存。在半导体存储装置中，通过电压生成电路对与存储单元连接的各种布线供给电压。

技术实现思路

1、实施方式提供能够抑制面积的增加以及消耗电流量的增加并且抑制输出电压的波动的大小的增大的电压生成电路以及具备该电压生成电路的半导体存储装置。

2、实施方式的电压生成电路具备：多个电荷泵，各自与第一节点连接；以及控制电路，基于上述述第一节点的电压满足条件的期间，对上述述多个电荷泵中的设为有效的电荷泵的数量进行控制。

技术特征：

1.一种电压生成电路，具备：

2.根据权利要求1所述的电压生成电路，

3.根据权利要求2所述的电压生成电路，

4.根据权利要求3所述的电压生成电路，

5.根据权利要求3所述的电压生成电路，

6.根据权利要求5所述的电压生成电路，

7.根据权利要求6所述的电压生成电路，

8.根据权利要求6所述的电压生成电路，

9.根据权利要求8所述的电压生成电路，

10.根据权利要求9所述的电压生成电路，

11.根据权利要求1所述的电压生成电路，

12.根据权利要求11所述的电压生成电路，

13.一种半导体存储装置，具备：

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，

技术总结
实施方式提供能够抑制面积的增加以及消耗电流量的增加并且抑制输出电压的波动的大小的增大的电压生成电路以及具备该电压生成电路的半导体存储装置。实施方式的电压生成电路具备：多个电荷泵，各自与第一节点连接；以及控制电路，基于上述第一节点的电压满足条件的期间，对上述多个电荷泵中的设为有效的电荷泵的数量进行控制。

技术研发人员：藤本巧
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15