具有感测放大器的半导体装置的制作方法

本公开涉及具有感测放大器的半导体装置。

背景技术：

1、从存储器单元读取到位线的读取数据分别由半导体存储器装置(例如dram(动态随机存取存储器))中的相关联感测放大器放大。感测放大器响应于控制信号而激活。位线上的读取数据较弱。因此，如果耦合供应有控制信号的布线图案和位线，那么位线的电平由于控制信号的改变而波动，从而导致感测裕度的减小。因此，期望供应有控制信号的布线图案及位线经设计以便彼此不耦合。

技术实现思路

1、本公开的一方面涉及一种设备，其包括：第一位线，其在第一布线层中，所述第一位线耦合到第一感测放大器；第二位线，其在所述第一布线层中，所述第二位线耦合到第二感测放大器；第一导电图案，其在所述第一布线层中，所述第一导电图案经配置以接收第一控制信号以向所述第一感测放大器及所述第二感测放大器供应第一电压；及屏蔽导电图案，其在所述第一布线层中，所述屏蔽导电图案部分环绕所述第一导电图案，以从所述第一位线及所述第二位线电屏蔽所述第一导电图案。

2、本公开的另一方面涉及一种设备，其包括：第一布线层，其包含沿第一方向延伸的第一位线；第一感测放大器，其经配置以放大所述第一位线的电势；及第一晶体管，其经配置以当供应到所述第一晶体管的栅极电极的第一控制信号被激活时向所述第一感测放大器供应操作电压，其中所述第一布线层进一步包含耦合到所述第一晶体管的所述栅极电极的第一图案及具有沿垂直于所述第一方向的第二方向布置在所述第一位线与所述第一图案之间的第一部分的第二图案。

3、本公开的另一方面涉及一种设备，其包括：多个第一感测放大器，其沿第一方向布置在第一电路区上；多个第二感测放大器，其沿所述第一方向布置在第二电路区上；多个第一本地i/o线，其各自耦合到所述第一感测放大器的相关联者，所述多个第一本地i/o线在所述第一电路区上沿所述第一方向延伸，使得所述第二电路区没有所述多个第一本地i/o线；多个第二本地i/o线，其各自耦合到所述第二感测放大器的相关联者，所述多个第二本地i/o线在所述第二电路区上沿所述第一方向延伸，使得所述第一电路区没有所述多个第二本地i/o线；第一晶体管，其耦合在电力供应线与所述多个第一及第二感测放大器之间；及第一导电图案，其覆盖且耦合到所述第一晶体管的栅极电极，其中所述第一导电图案沿所述第一方向布置在所述第一电路区与所述第二电路区之间的i/o中断区上。

4、本公开的又一方面涉及一种设备，其包括：第一及第二位线，其沿第一方向延伸且沿垂直于所述第一方向的第二方向布置；第一感测放大器，其耦合到所述第一位线；第二感测放大器，其耦合到所述第二位线；第一导电图案，其布置在所述第一位线与所述第二位线之间，所述第一导电图案被供应有共同激活所述第一及第二感测放大器的控制信号；及第二导电图案，其供应有电力电势，所述第二导电图案至少部分环绕所述第一导电图案，使得所述第一导电图案不邻近于所述第一及第二位线。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述屏蔽导电图案在所述第一位线与所述第一导电图案之间具有第一区段，且在所述第二位线与所述第一导电图案之间具有第二区段。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述屏蔽导电图案进一步具有桥接在所述第一区段与所述第二区段之间的第三区段。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

5.根据权利要求4所述的设备，其中响应于所述第二控制信号而将所述第二电压进一步供应到所述第一感测放大器及所述第二感测放大器，且响应于所述第一控制信号而将所述第一电压进一步供应到所述第三感测放大器及所述第四感测放大器。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一电压的绝对值大于所述第二电压。

7.一种设备，其包括：

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一晶体管的所述栅极电极沿所述第二方向延伸，以便与所述第一位线及所述第二图案的所述第一部分交叉。

9.根据权利要求7所述的设备，

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一图案沿所述第二方向夹在所述第二图案的所述第一部分与所述第二部分之间。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二晶体管的所述栅极电极沿所述第二方向延伸，以便与所述第二位线及所述第二图案的所述第二部分交叉。

12.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括第三晶体管，所述第三晶体管经配置以当供应到所述第三晶体管的栅极电极的第二控制信号被激活时向所述第一感测放大器供应所述操作电压，

13.根据权利要求12所述的设备，其进一步包括第四晶体管，所述第四晶体管包含供应有所述第二控制信号的栅极电极，且经配置以当所述第二控制信号被激活时向所述第二感测放大器供应所述操作电压，

14.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括沿所述第二方向延伸以便在所述第一方向上彼此不重叠的第一及第二本地i/o线，

15.根据权利要求14所述的设备，

16.根据权利要求7所述的设备，其中向所述第二图案供应电力电势。

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：

19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：

20.根据权利要求18所述的设备，其中向所述第二导电图案供应电力电势。

21.一种设备，其包括：

22.根据权利要求21所述的设备，其中所述第二导电图案包含：

23.根据权利要求22所述的设备，其中所述第二导电图案进一步包含连接在所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分。

24.根据权利要求23所述的设备，其进一步包括向所述第二导电图案供应所述电力电势的通孔导体，

25.根据权利要求23所述的设备，

26.根据权利要求22所述的设备，其中所述第二导电图案的所述第一及第二部分中的每一者包含宽部分及沿所述第二方向在图案宽度上比所述宽部分更窄的窄部分。

技术总结
本公开涉及一种具有感测放大器的半导体装置。本文公开一种设备，所述设备包含第一布线层，其包含在第一方向上延伸的第一位线；第一感测放大器，其经配置以放大所述第一位线的电势；及第一晶体管，其经配置以当供应到所述第一晶体管的栅极电极的第一控制信号被激活时向所述第一感测放大器供应操作电压。所述第一布线层进一步包含耦合到所述第一晶体管的所述栅极电极的第一图案及具有在垂直于所述第一方向的第二方向上布置在所述第一位线与所述第一图案之间的第一部分的第二图案。

技术研发人员：西崎护
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15