操作记忆体的方法与流程

本揭示内容是关于一种操作记忆体的方法。

背景技术：

1、半导体记忆体是用于电子应用的集成电路中，上述电子应用包括例如，无线电、电视、手机及个人计算装置。一种类型的半导体记忆体为相变随机存取记忆体(phase-changerandom access memory，pcram)，上述记忆体涉及在相变材料中储存值，上述相变材料诸如硫属化物材料。相变材料可在非晶相(其中相变材料具有高电阻率)与结晶相(其中相变材料具有低电阻率)之间切换以指示位元码。pcram单元通常包括在两个电极之间的相变材料(phase change material，pcm)元件。

技术实现思路

1、本揭示内容的一些实施例包含一种操作记忆体的方法包括跨记忆体单元施加第一电压脉冲，其中记忆体单元包括选择器，其中第一电压脉冲将选择器切换至导通状态；在施加第一电压脉冲之后，跨记忆体单元施加第二电压脉冲，其中在施加第二电压脉冲之前，选择器具有第一电压临界，其中在施加第二电压脉冲之后，选择器具有小于第一电压临界的第二电压临界；且在施加第二电压脉冲后，向记忆体单元施加第三电压脉冲，其中第三电压脉冲将选择器切换为导通状态；其中选择器在第一电压脉冲与第三电压脉冲之间持续保持关闭状态。

2、本揭示内容的一些实施例包含一种操作记忆体的方法包括在记忆体阵列上执行次临界应力过程，其中记忆体阵列的每一记忆体单元包括硫属化物选择器，其中执行次临界应力过程包括在记忆体阵列的第一字线与第一位元线之间施加第一电压，其中记忆体阵列的第一记忆体单元连接至第一字线和第一位元线，其中在次临界应力过程开始时，第一记忆体单元的硫属化物选择器具有第一临界电压，其中第一电压的幅度小于第一临界电压，其中在次临界应力过程结束时，第一记忆体单元的硫属化物选择器具有小于第一临界电压的第二临界电压。

3、本揭示内容的一些实施例包含一种操作记忆体的方法包括确定硫属化物选择器的目标临界电压；将第一电压脉冲施加至硫属化物选择器，其中第一电压脉冲的幅度小于目标临界电压的幅度；在施加第一电压脉冲后，向硫属化物选择器施加测试电压脉冲，其中测试电压脉冲的幅度至少为目标临界电压的幅度；确定测试电压脉冲是否成功地将硫属化物选择器切换至导通状态；并且基于确定将硫属化物选择器切换至导通状态，向硫属化物选择器施加第二电压脉冲，其中第二电压脉冲的持续时间长于第一电压脉冲的持续时间及/或第二电压脉冲的幅度大于第一电压脉冲的幅度。

技术特征：

1.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一电压脉冲及该第三电压脉冲具有一第一电压极性，且其中该第二电压脉冲具有与该第一电压极性相反的一第二电压极性。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二电压脉冲的一幅度小于该第一电压临界的一幅度且小于该第二电压临界的一幅度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：在施加该第一电压脉冲之后和施加该第二电压脉冲之前，施加一第四电压脉冲。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一电压脉冲与该第二电压脉冲之间的一持续时间大于一秒。

6.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含：

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，执行该次临界应力过程进一步包含：在该记忆体阵列的该第一字线和一第二位元线之间同时施加该第一电压，其中该记忆体阵列的一第二记忆体单元连接至该第一字线和该第二位元线。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包含：在执行该次临界应力过程之前，在该记忆体阵列的该第一字线与该第一位元线之间施加一第二电压，其中该第二电压大于该第一临界电压，其中该第二电压的一极性与该第一电压的一极性相反，其中在施加该第二电压与施加该第一电压之间的一时间内，于该第一字线与该第一位元线之间不施加电压。

9.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含：

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第二电压脉冲的该幅度小于该目标临界电压。

技术总结
一种操作记忆体的方法包括：跨记忆体单元施加第一电压脉冲，其中记忆体单元包含选择器，其中第一电压脉冲将选择器切换至导通状态；在施加第一电压脉冲之后，跨记忆体单元施加第二电压脉冲，其中在施加第二电压脉冲之前，选择器具有第一电压临界，其中在施加第二电压脉冲之后，选择器具有小于第一电压临界的第二电压临界；以及在施加第二电压脉冲之后，向记忆体单元施加第三电压脉冲，其中第三电压脉冲将选择器切换为导通状态；其中选择器在第一电压脉冲与第三电压脉冲之间持续保持关闭状态。

技术研发人员：安隼立,吴政宪,李亨元,鲍新宇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13