存储器接口电压和温度（VT）漂移的补偿方法与流程

背景技术：

1、现代动态随机存取存储器(dram)通过增加连接dram和诸如图形处理单元(gpu)、中央处理单元(cpu)等一个或多个数据处理器的总线上的数据传输速度来提供高存储器带宽。在一个示例中，图形双数据速率(gddr)存储器已突破了数据传输速率的界限，以适应图形应用所需的高带宽。为了确保正确接收数据，现代gddr存储器在操作前需要进行大量训练，以确保接收电路能够正确地捕获数据。然而，随着时间的推移，gddr数据传输系统会经历电压和温度(vt)漂移，这会导致延迟的最优点改变，使得必须定期执行再训练，这就会导致系统在执行再训练时不得不暂停操作。

技术实现思路

技术特征：

1.一种数据处理系统，所述数据处理系统包括耦接至存储器的数据处理器，所述数据处理器包括：

2.根据权利要求1所述的数据处理系统，其中所述补偿电路还根据提供给所述存储器的写入时钟信号与从所述存储器接收的读取时钟信号之间的时序漂移计算所述第一量和所述第二量的所述漂移。

3.根据权利要求1所述的数据处理系统，其中所述校准电路包括：

4.根据权利要求1所述的数据处理系统，其中所述存储器包括：

5.根据权利要求1所述的数据处理系统，其中所述存储器包括：

6.根据权利要求5所述的数据处理系统，其中所述预定操作包括刷新操作。

7.根据权利要求1所述的数据处理系统，其中：

8.一种适于耦接至存储器的数据处理器，所述数据处理器包括：

9.根据权利要求8所述的数据处理器，其中所述补偿电路还根据提供给所述存储器的写入时钟信号与从所述存储器接收的读取时钟信号之间的时序漂移计算所述第一量和所述第二量的所述漂移。

10.根据权利要求8所述的数据处理器，其中所述校准电路包括：

11.根据权利要求8所述的数据处理器，其中所述补偿电路适于从所述存储器的至少一个模式寄存器读取所述至少一个电压灵敏度系数和所述至少一个温度灵敏度系数。

12.根据权利要求8所述的数据处理器，其中：

13.一种使数据处理器无需执行链路再训练就可更新用于访问存储器的时序值以补偿操作期间的电压和温度(vt)漂移的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

16.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

17.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

18.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在所述预定操作期间向所述数据处理器提供所述温度包括：

20.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

技术总结
数据处理系统包括耦接至存储器的数据处理器。该数据处理器包括：参考时钟生成电路，该参考时钟生成电路用于提供参考时钟信号；第一延迟电路，该第一延迟电路用于将该参考时钟信号延迟第一量以提供命令信号和地址信号；第二延迟电路，该第二延迟电路用于将该参考时钟信号延迟第二量以提供读取数据信号；校准电路，该校准电路用于确定该第一量和该第二量的当前值；以及补偿电路，该补偿电路用于根据测得的温度变化、至少一个电压灵敏度系数和至少一个温度灵敏度系数计算该第一量和该第二量的漂移并根据该漂移更新该第一量和该第二量。

技术研发人员：亚伦·D·威利,卡西克·戈帕拉克里希南,普拉迪普·贾亚拉曼
受保护的技术使用者：超威半导体公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/18