控制相邻字线的浮置状态的半导体存储器件及其操作方法与流程

本文描述的本公开的实施例涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种能够控制相邻字线的浮置状态的半导体存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器件可以分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件具有高读取和写入速度。然而，易失性存储器件在没有电力的情况下可能无法保留其存储的数据。另一方面，即使在没有电力的情况下，非易失性存储器件也可以保留其存储的数据。因此，非易失性存储器件可以用于在倾向于断电的设备中保留数据。

2、非易失性存储器件的典型示例是闪存。闪存以块为单位擦除数据并在字节级别重写数据。闪存广泛应用于诸如计算机和智能电话的用户终端以及诸如通用串行总线(usb)和存储卡的存储介质中。闪存可以在一个存储单元中存储一个或多个多位数据。存储多位数据的闪存要求选定读取电压的电压电平对应于多个编程状态。

3、闪存可以在改变读取电压电平的中间具有预加重时段以快速改变选定读取电压的电平。对于每个预加重时段，闪存需要不同的预加重电压电平。因此，闪存可能需要大量的e熔丝来设置预加重电压电平。由此，闪存的芯片尺寸可能会增加。此外，在闪存中，由于e熔丝电路的复杂性，在晶片制造之后的后处理时间可能会增加。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种半导体存储器件，包括：第一存储单元和第二存储单元，存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；以及第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻；其中，施加用于读取存储在第一存储单元中的数据的第一字线电压的时段包括：第一时段，在其中施加第一电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；第二时段，具有低于第一电压电平的第二电压电平；以及第三时段，在其中施加高于第二电压电平的第三电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，在第二时段中，第二字线处于浮置状态。

2、本公开的实施例提供了一种半导体存储器件，包括：第一存储单元和第二存储单元，用于存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻；电压发生器，用于产生提供给第二字线的第二字线电压；以及字线连接电路，连接在电压发生器和第二字线之间；其中，施加用于读取存储在第一存储单元中的数据的第一字线电压的时段包括：第一时段，在其中施加第一电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；第二时段，具有低于第一电压电平的第二电压电平；以及第三时段，在其中施加高于第二电压电平的第三电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，提供给第二字线的第二字线电压在第二时段中被切断。

3、本公开的实施例提供了一种操作半导体存储器件的方法，该半导体存储器件包括：第一存储单元和第二存储单元，用于存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；以及第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻，该方法包括：向第一字线施加第一电压，以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；施加低于第一电压的第二电压；以及向第一字线施加高于第二电压的第三电压，以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，当施加第二电压时，第二字线处于浮置状态。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，

6.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：

7.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

11.一种半导体存储器件，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

14.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

15.根据权利要求14所述的半导体存储器件，

16.根据权利要求15所述的半导体存储器件，

17.根据权利要求16所述的半导体存储器件，

18.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

19.一种操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括：第一存储单元和第二存储单元，用于存储多位数据；第一字线，耦接到所述第一存储单元；以及第二字线，连接到所述第二存储单元并且与所述第一字线相邻，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述方法还包括：

技术总结
一种半导体存储器件，包括：第一存储单元和第二存储单元，存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；以及第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻；其中，施加用于读取存储在第一存储单元中的数据的第一字线电压的时段包括：第一时段，在其中施加第一电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；第二时段，具有低于第一电压电平的第二电压电平；以及第三时段，在其中施加高于第二电压电平的第三电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，在第二时段中，第二字线处于浮置状态。

技术研发人员：朴贤国,崔萨拉
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12